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Ciencia e ingeniera

de materiales
Donald R. Askeland
Wendelin J. Wright

7 edicin
Ciencia e ingeniera de
materiales
Sptima edicin

Donald R. Askeland
University of MissouriRolla, emrito

Wendelin J. Wright
Bucknell University

Edicin SI preparada por:


D.K. Bhattacharya
Solid State Physics Laboratories, New Delhi
Raj P. Chhabra
Indian Institute of Technology, Kanpur

Traduccin
Lorena Peralta Rosales
Traductora profesional

Revisin tcnica
Jos Nicols Ponciano Guzmn
Instituto Tecnolgico de Morelia
Tecnolgico de Monterrey
Campus Morelia

Leonel Ceja Crdenas


Instituto Tecnolgico de Morelia

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Ciencia e ingeniera de materiales D.R. 2017 por Cengage Learning Editores, S.A. de
Sptima edicin C.V., una Compaa de Cengage Learning, Inc.
Donald R. Askeland, Wendelin J. Wright Corporativo Santa Fe
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Luciana Rabuetti Traducido del libro
The Science and Engineering of Materials
Coordinador de Manufactura: 7th edition
Rafael Prez Gonzlez Donald R. Askeland, Wendelin J. Wright

Editor: Publicado en ingls por Cengage Learning 2016


Javier Reyes Martnez ISBN: 978-1-305-07710-2

Diseo de portada: Datos para catalogacin bibliogrca:


Mariana Sierra Enrquez Askeland, Donald R., Wright, Wendelin J.
Ciencia e Ingeniera de materiales
Imgenes de portada: Sptima edicin
Shutterstock ISBN: 978-607-526-062-4

Composicin tipogrca: Visite nuestro sitio web en:


Rogelio Raymundo Reyna Reynoso http://latinoamerica.cengage.com
CONTENIDO

Captulo 1 Introduccin a la ciencia e ingeniera


de materiales 3
1-1 Qu es la ciencia e ingeniera de materiales? 4
1-2 Clasificacin de los materiales 7
1-3 Clasificacin funcional de los materiales 10
1-4 Clasificacin de los materiales con base en la estructura 12
1-5 Efectos ambientales y diversos 12
1-6 Diseo y seleccin de materiales 14
Resumen 15 | Glosario 6 | Problemas 17

Captulo 2 Estructura atmica 21

2-1 Estructura de los materiales: relevancia tecnolgica 22


2-2 Estructura del tomo 25
2-3 Estructura electrnica del tomo 26
2-4 Tabla peridica 29
2-5 Enlace atmico 31
2-6 Energa de unin y espaciado interatmico 37
2-7 Las muchas formas del carbono: relaciones entre los arreglos
de los tomos y las propiedades materiales 40
Resumen 44 | Glosario 45 | Problemas 47

Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos 51

3-1 Orden de corto alcance frente a orden de largo alcance 52


3-2 Materiales amorfos 54
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 54
3-4 Transformaciones alotrpicas o polimrficas 66
3-5 Puntos, direcciones y planos de la celda unitaria 67
3-6 Sitios intersticiales 76
3-7 Estructuras cristalinas de los materiales inicos 78
3-8 Estructuras covalentes 84
3-9 Tcnicas de difraccin del anlisis de estructuras cristalinas 87
Resumen 91 | Glosario 92 | Problemas 94

v
vi Contenido

Captulo 4 Imperfecciones en los arreglos atmicos


e inicos 103
4-1 Defectos puntuales 104
4-2 Otros defectos puntuales 109
4-3 Dislocaciones 111
4-4 Importancia de las dislocaciones 117
4-5 Ley de Schmid 118
4-6 Influencia de la estructura cristalina 120
4-7 Defectos superficiales 122
4-8 Importancia de los defectos 128
Resumen 131 | Glosario 131 | Problemas 133

Captulo 5 Movimientos de tomos e iones en los


materiales 141
5-1 Aplicaciones de la difusin 142
5-2 Estabilidad de tomos e iones 145
5-3 Mecanismos de difusin 147
5-4 Energa de activacin de la difusin 148
5-5 Velocidad de difusin [primera ley de Fick] 149
5-6 Factores que afectan la difusin 153
5-7 Permeabilidad de los polmeros 159
5-8 Perfil de composicin [segunda ley de Fick] 160
5-9 Difusin y procesamiento de materiales 165
Resumen 169 | Glosario 170 | Problemas 172

