Fundamentos de Microondas 2 (Internet) 4º

Resumen de Fundamentos de Microondas 2
4o E.T.S.I. Telecomunicacin
Universidad de Mlaga
Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org)

http://www.telecos-malaga.com
Curso 2002/2003
NDICE GENERAL NDICE GENERAL
ndice general
1. Dispositivos de estado slido de radiofrecuencia y microondas 1

1.1. Introduccin a la problemtica de la caracterizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. MIC: hbridos y monolticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3. Los parmetros S de los transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3.1. Por qu se usan los parmetros S? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3.2. Cmo se miden? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.3. Relacin entre parmetros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.4. Cambio de configuracin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2. Amplificadores de microondas 4
2.1. Introduccin: conceptos fundamentales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.1. La transformacin bilineal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1.2. Concepto de coeficiente de reflexin () . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.3. Factor de desadaptacin de impedancias (M ) . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.4. Relacin entre M y el COE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.5. Relaciones de inters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2. Amplificadores lineales a transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.2.1. Circuito general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.2.2. Definiciones de ganancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.2.3. Estabilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2.4. Condiciones de adaptacin compleja conjugada simultnea . . . . . . . . . . 10
2.2.5. MAG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3. Diseo de amplificadores de banda estrecha bajo especificaciones de ganancia . . . . 12
2.3.1. Planteamiento del problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3.2. Curvas de Gp y Gd constantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
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2.3.3. Procedimiento de diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.3.4. Especificaciones de Gt , COEin , COEout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.4. Diseo de amplificadores de bajo ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.4.1. Conceptos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.4.2. Potencia de ruido en un circuito bipuerto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4.3. Crculos de ruido constante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.4. Metodologas de diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.5. Figura de mrito: conexin de amplificadores en cascada . . . . . . . . . . . 18
2.5. Amplificadores balanceados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.5.1. Estructura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.5.2. Hbridos de microondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.5.3. Anlisis del amplificador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.5.4. Ventajas e inconvenientes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.6. Amplificadores de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.6.1. Amplificadores de potencia en clase A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.6.2. Metodologa de diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.6.3. Tcnicas de combinacin de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.7. Amplificadores de 2 etapas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.7.1. Estructura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.7.2. Relaciones de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.7.3. Tipos de diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3. Detectores y mezcladores 24
3.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.2. Detectores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3. Mezcladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3.1. Concepto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3.2. Tipos de mezcladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3.3. Terminologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3.4. Dispositivos mezcladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3.5. Proceso de mezcla . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3.6. Anlisis gran seal-pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3.7. Prdidas de conversin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3.8. Mezcladores balanceados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
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4. Circuitos de control y conmutacin 30

4.1. Diodo PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2. Aplicaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.1. Conmutadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.2. Atenuadores variables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.2.3. Desfasadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
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1. Dispositivos de estado slido de radiofrecuencia y microondas
TEMA 1
Dispositivos de estado slido de
radiofrecuencia y microondas
1.1 Introduccin a la problemtica de la caracterizacin

Un amplificador de microondas en principio ser igual que uno de baja frecuencia, con la nica
diferencia de la frecuencia de trabajo
Formas de conseguir amplificadores de microondas:
Tubos de onda progresiva: estructuras muy voluminosas, poco eficientes y poco fiables.
Por contra, permiten manejar mucha potencia de salida
Amplificadores de estado slido: tienen los mismos principios que los de baja frecuencia
Al ver el circuito equivalente para pequea seal de un transistor (FET por ejemplo) de baja
frecuencia, si se sube la frecuencia, se hace necesario un modelo ms elaborado que incluye
elementos parsitos:
intrnsecos: Cgd , capacidad de puerta a drenador que rompe la unilateralidad del disposi-
tivo, y que puede dar lugar a inestabilidades u oscilaciones
extrnsecos: inductancias y resistencias de las patillas, adems de las capacidades del
encapsulado entre las patillas
Otra restriccin al subir la frecuencia es la aparicin de efectos de propagacin dentro del

propio dispositivo
Slo cuando lleg la miniaturizacin (aos 70) se consigui minimizar los efectos parsitos y
disminuir el tiempo de trnsito de los portadores,
Lpuerta
c =
vs
siendo c el tiempo de trnsito de los portadores, Lpuerta la longitud de puerta y vs la velocidad
de los portadores. Entonces, la frecuencia mxima de funcionamiento es
1
fmax =
2c
Con la integracin, llegaron los MIC (Microwave Integrated Circuit)
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1. Dispositivos de estado slido de radiofrecuencia y microondas 1.2. MIC: hbridos y monolticos
1.2 MIC: hbridos y monolticos

Hay 2 tipos de MIC:
Hbridos: hay un solo nivel de metalizacin, mezclndose indistintamente elementos concen-

trados y distribuidos
Monolticos: con sustrato de Arseniuro de Galio (GaAs), se somete al mismo a determinados

procesos qumicos para conseguir el circuito sobre ese nico sustrato
1.3 Los parmetros S de los transistores

Cmo caracterizar los componentes que forman parte de un sistema de microondas?
Circuito equivalente:
da mucha informacin del dispositivo
permite la optimizacin variando alguna de las variables del circuito o las dimensio-
nes del dispositivo
es difcil extraer el modelo, salvo en casos muy sencillos
Parmetros dependientes de la frecuencia y para un cierto punto de polarizacin:
gracias a ellos no necesitamos saber nada del dispositivo
slo hay que hacer medidas de esos parmetros
hay mucha precisin, porque los parmetros los hemos medido y con ellos se puede
caracterizar totalmente el dispositivo
Cuando un fabricante se refiere a los parmetros S de un dispositivo, tiene dos opciones
de formato:
chip (die): parmetros del dispositivo
encapsulado: parmetros del dispositivo + patillas de acceso
Tambin se pueden usar curvas
1.3.1 Por qu se usan los parmetros S?

Son los parmetros naturales de las lneas de transmisin. En una lnea de transmisin la
impedancia cambia
Estn asociados a ondas de potencia incidente y reflejada. Por tanto, son mejores para carac-
terizar guas de onda
Si ussemos parmetros Z o Y , habra que trabajar con cortocircuitos y circuitos abiertos, que
a frecuencias de microondas pueden provocar oscilaciones e inestabilidades
A frecuencias de microondas adquieren significado fsico: flujo de potencia en el medio de

transmisin

1. Dispositivos de estado slido de radiofrecuencia y microondas 1.3. Los parmetros S de los transistores
1.3.2 Cmo se miden?

