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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA

DE LA FUERZA ARMADA BOLIVARIANA

NCLEO GURICO- EXTENSIN ZARAZA

DIODOS Y TIRITORES

Profesor:
Bachilleres:

Ing. Elas Correa. Daz Villegas Kelly C.I.


V-25.134.888

Lorenzo Rojas
Francisco C.I. V-19030413

Seccin ING E-D-01 Morales Castillo


Rafael C.I. V-24.470.691
Ingeniera Elctrica. Nuez Cortez
Bryan C.I. V- 2545170

Zaraza, Febrero 2017

El diodo:
Componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo
sentido. La flecha de la representacin simblica muestra la direccin en la
que fluye la corriente.
Es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede encontrar
prcticamente en cualquier circuito electrnico.
Constan de la unin de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro
tipo P, separados por una juntura llamada barrera o unin.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de
germanio. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.7
voltios aproximadamente en el diodo de silicio. Este trmino generalmente se
usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad;
consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales
elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para
tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.

Diodo semiconductor:
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor
como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga
portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n,
y una regin en el otro lado que contenga portadores de carga positiva
(huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a
cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una
unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce
una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la
direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del
nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones). Al unir ambos cristales,
se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p . Al establecerse
una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
El diodo se puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin en directa:
Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del nodo A al
ctodo K, siguiendo la ruta de la flecha (la del diodo). En este caso la
corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportndose
prcticamente como un cortocircuito.

Polarizacin en inversa:-
Cuando una tensin negativa en bornes del diodo tiende a hacer pasar
la corriente en sentido inverso, opuesto a la flecha (la flecha del diodo), osea
del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se
comporta prcticamente como un circuito abierto. El diodo est bloqueado.
En el caso ideal, el diodo se comporta como un cortocircuit cuando est
polarizado en directa y como un circuito abierto cuando est polarizado en
inversa.

Tipos de Diodos:
Diodos rectificadores:
Los diodos rectificadores son los que en principio conocemos, estos
facilitan el paso de la corriente continua en un slo sentido (polarizacin
directa), en otras palabras, si hacemos circular corriente alterna a travs de
un diodo rectificador esta solo lo har en la mitad de los semiciclos, aquellos
que polaricen directamente el diodo, por lo que a la salida del mismo
obtenemos una seal de tipo pulsatoria pero continua. Se conoce por seal o
tensin contina aquella que no vara su polaridad.

Diodos de tratamiento de seal (rf):


Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de
fabricacin que los rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar
parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de
seales, entre otros.
Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento de trabajar
con media y alta frecuencia, se encuentra en la "capacidad de unin", misma
que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman dos capas de carga
de sentido opuesto que conforman una capacidad real.
En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea
reducida a su mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve
todas sus habilidades rectificadores, incluso cuando trabaje en altas
frecuencias.

Diodo varicap diodos de capacidad variable (varicap):


La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar
de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF,
se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el
cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se
observa que, adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada,
aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo
que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si
polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que
aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda
comportar como un capacitor con muy bajas prdidas.
Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del
diodo se esparcan lo suficiente para que el efecto se asemeje a una
disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto
producido al distanciar las placas de un capacitor estndar). Por esta razn
podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms
conocidos como varicap's, varan su capacidad interna al ser alterado el valor
de la tensin que los polariza de forma inversa.

Diodo zener:
Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia que
existe en la grfica con respecto a la corriente directa e inversa. Si
polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin llega
un momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo
a su destruccin. Este punto se da por la tensin de ruptura del diodo.
el diodo zener se comporta como un diodo normal, a no ser que alcance la
tensin zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a
travs de l una cantidad determinada de corriente. Este efecto se produce
en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensin.

Foto diodos:
Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es
la influencia de la energa luminosa en la ruptura de los enlaces de
electrones situados en el seno constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no
son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y
forma de fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su
conduccin sea la mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con
fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos de
germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.

Diodos led (luminiscentes):


Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo
electrnico y veremos por lo menos 1 ms diodos led. Podemos
encontrarlos en diferentes formas, tamaos y colores diferentes. La forma de
operar de un led se basa en la recombinacin de portadores mayoritarios en
la capa de barrera cuando se polariza una unin Pn en sentido directo. El
nombre de LED se debe a su abreviatura en ingls (Light Emmiting Diode)
Adems de los diodos led existen otros diodos con diferente emisin, como
la infrarroja, y que responden a la denominacin IRED (Diodo emisor de
infra-rojos).

