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Cmo se forma un dispositivo de dos terminales y repaso de los mecanismos de

conduccin.

Un semiconductor puro o intrnseco, como el Silicio, tiene una conductividad baja a


temperatura ambiente de = 11010 portadores en la banda de conduccin / 3 .
Para modificar la conductividad del Silicio se le agregan impurezas tipo N y tipo P.

Impurezas tipo N, elementos con valencia 5: Arsnico, Fsforo y Antimonio todos del
Grupo V.

Impurezas tipo P, elementos con valencia 3: Boro, Indio, Galio y aluminio todos del Grupo
III.

Un dispositivo de dos terminales se forma cuando se une un pedazo de semiconductor


dopado con impurezas tipo N, con otro de concentracin similar de impurezas, pero del
tipo P. Si bien este dispositivo solo es til para el ingeniero cuando le aplica un voltaje
externo, la sola accin de conectar ambas piezas, sin aplicar voltaje, produce en primera
instancia un fenmeno de difusin de cargas, en la frontera de las piezas en contacto,
debido a la diferencia en las concentraciones de huecos y electrones.

A la unin P-N formada se dice que est en equilibrio trmico, porque no hay flujo de
energa entre dicho sistema y sus alrededores, esto es no hay fuentes de energa ptica, o
de campo elctrico, que acten sobre los portadores de carga.

En la unin P-N ocurren dos tipos de corriente elctrica: La corriente de difusin y la


corriente de arrastre. La corriente de difusin es debida a concentraciones diferentes de
portadores, presentes en distintas localidades, que debido a su movimiento aleatorio a
temperatura ambiente, se mueven desde una zona donde hay ms alta concentracin,
hacia otra zona donde es ms baja. Otros ejemplos fsicos de esto son: La difusin de un
fluido a travs de una membrana, que separa a dos recintos con concentraciones
diferentes, y la difusin del calor entre dos puntos a temperatura diferente. La corriente
de arrastre se presenta cuando se aplica un campo elctrico externo, el cual produce una
fuerza de arrastre, obligando a los portadores de carga positivos a que se muevan en la
direccin del campo, y a los portadores negativos en la direccin contraria.
En el caso de la unin P-N sin voltaje externo, la corriente de arrastre es producida por el
campo elctrico, que existe en la barrera inica formada previamente por la corriente de
difusin. Antes de que se forme dicho campo, los electrones se agitan por efecto de la
temperatura, y se aceleran cambiando de rumbo de manera aleatoria, al chocar con la red
cristalina. Hasta que el campo es lo suficiente grande para orientarlos en una sola
direccin.

P + ++ + + +++ + + + N
+ + ++ + + + + ++

Id de huecos
Ia de huecos corrientes minoritarias
Id de electrones
Ia de electrones

Id = corriente de difusin
Ia = corriente de arrastre

Fig. 1 Representacin de una unin P-N en el equilibrio trmico.




E
+qNd

0 x

-qNa

0 x

E(0)

n

0 x
p B

B = n - p

Fig. 2 Juntura P-N en condicin electroesttica.


Estas cargas fijas en la unin de los dos materiales, origina un potencial electrosttico ,
que va en aumento, y que se opone al proceso de difusin, reduciendo a la corriente. Al
mismo tiempo, y debido a la agitacin trmica, unos cuantos portadores minoritarios
( electrones en el material tipo P, y huecos en el material tipo P ), repelidos por las cargas
fijas, como se sugiere en la fig. 1. Estas dos corrientes minoritarias son opuestas por
efecto del campo elctrico, dicho campo es contrario a la corriente de portadores
mayoritarios. Finalmente, la corriente total mayoritaria cae a cero, aunque la corriente
minoritaria se sostiene, pero en valores extremadamente bajos.

Al ancho de iones fijos, despus de que la corriente ha cesado, representado como:

= + --- ( 1 )

Se le llama zona de deplexin, regin vaca, regin de vaciamiento, regin de agotamiento,


o regin de carga espacial.

Si consideramos que Na es la concentracin de impurezas aceptadoras ( tipo P ) por


unidad de volumen, Nd es la concentracin de impurezas donadoras ( tipo N ) por unidad
de volumen, Xp la regin de deplexin en el lado P, Xn la correspondiente en el lado N, S
la seccin transversal de la regin de deplexin, y e la carga del electrn, que se considera
igual en magnitud que la carga de un hueco. Por conservacin. Las cargas en ambos lados
de la unin deben ser iguales:

= --- ( 2 )
Despejando tenemos:


= --- ( 3 )

Lo cual significa que al lado con mayor concentracin de impurezas, le corresponde un


ancho ms angosto de la regin de deplexin. En la derivacin de esta ecuacin. Se ha
considerado una regin de carga espacial abrupta, es decir, una concentracin de
impurezas constante en ambos lados de la unin, aunque son posibles otros perfiles,
como el linealmente graduado, donde la concentracin es lineal desde la unin,
comenzando en su centro con un valor de cero, esto es N ( x=0 ) = 0, y la unin hper
abrupta, donde N ( x ) es muy alta en el centro de la unin, y despus decae
exponencialmente.
El fabricante de los dispositivos modifica a la concentracin de impurezas, para beneficio
de ciertas caractersticas de funcionamiento. Por ejemplo, la capacitancia en el diodo
varactor, trabajando con voltaje inverso, es dependiente del espesor de la carga espacial,
que a su vez es funcin de N ( x ).

Nd Nd Nd

x x x
Unin hper abrupta Unin abrupta o uniforme Unin graduada

Fig. 3 Diferentes perfiles de concentracin de impurezas.

Potenciales relativos al Silicio.

Este conocimiento es requerido para determinar en condicin electroesttica a n y p,


para despus calcular el potencial de contacto o potencial de barrera B. En principio,
nuestro objetivo es determinar (xb) - (xa) para huecos, y a (xb) - (xa) para electrones.
Esta diferencia de potencial, finalmente es la que producir una corriente de arrastre Ia,
que cancelar a la corriente de difusin Id.

