Dispositivos semiconductores de potencia.

Tema VII. Interruptores

Leccin 16 El diodo de potencia

16.1 Construccin y encapsulado

16.2 Caractersticas estticas
16.2.1 Curvas caractersticas
16.2.2 Estados de bloqueo y conduccin
16.2.3 Clculo de prdidas
16.3 Caractersticas dinmicas
16.3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa
16.3.2 Entrada en conduccin: Recuperacin directa
16.3.3 Clculo de prdidas

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia
16.4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos
16.4.3 Diodos Schotkky
16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales
16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

 16.1 Construccin y encapsulado
CARACTERSTICAS
CARACTERSTICASDESEABLES:
DESEABLES:
--Corriente
Corriente elevada conbaja
elevada con bajacada
cadade
detensin
tensin
--Tensin
Tensin inversa elevada con mnimasfugas
inversa elevada con mnimas fugas

COMPARACIN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:

Cada
Cadade
de Temp.
Temp. Tensin
Tensin Intensidad
Intensidad Densidad
Densidad
Corriente
Corriente
Tipo
Tipo tensin
tensin interna
interna inversa
inversa directa
directa de
decorriente
corriente
de
defugas
fugas 2
directa
directa(V)
(V) mx. (C) mx. (V)
mx. (C) mx. (V) mx. (A)
mx. (A) (A/cm)2)
(A/cm

Mercurio
Mercurio 15
15aa19
19 baja
baja 400
400 20.000
20.000 5.000
5.000 4.000
4.000
Selenio
Selenio 11 alta
alta 150
150 50
50 50
50 11
Germanio
Germanio 0,5
0,5 baja
baja 120
120 800
800 200
200 100
100
Silicio
Silicio 11 muy
muybaja
baja 200
200 3.500
3.500 1.000
1.000 100
100
Oxido
Oxidode de 0,6 alta 70 30 10 11
cobre 0,6 alta 70 30 10
cobre

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

ENCAPSULADOS - Aislamiento
- Conexin Elctrica
- Disipacin trmica
DO - 5

Terminal de cobre
(nodo)

Soldaduras Cierre aislante

Au-Si

Cierre metlico
Base de cobre
(ctodo) P
Pastilla
N
semiconductora

Leccin 16. El diodo de potencia.

 16.1 Construccin y encapsulado

DO 200AC

Grandes corrientes
(3500 5000 A)

Base de cobre
(nodo)
Pastilla
semiconductora Cierre metlico

Cierre cermico

Soldaduras

Base de cobre P
(ctodo) N

Cierre metlico

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas: Vd
VF
rd

id

tg = 1/rd
VRRM

IR Vd VAK

VR
Diodo real

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas
Curvas caractersticas:

id

Vd = 0
rd = 0
VAK

Diodo ideal

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin:

DIODO IDEAL
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

DIODO REAL
Vd rd
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

V-Vd -rdid

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas
Estado de conduccin. Parmetros:

Intensidad media nominal (IFAV):

Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la
cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM ):

Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cpsula.

Intensidad de pico nico (IFSM ):

Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo:

Ve RL VS Ve RL VS

Ve

V
VS

Leccin 16. El diodo de potencia.

 16.2 Caractersticas estticas
Estado de bloqueo. Parmetros:

Tensin inversa de trabajo (VRWM ):

Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo
de forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ):

Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin inversa de pico nico (VRSM ):

Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una
sola vez cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura (VR):

Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Clculo de prdidas:

id
1 T
Pdis =
T 0
v F (t) i d (t) dt
VF

id
PPdis = V I dm+r
dis = VddIdm +rdd(I
(Idef )22
def )

Vd rd
VVd:: Tensin
Tensinumbral.
umbral.
d
Idm
Idm:: Corriente
Corrientemedia.
media.
rrd:: Resistencia
Resistenciadinmica.
dinmica.
d
Idef
I :: Corriente eficaz.
Corriente eficaz.
def

Leccin 16. El diodo de potencia.

 16.3 Caractersticas dinmicas
Entrada de conduccin: Recuperacin directa
Diodo Ideal: Diodo Real: id

did/dt
Id
Cierre
t

VF
Id
VFP

t
Vd -VR
trd

trd
t ::tiempo
tiempode
derecuperacin
recuperacindirecta
directa
rd

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Salida de conduccin: Recuperacin inversa

Pico de corriente de recuperacin Inversa: id Id

did
Irr = t a Qrr=Irrtrr/2
dt

Tiempo de recuperacin inversa: t

Irr
t rr = t a + t b
ta tb
ta = tiempo de almacenamiento.
VF
tb = tiempo de cada. trr

Carga de Almacenamiento:

1
Q rr = t rr Irr t
2 VR
Vrr
2 Q rr
t rr = di d
di d Irr = 2 Q rr
dt
dt

Leccin 16. El diodo de potencia.

 16.3 Caractersticas dinmicas
Clculo de prdidas: id Id

Las prdidas de entrada Qrr=Irrtrr/2

en conduccin son muy
pequeas ( trd << trr) y
suelen despreciarse! t
Irr

1 T
Pdis =
T
0
v F (t) i d (t) dt VF
trr

PPdis = Q V f
dis = QrrrrVRRfSS
t
ffS::Frec. de conmutacin. VR
S Frec. de conmutacin.

Observar la dependencia de (aproximacin de la salida

las prdidas con la frecuencia de conduccin)
de conmutacin.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV
I ::1A
1A6000
6000AA
FAV

VVRRM::400 3600 V
RRM 400 3600 V

VVFmax::1,2V (a II )
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)

ttrr::10 s
rr 10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
RectificadoresdedeRed.
Red.
--Baja frecuencia (50Hz).
Baja frecuencia (50Hz).

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):

IFAV
I ::30A
30A200
200AA
FAV

VVRRM::400 1500 V
RRM 400 1500 V

VVFmax::1,2V (a II )
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)

ttrr::0,1 - 10 s
rr 0,1 - 10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutacin
Conmutacinaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos Schotkky:

IFAV
I ::1A
1A120
120AA
FAV

VVRRM::15 150 V
RRM 15 150 V

VVFmax::0,7V (a II )
Fmax 0,7V (a FAVmax
FAVmax)

ttrr::55ns
ns
rr

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosdedelibre
librecirculacin.
circulacin.
--Cargadores de bateras.
Cargadores de bateras.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):

IFAV
I ::0,45A
0,45A22AA
FAV

VVR::7,5kV 18kV
R 7,5kV 18kV

VVRRM::20V 100V
RRM 20V 100V

ttrr::150 ns
rr 150 ns

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensin.
tensin.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):

IFAV
I ::50A
50A7000
7000AA
FAV

VVRRM::400V 2500V
RRM 400V 2500V

VVF::2V
F 2V

ttrr:10 s
rr:10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

nodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V

Ctodo
Encapsulado (roscado)
cermico Schottky
600V/6000A 120A 150V

Alta Tensin Fast

40.000V 1500V
0.45A 168A
32V (VF) 1.8V
32

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.