Hay que ver con respecto a qu impedancia de referencia se miden, Z0 . Tomaremos siempre
Z0 = 50
Instrumental: analizador de redes
1.3.3 Relacin entre parmetros

A veces nos interesa trabajar con parmetros Z, Y , H, T , ...
Conversin de parmetros S a parmetros T :

t11 t12 1/s21 s22 /s21
=
t21 t22 s11 /s21 s12 s11 s22 /s21

s11 s12 t21 /t11 t22 t21 t12 /s11
=
s21 s22 1/t11 t12 /t11
1.3.4 Cambio de configuracin

Los parmetros S que nos dan los fabricantes se suelen medir para una configuracin de emisor
comn (BJT) o fuente comn (FET)
Sin embargo, los parmetros S varan segn la configuracin, y nos puede interesar tenerlos en
base comn (para disear osciladores)
Para ello, hay tablas de conversin entre parmetros, que no vamos a desarrollar

2. Amplificadores de microondas
TEMA 2
Amplificadores de microondas
2.1 Introduccin: conceptos fundamentales
2.1.1 La transformacin bilineal

La transformacin bilineal vista en Variable Compleja aparece mucho en el diseo de amplificadores
de microondas, por la propiedad importante que tiene:
Transforma un plano en un crculo y viceversa, o un crculo en otro
Esta transformacin del plano Z al W es
Az + B
W = (2.1)
Cz + D
El interior del crculo en el plano Z se puede transformar en el interior del crculo en el plano W o
en el exterior, pero si un punto del interior en el plano Z se transforma en un punto del interior en el
plano W , entonces todo el interior se transforma en el interior.
Transformacin de crculos en crculos

Si queremos transformar el crculo en el plano Z
|z z0 |2 = R2
en el crculo en el plano W
|w w0 |2 = 2
Entonces debe ser
2 C D A0 B 0 |A0 D B 0 C|
z0 = R= A0 = A Cw0 B 0 = B Dw0
A0 A0 2 CC |A0 |2 2 |C 0 |2


2. Amplificadores de microondas 2.1. Introduccin: conceptos fundamentales
2.1.2 Concepto de coeficiente de reflexin ()

Se define con respecto a una impedancia de referencia, Zref
Zg Zref
g = Zref R (2.2)
Zg + Zref
Se define el coeficiente de onda estacionaria como

1 + ||
COE = (2.3)
1 ||
Cuando se habla del COE se supone que hay una lnea de transmisin, ya que representa la relacin
entre las amplitudes de ondas incidente y reflejada.
Este no es el coeficiente de reflexin de una lnea, sino el de un plano
2.1.3 Factor de desadaptacin de impedancias (M )

Se define de la siguiente forma, siendo PeL la potencia entregada a la carga y Pdg la potencia disponi-
ble del generador
1 |izqda |2 1 |dcha |2

PeL 4Rg RL
M= = = (2.4)
Pdg |Zg + ZL |2 |1 izqda dcha |2
Al moverse por redes sin prdidas, el factor de desadaptacin de impedancias se mantiene invariante.
2.1.4 Relacin entre M y el COE

1+ 1M
COE =
1 1M
2.1.5 Relaciones de inters

Definimos la tensin y la corriente en funcin de las ondas de potencia como
r
p 2
V = 2Z0 (a + b) I= (a b)
Z0
Si ag es la onda de potencia asociada al generador Vg ,

a = ag + g b
Cuando no hay onda de potencia reflejada, b = 0,

r
1 Z0 Vg
(1 g ) |ag |2 = Pdg 1 |g |2

ag = a|b=0 = Vg =
Zg + Z0 2 8Z0

2. Amplificadores de microondas 2.2. Amplificadores lineales a transistores
2.2 Amplificadores lineales a transistores
2.2.1 Circuito general

Aqui va la imagencita del circuito, a ver si instalo el Xfig
2.2.2 Definiciones de ganancia

Se definen 3 tipos de ganancia:
ganancia de potencia: el cociente entre la potencia entregada a la carga y la entregada en el

plano de entrada
PeL
Gp =
Pin
ganancia disponible: la que informa de lo que amplifica el transistor, la mxima ganancia
posible del circuito, que se conseguira con adaptacin compleja conjugada simultnea
Pdsal
Gd =
Pdg
ganancia de transduccin: es la ganancia verdadera, que considera las desadaptaciones

PeL
Gt =
Pdg
Tambin se pueden establecer las siguientes relaciones entre las diferentes ganancias:
Mg
Gt = ML Gd G t = Mg G p Gd = Gp (2.5)
ML
Cuando hay adaptacin compleja conjugada simultnea (en ambos planos), entonces
Gp = Gd = Gt M AG
ya que
Mg = M L = 1
Usando los parmetros S del transistor se pueden escribir las siguientes expresiones para los coefi-
cientes de reflexin a la entrada y la salida del mismo
s12 s21 L
in = s11 + (2.6)
1 s22 L
s12 s21 g
sal = s22 + (2.7)
1 s11 g

Y podemos hacer lo mismo para las expresiones de ganancia

|s21 |2 1 |L |2

Gp =
|1 s22 L |2 |s11 L |
|s21 |2 1 |L |2 1 |g |2 1 |g |2 |s21 |2 1 |L |2

Gt = =
|1 s22 L s11 g + L g |2 |(1 s22 L ) (1 s11 g ) s12 s21 L g |2
|s21 |2 1 |g |2

Gd =
|1 s11 g |2 |s22 g |2
Unilateralidad
Un caso interesante en los transistores es el de la unilateralidad, que significa que el parmetro s12 es
nulo, lo que simplifica el diseo al permitir hacer una adaptacin compleja conjugada simultnea ms
fcilmente, porque se pueden forzar condiciones independientes en cada plano. En este caso,
s12 s21 L s12 s21 g
in = s11 + = s11 sal = s22 + = s22
1 s22 L 1 s11 g
Es decir, que los coeficientes de reflexin son independientes de lo que haya al otro lado del transistor.
Por otro lado, podemos definir una
ganancia de transduccin unilateral

1 |g |2 2 1 |L |
2
Gtu = |s21 |
|1 s11 g |2 |1 s22 L |2
Esta ganancia no es mxima cuando g = L , ya que estamos usando una impedancia de
referencia para definirlos, por lo que la condicin de ganancia mxima ser la de adaptacin
compleja conjugada simultnea, es decir, g = in = s11 y L = sal = s22 . Se obtendr la
siguiente ganancia en ese caso
1 2 1
Gtu ,max = 2 |s21 |
1 |s11 | 1 |s22 |2
Podemos escribir adems, para los dispositivos unilaterales,
Gtu = Mg Gtu ,max ML
2.2.3 Estabilidad
Hay 3 tipos de estabilidad:
estabilidad incondicional: a una frecuencia dada hay estabilidad incondicional si para cuales-
quiera impedancias Zg y ZL pasivas (|g | , |L | < 1) entonces se cumple
|in | < 1 <e (Zin ) > 0
y
|sal | < 1 <e (Zsal ) > 0

estabilidad condicional: existe al menos algn L con |L | < 1 para el que |in | > 1 y algn
g con |g | < 1 para el que |sal | > 1, lo que puede ocasionar oscilaciones
inestabilidad incondicional: en este caso para cualquier L tal que |L | < 1 es |in | > 1 y/o
para cualquier g tal que |g | < 1 es |sal | > 1
Condiciones necesarias pero no suficientes para estabilidad incondicional:
|s11 | < 1 |s22 | < 1
Si no fuera as, habra inestabilidad para al menos una carga, que es s11 = in |L =0 y/o
s22 = sal |g =0
Curva de estabilidad a la salida (CES)

Sirve para ver qu impedancias de carga se pueden usar de forma que resulte un circuito estable.
Queda determinada por su centro CL0 y su radio RL0 :
s11 s22 |s12 s21 |
CL0 = RL0 = 2
||2 |s22 |2 || |s22 |2

Se suele usar cuando se ha determinado que hay estabilidad condicional. De todas formas, estos
valores nos pueden servir para escribir nuevas condiciones de estabilidad incondicional:
Si el origen (L = 0) cae dentro de la CES, para que haya estabilidad incondicional se debe
cumplir
RL0 1 + |CL0 |
Si el origen cae fuera de la CES, entonces ser
RL0 |CL0 | 1
Curva de estabilidad a la entrada (CEE)