Silicio tipo P Silicio intrnseco Silicio tipo N

E E

0 X
Xb Xa Xb
( ) ( ) < 0 .
( ) ( ) > 0 .
Fig. 4 Diagrama para determinar los potenciales relativos al Silicio.
Anlisis para el Silicio tipo N.

En condicin electroesttica se cumple que la densidad de corriente en la interface con el


lado n es:

= . . + . . = 0 --- ( 4 )

Donde n es la concentracin de electrones, n su movilidad, Dn su coeficiente de difusin,


y E el campo producido por la carga inica de la juntura.

Como E=-d/dx, (4) queda como:



. . + . . = 0 --- ( 5 )

Reordenando ( 5 ) se llega a una relacin entre la diferencia de potencial, y el de la


concentracin:

= . --- (6)

De la relacin de Einstein = , donde es el potencial trmico, que es igual a


25mV a temperatura ambiente de 300 , = , tenemos:


= --- ( 7 )

Integrando ( 7 ) sobre dos puntos de concentraciones diferentes:




=


( ) ( ) = --- ( 8 )

En general, en el semiconductor intrnseco, la concentracin de portadores en la


banda de conduccin es ( ) = . Si se toma al potencial del semiconductor
intrnseco como el de referencia ( ) = 0 . Entonces el potencial en el
semiconductor tipo N est dado por:

( ) = --- ( 9 )

En particular, para el Silicio intrnseco a temperatura ambiente de 300 hay
= 11010 portadores en la banda de conduccin / 3 . As que ( 9 ) adaptndola al
Silicio queda como:

( ) = --- ( 10 )
11010

Convirtiendo de logaritmo natural a logaritmo en base 10, recordamos que:



= --- (11)

25
Sustituyendo ( 11 ) en ( 10 ), y observando que = = 60 , el potencial en

un punto del Silicio dopado N es:

( ) = (60) --- ( 12 )
11010

La cual se le conoce como la regla de los 60mV.

Anlisis para el Silicio tipo P.

Se procede de la misma manera, partiendo de = 0 , y sustituyendo la relacin de


Einstein para huecos = , quedando:

( ) = (60) --- ( 13 )
11010

Donde el signo negativo se introduce para indicar que el potencial en el Silicio tipo P,
est por abajo del potencial en el Silicio intrnseco.

Determinacin del campo y potencial elctricos, y las dimensiones de la juntura en


condicin electroesttica.

Para poder desarrollar de manera simple expresiones que permitan calcular a E(x),
(x), Xn y Xp, sin cometer un excesivo error, se requiere aplicar una aproximacin
conocida como aproximacin de vaciamiento, a la distribucin de carga de la unin.

La siguiente grfica muestra todas las contribuciones a la distribucin de carga de la


juntura, con respecto a la posicin, en condicin electroesttica.
La aproximacin de vaciamiento consiste en las siguientes suposiciones:
A) Los portadores mayoritarios migran en exceso, es decir slo cruzan la juntura,
no se almacenan all por lo que = = 0.
B) Los portadores minoritarios son expulsados por el campo E, originado por las
cargas inicas por lo que = = 0.
C) Solo queda en la juntura la carga inica debida a los portadores de las
impurezas.
D) Por cada impureza habr slo un portador, por lo que en la juntura habr Nd
iones en el lado N, y Na iones en el lado P.

= nm. de electrones en la banda de conduccin en el


lado P ( portadores minoritarios ).
= nm. de electrones en la banda de conduccin en el
lado N ( portadores mayoritarios ).
= nm. de huecos en la banda de valencia en el lado P
( portadores mayoritarios ).
= nm. de huecos en la banda de valencia en el lado N
( portadores minoritarios ).
= nm. de impurezas aceptadoras en el lado P.
= nm. de impurezas donadoras en el lado N.


+ , , +

0 x
, , +

-Xp 0 +Xn
Fig. 5 Distribucin completa de carga en la juntura.
+ ,

0
x
,

-Xp 0 +Xn

Fig. 6 Aproximacin de vaciamiento en la juntura.


Determinacin de E(x).

Se emplea la ecuacin de Poisson reducida a una sola dimensin, la cual se obtiene de la


Ley de Gauss y de la definicin de potencial elctrico.

La Ley de Gauss establece que la divergencia del campo elctrico, es igual a la carga
contenida en una superficie cerrada:

. ( ) = --- ( 14 )

El gradiente de la funcin escalar potencial, es igual al campo elctrico cambiado en signo:

= --- ( 15 )

Sustituyendo ( 15 ) en ( 14 ) se obtiene la ecuacin. de Poisson en 3 dimensiones:

. () =

2 = --- ( 16 )

En una sola dimensin, el operador ( divergencia ) se reduce a una primera derivada, y el


operador 2 ( laplaciano ) se reduce a una segunda derivada. As las ecuaciones
anteriores se reducen a:
()
= ---- ( 17 )


= ---- ( 18 )

2
2 =- ---- ( 19 )

Revisin de la condicin de frontera: Si cambiara bruscamente con x; es decir si d/dx


es discontinua, entonces E resulta infinito, por lo que en la juntura habra una fuerza
infinita, como esto no es posible, el potencial debe ser continuo en la interface.

Despejando a E(x) en la ecuacin. (17) para el lado P, y considerando a la aproximacin de


vaciamiento:
.
() = = | = ( + ) ; 0 --- (20)

Despejando a E(x) en la ecuacin. (17) para el lado N, y considerando a la aproximacin de


vaciamiento:
. .
() = 0 = (0) + |0 = (0) + --- (21)

Para determinar a E (0) en (21), se observa que al final de la regin de agotamiento no hay
iones, por tanto E (en)=0, lo cual sustituido en (21) produce:
.
(0) = --- (22)

Sustituyendo (22) en (21) queda:



() = ( ) ; 0 --- (23)

El campo elctrico E debe ser continuo en x=0, porque no hay cambio de semiconductor
en ese punto, entonces (20) y (23) deben dar el mismo resultado en x=0, lo cual resulta
en:

. = . --- (24)

La cual es la misma relacin (3), a mayor concentracin de impurezas, ese lado tiene
menor penetracin en la zona de vaciamiento.

