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UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA


ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
ELECTRNICA III

FILTROS CON REDES RLC (UTILIZANDO SIMULADOR DE INDUCTANCIAS)

CATEDRTICO:
ING. JOS ROBERTO RAMOS LPEZ

GRUPO DE LABORATORIO: 04

INSTRUCTOR:
BR. IGNACIO FERNANDO FLORES CLAROS

ESTUDIANTES:
BR. FREDY BALMORE BONILLA CRUZ
BC13009
BR. JOS MANUEL HASSIN VSQUEZ
HV13031
BR. RODRIGO ALEJANDRO PALMA RODRIGUEZ
PR13016
BR. LUIS GERARDO RIVERA CALDERN
RC13025

CIUDAD UNIVERSITARIA, 11 DE NOVIEMBRE DE 2016

1. RESUMEN.

2. MATERIALES Y EQUIPO EMPLEADO EN LABORATORIO.

Resistores: 1x10 5 %, W; 1x1k 5 %, W; 1x5.6k 5 %,


W; 1x100k 5 %, W; 1x150k 5 %, W; 1x1M 5 %,
W.
Capacitores: 2x 0.01F, 20%; 1x100pF, 20%.
3 IC CD4007UBE.
1 Protoboard con fuentes de voltaje incorporadas ETS-7000 K&N.
1 Generador de funciones 33210A Agilent Technologies.
1 Osciloscopio digital DSO1012A Agilent Technologies.
1 Multmetro digital PM 2518 Philips.
1 Multmetro digital K-7905A Knight.
3. INTRODUCCIN TERICA:
4. DESCRIPCIN DE LOS CIRCUITOS.
.

5. RESULTADOS DE LAS MEDICIONES

Laboratorio III: FILTROS CON REDES RLC (UTILIZANDO SIMULADOR DE


INDUCTANCIAS). 1
6. DISCUSIN/SIMULACIN
Se requiere construir un filtro RLC Chebyshev que cumpla las siguientes
especificaciones de filtro pasabajas: fp=10kHz, Amax=1dB, fs=15kHz,
Amin =25dB, Ganancia de dc=1.

Primero se procede a calcular el parmetro

= 10 A 1= 101/ 101=0.5088
max /10

Para determinar el orden del filtro Chebyshev se observa que la


atenuacin en el borde pasabanda w=ws debe ser de 25dB como
mnimo.

1
N cosh ( ws / w p )
2
cosh ( )
1+ 2

A ( w s )=10 log

N cosh1 (15 /10)


cosh ()2
1+ 0.50882

A ( ws ) =10 log

Evaluando la ecuacin anterior para diferentes valors de N se obtiene


que con N=5, A(ws)=29.9 dB, por tanto se deduce que filtro para cumplir
las condiciones especificadas debe ser de orden 5.

Para obtener la ubicacin de los polos en el plano imaginario se hace uso


de la siguiente ecuacin:

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INDUCTANCIAS). 2
1

1
sinh 1 + j
N



1

1
sinh1
N



2 k1
( N 2 )sinh
Pk =w p sin

donde k =1,2,3 N

Dando como resultado los siguientes polos:

P1 , P3=5623.45 j 62209.8 rad / s|P1|=62463.45

P2 , P4 =14715.2 j 38446.8 rad / s|P2|=41166.66

P5=18189.8 rad /s

Por lo que la funcin de transferencia del sistema ser:


w p5
T ( s )=
8.1408( s+ 0.2895 w p )(s 2 +s 0.4684 w p + 0.4293 w p2 )(s 2+ s 0.1789 w p +0.9883 w p2 )

Para el diseo del filtro se utilizaran 2 etapas RLC de segundo orden y una
etapa RC.

La figura 12.15 del libro Circuitos Microelectrnicos Sedra, A. S.; Smith, K.


C. 2006. 5ta edicin de muestra la ubicacin del par de polos conjugados
complejos en el plano s. Donde se observa que la distancia radial de los modos
naturales (desde el origen) es igual wo (frecuencia del polo).

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INDUCTANCIAS). 3
Figura 1: Ubicacin de los polos en el plano s

Por tanto es posible calcular el factor Q y la frecuencia de polo para cada


una de las etapas del filtro.

ETAPA Wo [rad/s] Q
1(RLC) 62463.45 5.55
2(RLC) 41166.66 1.40
3(RC) 18189.8 0.5
Tabla 1:Parametros de Diseo de las etapas del filtro

Diseo de la primera Etapa:


Debido a que la primera etapa est formada por un filtro de segundo
orden RLC, las ecuaciones de diseo utilizadas son las siguientes:
w o=1/ LC
Q=wo CR

Se utilizara un valor definido del capacitor igual a 10nF.


Por tanto para la primera etapa:
R=8.88 k
L=25.63 mH

Del circuito simulador de inductancias se tiene que:


L=C R 2 , Cuando el valor de todas las resistencias es el mismo

Por tanto con C=10 nF , R=1.6 k

Diseo de la segunda Etapa:


Debido a que la segunda etapa tambin est formada por un filtro de
segundo orden RLC, las ecuaciones de diseo utilizadas se mantienen:

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INDUCTANCIAS). 4
w o=1/ LC
Q=wo CR

Se utilizara un valor definido del capacitor igual a 10nF.


Por tanto para la segunda etapa:
R=3.4 k
L=59 mH

Del circuito simulador de inductancias se tiene que:


2
L=C R , Cuando el valor de todas las resistencias es el mismo

Por tanto con C=10 nF , R=2.43 k


Cabe mencionar que a la salida de las etapas 1 y 2 se conectan
seguidores hechos con amplificadores LF356 para evitar el efecto de
carga de la siguiente etapa.

Diseo de la tercera Etapa:

La ltima etapa consta de un filtro de primer orden RC por lo que:


w o=1/ RC

Se utilizara un valor definido de capacitor igual a 1nF


Por tanto R=54.975 k

7. CONCLUSIONES.

8. BIBLIOGRAFA.
Informacin consultada:
Sedra, A. S.; Smith, K. C. 2006. Circuitos Microelectrnicos. 5ta
edicin. McGraw-Hill.

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