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ELECTRNICA 10 de octubre de

ANALGICA II 2015

Simetra complementaria 1
Laboratorio N1
UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y MECATRONICA

CURSO : ELECTRONICA ANALOGICA II


DOCENTE
: Farro Chirinos, Leslie Christian
TEMA
: SIMETRIA COMPLEMENTARIA
INTEGRANTES
:

TURNO
: Noche
PERIODO
: 2015 - III
FECHA DE ENTREGA
HORA : 10 de octubre de 2015

FECHA DE LAB. : 18:30 20:00

HORA : 03 de octubre de 2015

: 18:30 20:00
NDICE
Pg.

4
Objetivos

4
Fundamento Terico

7
Materiales y equipos

7
Procedimiento

13
Cuestionario

Conclusiones y observaciones 14

Bibliografa 15

15
Anexo
I. OBJETIVOS

Estudio del funcionamiento del amplificador de simetra complementaria

II. FUNDAMENTO TEORICO


En el amplificador push-pull (en el cual se utilizan dos transistores del
mismo tipo), se requiere para su funcionamiento de dos excitaciones
desfasadas 180, una con respecto a la otra, para aplicarlas a las bases
de los transistores y as obtener una salida completa. Este desfasaje se
logra con un transformador cuyo secundario tena dos salidas con punto
comn. A continuacin, se ver cmo se evita usar transformadores en
la entrada y en la salida, a requisito de que se usen dos transistores
complementarios (uno NPN y otro PNP). Tal amplificador es llamado
AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA.

Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched


pair) a un par de transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de
ganancias, potencias, etc. son iguales o muy similares.

Las ventajas y desventajas de estos amplificadores en comparacin con


los amplificadores push-pull se enumerarn posteriormente.

Fig. 1: Circuito bsico de un amplificador de simetra complementaria.

La condicin que deben cumplir V1 y V2 es que polaricen de tal modo a


Q1 y Q2 que estos trabajen simtricamente y en clase B (corrientes en
reposo cero).

Se hace V2 = VCC/2 a fin de que VCEQ1 = VCEQ2 = VCC/2 y los dos


transistores estn al corte simultneamente (clase B). De lo contrario, si
V1<V2, entonces conducir Q1 y se cortar Q2 (ICQ1>0, ICQ2=0); y si
V2<V1 entonces conducir Q2 (ICQ2>0, ICQ1=0), lo cual nos permite
una operacin simtrica de los transistores.
La tensin en la unin de los emisores ser: VE = VCC/2
Se puede ver con las condiciones anteriores que: VBE1 = VBE2 = 0 e
ICQ1= ICQ2 =0 .

Podemos ver ahora qu ocurre cuando la tensin de seal Vin toma


valores positivos y negativos.

En el semiciclo positivo de Vin la tensin en bases se hace ms positiva


que la tensin en los emisores: VB > VE. Lo cual hace que Q1 conduzca
y Q2 permanezca en corte.

El sentido de las corrientes se indica en la fig. 2a y 2b, ntese que IL1 =


IE1. Para el semiciclo negativo VE>VB, lo cual abre a Q1 y hace
conducir a Q2. La corriente en la carga es: IL2 = Ie2. De este modo, la
carga est alimentada medio ciclo de Vin por Q1 y el otro medio ciclo por
Q2

Distorsin de cruce:

Debido a que las caractersticas de entrada base-emisor de los


transistores reales es tal que para tensiones pequeas base-emisor, el
transistor prcticamente no conduce. Recin este comienza a hacerlo
cuando se supera cierto valor (la tensin de codo o tensin umbral, V),
que es aproximadamente 0.2V para transistores de Ge y de 0.6V para
los de Si. La tensin de salida tiene la forma que se observa en el
siguiente grfico:
Se puede notar en la fig.3 que existe cierta zona alrededor de los puntos
Vb = 0, para los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que
acarrea una distorsin en la forma de onda en la salida (proporcional a la
seal iB1 iB2), llamada distorsin por cruce (o de cross over). Esta
distorsin se evita polarizando directamente las junturas base-emisor de
Q1 y Q2 de modo que exista entre ellas una tensin igual a la tensin de
codo.

Una forma simple de lograr esto es, colocando una resistencia (de
pequeo valor) entre las bases de Q1 y Q2 de modo que se ocasiona
una cada de tensin en
ella suficiente para
tener polarizados
ligeramente a los
transistores (ver fig.
4).

RD se escoge de
modo que cumpla
con la anterior
ecuacin con: VBE1
= VBE2 = 0.2 (Ge)
0.7 (Si).

La eleccin de RD para polarizar adecuadamente la juntura base-emisor


de Q1 y Q2, es un poco delicada, debido a que una pequea variacin
de la tensin VBE provoca grandes cambios de corriente de colector, por
lo cual, con un valor demasiado pequeo de VRD no se eliminar
satisfactoriamente la distorsin de cruce. En cambio, si la tensin es
demasiado grande, trae como consecuencia distorsin para niveles
grandes de seal, ya que cada transistor conducir ms de medio ciclo,
lo cual har que las corrientes de conduccin se traslapen con las
corrientes que deja conducir el otro transistor.
Prcticamente entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero
la corriente de colector, para evitar la distorsin de cruce, es tan
pequea que se puede decir que su forma de trabajo es clase B. La
polarizacin de las junturas base-emisor se hace para que cumpla dos
funciones:

a) Evitar la distorsin de cruce o cross-over


b) Estabilizar la polarizacin de Q1 y Q2 contra variaciones de
temperatura.
La forma ms simple de polarizar en clase AB es mediante una red
resistiva. Este esquema no es satisfactorio debido a que, si la
polarizacin es poca, la distorsin de cruce sigue siendo severa y, si es
mucha, la corriente de colector ser alta, los transistores disiparn ms
potencia pudiendo destruirse o acortar drsticamente su tiempo de vida
y la eficiencia disminuir. Este tipo de polarizacin es ms efectivo
cuando la fuente de alimentacin es regulada pero no permite la
compensacin por variacin de temperatura en las junturas base-emisor.
III. MATERIALES Y EQUIPOS