Determinacin de (x).

Integrando la ecuacin. (18) en el lado P:



2
= = ( + ) = ( + . | )
2
2
2
= ( + 2 . | = ( + 2 . + 2 )
2 2

() = 0 + ( + )2 --- (25)
2

Donde 0 es una constante de integracin. Evaluando (x) en xp, resulta que 0 = .


Entonces (25) queda como:

() = + ( + )2 ; 0 --- (26)
2

Puede emplearse (26) para encontrar una expresin para el potencial en el centro de la
unin, esto es a (0):

(0) = + 2 --- (26a)
2

Integrando la ecuacin. (18) en el lado N:



2
= = ( ) = ( . |0 )
0 2
2
() = 0 ( 2 . ) = 0 ( 2 2 . ) --- (27)
2

Donde 0 es otra constante de integracin. Recordando que (xn)=n. Evaluando (27)


en x=xn, y despejando 0 resulta:

2
= 0 +
2

0 = 2 --- (28)
2

Sustituyendo (28) en (27) se obtiene la ecuacin para (x):

2 2 2
() = ( 2 . ) = ( 2 . + 2 )
2 2 2

() = ( )2 ; 0 --- (29)
2

Puede emplearse (29) para encontrar una expresin para el potencial en el centro de la
unin, esto es a (0):

(0) = 2 --- (30)
2

Como el potencial debe ser continuo, debe cumplirse que:

(0)|.(26) = (0)|.(30)
2 2
+ =
2 2
La cual conduce a la ecuacin que incluye a las dimensiones de la zona de vaciamiento:

2 + 2 = 2 --- (31)

Donde = , es el potencial de contacto o de barrera.

Determinacin de las dimensiones de la zona vaca.

Encontrar , = + . De la ecuacin. (3) (24), que son la misma, se


despeja :


= --- (32)

Sustituyendo (32) en (31) y despejando a se encuentra que:


2
= . --- (33)
( + )

Las ecuaciones. (32) y (33) permiten calcular completamente las dimensiones de la juntura.
Aunque podra encontrarse una expresin para xp, sustituyendo (33) en (32), y despus de
introducir los trminos en el radical se obtiene:

2
= . --- (34)
( + )

Recordando que la energa est dada por = , se muestra en la fig. 3 que se


produce un doblez de valor en la banda de energa de conduccin del semiconductor
dopado. En las figs. de todos los diagramas de las bandas de energa, 0 significa lo mismo
que B es solo cambio de notacin. Como no hay voltaje externo aplicado, la energa a la
cual la probabilidad de ocupacin de un electrn es de 0.5, o simplemente nivel de Fermi
, es un valor constante.

Ntese que la energa de los electrones est en el nivel inferior de energa en la banda de
conduccin, pegada al nivel de Fermi, mientras que los huecos se encuentran en el nivel
superior en la misma banda, y que la energa de los huecos est en el nivel superior de
energa en la banda de valencia, pegada al nivel de Fermi, mientras que los electrones se
encuentran en el nivel inferior en la misma banda.

Para producir una corriente apreciable, es necesario que los huecos en la banda de
conduccin, tengan una energa prxima a la energa de Fermi, esto es que se
aproxime a , y al mismo tiempo que los electrones en la banda de valencia, tengan una
energa prxima a la energa de Fermi, esto es que se aproxime a , la colina de
energa a superar dada por no es lo suficiente pequea, para detonar el flujo de
corriente. En la banda de conduccin, la corriente de difusin Id trasladara a portadores
de carga en hasta cerca de , y la corriente de arrastre Ia trasladara a portadores
de carga en hasta cerca de , pero Ia cancela a Id y la corriente neta es cero. Una
explicacin similar puede darse en la banda de valencia, dando la misma conclusin para
las corrientes, dicha conclusin ya se describi de manera cualitativa.
Fig. 7 Diagrama de la banda de energa de la unin P-N sin voltaje aplicado.

Juntura P-N en condicin electroesttica.

Problema 1 Un diodo semiconductor de Silicio est dopado con = 1015 /3 , y con


= 1016 /3 , la permitividad relativa del silicio intrnseco es de = 11.5 , y la
permitividad del vaco es de 0 = 8.8541012 / . Hallar la longitud de la regin vaca:
A) En el lado N.
B) En el lado P.
C) La total.
A la temperatura ambiente de 300 hay = 11010 portadores en la banda de
conduccin / 3 en Silicio intrnseco.
Soln.

Para usar la frmula para xn, se necesita conocer al potencial de barrera. Primero se
calculan los potenciales relativos al Silicio intrnseco.

A>

Para el lado N:

( ) = (60) --- ( 12 )
11010


= ( ) = (60)
11010
116
= (60) log (110) = 360
Para el lado P:

( ) = (60) --- ( 13 )
11010


= ( ) = (60)
11010
115
= (60) log (110) = 300

El potencial de barrera es = = 360 (300) = 660 . Para obtener xn


en cm, = . 0 debe ingresar en la frmula en F/cm, y en V.

2
= . --- (33)
( + )

2660103 11.58.8541014 1015


= .
1.61019 1016 (1016 +1015 )

= 8.738106 = .

B>

= --- (32)

1016
= 8.73810 15 = 87.38105 = .
6
10
El lado ms dopado, es el ms delgado.

C> = + = 0.08738 + 0.87388 = .

Juntura P-N en condicin electroesttica.


