Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
E
electrones de un haz, sometidos a aceleraciones y frenados
STE documento presenta una amplia recopilacin de como consecuencia de la aplicacin de una seal variable en el
contenido referente a los generadores de seal para los tiempo. En la aplicacin como amplificador, la versin ms
sistemas de microondas. Cada uno de ellos tiene su simple de Klystron es la de un tubo electrnico con varias
funcionamiento propio el cual es general entre todos. El cavidades como se muestra en la figura 1. Y en el que se
funcionamiento se basa en la transformacin de energa definen tres regiones: ctodo, nodo y regiones o tubos de
elctrica en energa electromagntica la cual genera ondas las arrastre, deriva o interaccin de RF, a las porciones
mismas que se propagan a travs de diferentes medios como intermedias entre las cavidades.
por ejemplo por helices.
La porcin principal del tubo la constituye un cierto nmero
II. GENERADOR DE SEAL PARA MICROONDAS de cavidades resonantes, en total 3 (Fig.1), de las cuales una es
la cavidad de entrada a la que se aplica la seal de RF y otra,
la de salida, de la que se extrae la seal amplificada.
El principio bsico de funcionamiento de estos generadores
La primera cavidad sirve para ingresar la seal de
es la modulacin de velocidad de un haz electrnico que al
microondas a ser amplificada, mientras que la segunda se usa
atravesar una cavidad resonante, exita en ella oscilaciones
electromagnticas de la frecuencia deseada. para extraer la seal ya amplificada. La seal de entrada excita
Las microondas pueden ser generadas de varias maneras, la primera cavidad creando un campo elctrico el cual modula
generalmente divididas en dos categoras: a su vez el haz de electrones. La velocidad de los electrones es
proporcional al campo resultante en la cavidad. En la ltima
Dispositivos de estado slido cavidad se genera un campo elctrico como funcin de la
velocidad de los electrones que se transforma en una corriente
Dispositivos basados en tubos de vaco
de microondas de salida. [3]
Los dispositivos de estado slido para microondas estn
basados en semiconductores de silicio o arsenuro de galio, e Figura 1. Estructura de un Klystrn
incluyen transistores de efecto campo (FET), transistores de
unin bipolar (BJT), diodos Gunn y diodos IMPATT.