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Taller de Instalaciones

1. Introduccin
Algunos materiales de estructura cristalina tienen
caractersticas elctricas intermedias entre los
materiales conductores y los aislantes, las que en
condiciones ordinarias pueden presentar
MATERIALES propiedades correspondientes a uno u otro grupo,
SEMICONDUCTORES y se les conoce con el nombre de materiales
semiconductores. Inicialmente los
semiconductores se definieron como materiales
peor conductor que los metales, pero mejor que
los aislantes. Mas tarde fueron definidos como
materiales cuya conductividad aumenta con la
temperatura. Posteriormente se los defini como
conductores electrnicos cuyo numero de
electrones libres varia con la temperatura.

Conductividad elctrica
Es la capacidad de conducir la corriente elctrica
2. Propiedades elctricas cuando se aplica una diferencia de potencial, y es
una de sus propiedades fsicas ms importantes
de los semiconductores. En estos materiales es
Las propiedades y comportamiento de los posible incrementar el nivel de la conductividad
semiconductores es estudiado en forma ms mediante; aumento de la temperatura, incremento
profunda por la fsica del estado slido. de la radiacin de la luz, o integrando impurezas
en su estructura molecular. Estos cambios
originan un aumento del nmero de electrones o
huecos liberados, los se encargan de transportar
la energa elctrica.

Ramiro Herrera Vargas


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Banda prohibida
Es la banda de energa que separa la banda de Caracterstica voltaje-corriente
Al elevar el voltaje aplicado al I
valencia de la banda de conduccin, y es una
caracterstica propia de cada material. semiconductor la corriente
La energa correspondiente a la banda prohibida aumenta considerablemente ms
en alguno de estos materiales es: rpido que el voltaje,
observndose una relacin no
Eg = 1.1 eV - silicio
lineal entre la corriente y el voltaje.
Eg = 0.67 eV - germanio V
Y al invertir el voltaje la relacin
Eg = 1.2 eV - selenio entre la corriente y el voltaje es
Eg = 1.4 eV - arseniuro de galio similar, por lo que los
semiconductores tienen una
caracterstica voltaje-corriente
simtrica.

Movilidad de los portadores


La movilidad de los portadores de la corriente es
la relacin entre la velocidad de movimiento
dirigido de electrones o huecos y la intensidad del
campo elctrico, igual a 1 V/cm.
3. Clasificacin

Ramiro Herrera Vargas


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Por su composicin qumica


Por su estructura cristalina
Material compuesto de tomos de un solo elemento:
germanio, silicio, selenio, fsforo, boro, galio.
Material compuesto de xidos metlicos: xido cuproso,
xido de zinc, xido de cadmio, bixido de titanio.
Monocristalinos, elaborado en forma de cristales
Material a base de composiciones qumicas de tomos con grandes, como el germanio, silicio.
de 3 y 5 electrones de valencia, como ser los siguientes
compuestos: antimonio de indio, antimonio de galio. Policristalinos, compuesto por varios cristales
Composiciones qumicas de tomos con de 2 y 6 soldados unos con otros, como el selenio,
electrones de valencia. Composiciones qumicas de carburo de silicio.
tomos con de 6 y 4 electrones de valencia, como ser el
carburo de silicio.
Materiales de procedencia orgnica, como ser los
compuestos policclicas aromticas (naftalina).

Por el tipo de conduccin El proceso de impurificacin permite alterar


sensiblemente las caractersticas de los
Intrnsecos, cuando la conductividad crece al materiales semiconductores, y consiste en
aumentar temperatura del material. Es una agregar tomos de otra sustancia a un cristal
caracterstica de los materiales puros, aunque intrnseco, que pueden ser tomos pentavalentes
prcticamente no existe un cristal 100% puro, se (donadores del grupo V) con 5 electrones
lo denomina a los semiconductores que no perifricos de valencia, o trivalentes (aceptores,
contiene impurezas. del grupo III) con 3 electrones perifricos de
Extrnsecos, cuya conductividad crece al valencia. La diferencia del nmero de electrones
aumentar las impurezas o contaminacin en el de valencia entre el material dopante (del que
material. Al proceso de impurificacin se le llama acepta o del que confiere electrones) y el material
tambin dopado, y se utiliza para obtener receptor hace que crezca el nmero de electrones
electrones libres que sean capaces de transportar de conduccin negativos (tipo n) o los huecos
la energa elctrica a otros puntos del cristal. positivos (tipo p).