Problema 2 Considerando el mismo diodo del problema 1, calcula en el centro de la
juntura:
A) El campo elctrico en V/cm.
B) El potencial elctrico en mV.
Soln.

A>

La frmula a aplicar es:


.
(0) = --- (22)

Si = . 0 est en F/cm, resulta E en V/cm. Del problema anterior = 1016 /3 , y


adems = 8.738106 .

1.6 191168.738 6
(0) = = /
11.58.854 14
B>

La frmula a aplicar es:



(0) = 2 --- (30)
2

Si = . 0 est en F/cm, resulta que el segundo trmino est en V. Del problema


anterior = 1016 /3 , = 360, y adems = 8.738106 .

1.61019 1016
(0) = 360 (8.738106 )2 = 360 0.060 =
211.58.8541014
Juntura P-N en condicin electroesttica.

Problema 3 Un diodo semiconductor basado en el Germanio est dopado con =


1015 /3, y con = 1016 /3 , Calcular el potencial de contacto en la unin P N. A la
temperatura ambiente de 300 hay = 7.21013 portadores en la banda de
conduccin / 3 en el Germanio intrnseco.
Soln.

Para el lado N:

( ) = (60) --- ( 12 )
7.21013


= ( ) = (60)
7.21013
116
= (60) log (7.213) = 128.56

Para el lado P:

( ) = (60) --- ( 13 )
7.21013


= ( ) = (60)
7.21013
115
= (60) log (7.213) = 68.56

El potencial de barrera es = = 128.56 68.56 = . .

Es menor que el caso del diodo de Silicio, con la misma concentracin de dopado.

Polarizacin en inversa y la capacitancia asociada.

Si se aplica un voltaje como en la fig. 8, los portadores mayoritarios de ambos lados de la


unin, son atrados por dicho voltaje, lo cual aumenta el ancho de la regin de deplexin,
comparada con el ancho que tena en el equilibrio trmico. Ahora podemos escribir que
= () . Esto es la ec. (1) es dependiente del voltaje aplicado. La polarizacin en
inversa ocasiona un doblez ms pronunciado entre las bandas de conduccin, y entre las
bandas de valencia, de las regiones N y P, al valor aumentado dado por (0 + ) , lo cual
reduce a prcticamente cero, al proceso de difusin de los portadores mayoritarios. En
cambio, la corriente portadora minoritaria no es afectada por el voltaje aplicado, y sigue
atravesando a la unin sin oposicin, la cual se llama corriente de saturacin inversa , y
constituye toda la corriente disponible. Su valor pequeo depende del material
semiconductor dopado y de la temperatura.

Ahora aparecen dos niveles pseudo Fermi, que separan an ms a las bandas de
conduccin y de valencia, aparte de la separacin ampliada adentro de las bandas,
( + ) , reduciendo mucho la probabilidad de que fluya una corriente de portadores
mayoritarios. Aparece tambin una corriente de fuga superficial, que se forma
precisamente en la superficie del dispositivo, debido a que los tomos de Silicio no se
encuentran rodeados con el nmero suficiente de tomos adyacentes, por lo que hay
huecos disponibles en la banda de valencia, donde pueden circular electrones. No
obstante la corriente de fuga superficial tambin es despreciable, y puede agregarse a ,
siendo dicha suma tambin despreciable.

Para producir una corriente apreciable, es necesario que los huecos en la banda de
conduccin, tengan una energa prxima a la energa pseudo - Fermi, esto es que se
aproxime a , y al mismo tiempo que los electrones en la banda de valencia, tengan una
energa prxima a la otra energa de pseudo - Fermi, esto es que se aproxime a ,
pero la colina global de energa es excesivamente grande, para detonar el flujo de
corriente. En la banda de conduccin, la corriente de difusin Id trasladara a portadores
de carga en hasta cerca de , y la corriente de arrastre Ia trasladara a portadores
de carga en hasta cerca de , pero Id es muy pequea, Ia aunque mucho mayor
que Id, tambin es despreciable. Una explicacin similar puede darse en la banda de
valencia, dando la misma conclusin para las corrientes, dicha conclusin ya se describi
de manera cualitativa.

Fig. 8 Diagrama de la banda de energa de la unin P-N con voltaje inverso aplicado.

La capacitancia en inversa aparece en el diodo an cuando no hay voltaje aplicado, y se


reduce cuando se polariza en inversa. Tambin se le llama capacitancia de vaciamiento, o
de deplexin. En la literatura tcnica se le denota como Cs. Dicha capacitancia comienza a
reducirse conforme aumenta el voltaje en inversa. Esta caracterstica es acentuada por el
fabricante en el diodo varactor o varicap, para tener un diodo con capacitancia variable,
dependiente del voltaje.
Portadores minoritarios

P N

-Xp 0 +Xn
Aumenta con VA.

VA

>>

Fig. 9 Capacitancia en inversa.

En polarizacin en inversa, como se muestra en la fig. 9, la corriente de difusin se reduce


mucho, porque la cantidad de portadores mayoritarios en los alrededores de la regin
vaca son atrados por el voltaje externo: un par electrn hueco, en el lado N, que se
encuentra fuera de la regin vaca, se queda sin su electrn que se dirige al nodo del
voltaje externo, el hueco solitario, se incorpora a la regin vaca en el lado N.
Anlogamente, un par electrn hueco, en el lado P, que se encuentra fuera de la regin
vaca, se queda sin su hueco que se dirige al ctodo del voltaje externo, el electrn
solitario, se incorpora a la regin vaca en el lado P. As la regin vaca crece en ambos
lados, comparada con el ancho que tena sin voltaje aplicado.