Se definen el centro y el radio de la CEE de forma anloga a la CES:
s22 s11 |s12 s21 |

Cg0 = Rg0 = 2
||2 |s11 |2 || |s11 |2

Y las condiciones de estabilidad incondicional son equivalentes:
Si el origen (g = 0) cae dentro de la CEE, para que haya estabilidad incondicional se debe
cumplir
Rg0 1 + |Cg0 |
Si el origen cae fuera de la CEE, entonces ser
Rg0 |Cg0 | 1

Estabilidad en funcin de los parmetros S

Definiendo la constante de Rollet,
1 |s11 |2 |s22 |2 + ||2

k= (2.8)
2 |s12 s21 |
Se garantiza la estabilidad incondicional en el plano de L si se verifican las siguientes desi-

gualdades:
k>1 |s11 | < 1 |s12 s21 | < 1 |s11 |2
Para el plano de g se puede establecer el criterio equivalente
La constante de Rollet es invariante a cambios de las impedancias de referencia Z01 , Z02
Por tanto, tenemos los siguientes criterios:
estabilidad incondicional: si y slo si
k>1 || < 1 |s11 | < 1 |s22 | < 1
estabilidad condicional si
k>1 || > 1 (caso poco frecuente)
1 < k < 1 (caso ms frecuente)
inestabilidad incondicional si
k < 1
Hay que notar, sin embargo, que aunque se cargue un circuito con una ZL que haga que el circuito
pueda oscilar, o lo que es lo mismo, <e (Zin ) < 0, se puede controlar esa oscilacin con Zg , haciendo
que <e (Zg + Zin ) > 0. Por eso, en algunos libros, al pintar las curvas de estabilidad en el plano de
entrada se pintan las Zg para las que <e (Zg + Zin ) > 0 y <e (Zg + Zin ) < 0.
As pues, se habla de estabilidad condicional en lugar de inestabilidad incondicional.
Si a alguna frecuencia f0 es incondicionalmente estable, a otras frecuencias el circuito puede oscilar.
Habra que dibujar las CEE y CES para las frecuencias conflictivas y as determinar la estabilidad,
pero eso es complicado. Es ms sencillo trabajar con los parmetros [S] totales en los planos de
entrada y salida (de las redes adaptadoras), estudiando de esa forma la estabilidad con la frecuencia.
Las frecuencias conflictivas son aquellas para las que k 1.

Propiedades de la constante k
Expresamos la constante de Rollet en funcin de otros parmetros:
1 |s11 |2 |s22 |2 ||2

k=
2 |s12 s21 |
2r11 r22 <e (Z12 Z21 )

k=
|Z12 Z21 |
donde r11 = <e (Z1 ) y r22 = <e (Z2 ).
2g11 g22 <e (Y12 Y21 )

k=
|Y12 Y21 |
donde g11 = <e (Y1 ) y g22 = <e (Y2 ).
Resistencia de padding
Es un mtodo que se usa para aumentar k, y consiste en utilizar unas resistencias en serie o paralelo a
la entrada y/o a la salida de los bipuertos. Aumentando k se logra mayor estabilidad del circuito.
Si se coloca una resistencia r1 en serie a la entrada y otra r2 tambin en serie a la salida, los
parmetros Z resultantes quedan

0 r1 + Z11 Z12
[Z ] =
Z21 r2 + Z22
Si se coloca una conductancia g1 en paralelo a la entrada y otra g2 en paralelo a la salida, los

parmetros Y totales son
0 g1 + Y11 Y12
[Y ] =
Y21 g2 + Y22
Si se colocan elementos reactivos puros, no vara el valor de k, por lo que se mantiene la

estabilidad o inestabilidad
2.2.4 Condiciones de adaptacin compleja conjugada simultnea

Queremos saber si existen g y L que podamos poner en el circuito tales que
in = g y sal = L
es decir, que haya adaptacin compleja conjugada en ambos puertos (entrada y salida). En caso de
que as sea,
Gt = Gp Mg = Gd ML Gt = Gp = Gd = M AG
Se tienen las siguientes expresiones

s12 s21 L
g = in = s11 +
1 s22 L


s12 s21 g
L = sal
= s22 +
1 s11 g
a a
y las soluciones son g y L , impedancias pasivas tales que al ponerlas en el circuito se obtiene la
adaptacin compleja conjugada simultnea.
La solucin a este problema viene dado por las siguientes frmulas
1 1/2
g = B1 B12 4 |C1 |2 B1 = 1 + |s11 |2 |s22 |2 ||2 C1 = s11 s22
2C1
1 2 1/2

L = 2
B2 B2 4 |C2 | B2 = 1 + |s22 |2 |s11 |2 ||2 C2 = s22 s11
2C2
Quedndonos con la solucin que tenga mdulo menor que la unidad.
Propiedades:
Si 0g y 00g son las soluciones para el plano de entrada y 0L y 00L para el de salida, se cumple
0 00 0 00
g g = g g = 1
|0L 00L | = |0L | |00L | = 1

Dados
= B12 4 |C1 |2 = k 2 1 4 |s12 s21 |2

= B22 4 |C2 |2 = k 2 1 4 |s12 s21 |2

Si k > 1, > 0
Si k < 1, < 0, por lo que
1
1/2
g = B1 j ||
2C1
y, dado que B1 R, 0 00
g = g = 1
Por tanto, con k < 1 (estabilidad condicional), la solucin matemtica nos lleva a impe-
dancias reactivas puras
Se dan por tanto, aparte de condiciones de estabilidad, condiciones de adaptabilidad, relacionadas

entre s:
k > 1, || < 1: estabilidad incondicional y adaptable (es posible conseguir adaptacin simul-
tnea)
k > 1, || > 1: estabilidad condicional y adaptable (existen impedancias de generador y carga
que consiguen adaptacin simultnea y se puede demostrar que caen en zona estable)
1 < k < 1: estabilidad condicional y no adaptable (ya que converge a impedancias reactivas
puras). Se puede conseguir la adaptacin en uno de los planos, pero no en ambos
k < 1: inestabilidad incondicional. Se podra tener adaptacin simultnea, pero las cargas
caen en la zona inestable
Para el caso unilateral se tiene
s12 = 0, por lo que k = , y si |s11 | , |s22 | < 1, hay estabilidad incondicional y adaptable

2. Amplificadores de microondas 2.3. Diseo de amplificadores de banda estrecha bajo especificaciones de ganancia
2.2.5 MAG
Maximum Available Gain: es la ganancia de transduccin que se obtiene cuando
g = ag y L = aL
Slo tendr sentido hablar de la MAG cuando k > 1

Propiedad:
s21 sa
= 21
s12 sa12
el cociente entre s21 y s12 se mantiene invariante al cambiar las impedancias de referencia
Resultado:

2
s21
M AG = |s21 | = k k 2 1
s12
Estabilidad incondicional y adaptable

s21
M AG = k k 2 1
s12
Estabilidad condicional y adaptable

s21
2
M AG = k + k 1
s12
en este caso, es la mnima ganancia estable: al alejarse de los dos puntos se mete ms
en la zona inestable. Se pueden obtener ganancias menores desadaptando el otro plano:
G t = Mg Gp
Estabilidad condicional no adaptable

s21
M SG =
s12
en este caso se llama Maximum Stable Gain. Es una figura de mrito de la ganancia m-
xima de transduccin y potencia que no se debe superar para no acercarse demasiado a la
zona inestable
Caso unilateral
1 2 1
Gtu,max = 2 |s21 |
1 |s11 | 1 |s22 |2
2.3 Diseo de amplificadores de banda estrecha bajo especifica-

ciones de ganancia
2.3.1 Planteamiento del problema

Nos piden obtener una ganancia de transduccin determinada, Gt
Se puede escoger entre dos estrategias:

