Está en la página 1de 2

Serie de problemas del tema 6. Dispositivos de dos terminales.

Juntura P-N en condicin electrosttica.


Prob. 1 Un diodo semiconductor de Silicio est dopado con = 51015 /3 , y con
= 31016 /3 , la permitividad relativa del silicio intrnseco es de = 11.5 , y la
permitividad del vaco es de 0 = 8.8541012 / . Hallar la longitud de la regin vaca :
A) En el lado N.
B) En el lado P.
C) La total.
A la temperatura ambiente de 300 hay = 11010 portadores en la banda de
conduccin / 3 en el Silicio intrnseco.

Juntura P-N en condicin electrosttica.


Prob. 2 Considerando el mismo diodo del problema 1, calcula en el centro de la juntura:
A) El campo elctrico en V/cm.
B) El potencial elctrico en mV.

Polarizacin en inversa y la capacitancia asociada.


31017 4.51015
Prob. 3 Un fabricante de diodos utiliza = y = , y mide
3 3
5
experimentalmente un campo mximo en el centro de la unin de 4.510 /.
A) Calcula el voltaje mximo en inversa que puede aplicarse al diodo. Es decir, su
voltaje de ruptura.
B) Suponga que el diodo se somete a un voltaje pico repetitivo en inversa de 120V.
Se daara el dispositivo? .

El silicio intrnseco utilizado tiene = 104.48x1014 / y = 1.11010 /3 .

Polarizacin en inversa y la capacitancia asociada.


Prob. 4 Un diodo semiconductor tiene en su juntura un rea de 1515 .Un clculo
previo sin polarizacin, revela que la longitud en la zona vaca, en el lado P, es de
(0) = 0.355 , y un potencial de contacto = 585 . Asumiendo una juntura
uniformemente dopada ( m=1/2 ), calcula:

A) La capacitancia sin tensin aplicada, en , si su lado P est dopado con
2
= 1017 /3 .

B) La capacitancia inversa en , al aplicar -35V.
2
C) La capacitancia inversa total en femtofarads ( fF ), al aplicar -35V. 1fF = 1015 F.

Polarizacin en directa y la capacitancia asociada.


Prob. 5 Un diodo presenta una capacitancia en inversa sin polarizacin, de 0 =
5/2 . Las dimensiones de sus lados dopados son = 4.5 y = 6 , y
1017 1015
adems las concentraciones de impurezas son = y = . Calcula:
3 3
A) El valor mximo de la capacitancia de vaciamiento en femtofarads.
B) El tiempo de transicin que le toma a los electrones en cruzar el lado N.
C) La capacitancia de difusin a una = 3.5 .
El coeficiente de difusin es = 182 / , y la seccin transversal es de 1010.

Polarizacin en directa y la capacitancia asociada.


Prob. 6 Un diodo con un dopado tal que Nd << Na, tiene un coeficiente de difusin para
huecos Dp = 125 cm2/s, y una longitud fsica en su lado N de Wn = 3.5 m. Determina el
rango dinmico de la capacitancia de difusin en picofarads (pF), considerando una
variacin en de 2 mA a 75 mA. 1pF = 1012 F.