La regin vaca aumentada, produce un campo elctrico ms intenso, que impide que los
portadores mayoritarios, huecos en el lado P, y electrones en el lado N, crucen la regin
de deplexin. Esto es, la corriente de difusin, relacionada con la diferencia de
concentraciones, se reduce prcticamente a cero, representada por la flecha en color gris
en la fig. 9. En cambio, la corriente de arrastre es mayor porque los portadores
minoritarios son repelidos por el voltaje aplicado, por lo que estos portadores s pueden
cruzar la regin vaca. Aunque la corriente de arrastre es mayor, representada por la
flecha en color blanco en la fig. 9. se mantiene en un nivel muy bajo, ya que est formada
por los portadores que son minora en el dopado. En la fig. 9 se comparan las corrientes
asociadas con los huecos, y empleando el mismo razonamiento se comparan las corrientes
de los electrones, obtenindose la misma conclusin. Las corrientes para electrones,
seran las contrarias a las mostradas en la fig. 9.

Si bien existen corrientes fuera del dispositivo que se dirigen hacia las terminales del
voltaje externo, producto de la separacin de pares electrn hueco, stas son de igual
magnitud y de sentido contrario, por lo que la corriente neta en el exterior del dispositivo
es cero. Adems la corriente mayoritaria encuentra mucha dificultad en cruzar la regin
vaca, debido al campo elctrico intenso atractivo repulsivo, actuando en el mismo tipo
de portador mayoritario: por ejemplo, los electrones en el lado N encuentran un campo
repulsivo en ese lado, y otro atractivo en el lado P, los cuales en conjunto, dificultan
mucho su migracin hacia el lado P.

Cs se origina porque la carga en la regin vaca cambia con el voltaje inverso aplicado al
diodo, el efecto es parecido al de un capacitor de placas paralelas, donde la permitividad
de su dielctrico aumenta, pero tambin la distancia entre sus placas aumenta.

Para desarrollar una expresin para Cs, se requiere preparar a las expresiones para xn y xp,
para que admitan como variable a la seal completa del voltaje aplicado al dispositivo:

= ( ) + ( ) = + --- (35)

Para un anlisis de cd, en las ecuaciones. (33) y (34) se reemplaza a


convirtindose en:

2( )
= . --- (36)
( + )

2( )
= . --- (37)
( + )

Puede observarse en (36) y (37) que al aumentar en magnitud el voltaje inverso, siendo
una cantidad negativa, las longitudes de la regin vaca aumentan. Extrayendo como
factores en (36) y (37), a las longitudes sin polarizacin, esto es las partes asociadas con
= 0 , el caso electroesttico:
2
( ) = . 1 --- (38)
( + )


( ) = (0). 1 --- (39)

2
( ) = . 1 --- (40)
( + )


( ) = (0). 1 --- (41)

Lase ( ) (0) como la longitud es funcin del voltaje aplicado, y longitud obtenida
sin polarizacin, respectivamente.

Ahora en las expresiones del valor mximo del campo en el centro de la juntura, dado por
la evaluacin en x=0 de (20) y (23), aparecen las dimensiones de la juntura, como
funciones del voltaje aplicado VA:

. ( ) . ( )
(0) = = --- (42)

Para un anlisis completo, se sustituye definido en (35), en las ecuaciones. (39) y (41),
resultando:


( ) = (0). 1 --- (43)


( ) = (0). 1 --- (44)

Se regresa al desarrollo de la frmula para Cs, con las ecuaciones. (43) y (44) ya
preparadas. En general, la concentracin N de impurezas, contribuye con una carga inica
en la zona de vaciamiento igual a:

.
3
(. ) =
2
Por lo que la carga inica en el lado P de la unin puede expresarse con esta idea, y con la
ecuacin. (44), como una funcin de como sigue:


( ) = ( ) = (0). 1 --- (45)

Aunque puede encontrarse con el mismo razonamiento a la carga inica en el lado N de la
unin, empleando a (43), esto es a ( ) , (45) es suficiente para hallar Cs. Como la
carga debe conservarse en ambos lados de la juntura:

( ) = ( ) --- (46)

Entonces Cs puede encontrarse derivando con respecto a a (46):

[ ( )] [ ( )]
= = --- (47)

Sustituyendo a (45) en la derivada izquierda de (47):


[ ( )] [ (0). 1 ]

= | | = || ||

Donde se introduce el valor absoluto para obtener un Cs positivo. Desarrollando:

(0)
=

2 1

0
=
--- (48)

1

Donde Cj0 es la capacitancia sin tensin aplicada:

(0)
0 = --- (49)
2

En general, la expresin para Cs vara con el perfil del dopado ver la fig. 3, dicha
dependencia se introduce mediante un ndice m:

Cj0
Cs = v --- (50)
(1D )m
B

Donde m=1/2 es para una juntura uniformemente dopada, m=1/3 para una juntura
gradualmente dopada. En un dopado hper abrupto, m se determina mediante mediciones,
y puede valer entre 1 y 3.
Polarizacin en inversa y capacitancia asociada.
Problema 4 Un diodo semiconductor tiene en su juntura un rea de 2020 .Un
clculo previo sin polarizacin, revela que la longitud en la zona vaca, en el lado P, es de
(0) = 0.763 , y un potencial de contacto = 630 . Asumiendo una juntura
uniformemente dopada ( m=1/2 ), calcula:

A) La capacitancia sin tensin aplicada, en , si su lado P est dopado con
2
= 1017 /3 .

B) La capacitancia inversa en , al aplicar -5V y -30V.
2
C) La capacitancia inversa total en femtofarads ( fF ), al aplicar -5V y -30V.
1fF = 1015 F.
Soln.

A>

(0)
0 = --- (49)
2

1.61019 1017 /3 (0.763 = 0.763104 )


0 =
2(630103 )

0 = 0.9689106 2 = .

B>
0
=
--- (48)

1

= .
968.9
| =5 =
1
5
0.63

= .
968.9
| =30 =
1
30
0.63

A mayor voltaje en inversa, la capacitancia se reduce, y la zona vaca crece.

C>

_ = .A donde A es el rea de la seccin transversal, como Cs est en /2 , A


debe convertirse a 2 .
1010 2 104 2
= (10)2 = (105 )2 = = 106 2
2

_ |=5 = 324.10 2 106 2 = 324.10106 = .