La sencilla: COEs descompensados, que fuerza en una de las puertas COE = 1 y en la otra
ser COE 1
La elaborada: COEs compensados, que hace desadaptacin controlada en ambas puertas, sien-
do COEin < algo y COEsal < otro algo
Obviamente, si nos piden obtener de ganancia la MAG, habr que buscar adaptacin en ambos planos.
2.3.2 Curvas de Gp y Gd constantes

Curvas de Gp constante: lugar geomtrico de los L con una Gp conocida (en el plano L )
1/2
gp (s22 s11 ) 1 2kgp |s21 s12 | + gp2 |s21 s12 |2
CLp = RLp =
gp |s22 |2 ||2 + 1 gp |s22 |2 ||2 + 1

Donde
Gp 1 |L |2
gp = =
|s21 |2 |1 s22 L |2 |s11 L |2
Propiedades:
Gp = 0 CLp = 0, RLp = 1: a las impedancias reactivas puras no se les entrega
potencia
Gp CLp CL0 , RLp RL0 : al aumentar la ganancia nos acercamos a la
zona inestable
1 < k < 1: todas las curvas de Gp constante cortan a la carta de Smith en los
mismos puntos, que adems son los puntos en los que corta la CES
Todos los centros de las curvas de Gp constante tienen la misma fase (slo cambia el
mdulo), por lo que caen en la misma recta
Cuando es posible la adaptacin compleja conjugada simultnea y forzamos Gp =
M AG,
CLp = aL RLp = 0
Es decir, que slo hay una solucin
Para las curvas de Gd constante, es igual pero movindonos en el plano del generador
1/2
gd (s11 s22 ) 1 2kgd |s12 s21 | + gd2 |s12 s21 |2
Cgd = Rgd =
gd |s11 |2 ||2 + 1 gd |s11 |2 ||2 + 1

Siendo
Gd
gd =
|s21 |2

2.3.3 Procedimiento de diseo
Estabilidad incondicional
Especificaciones:
Gt M AG
1. Dibujar el crculo de Gp constante con Gp = Gt en el plano L
2. Elegir una L (ZL ) perteneciente a dicho crculo
3. Calcular el in (Zin ) correspondiente mediante la transformacin bilineal
4. Elegir g (Zg ) con la condicin g = in (Mg = 1)
Estabilidad condicional
Especificaciones:
Gt M SG
Diferencia: en las cartas de entrada y salida hay zonas buenas y zonas malas
1. Dibujar el crculo de Gp constante con Gp = Gt y la curva de estabilidad a la salida
2. Elegir una L (ZL ) perteneciente a dicho crculo lo ms alejada posible de la zona inestable
3. Calcular el in (Zin ) correspondiente
4. Pintar la curva de estabilidad a la entrada
5. Elegir g (Zg ) con la condicin g = in (Mg = 1) y perteneciente a la zona estable del plano
Mg = 1
2.3.4 Especificaciones de Gt , COEin , COEout

Se limita el mdulo de s11 y s22 a una cierta cantidad, y eso es lo que piden para el diseo con
COEs compensados
Se hace con circunferencias de M constante:
Mg 2 Mg 1 + |in |2
in

CMg = RMg = CMg
1 + (Mg 1) |in |2 1 + (Mg 1) |in |2
Si conocisemos g en lugar de in , slo hay que cambiar in por g , ya que Mg es simtrico

con respecto a g y in

2. Amplificadores de microondas 2.4. Diseo de amplificadores de bajo ruido
Las especificaciones
COEin < X COEout < Y
implican
Mg > X 0 ML > Y 0
1. Mg Gp = Gt . Si suponemos que Gt = 10dB y Mg > 0.9, tomamos la igualdad para Mg y se

tiene
10
Gp = = 11.1
0.9
2. Nos vamos al plano de salida y se dibuja la curva de Gp = 11dB. Escogiendo la L ya se
conoce in
3. Calcular por tanto in
4. Dibujar en el plano de entrada la curva M SG = cte = 0.9. Al tomar un g , genera un sal tal
que se descontrola el ML
5. Lo que se hace es dibujar Mg = cte y usando la transformacin bilineal dibujar ML = cte en

el plano de entrada. As, conocido L se calculan los crculos ML = 0.9 sobre sal
6. Se aprovecha que
s12 s21 g
sal = s22 +
1 s11 g
es una transformacin bilineal para traducir el crculo en el plano sal al plano g
s22 sal
g =
s11 sal
7. Se mapea a la entrada, siendo las impedancias vlidas aquellas que estn sobre Mg = 0.9 y en
el interior de ML = 0.9
2.4 Diseo de amplificadores de bajo ruido
2.4.1 Conceptos
Potencia media de ruido trmico
vn2 (t) = 4kT BR

siendo aqu k la constante de Boltzman
Densidad espectral de potencia de ruido
Sn () = 4kT R
Se trabaja con el ruido trmico porque es muy facil trabajar con l, y no porque todas las fuentes
sean de ruido trmico
Es un proceso estocstico: lo que se mide es una variable aleatoria continua

En particular, es ergdigo y estacionario

Potencia disponible de ruido
|Vef f |2
Pd = = kT B
4R
es la potencia de ruido mxima que se puede tener
2.4.2 Potencia de ruido en un circuito bipuerto

Potencia de ruido entregada por unidad de ancho de banda
Z f0 +B/2
Pinin (f0 B/2, f0 + B/2) = kT Mg (f ) df
f0 B/2
Potencia de ruido entregada a la carga

PeLin (f0 ) = Pinin (f0 ) Gp (f0 )
Figura de ruido
Pn,in Re Gi Rg r + Xg i
F = =1+ + +2
Pn,inRg Rg G g Rg
Depende de Re , Gi , r , i , es decir, del transistor, del punto de trabajo y frecuencia de funcio-
namiento. Tambin depende de la impedancia de generador que se use

1
Gg = <e
Zg
Gi conductancia equivalente de ruido
Re resistencia equivalente de ruido
Figura de ruido mnima: Fm o Fmin , que se consigue cuando la Zg = Rg + jXg cumple
s
i Re 2
Xg = Xm (X0 ) = Rg = Rm (R0 ) = i2
Gi Gi Gi
de esta forma, la expresin de la figura de ruido queda
Gi Gi
(Rg Rm )2 + (Xg Xm )2 = Fm + |Zg Zm |2

F = Fm +
Rg Rg
Esta figura de ruido mnima depende tambin del punto de polarizacin y la frecuencia
Las unidades de la figura de ruido es veces
Otras expresiones de la figura de ruido:
Gi Z0 |g m |2 (Re /Z0 ) |g m |2
F = Fm + 4 = Fm + 4
1 |g |2 |1 m |2 1 |g |2 |1 + m |2

Re
G i = G i Z0 Re =
Z0
Los fabricantes a veces llaman a Re como RN y a Re como rN

2.4.3 Crculos de ruido constante

Son el lugar geomtrico de todas las Zg que se pueden poner para conseguir una figura de ruido
determinada. Se fija por tanto una figura de ruido
|1 + m |2 |g m |2
Ni = (Fi Fm ) =
4Re 1 |g |2
Manipulando la expresin se obtiene un crculo en el plano g con centro y radio

q
Ni2 + Ni 1 |m |2

m
CF = RF =
1 + Ni 1 + Ni
Todos los centros estn sobre la misma recta
2.4.4 Metodologas de diseo