2 transistor 2N2222 o 2N3904 1 generador de funciones


2 resistores de 1k
1 amplificador operacional LM741
1 resistor de 220
1 multmetro
2 resistor de 10k
1 protoboard
1 osciloscopio
1 fuente de tensin alterna
1 fuente de tensin continua
Alambres de conexin

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Ensamblamos el siguiente circuito:

Verificamos las conexiones de las tensiones DC aplicadas al


amplificador operacional, antes de encender el circuito.
2. Mediciones en DC:

Poner Vg=0V, y mediremos los siguientes puntos respecto a tierra, para ello
realizaremos mediciones experimentales y mediciones simuladas con un
software:

V Vb V V
Volta e 2 3
19.4 594 0 0
je
mV mV V V
Voltaje
experimen 19.4 586 0.94 0.05
tal mV mV mV mV

3. Aplicaremos la seal de entrada Vg con frecuencia de 1kHz,


aumente Vg hasta que se obtenga la mxima excursin simtrica
en la salida. Anote los valores pico.

V Vs
Voltaje g
4.30 V 4.29
Terico
V
(p)Voltaje
Experimental 4.76 V 4.8
(p) V
Dibuje las ondas en los puntos b y e:

Graficas realizadas en la simulacin:

PUNTO
B

PUNTO
E

Graficas experimentales:

PUNTO
B

PUNTO
E
4. Ahora, con el nivel de Vg del paso 3 mediremos la respuesta en
frecuencia del circuito.

Para medir la repuesta en frecuencia del circuito, compararemos


los resultados tericos con los resultados de la simulacin.

Frecuencia(Hz 10 5 1 2 5 10 20 30 50 70 100
) Vs 0 0 k k k k k k k k k
4.2 4. 4. 4. 4. 4. 2. 1. 0. 0. 0.3
terico
8 2 2 2 2 05 38 62 77 45 2
Vs
Experimental 5.3 5. 4 4. 4 4. 3. 2. 1. 1. 0.8
(p) 2 2 . 4 . 0 9 03 6 05 3

5. Luego, desconectamos el resistor R4, de 10k, del punto E y


conctelo al punto B, reduzca Vg para obtener una salida 3
voltios pico. Dibuje la forma de onda de salida.

El circuito modificado, en R4=10k y Vg=3V (p), quedara de la


siguiente forma:

Simetra complementaria 1
Laboratorio N1 0
GRAFICAS SIMULADAS

Forma de la onda de salida:

Forma de la onda en el punto B:

Simetra complementaria 1
Laboratorio N1 1
GRAFICAS EXPERIMENTALES

Forma de onda en la salida:

Forma de onda en el punto B:


V. CUESTIONARIO:

1) Haga una tabla comparando los valores tericos con los


valores experimentales.

Las tablas se presentaron en la seccin anterior; comparando, como


debe ser, los resultados tericos y experimentales (V.
PROCEDIMIENTO)

2) Por qu la tensin pico de salida no llega a ser igual a la tensin


de la fuente?

RPTA: Porque la mxima excursin simtrica, limita el valor de salida,


ya que, pasado un determinado valor de voltaje de entrada, la seal
de salida se empieza a recortar, sin haber alcanzado el nivel de
voltaje dela fuente.

3) Por qu las tensiones en los pines 2 y 3 del operacional tienden


a ser iguales?

RPTA: Por el corto virtual que hay entre esos dos terminales.

4) Por qu la tensin de la seal de salida est en fase con la entrada?

RPTA: En este tipo de amplificadores, los dos dispositivos, o grupos


de dispositivos, de salida (transistores o tubos) operan en contrafase,
lo cual significa que sus seales de control estn desfasadas 180.
Las dos salidas en contrafase se conectan a la carga de tal forma que
las componentes de seal se suman mientras que las
componentes de distorsin debidas a la no linealidad de los
dispositivos de salida se restan.
VI. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES:

Hay un ligero problema asociado con la disposicin de amplificador,


los transistores requieren una diferencia de 0,7 V entre la base y el
emisor con el fin de que empiecen a trabajar. Como se observ en la
experiencia, la tensin de salida, no se refleja perfectamente a la
tensin de entrada. A esto se le llamada distorsin de cruce.

Se llama complementaria porque un transistor es PNP y el otro NPN,


uno trabaja con la parte positiva y la otra con la parte negativa, luego
se unen y vuelve a generar la onda original pero amplificada en
corriente.

La particularidad que tiene un amplificador en una configuracin de


colector comn en alterna, la seal de entrada se aplica por la base y
la seal de salida se toma por el emisor.
VII. BIBLIOGRAFIA:

Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad &


Nashelsky 10ma Ed. (Pg. 689-691)
Circuitos Microelectrnicos, Sedra 4ta Ed. (Pg. 720-743)

VIII. ANEXO: