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DE LOS JFET
rea de EET
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Derechos Reservados
Titular del Derecho: INACAP
N de inscripcin en el Registro de Propiedad Intelectual # ___ . ____ de fecha ___-___-___.
INACAP 2002.
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INDICE
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CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET.
a) Estructura b) Simbologa
Muy pocas veces las analogas son perfectas y en ocasiones pueden ser
engaosas, pero la analoga hidrulica de la figura 2 proporciona un sentido al
control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la
terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presin del
agua puede asemejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual
establecer un flujo de agua (equivalente al flujo de electrones) desde el grifo o
llave (fuente). La "compuerta", por medio de una seal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
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fuente estn en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura 1,
debido a que la terminologa se define para el flujo de electrones.
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no se tiene un diodo inverso. El hecho de que la unin p-n est inversamente
polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta
(Gate) de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O
A es una importante caracterstica del JFET.
Figura #4:ID contra VDS para VGS =0V. Figura #5: Estrechamiento (VGS =
0V,VDS =Vp).
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corriente est fija en ID = IDSS, pero el voltaje VD S (para niveles VD S > Vp )
se determina por la carga aplicada.
La eleccin de la notacin para IDSS se deriva del hecho de que es la corriente
de drenaje a fuente con una conexin en corto circuito de la compuerta a la fuente.
Ecc. (1)
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Figura #6: Obtencin de la curva de transferencia a partir de las
caractersticas de drenaje.
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Al sustituir VGS = Vp resulta que
o bien
Al igual que el transistor BJT, existen diferentes mtodos de polarizacin, entre los
cuales se encuentran:
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Figura #7: Polarizacin por Gate
?
I ds ? I D ? I DSS ? 1 ? VP
?
Vgg 2
Con Vgg < = a Vp.
?
I ds ? I DSS ? 1 ? Ids? Rs 2
VP ?
En la cual se puede despejar Ids o realizar el trabajo mediante el mtodo
grfico, esto es Rs = - (Vgs/Ids), el cual se puede graficar en la curva de
transferencia o lado izquierdo de la figura #6 como se muestra en la figura
#9.
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b) Polarizacin por divisin de voltaje: La figura #10 muestra el circuito de
polarizacin por divisor de voltaje
Como se puede apreciar en la figura #11, se debe conocer el valor de gm. Sin
embargo, podemos decir que gm es la variacin de la corriente de salida ?Id con
respecto a la variacin del voltaje de entrada ?Vgs . en trminos diferenciales,
?I D
podemos decir que gm ? ? VGS Si derivamos la ecuacin 1 con respecto al voltaje
Vgs se tiene:
?
I D ? I DSS ? 1 ? VP
?
VGS 2
Ecuacin 1, luego: gm ? ?I D
?VGS
?
? 2 ? I DSS ? 1 ? VGS
VP
?? ? 1
Vp
?
gm ? gmo ? 1 ? VVGSP ?
Ecc2.
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Es necesario indicar, que debido a la alta impedancia de entrada, no es necesario
realizar amplificadores con Drain comn. La figura #12 muestra un amplificador
con FET en modo Surtidor comn.
MOSFET
En general hay dos tipos de FET: JFET y MOSFET. Los MOSFET adems se
dividen en tipo decremental o empobrecimiento y tipo incremental o
enrriquecimiento. Los trminos decremental e incremental definen sus modos
bsicos de operacin, mientras que la palabra MOSFET significa transistor de
efecto de campo de metal xido semiconductor (metal-oxide-semiconductor-field-
effect transistor). Puesto que existen diferencias en las caractersticas y
operacin de cada tipo de MOSFET.
El MOSFET tipo decremental, que parece tener caractersticas similares a las de
un JFET entre el corte y la saturacin para IDSS, pero luego tiene el rasgo
adicional de las caractersticas que se extienden dentro de la regin de polaridad
opuesta para VGS.
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a) Estructura b) Simbologa
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Figura #14: MOSFET de decremental de canal n con VGS = 0 V y un
voltaje aplicadoVDD.
Si observamos el voltaje entre gate y source, podemos decir que este voltaje
puede ser tanto negativo (Empobrecimiento) o positivo (Enriquecimiento), pues el
canal se ensanchara mas y por tanto se tendr una mayor corriente de drain. La
figura #15 muestra la curva del MOSFET de enriquecimiento.
La polarizacin y clculo del punto Q son similares a los clculos realizados para
el JFET, al igual que el circuito equivalente para seal alterna y su mayor uso se
da en la polarizacin del tipo empobrecimiento.
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Construccin bsica de un MOSFET de tipo incremental o de enriquecimiento.
Una variacin de los MOSFET de tipo incremental o de enriquecimiento para que
trabaje en modo de enriquecimiento exclusivamente, corresponde a la estructura
que muestra la figura #16.
a) Estructura b) Simbologa
Como se observa en la figura #16, no existe canal entre Drain y Source, por tanto,
la polarizacin del gate debe crearlo, para ello, se tiene que polarizar el Gate
positivo, de manera de atraer los electrones libres del sustrato P creando as un
canal N artificial. Para ello, los manuales entregan el voltaje mnimo requerido
para la construccin del canal N y se denomina Voltaje de umbral VGSth
(Threshold Voltage).
En este caso las curvas caractersticas del MOSFET de enriquecimiento canal N,
solo contienen voltajes positivos entre Gate y Source, sin embrago se debe tener
en cuenta que la curva de transconductancia es:
I D ? K ? ?VGS ? VGSth ?
2
Ecc. 3
Donde K es una constante que depende de cada MOSFET. El circuito de
polarizacin ms caracterstico para un MOSFET de enriquecimiento canal N se
muestra en la siguiente figura#17.
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MANEJO DE LOS MOSFET
La delgada capa de SiO2 entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el
efecto positivo de proporcionar una caracterstica de alta impedancia de entrada
para el dispositivo, pero debido a que es extremadamente delgada introduce una
inquietud acerca de su manejo, la cual no se hizo presente para los transistores
BJT o JFET. Con frecuencia hay suficiente acumulacin de electricidad esttica (la
cual recogemos de nuestro entorno) para establecer una diferencia de potencial a
travs de la delgada capa que puede acabar con ella y establecer la conduccin a
travs de la misma. Es imperativo, por tanto, que dejemos la laminilla (o anillo) de
cortocircuitado (o conduccin) conectando las terminales del dispositivo juntas
hasta que ste se inserte en el sistema. El anillo o segmento de corto circuito
previene la posibilidad de que se aplique un potencial a travs de cualquiera de las
dos terminales del dispositivo. Con el anillo la diferencia de potencial entre
cualquiera de ellas se mantiene a O V. Como mnima precaucin, tquese siempre
un conducto a tierra para permitir la descarga de la electricidad esttica
acumulada antes de manejar el dispositivo, y siempre tome el transistor por su
encapsulado.
A menudo existen transitorios (cambios bruscos en voltaje o corriente) en un
circuito cuando son removidos o insertados elementos y la fuente de energa est
encendida, los niveles transientes pueden ser con frecuencia ms de lo que el
dispositivo puede soportar y, por lo tanto, la fuente de energa siempre deber
apagarse cuando se efecten cambios en el circuito.
El mximo voltaje de compuerta-fuente por lo general es proporcionado por el
fabricante del dispositivo. Un mtodo para asegurarse de que no se exceda
este voltaje (quizs a causa de efectos transitorios) para cualquier polaridad es
introducir dos diodos Zener. Una desventaja introducida por la proteccin Zener
es la resistencia de entrada, puesto que la resistencia del diodo zener en estado
de bloqueo es menor a la establecida por la capa de SiO2 que tiene el MOSFET.
El resultado es una reduccin en la resistencia de entrada, pero aun as es lo
suficientemente alta para la mayora de las aplicaciones.
CMOS
Un circuito lgico muy efectivo se puede establecer al construir un MOSFET de
canal p y un MOSFET de canal n sobre la misma compuerta o Gate, como se
muestra en la figura 18. La configuracin denominada arreglo MOSFET
complementario, abreviada CMOS, tiene una extensa aplicacin en el diseo de
computadoras. La impedancia relativamente alta, rpidas velocidades de
conmutacin y bajos niveles operativos de energa de la configuracin CMOS han
ocasionado el surgimiento de una disciplina completamente nueva conocida como
diseo lgico de CMOS.
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