Vamos a ver diferentes casos
1. Nos piden obtener cierta figura de ruido Fi , cierta ganancia Gti y COEsal = 1
Dado que ML = 1 (COEsal = 1), Gt = Gd , por lo que nos interesa trabajar con los crculos de
Gd constante. Buscaremos el corte de la curva Fi = cte con el de Gdi = cte.
Fijado Zg ,
s12 s21 g
L = sal = s22 +
1 s11 g
Habr que tener en cuenta tambin las zonas estable e inestable
2. Nos piden cierta figura de ruido Fi , Gti y COEin = 1

Se define Fi a la entrada, por lo que al ser Mg = 1, Gt = Gp y trabajamos con los crculos de
Gp constante, y nos llevamos el crculo de Gti = Gp al plano g mediante la transformacin
bilineal
s12 s21 L
g = in = s11 +
1 s22 L
Se obtienen dos valores de g que satisfacen el COEin , y al llevarlo de nuevo al plano L , hay
otras L para obtener la ganancia y la figura de ruido pedidas
3. Nos piden Fi , Gti , COEin < X, COEsal < Y (COEs compensados)

Gt = Mg Gp Gp > Gti
Se dibuja la curva de ML constante en el plano g , que es el lugar geomtrico de los g cuyo
sal garantiza un ML en el plano L para la ganancia pedida. Al fijar L hay un conjunto de
sal que satisfacen ML y que se pueden dibujar en el plano g (ML = cte) para ver qu g son
las que corresponden a cada sal
Ahora habra que dibujar la curva de Mg = cte, el lugar geomtrico de las g que, para el in
fijado, garantiza cierto Mg
Ojo: podra no haber solucin para el L que hemos fijado y habra que escoger otro

2. Amplificadores de microondas 2.5. Amplificadores balanceados
2.4.5 Figura de mrito: conexin de amplificadores en cascada

Anlisis de qu amplificador colocar primero al cascadear etapas
Amplificador 1: Gd1 , F1
Amplificador 2: Gd2 , F2
Amplificador 1-Amplificador 2:
F2 1
F12 = F1 +
Gd1
Amplificador 2-Amplificador 1:
F1 1
F21 = F2 +
Gd2
Si se supone F12 < F21 ,
F1 1 F2 1
<
1 1/Gd1 1 1/Gd2
Figura de mrito de un transistor:
F 1
FM =
1 1/Gd
Nos dice qu transistor se coloca primero al conectarlos en cascada. Habr que poner antes el
que tenga menor F M
La Zg de mnima F M no tiene porqu coincidir con la Zg de mnimo ruido para un amplificador
2.5 Amplificadores balanceados
2.5.1 Estructura
Dibujito
2.5.2 Hbridos de microondas

Dispositivo de 4 puertos
Hbrido a 3dB90o
0 0 1 j
1 0 0 j 1
[S]3dB/90o =
2 1 j 0 0
j 1 0 0
Hbrido a 3dB180o : se usa en mezcladores

0 0 1 1
1 0 0 1 1
[S]3dB/180o =
2 1 1 0 0
1 1 0 0

2. Amplificadores de microondas 2.5. Amplificadores balanceados
2.5.3 Anlisis del amplificador

Amplificador A: [S a ]; Amplificador B: S b
Resultado para el amplificador balanceado:

1 a
sT11 = s11 sb11

2
1 1
sT22 = sa22 + sb22
2 2
j
sT21 = sa21 + sb21

2
j
sT12 = sa12 + sb12

2
2.5.4 Ventajas e inconvenientes
Ventajas
1. Si los amplificadores son iguales, los COEs son

1 + sT11 1 + sT22
COEin = COEsal =
1 |sT11 | 1 |sT22 |
y, dado que sT11 0 y sT22 0, esos COEs tienden a 1
2. En cuanto a la ganancia, si ambos amplificadores son iguales o casi, sa21 ' sb21 , por lo que
T 1 a
s21 = s21 + sb21 ' |sa21 |
2
No hay mejora desde este punto de vista, porque resulta la misma ganancia que usando un nico
amplificador, pero desde el punto de vista de potencia mxima de salida, con un amplificador
balanceado se puede dar el doble
3. Si uno de los amplificadores se rompe, sigue habiendo potencia de salida
4. La impedancia de entrada es Z0 , ya que sT11 ' 0 si los amplificadores son iguales, por lo que es
fcil conectarlos en cascada
Inconvenientes
1. No se pueden construir hbridos de banda muy ancha, por lo que el ancho de banda de los
amplificadores balanceados est limitado por ellos
2. Al necesitar dos amplificadores, es necesaria mayor alimentacin y ocupa ms tamao

2. Amplificadores de microondas 2.6. Amplificadores de potencia
2.6 Amplificadores de potencia
2.6.1 Amplificadores de potencia en clase A

Transistor conduciendo todo el tiempo zona lineal
Pequea seal parmetros [S] de pequea seal
Gran seal los parmetros [S] de pequea seal ya no valen, por lo que hay que dar infor-
macin auxiliar a dichos parmetros parmetros [S] de gran seal
Curvas de potencia de salida constante: los parmetros adicionales que nos hacen falta. Es el
lugar geomtrico de los puntos en los que se obtiene la potencia de compresin a 1dB
Punto de compresin a 1dB: punto en que la potencia de salida es 1dB menor que la que
habra si se mantuviese el rgimen lineal
Gp1dB (ZLa ) = M AG 1dB = Gp (ZLa ) 1dB
Gp1dB (ZLp ) = Gp (ZLp ) 1dB

En ese punto hay poca distorsin de la seal
Puede ocurrir que la curva con mayor ganancia no sea la que permita obtener mxima potencia
a la salida:
PeL,1dB (ZLa ) < PeL,1dB (ZLp )
G (ZLa ) > G (ZLp )
siendo ZLp la impedancia de carga para la que se consigue mxima potencia de salida en el
punto de compresin a 1dB. Cada punto de polarizacin tiene una ZLp distinta, y el fabricante
da la informacin para el punto de polarizacin en el que se consigue mxima potencia de salida
El fabricante tambin da las curvas de g para conseguir adaptacin compleja conjugada simul-
tnea, ya que se est en el lmite de validez de pequea seal para los parmetros S
Para obtener las curvas de forma exacta:
Modelo no lineal del transistor

Mtodo del Balance Armnico
Para obtenerlas de forma grfica:
1. Determinar el punto de polarizacin ptimo

2. Determinar la ZL ptima (resistiva) = Ropt
3. Adaptar de forma que se vea Ropt a la salida del transistor como si no hubiera elementos
parsitos

2. Amplificadores de microondas 2.6. Amplificadores de potencia
2.6.2 Metodologa de diseo
COEsal > 1, COEin = 1, PeLmax

En este caso se fija L = Lp y para adaptacin en la entrada

s12 s21 Lp
g = (in ) ' s11 +
1 s22 Lp
No es una igualdad ya que recordemos que los parmetros S cuando se llega al rgimen no lineal no
son vlidos.
COEsal = 1, COEin > 1, PeLmax

Dado que queremos obtener mxima potencia a la salida, L = Lp , as que ahora hay que buscar el
g que hace que (sal ) = Lp
s12 s21 g
sal = s22 + = Lp
1 s11 g
COEs compensados: COEin < X, COEsal < Y , PeLmax