_ |=30 = 138.95 2 106 2 = 138.95106 = .

Polarizacin en inversa y la capacitancia asociada.


31017 4.51015
Problema. 5 Un fabricante de diodos utiliza = y = , y mide
3 3
5
experimentalmente un campo mximo en el centro de la unin de 5.610 V/cm.

A) Calcula el voltaje mximo en inversa que puede aplicarse al diodo. Es decir, su


voltaje de ruptura.
B) Suponga que el diodo se somete a un voltaje pico repetitivo en inversa de 250V.
Se daara el dispositivo? .

El silicio intrnseco utilizado tiene = 104.48x1014 / y = 1.11010 /3 .

Soln.

A>

Sabemos que el campo elctrico es mximo en el centro de la unin, y est dado por:

. ( ) . ( )
= (0) = = --- (42)

Se decide emplear la forma siguiente de ( 42):

. ( )
= (0) = --- (42A)

Se pide el valor de que produce a .

Primero se calcula a ( ) empleando a:

2
( ) = . 1 --- (38)
( + )

Clculo de :

=317
= (60) log ( 1.110

) = 446.14
=4.515
= (60) log ( 1.110 ) = 336.71

= = 446.14 (336.71) = 782.85

Clculo del primer factor de (38):

2 2104.481014 4.51015 0.783


= = 7.097107
( + ) 1.61019 31017 (31017 + 4.51015 )

Entonces (38) queda como:


( ) = 7.097107 1 --- (38A)
0.783

Sustituyendo (38A) en (42A) y tambin los valores que faltan:

1.61019 31017
= 7.097107 1
104.481014 0.783


= 32604.91 --- (42B)
0.783

Finalmente despejando de (42B) a y sustituyendo 5.6105 / tenemos:


2
= 5.6x105
VAmax = [1 ( ) ] (0.783) = .
32604.9

B>

Como || > | | , el diodo se daa por ruptura en avalancha.

Polarizacin en directa y la capacitancia asociada.

Si se aplica un voltaje como en la fig. 10, los portadores mayoritarios de ambos lados de la
unin, son repelidos por dicho voltaje, obligndolos a cruzar la unin, lo cual reduce el
ancho de la regin de deplexin, comparada con el ancho que tena en el equilibrio
trmico, este fenmeno se aprecia mejor en la fig. 11. La polarizacin en directa ocasiona
un doblez ms reducido entre las bandas de conduccin de las regiones N y P, al valor
disminuido dado por ( ) , lo cual reduce a la colina de energa, favoreciendo que
fluya la corriente de portadores mayoritarios, exponencialmente, conforme V aumenta.
Cuando V > dicha corriente solo est limitada por la resistencia del dispositivo y el
circuito externo. La resistencia del dispositivo est solo limitada por la conductividad de
las zonas neutras = / , dichas zonas se componen del semiconductor dopado,
excluyendo a la zona de deplexin. Al haber una regin de deplexin ms delgada, el
campo elctrico existente en esa regin es muy pequeo, por lo que la corriente de
arrastre, contraria a la corriente de difusin, es prcticamente cero, como se indica en la
fig. 11.

Ahora hay una corriente de difusin apreciable, porque los huecos en la banda de
conduccin, tienen una energa prxima a la energa pseudo - Fermi, esto es que est
prxima a , y al mismo tiempo los electrones en la banda de valencia, tienen una
energa prxima a la otra energa de pseudo - Fermi, esto es que est prxima a ,
la colina global de energa es muy pequea, por lo que detona el flujo de corriente de
portadores mayoritarios. En la banda de conduccin, la corriente de difusin Id traslada a
portadores de carga en hasta cerca de , y es muy intensa, y la corriente de
arrastre Ia que trasladara a portadores de carga en hasta cerca de , es
despreciable. Una explicacin similar puede darse en la banda de valencia, dando la
misma conclusin para las corrientes, dicha conclusin ya se describi de manera
cualitativa.

Fig. 10 Diagrama de la banda de energa de la unin P-N con voltaje directo aplicado.
Portadores minoritarios

P N

-Xp 0 +Xn

VA


>>

Fig. 11 Polarizacin en directa.

Se dice que un diodo es un dispositivo bipolar, porque puede sostener a dos corrientes de
portadores, cuando est polarizado en directa, como lo indica la fig. 11. Hay dispositivos
unipolares, es decir que solo presentan una corriente de portadores, generalmente solo la
de electrones.

La corriente de portadores minoritarios , solo depende de la temperatura, y no es


afectada prcticamente por la polarizacin. La variacin de la corriente como una funcin
del voltaje aplicado se modela con la ecuacin de Shockley:

= ( /() 1) --- ( 51 )
Donde es el voltaje trmico de 25mV a 300K, es la corriente de saturacin en
inversa de la juntura, que como se explic, aparece durante la polarizacin en inversa, y
est dada por:
. .
= . ( + ) --- ( 52 )

Donde A es el rea de la seccin transversal del dispositivo, Wn y Wp son las longitudes


reales del lado N, y del lado P, respectivamente; son las concentraciones de los
portadores de carga minoritarios, por unidad de volumen, huecos en el lado N, y
electrones en el lado P, respectivamente; son los coeficientes de difusin de los
huecos que ingresan al lado N, y de los electrones que ingresan al lado P, respectivamente.
Ms adelante se aclarar con cierto detalle a los coeficientes de difusin.

En la ec. ( 51 ) el factor n en el denominador del exponente, es un coeficiente de emisin,


que depende del proceso de fabricacin del diodo, y que se asumir por simplicidad en el
desarrollo que vale uno.

Fig. 12 Curva caracterstica del diodo semiconductor a dos temperaturas diferentes.

En la fig. 12 se muestra el comportamiento del diodo dado por (51). Cuando el voltaje en
directa an no ha superado al potencial de barrera, no mostrado en la fig. 12, la corriente
es insignificante. A un voltaje mayor, la corriente crece de manera exponencial, de hecho
hay una resistencia dinmica para este comportamiento dada por V/I, un cambio
pequeo en voltaje origina un cambio grande en la corriente, por lo que esta resistencia
es baja. Al aplicar un voltaje en inversa en aumento, la corriente resultante cambia muy
poco, es por eso que hay una enorme diferencia entre las escalas de la corriente directa y
la inversa. Un cambio grande en el voltaje inverso, provoca un cambio pequeo en la
corriente, por lo que la resistencia dinmica inversa dada por V/I es muy grande, as la
regin inversa se considera una regin de corte. Si se va aumentando al voltaje en inversa
hasta alcanzar un valor en el que el campo elctrico en la zona de deplexin alcanza
un valor crtico , entonces los electrones ( portadores minoritarios ) que atraviesan la
unin, son acelerados a la suficiente velocidad colisionando con otros electrones,
arrancndolos de sus rbitas atmicas. Estos nuevos portadores, participarn en otras
colisiones, soltando a ms electrones. A este proceso se le conoce como ruptura en
avalancha, y a se le conoce como voltaje de ruptura, cuyo valor impone un lmite
mximo para el voltaje en inversa que puede ser aplicado a la unin P N, y puede
calcularse como:

= --- ( 53 )
A mayor zona de deplexin, el voltaje de ruptura es mayor.

Con referencia a la fig. 12, un aumento en la temperatura produce que los mismos niveles
de corriente en cualquier zona de polarizacin, sean alcanzados con menos voltaje
aplicado, o que el nivel de corriente sea ms alto, para el mismo nivel de voltaje. Adems
el dispositivo presenta un potencial de barrera ms bajo, y la ruptura en avalancha es
alcanzada con menos voltaje.

Es decir para las corrientes:

2 = 1 2 < 1 2 > 1

O de manera equivalente:

2 > 1 2 = 1 2 > 1

Adems:

2 > 1 2 = 1 2 > 1

Para los potenciales de contacto:

2 < 1 2 > 1

Para los voltajes de ruptura:

V2 < V1 2 > 1
Supngase que en un diodo con juntura uniformemente dopada, esto es m=1/2,
inicialmente polarizado en inversa, se aplica ahora un voltaje de polarizacin en directa.
Se observa que an con el voltaje en directa, existe capacitancia de vaciamiento, pero solo
hasta que el voltaje aplicado alcanza /2 . A tensiones mayores, esta capacitancia se
mantiene en un solo valor. Sustituyendo en (48) a por /2 , encontramos que este
valor es:
0 0
=
=
= 20 --- ( 54 )

1 12

Que puede interpretarse como el remanente de capacitancia de vaciamiento, que queda


al aumentar lo suficiente al voltaje en directa, y que se considera un valor mximo de
capacidad de vaciamiento, en polarizacin en directa. La fig. 13 ilustra el comportamiento
de esta capacitancia.

P N

-Xp 0 +Xn

< /

Fig. 13 Capacitancia de vaciamiento con polarizacin en directa.

Existe otra capacitancia en polarizacin directa, la de difusin asociada con la carga


acumulada por los portadores mayoritarios, en su trnsito por el lado opuesto del
semiconductor, en la fig. 14 aparece esta capacitancia, aunque algo escondida. En la
literatura tcnica se le denota como Cd.
n, p Regin P Regin N

( ) (+ )

0
+ x
0 +

Fig. 14 Niveles de portadores mayoritarios a ambos lados de la juntura, con voltaje en


directa.

En la fig. 14 los electrones que ingresan en la regin P tienen un tiempo de vida limitado
como cargas libres, ya que solo penetran una cierta distancia, denominada como longitud
de difusin , antes de que caigan en un portador mayoritario o hueco, recomponiendo
un enlace covalente ( recombinacin ) . Lo mismo se aplica a los huecos que ingresan en
el lado N, solo pueden avanzar una distancia , antes de recombinarse con un electrn.

Ambas longitudes de difusin L, se encuentran relacionadas con sus respectivas


constantes de difusin D, y con el tiempo de vida del portador o carga libre , como sigue:

= --- ( 55 )

= --- ( 56 )

En la condicin de polarizacin directa, el ancho de la regin de deplexin es angosta, y


mucho ms pequea que las longitudes de difusin, ( xn + xp ) ( Wn + Wp ). Por
esta diferencia en dimensiones, ocurre una acumulacin de cargas, electrones en el lado P,
y huecos en el lado N, la cual vara con el voltaje aplicado, dando como resultado una
capacitancia no lineal, conocida como capacitancia de difusin . De hecho, si se quiere
reducir a la circulacin de corriente por el diodo a cero, primero debe eliminarse esta
carga, como si se tratara de un capacitor.
Para hallar a , primero deben hallarse las cargas acumuladas en cada lado de la juntura,
como funcin del voltaje aplicado .

Para el lado P:

= ( )( )

(. )

(1 +
)
= ( )
2
El ancho de la zona de agotamiento que penetra al lado P, puede considerarse
despreciable, frente al ancho de ese lado, esto es , entonces:

(1+ )
= ( ) --- ( 57 )
2

Anlogamente, para la carga acumulada en el lado N:



(1+ )
= +( ) --- ( 58 )
2

La variacin de la carga total en la juntura, con el voltaje, es la capacitancia:

[ ( )] [ ( )]
= + --- (59)

Derivando (57) y (58) se tiene:




= --- (60)
2



=+ --- (61)
2

Sustituyendo (60) y (61) en (59):




= ( + ) --- (62)
2


En polarizacin en directa con lo suficiente grande, 1, por lo que (62)
puede aproximarse como:

1
= ( + ) --- (63)
2

De (51) realizamos el siguiente despeje:

= ( / 1) --- ( 51 )

/ = / 1 --- ( 64 )
Sustituyendo (64) en (63), se elimina la dependencia exponencial en (63):

= ( + ) 2 --- (65)

En (65) se identifica al siguiente factor , como el tiempo de vida del portador libre,
tambin se le conoce como el tiempo de transicin del diodo, que como se explic, es el
tiempo que le toma a los portadores en atravesar las zonas de difusin.
1
= ( + ) 2 --- (66)

Sustituyendo (66) en (65), se redefine (65) como:



= --- (67)

Nota la simplicidad de la ec. (67). A mayor corriente en directa por el diodo, es mayor.

Es interesante comentar que los ingenieros de microondas han encontrado que en sus
diseos, se vuelve cada vez ms crtica la presencia de esta capacitancia, cuando va en
aumento la frecuencia de la aplicacin. Esto es debido a que deben eliminarse a las cargas
acumuladas en cuando la seal de control del dispositivo cambia, para polarizarlo de
directa a inversa, originando retrasos en el funcionamiento del dispositivo.

Conocido por (66) puede sustituirse en (67), y se encuentra a . Es posible encontrar la


para electrones, y para huecos, en funcin de W y D, manipulando a (66) y considerando
una juntura asimtrica, esto es que un lado se encuentre mucho ms dopado que otro, en
al menos un factor de 10.

Sustituyendo (52) en (66):


. .
= . ( + ) --- ( 52 )

( + ) +
= . . = . . --- (66A)
2.( + ) 2( + )

Anlisis para << . Esta aproximacin conduce a otra , entonces (66A)


queda como:

2
= .
= --- (66B)
2( ) 2

Que es el tiempo que le toman a los electrones en difundirse por el lado P.

Asumiendo las aproximaciones contrarias, esto es , lo cual conduce a que


se encuentra al tiempo que le toman a los huecos en difundirse por el lado N:

2
= --- (66C)
2

Como D tiene unidades de rea / s, se comprueba que tiene unidades de s. Ntese que
(66B) o (66C), pueden sustituirse en (67), siempre que se compruebe que la juntura sea
asimtrica.

Polarizacin en directa y la capacitancia asociada.

Problema 6 Un diodo presenta una capacitancia en inversa sin polarizacin, de 0 =


15/2 . Las dimensiones de sus lados dopados son = 4 y = 5 , y
1017 1015
adems las concentraciones de impurezas son = y = . Calcula:
3 3

A) El valor mximo de la capacitancia de vaciamiento en femtofarads.


B) El tiempo de transicin que le toma a los electrones en cruzar el lado N.
C) La capacitancia de difusin a una = 2.
El coeficiente de difusin es = 122 / , y la seccin transversal es de 1010.

Soln.

A>

= 20 --- ( 54 ) en Farad por unidad de rea.


= 20 . en Farad.

1010 2 104 2
= (10)2 = (105 )2 = 2
= 106 2

= 20 . = 215/2 (106 2 ) = 2.121105

= 20 . = 21.211015 = .

B>

Se comprueba que << , ya que el factor implicado es de 10 ms, por lo que se


emplea:

2
= --- (66B)
2

Es decir se desprecia a , por lo que solo contribuye con .

102 6
= 4 = 410 ( ) = 4104

2
(4104 )
= = 6.667109 = .
122
2( )

C>

= --- (67)

6.667109
= 3
2103 = 5.3341010 = 533.41012 = .
2510
Se comprueba que en polarizacin en directa, la capacitancia de difusin domina sobre la
capacitancia de vaciamiento, .
Polarizacin en directa y la capacitancia asociada.
Problema. 7 Un fabricante de diodos tiene los siguientes datos de su catlogo:

Diodo A Diodo B Diodo C


Dn = 50 cm2/s Dp = 80 cm2/s Dp = 60 cm2/s
Wp = 6 m Wn = 3 m Wn = 5 m
Nd >> Na Nd << Na Nd << Na

A) Determina el rango dinmico de la capacitancia de difusin, para cada diodo,


considerando una variacin en de 1 mA a 100 mA.
B) Cul diodo presenta la capacitancia mxima de difusin, y a cul valor de
corriente ocurre?

Soln.

A>

Observa que debido a que las concentraciones difieren en ms de un factor de 10, la


estrategia a seguir es:

Diodo: A B C
Se calcula:
Se desprecia:

Empleamos las siguientes ecuaciones. Segn convenga:

2
= --- (66B)
2

2
= --- (66C)
2


= --- (67)

Para facilitar la comparacin de los valores de capacitancia, se elige una unidad comn
para todos los diodos, digamos pF. Adems solo basta calcular a a 1 mA, para cada
diodo, ya que el valor de a 100 mA es 100 veces mayor. Para que resulte en seg. W
debe ser convertido a cm, usar 1 m = 104 .
Diodo A.

(6104 )2 3.6109
= = 3.6109 @ 1mA = 1103 =
2(50) 0.025
10
1.4410 = 1441012 = 144
Diodo B.

(3104 )2 5.6251010
= = 5.6251010 @ 1mA = 1103 =
2(80) 0.025
11
2.2510 = 22.51012 = 22.5
Diodo C.

(5104 )2 2.083109
= = 2.083109 @ 1mA = 1103 =
2(60) 0.025
11 12
8.33210 = 83.3210 = 88.32
Los rangos dinmicos son:

Diodo A:

Diodo B: .

Diodo C: .

B>

La capacitancia mxima de 14400pF se presenta en el diodo A a una = .

Bibliografa:

Dispositivos Semiconductores: Principios y modelos.


Pedro Julin
Edit. Alfaomega

Microwave devices circuits and subsystems for communications engineering


Glover / Pennock / Shepherd
Edit. John Wiley & sons

Fundamentos de microelectrnica, nanoelectrnica y fotnica.


Jos Mara Albella Martn.
Edit. Prentice Hall