El uso de los diodos:


Los diodos se utilizan en la industria moderna para la transformacin
de corriente alterna en tensin continua. Adems se puede estabilizar la
tensin y la corriente en la tcnica electrnica. Para aspectos pticos, los
diodos de lser son adecuados. Especialmente en el mbito tcnico hay usos
diferentes para los diodos. El funcionamiento de diodos es diferente para
cada aparato, hay que descubrirlo en los particulares diagramas de los
productores. Con la ayuda de diodos se puede encontrar pilas incorrectas y
evitar la destruccin de los mdulos.

Tiristores:
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos
semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en
los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores
biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o
conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
caractersticas y limitaciones.

Caractersticas de los tiristores:


Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn
con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. Los
tiristores se fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se hace
positivo con respecto al ctodo, las uniones y tienen polarizacin directa o
positiva. La unin tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en
condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la
corriente fuga corriente de estado inactivo I D. Si el voltaje nodo a ctodo
VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin polarizada
inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha
y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa V BO. Dado que
las uniones y ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de
portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente
directa del nodo.
La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser
pequea, por lo comn 1v. En el estado activo, la corriente del nodo debe
ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche, a fin de
mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin;
de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo
regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, es la
corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de
conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha
retirado la seal de la compuerta.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en
conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir
conduciendo, porque en la unin no existe una capa de agotamiento de vida
a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de
mantenimiento se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin
debido al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en
estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los
miliamperios y es menor que la corriente de enganche,. Esto significa que. La
corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para
mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de
mantenimiento es menor que la corriente de enganche.

Activacin del tiristor:-


Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede
llevar a cabo mediante una de las siguientes formas:

Trmica:
Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero
de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este
aumento en las corrientes har que a1 y a2 aumenten. Debido a la accin
regenerativa (a1 + a2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse.
Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se
evita.

Luz:
Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran
los pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de
tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
Alto voltaje:
Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin
regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se
debe evitar.

Corriente de compuerta:
Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente
de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y
las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente
de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, pudiendo llegar a
activarse.

Tipos de tiristores:

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente


del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la
unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la
compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de


activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en
ocho categoras:

1. Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).


2. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
3. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
4. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
5. Tiristores de induccin esttica (SITH).
6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
8. Tiristores controlados por MOS (MCT).

Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR):


El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor
de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio
o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo
denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin
Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se muestra el
smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.

Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o


diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en
circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.

Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en


sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse
por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada.

Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO):-------------------------------


Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para
encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se
necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos
se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30m s de
duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de un
cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC):---------------------------------------


Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en
contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier
direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El
smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un
TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma
forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde
tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una
vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por
debajo de IH.

Tiristores de conduccin inversa (RTC):------------------------------------------


En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo
antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de
corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito de
desactivacin de un circuito de conmutacin.

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y


requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo
antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la figura siguiente. Un
RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de
bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de corriente llega
hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que
para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la
corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus
aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

Tiristores de induccin esttica (SITH):------------------------------------------


Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo
de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un
voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en
estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con
especificaciones de voltaje y corriente ms altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y


capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de
1 a 6m s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de
corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible
a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso
de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus
caractersticas.

Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR):


Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de
silicio provocado con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la
radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo
elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas
(por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt).

Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por


ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de
potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR
ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el
dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un
potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.

Tiristores controlados por FET (FET-CTH):----------------------------------


Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo,
tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET
se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una
corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin,
un di/dt alto y un dv/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales,


pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en
aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de
proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y
el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

Tiristores controlados por MOS (MCT):------------------------------------------


Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de
un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS.
El circuito equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo
correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede representar por un
transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se
puede representar por un MOSFET de canal p M 1 y un MOSFET de canal n
M2 .

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si


su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el
MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de
especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores
ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar.
En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de
un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de
encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.

Un MCT tiene:
1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;

2. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de


desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;

3. Bajas perdidas de conmutacin;

4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.

5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica


mucho los circuitos de excitacin.

Importancia y funcionamiento de los tiristores:

Es un componente electrnico constituido por elementos


semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una
conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo
semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se
encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son
dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un
nico sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia elctrica.
Un tiristor se utiliza en forma extensa en los circuitos electrnicos de
potencia. Operan como conmutadores biestables