Se calculan ahora los sal que satisfacen cierto ML y los g que satisfacen cierto Mg
F = Fi , PeLmax (mxima posible), COEsal = 1

Se dibuja el crculo Fi = cte en el plano L con la transformacin

s12 s21 g
L = (sal ) = s22 +
1 s11 g
y se busca el corte (nico) de ese crculo con la curva de potencia de salida. Si el corte es nico, ser
la mxima potencia que se pueda obtener, si corta en dos puntos, ser menor.
2.6.3 Tcnicas de combinacin de potencia

Si queremos obtener mayor potencia de salida, colocamos amplificadores en paralelo
Hay dos mtodos
Transistores en paralelo: si muere un transistor, deja de funcionar todo correctamente,

ya que se ha diseado todo para una L determinada, y adems al estar en paralelo, la
impedancia es baja, por lo que el Q tambin lo es y puede haber prdidas similares a las
que hay en el adaptador
Combinador/divisor hbrido: los transistores estn desacoplados y funcionando de forma
ptima

2. Amplificadores de microondas 2.7. Amplificadores de 2 etapas
2.7 Amplificadores de 2 etapas
2.7.1 Estructura
Condicin antes de abordar el diseo de la RAI:
ML1 = Mg2
No se puede independizar el diseo de ambas etapas
2.7.2 Relaciones de potencia

ganancia de potencia total
PeL2 PeL2 Pin2 PeL2 PeL1
Gp = = = = Gp2 Gp1
Pin1 Pin2 Pin1 Pin2 Pin1
ganancia disponible total
Pdsal2 Pdsal2 Pdg2 Pdsal2 Pdsal1
Gd = = = = Gd2 Gd1
Pdg Pdg2 Pdg Pdg2 Pdg
ganancia de transduccin total

PeL2 PeL2
Gt = = Mg1 = Gp1 Gp2 Mg1 = Gd1 Gd2 ML2
Pdg Pin1
no es Gt = Gt1 Gt2 ya que Gt1 = Gd1 ML1 y Gt2 = Gd2 Mg2 , por lo que Gt1 Gt2 = Gd1 Gd2 ML1 Mg2
tiene en cuenta dos veces el efecto de la RAI
2.7.3 Tipos de diseo
Mxima Gt con estabilidad incondicional

Buscamos g1 , g2 , L1 y L2
Hacemos Gt1 = M AG1 (adaptacin simultnea) y Gt2 = M AG2 , siendo por tanto
Gt = Gd1 Mg2 Gp2
Mxima Gt con estabilidad condicional

Gd1 = M SG1 , por lo que se pintan las curvas de Gd constante en el plano g1
Gp2 = M SG2 , por lo que se pintan las curvas de Gp constante en el plano L2
Mg2 = 1
Dispondramos de los valores de sal1 y in2 , as que se disea la RAI para que se cumpla
Mg2 = 1 con esos valores. Slo hay que disearla en un sentido

2. Amplificadores de microondas 2.7. Amplificadores de 2 etapas
Mnima figura de ruido

Usamos la figura de mrito
F 1
FM =
1 1/Gd
Se supone que ambos transistores estn en el punto de trabajo de mnimo ruido
g1 = m1 g2 = m2
Para determinar cual va primero, se miran los factores de mrito, y luego se busca la adaptacin
compleja conjugada a la salida: L2 = sal2
La RAI se disear para transformar sal1 en m2
Por tanto, ser COEsal = 1, COEin > 1
Mxima potencia de salida, PeL2

El transistor de salida ser el que de ms potencia de salida en el punto de compresin a 1dB
L2 = Lp2
Forzar g2 = in2
Se hace que el transistor de entrada trabaje con mxima ganancia:
g1 = ag1 L1 = aL1

3. Detectores y mezcladores
TEMA 3
Detectores y mezcladores
3.1 Introduccin
Vamos a aprovechar las caractersticas no lineales de los diodos para hacer transformaciones
Los detectores pasan seal de RF a seal continua
Los mezcladores superponen tonos para combinar frecuencias
3.2 Detectores
Se usan en receptores para modulaciones de amplitud
El modelo del diodo en alta frecuencia incluye, adems de la unin p-n, elementos parsitos
propios del encapsulado (Cp y Lp ), la capacidad de la unin Cj y la resistencia serie Rs . La
unin p-n es el diodo habitual de baja frecuencia:
e
I = Is eVj 1

= n (1, 1.5)
nKT
La deteccin la realiza el diodo trabajando en un punto de polarizacin, (VQ , IQ ), fijo, y ex-
trayendo el valor medio de la seal de entrada. Junto con el valor medio, aparecern otras
componentes a frecuencias superiores, que habr que filtrar
Suponiendo la seal de entrada
vj (t) = VQ + VRF cos RF t
El desarrollo en series de Taylor de segundo orden de la corriente que circula por el diodo es
i00 (VQ )
i (vj ) = i (VQ ) + i0 (VQ ) (vj VQ ) + (vj VQ )2
2
donde
IQ = i (VQ ) = Is eVQ 1
i0 (vj ) = Is evj
i0 (VQ ) = (Is + IQ )
i00 (vj ) 2 Is vj
2
= 2
e
i00 (VQ ) /2 = 2 (Is + IQ )

3. Detectores y mezcladores 3.2. Detectores
por tanto, siendo

2
2 2 2 VRF
(vj VQ ) = VRF cos RF t = (1 + cos 2RF t)
2
resulta
2 2
i (vj ) = IQ + (IQ + Is ) VRF + (IQ + Is ) VRF cos RF t +
4
2 2
+ (IQ + Is ) VRF cos 2RF t
4
Para que esta aproximacin sea vlida, el nivel de VRF debe ser bajo para poder desarrollar por
Taylor de 2o orden
Se suele usar con niveles de VQ prximos a cero, para que la curva caracterstica del diodo que
se considera se pueda aproximar por una parbola
Aparecen componentes de i (vj ) a frecuencias cero y mltiplos de RF
Resistencia de pequea seal: es la pendiente en el punto de polarizacin (VQ , IQ )
1
Rj (VQ ) =
(IQ + Is )
Eliminando la componente de 2RF , queda

2 VRF
i (vj ) = IQ + VRF + cos RF t
Rj Rj
Podemos ver la sensibilidad del sistema desde diferentes puntos de vista. La potencia en RF
recibida ser
|VRF |2 1

Rs 2
PRF = 1+ + (Cj ) Rs
2 Rj Rj
sensibilidad de corriente en cortocircuito: liga el equivalente Norton del circuito en

continua con PRF
|iN | /2
i = =
(1 + Rs /Rj ) 1 + Rs /Rj + (Cj )2 Rs Rj

PRF
sensibilidad de tensin en circuito abierto:
|vDC | Rj /2
v = = (Rs + Rj ) i =
PRF 1 + Rs /Rj + (Cj )2 Rs Rj
sensibilidad de tensin con carga RL :
Rj RL /2
v =
(Rs + Rj + RL ) 1 + Rs /Rj + (Cj )2 Rs Rj


3. Detectores y mezcladores 3.3. Mezcladores
En los detectores, como se suele polarizar en la zona de poca pendiente, entonces Rs

Rj , por lo que se puede escribir
Rj /2
v =
(1 + Rj /RL ) 1 + (Cj )2 Rs Rj

La sensibilidad depende de la frecuencia como se ve. Adems, se puede controlar con RL