Ramiro Herrera Vargas


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Por su caracterstica
constructiva

Diodo
Tiristor
Triac
GTO
Transistores

Tipo n impureza pentavalente, Tipo p impureza trivalente,


donador: Arsnico, fsforo, aceptador: Indio, galio, aluminio
antimonio

4. Silicio
Es el elemento semiconductor ms utilizado en la
fabricacin de los componentes electrnicos de
estado slido, esto debido a que despus del
oxigeno es el elemento ms abundante en la El silicio comercial se obtiene a partir de slice de
superficie terrestre (27,7% en peso). El silicio, a alta pureza, la que es fundida en hornos de arco
diferencia del carbono, no existe en forma libre en
elctrico reduciendo el xido con electrodos de
la naturaleza, se encuentra en forma de dixido de carbono (>1900 C). El silicio producido por este
silicio (slice) y de silicatos complejos, el primero proceso se denomina metalrgico y tiene una
se encuentra la arena, cuarzo, amatista, gata, pureza superior al 99%. Para la construccin de
pedernal y palo, y en la segunda forma se dispositivos semiconductores es necesario un
encuentra en el granito, feldespato, arcilla, y mica. silicio de mayor pureza, silicio ultra puro, que
puede obtenerse por mtodos fsicos o qumicos.

Ramiro Herrera Vargas


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Los mtodos fsicos de purificacin del silicio


metalrgico se basan en la mayor solubilidad de 5. Germanio
El germanio es un metal frgil, de color agrisado, muy
las impurezas en el silicio lquido, de forma que
brillante, en alguna de sus propiedades se parece al
ste se concentra en las ltimas zonas carbn y en otras al estao. El germanio se encuentra muy
solidificadas. distribuido en la corteza terrestre con una abundancia de
Los mtodos qumicos exponen al silicio de alta 6.7 partes por milln (ppm). El germanio se halla como
pureza a un compuesto de silicio a temperaturas sulfuro o est asociado a los sulfuros minerales de otros
elementos, como el cobre, zinc, plomo, estao y antimonio.
de 900 a 1200 C, obtenindose el silicio Tambin se lo obtiene de las cenizas de carbn.
policristalino. Los compuestos comnmente
usados son el triclorosilano, el tetracloruro de
silicio y el silano. Para obtener un silicio
monocristalino se utiliza el proceso Czochralski
(obtencin de un lingote mediante el uso de una
semilla).

6. Selenio
El primer dispositivo de estado slido, fue hecho El selenio se encuentra en la naturaleza
de germanio. Los cristales especiales de germanio generalmente acompaando al azufre y en
se usan como sustrato para el crecimiento en fase algunos minerales como la crookesita.
vapor de pelculas finas de GaAs y GaAsP en El selenio presenta dos modificaciones
algunos diodos emisores de luz. Se emplean alotrpicas, una el selenio rojo no metlico y el
lentes y filtros de germanio en aparatos que selenio gris que en todas las temperaturas es
operan en la regin infrarroja del espectro. estable.
Mercurio y cobre impregnados de germanio son
utilizados en detectores infrarrojos.

Ramiro Herrera Vargas


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La variedad metlica, estado en la que se emplea


el selenio en la practica, presenta dos Resistividad r Densidad Punto de
modificaciones: (-cm) (g/cm3) fusin C
Mala conductora de electricidad. Silicio 6.7x104 11.7-12 2.328 1420
Buena conductora Germanio 46-68 15.7-16 5.32 958.5
La transformacin de la forma A en la B se la
Selenio 1.6x104 6.1-6.3 4.8 217
realiza elevando la temperatura por encima de 200
C, o mediante la aplicacin de luz a la Carburo de silicio 104-107 6.5-7.5 3.2 1600
temperatura ambiente.

Ramiro Herrera Vargas