La adaptacin tambin influye en la sensibilidad:
v0 = v 1 ||2

Vdetectada Vdetectada
v0 = v =
PdgRF PRF,in
3.3 Mezcladores
3.3.1 Concepto
Un mezclador es un dispositivo no lineal de 3 puertos que convierte la seal de frecuencia fRF
a otra ms baja llamada frecuencia intermedia fF I a base de batirla o combinarla (en un
proceso no lineal) con otra seal que proviene de un oscilador local de potencia mucho ms alta
con la mnima prdida de seal. A ser posible, tambin con la mnima figura de ruido
Prdidas de conversin:
Pdg,RF
Lc =
PeL,F I
Se generan unos armnicos que tienen de frecuencias

farmonicos = |mfRF nfOL |
El diagrama de bloques tpico incluye una RAE, un dispositivo no lineal y una RAS.
RAE y RAS son redes sintonizadas en frecuencia:

Zg (fRF ) = Zin (fRF ) Zg (fOL ) = Zin (fOL )
siendo la primera ms importante que la segunda
Es importante el desacoplo entre las puertas de RF y OL
En recepcin normalmente interesa slo una frecuencia,
fF I = fRF fOL
la frecuencia intermedia
Se llama mezcla lineal a la mezcla que se realiza con una seal de OL de nivel mucho mayor
que la de RF :
VOL VRF
En este caso, se puede demostrar que los armnicos generados son de frecuencias
farmonicos = |nfOL fRF |
Estudiaremos esta situacin, ya que simplifica mucho el anlisis del mezclador

3.3.2 Tipos de mezcladores

mezcladores a un diodo: slo usan 1 diodo para la mezcla. Harn falta filtros para desacoplar
las puertas
mezcladores simplemente balanceados: usan hbridos a 3dB de 90o o 180o (que sirven para
desacoplar las puertas), y ms de un elemento no lineal. Se busca la cancelacin de espreos:
que los armnicos lleguen en fase o contrafase segn lo que deseemos. Tambin permiten can-
celar el ruido de amplitud que tenga el oscilador local
mezcladores doblemente balanceados
3.3.3 Terminologa
frecuencia imagen (fI ): frecuencia que est a la misma distancia de fOL que fRF . Cuando se
bate la seal de fRF con fOL , aparecen en fF I la informacin de RF y la que hubiera en fI
frecuencia imagen externa: la que se capta del exterior (antena), por una interferencia.
Para evitarla, se usa un filtro en torno a fRF de ancho menor a 4fI
frecuencia imagen interna: al introducir en el mezclador slo fRF y fOL , aparecen varios
armnicos, entre ellos el de n = 2 queda
2fOL fRF = fOL (fRF fOL ) = fOL fF I = fI
Esto es porque el mezclador no es ideal. Se puede aprovechar para mejorar las prdidas
de conversin, volviendo a mezclar la componente de fI con fOL , haciendo que caiga en
fF I en fase con la mezcla de fRF y fOL
Esto da lugar al mezclador de reforzamiento de imagen. En l, se usa un filtro de
banda eliminada o filtro de reflexin, que refleja lo que elimina en ambos puertos. En
el de entrada, eliminar la frecuencia imagen externa, mientras que en el de salida,
eliminar (reflejndola) la frecuencia imagen interna, volviendo al proceso no lineal
Tambin tenemos el mezclador de rechazo de imagen (de banda lateral nica), que
interesa cuando la frecuencia intermedia es muy pequea, de forma que sea muy
difcil hacer el filtro para quedarnos slo con el armnico que queremos. Est formado
por un mezclador doblemente balanceado
3.3.4 Dispositivos mezcladores

Diodo Schottky: se usan los mismos que para detectores, pero funcionando en otro rgimen
Diodo Schottky de contacto de punta: minimiza la superficie metlica, por lo que se reduce Cj
aunque aumentan las prdidas y la frecuencia de corte
Transistor FET

3.3.5 Proceso de mezcla

Al introducir al diodo una seal
V (t) = VOL cos OL t + VRF cos RF t VOL VRF
se tiene un punto de polarizacin para dicho diodo variable con el tiempo, por lo que el equi-
valente de pequea seal es una conductancia variable con el tiempo, g (t). La variacin del
punto de polarizacin la marca OL
Si se utiliza un FET, entonces se tiene gm (t):

I
gm (t) =
vgs vgs =vOL (t)
Para la eleccin de g (t), la ideal ser
g (t) = cos OL t
Sin embargo, en la realidad ser (caso general)

X
g (t) = gk ejOL kt
k

Si g (t) R, entonces gk = gk . En el diseo nos interesar maximizar el valor de g1 y
minimizar g0 y g2
3.3.6 Anlisis gran seal-pequea seal

En este anlisis se realizan los siguientes pasos:
1. Analizar el circuito entero en gran seal, apagando el generador de pequea seal. El

anlisis no es obvio, ya que hay mezcla de elementos lineales con no lineales. Lo que nos
interesa es obtener la tensin y corriente de gran seal en bornas del dispositivo no lineal
2. Obtener el circuito de pequea seal variable con el tiempo (conductancia o transconduc-
tancia variable con el tiempo)
3. Analizar el circuito equivalente de pequea seal variable con el tiempo en presencia slo
de RF (pequea seal). Se suele poner como un circuito de muchos puertos (uno por cada
armnico): mtodo de las matrices de conversin. Con dicho mtodo, se inventa algo
para aplicar las leyes de la teora de circuitos a sistemas no lineales
Si el elemento es lineal, su matriz de conversin es diagonal, y si es no lineal, no lo es. Al no

ser diagonal, dependiendo de cmo se cargue cada puerto, se entrega ms o menos potencia a
los dems puertos

3.3.7 Prdidas de conversin

Se definen como el cociente entre la potencia disponible en la puerta de seal (RF) y la entre-
gada a la salida de FI
Slo dependen de la tensin de pico del oscilador local y de las impedancias que cargan las
puertas de seal e imagen
Pdg,RF Pdg,RF Pin,RF Pin,g(t) Pdsal,F I 1 1

LC = = = L2 L3
PeL,F I Pin,RF Pin,g(t) Pdsal,F I PeL,F I MRF MF I
Requisitos del mezclador:
Buen aislamiento entre puertas

Adaptacin de impedancias
Impedancias adecuadas para los productos de mezcla (que los armnicos que no deseamos
no encuentren camino de corriente)
Minimizar las prdidas de conversin
3.3.8 Mezcladores balanceados

Usan un hbrido a 3dB y 90o o 180o , segn lo que se desee
Algunos productos de mezcla se cancelan entre s (llegan en contrafase) a la entrada del filtro
paso bajo. Segn el hbrido que se use se cancelarn unos u otros
Propiedades:
1. Cancelacin del ruido de AM del oscilador local, para ambos tipos de hbrido
2. Rechazo de productos de mezcla, dependiente del hbrido usado. Relativamente pobre en
los balanceados y ms fuerte en los doblemente balanceados
3. Aislamiento y adaptacin: mejor adaptacin y peor aislamiento en los de 90o y al revs en
los de 180o

4. Circuitos de control y conmutacin
TEMA 4
Circuitos de control y conmutacin
4.1 Diodo PIN

Formado por una zona p, una n y otra intrnseca ms grande que las otras dos
La zona intrnseca no ser exactamente intrnseca, sino que tendr un poco de dopaje tipo p ()
o n ()
Al ser mucho mayor, la capacidad en inversa es muy pequea, por lo que la impedancia es
grande y permite que funcione a mayor frecuencia
El circuito equivalente en inversa es una capacidad Ci de valor muy pequeo (del orden de
0.1pF ) en serie con una resistencia Rr tambin muy pequea (generalmente despreciable)
En directa, el circuito equivalente es una resistencia Rf de valor del orden de 1, inversamente

proporcional a la corriente de polarizacin
4.2 Aplicaciones
conmutadores: alternar directa/inversa
atenuadores variables: siempre en directa, variando la corriente de polarizacin para cambiar

Rf
4.2.1 Conmutadores
Cuantificar el comportamiento de un conmutador:
aislamiento (A):
Pdg
A=
PeL OF F
ideal: infinito

4. Circuitos de control y conmutacin 4.2. Aplicaciones
prdidas de insercin (LI ):

Pdg
LI =
PeL ON
ideal: 1 (0dB)
Si se conocen los parmetros S del conmutador, y se carga en ambos puertos con su impedancia
caracterstica, Z0 , entonces
aislamiento
1
A= para los parmetros S en OFF
|s21 |2
prdidas de insercin
1
A= para los parmetros S en ON
|s21 |2
Montaje en paralelo (Y , admitancia normalizada)

1
directa: Y =
R f Y0
jCi
inversa: Y =
Y0
2
1 Y 2 2 1 Y
[S] = s21 = = 1 +
2+Y 2 Y 2+Y |s21 |2 2
directa (OFF): 2
Z0
A [dB] = 10 log 1 +

2Rf
inversa (ON): 2
C Z
i 0
LI [dB] = 10 log 1 +

2

Montaje en serie (Z, impedancia normalizada)

Rf
directa: Z =
Z0
1
inversa: Z =
jCi Z0
2
1 Z 2 2 1 Z
[S] = s21 = 2 = 1 +

2+Z 2 Z 2+Z |s21 | 2
inversa (OFF): 2
1
A [dB] = 10 log 1 +

2Ci Z0


directa (ON): 2
Rf
LI [dB] = 10 log 1 +

2Z0
Para un conmutador es ms crtico el aislamiento, por lo que ser recomendable trabajar con
una estructura cuyo aislamiento no dependa de la frecuencia, en este caso el montaje paralelo.
En tecnologa microstrip este montaje tiene el inconveniente de tener que perforar el circuito
para poder conectar el diodo
Cmo mejorar las prdidas de insercin: con el montaje paralelo, el circuito equivalente
en ON es una capacidad de valor Ci , que es de valor pequeo pero al no ser ideal no es una
impedancia infinita. Se coloca en paralelo una inductancia que resuene a la frecuencia de fun-
cionamiento, es decir, de valor
1
Ls = 2
0 Ci
Se puede implementar con un stub de longitud menor a /4, terminado en cortocircuito, aunque
habr que desacoplarlo de la alimentacin para que no se cargue la polarizacin del diodo
Cmo mejorar el aislamiento: usando dos diodos, uno en serie y otro en paralelo, y polari-
zando de forma adecuada (cuando uno est en directa, el otro en inversa), al haber en serie una
impedancia muy grande y en paralelo una muy pequea (cuando se est en OFF), mejora el
aislamiento. Sin embargo, empeoran las prdidas de insercin. De todas formas, mejorar las
prdidas de insercin es sencillo amplificando la seal
Nomenclatura:
SPST: Single Pole Single Throw (una entrada y una salida)

SPDT: Single Pole Double Throw (una entrada y dos salidas). Hay dos estados posibles:
se sale por una o por otra
4.2.2 Atenuadores variables

siempre en directa:
1
Rf
Ipolarizacion
funcin de transferencia:
Pdg
Att = 10 log
PeL
se busca adaptacin compleja conjugada en el plano del generador sea cual sea el estado del
atenuador
esto son dos condiciones (adaptacin y funcin de transferencia), que no se pueden satisfacer
con un solo diodo, por lo que los atenuadores variables siempre tienen ms de un diodo

4.2.3 Desfasadores
un desfasador pretende variar el desfase de la seal de entrada en funcin de una tensin de
control
tipos:
de transmisin:
de lnea conmutada: desfase diferencial
= (l2 l1 )
de lnea cargada
de reflexin

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Resumen de Fundamentos de Microondas 2

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org)

1. Dispositivos de estado slido de radiofrecuencia y microondas 1

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) I http://www.telecos-malaga.com

2.3.3. Procedimiento de diseo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) II http://www.telecos-malaga.com

4. Circuitos de control y conmutacin 30

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) III http://www.telecos-malaga.com

1.1 Introduccin a la problemtica de la caracterizacin

Otra restriccin al subir la frecuencia es la aparicin de efectos de propagacin dentro del

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) 1 http://www.telecos-malaga.com

1.2 MIC: hbridos y monolticos

Hbridos: hay un solo nivel de metalizacin, mezclndose indistintamente elementos concen-

Monolticos: con sustrato de Arseniuro de Galio (GaAs), se somete al mismo a determinados

1.3 Los parmetros S de los transistores

1.3.1 Por qu se usan los parmetros S?

A frecuencias de microondas adquieren significado fsico: flujo de potencia en el medio de

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) 2 http://www.telecos-malaga.com

1.3.2 Cmo se miden?

Instrumental: analizador de redes

1.3.3 Relacin entre parmetros

Conversin de parmetros S a parmetros T :

1.3.4 Cambio de configuracin

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) 3 http://www.telecos-malaga.com

2.1 Introduccin: conceptos fundamentales

2.1.1 La transformacin bilineal

Transforma un plano en un crculo y viceversa, o un crculo en otro

Esta transformacin del plano Z al W es

Transformacin de crculos en crculos

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) 4 http://www.telecos-malaga.com

2.1.2 Concepto de coeficiente de reflexin ()

Se define el coeficiente de onda estacionaria como

Este no es el coeficiente de reflexin de una lnea, sino el de un plano

2.1.3 Factor de desadaptacin de impedancias (M )

2.1.4 Relacin entre M y el COE

2.1.5 Relaciones de inters

Si ag es la onda de potencia asociada al generador Vg ,

Cuando no hay onda de potencia reflejada, b = 0,

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2.2 Amplificadores lineales a transistores

2.2.1 Circuito general

2.2.2 Definiciones de ganancia

ganancia de potencia: el cociente entre la potencia entregada a la carga y la entregada en el

ganancia de transduccin: es la ganancia verdadera, que considera las desadaptaciones

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Y podemos hacer lo mismo para las expresiones de ganancia

ganancia de transduccin unilateral

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Condiciones necesarias pero no suficientes para estabilidad incondicional:

|s11 | < 1 |s22 | < 1

Curva de estabilidad a la salida (CES)

Si el origen cae fuera de la CES, entonces ser

Curva de estabilidad a la entrada (CEE)

s22 s11 |s12 s21 |

Y las condiciones de estabilidad incondicional son equivalentes:

Si el origen cae fuera de la CEE, entonces ser

Carlos Garca Argos (garcia@ieee.org) 8 http://www.telecos-malaga.com

Estabilidad en funcin de los parmetros S

1 |s11 |2 |s22 |2 + ||2

Se garantiza la estabilidad incondicional en el plano de L si se verifican las siguientes desi-

Para el plano de g se puede establecer el criterio equivalente

La constante de Rollet es invariante a cambios de las impedancias de referencia Z01 , Z02

Por tanto, tenemos los siguientes criterios:

estabilidad incondicional: si y slo si