Captulo 6 Propiedades mecnicas: primera parte 181

6-1 Importancia tecnolgica 182


6-2 Terminologa de las propiedades mecnicas 183
6-3 Prueba de tensin: uso del diagrama esfuerzo-deformacin 185
6-4 Propiedades que se descubren a partir de la prueba de tensin 190
6-5 Esfuerzo verdadero y deformacin verdadera 197
6-6 Prueba de flexin de materiales quebradizos 199
6-7 Dureza de los materiales 202
6-8 Nanoindentacin 203
6-9 Efectos de la rapidez de deformacin y comportamiento
ante el impacto 207
6-10 Propiedades que se descubren a partir de la prueba de impacto 208
6-11 Vidrios metlicos voluminosos y su comportamiento mecnico 210
6-12 Comportamiento mecnico a escalas pequeas de longitud 213
6-13 Reologa de los lquidos 215
Resumen 217 Glosario 218 | Problemas 220
Contenido vii

Captulo 7 Propiedades mecnicas: segunda parte 229

7-1 Mecnica de la fractura 230


7-2 Importancia de la mecnica de la fractura 233
7-3 Caractersticas microestructurales de una fractura en materiales
metlicos 236
7-4 Caractersticas microestructurales de las fracturas
en cermicas, vidrios y compuestos 239
7-5 Estadstica de Weibull para analizar la resistencia a la falla 241
7-6 Fatiga 245
7-7 Resultados de la prueba de fatiga 247
7-8 Aplicacin de la prueba de fatiga 249
7-9 Termofluencia, ruptura por esfuerzo y corrosin por esfuerzo 252
7-10 Evaluacin del comportamiento de la termofluencia 254
7-11 Uso de datos de la termofluencia 256
Resumen 257 | Glosario 258 | Problemas 259

Captulo 8 Endurecimiento por deformacin y recocido 269

8-1 Relacin del trabajo en fro con la curva de esfuerzo-deformacin 270


8-2 Mecanismos del endurecimiento por deformacin 274
8-3 Propiedades frente al porcentaje de trabajo en fro 276
8-4 Microestructura, endurecimiento por textura y esfuerzos residuales 278
8-5 Caractersticas del trabajo en fro 282
8-6 Las tres etapas del recocido 285
8-7 Control del recocido 287
8-8 Recocido y procesamiento de materiales 289
8-9 Trabajo en caliente 291
Resumen 292 | Glosario 293 | Problemas 295

Captulo 9 Principios de la solidificacin 305

9-1 Importancia tecnolgica 306


9-2 Formacin de ncleos 307
9-3 Aplicaciones de la nucleacin controlada 311
9-4 Mecanismos de crecimiento 312
9-5 Tiempo de solidificacin y tamao dendrtico 314
9-6 Curvas de enfriamiento 318
9-7 Estructura de la pieza colada 319
9-8 Defectos de solidificacin 321
9-9 Procesos de vaciado para fabricar componentes 325
9-10 Colada continua y vaciado de lingotes 327
viii Contenido

9-11 Solidificacin direccional [SD], crecimiento de monocristales


y crecimiento epitaxial 331
9-12 Solidificacin de polmeros y vidrios inorgnicos 332
9-13 Unin de materiales metlicos 333
Resumen 335 | Glosario 336 | Problemas 338

Captulo 10 Soluciones slidas y equilibrio de fases 349

10-1 Fases y diagrama de fases 350


10-2 Solubilidad y soluciones slidas 353
10-3 Condiciones de la solubilidad slida ilimitada 356
10-4 Endurecimiento por solucin slida 357
10-5 Diagramas de fases isomorfos 359
10-6 Relacin entre las propiedades y el diagrama de fases 367
10-7 Solidificacin de una aleacin de solucin slida 368
10-8 Solidificacin y segregacin fuera de equilibrio 370
Resumen 373 | Glosario 374 | Problemas 376

Captulo 11 Endurecimiento por dispersin y diagramas de fases


eutcticas 385
11-1 Principios y ejemplos del endurecimiento por dispersin 386
11-2 Compuestos intermetlicos 387
11-3 Diagramas de fases que contienen reacciones de tres fases 389
11-4 Diagrama de fases eutcticas 391
11-5 Resistencia de las aleaciones eutcticas 401
11-6 Eutcticos y procesamiento de materiales 406
11-7 Solidificacin sin equilibrio en el sistema eutctico 407
11-8 Nanoalambres y el diagrama de fases eutcticas 408
Resumen 410 | Glosario 411 | Problemas 412

Captulo 12 Endurecimiento por dispersin mediante


transformaciones de fase y tratamiento trmico 421
12-1 Formacin de ncleos y crecimiento en reacciones en estado slido 422
12-2 Aleaciones endurecidas por exceder el lmite de solubilidad 426
12-3 Endurecimiento por envejecimiento o por precipitacin
y sus aplicaciones 428
12-4 Evolucin microestructural en endurecimiento por envejecimiento
o por precipitacin 429
12-5 Efectos de la temperatura y del tiempo de envejecimiento 432
12-6 Requerimientos para el endurecimiento por envejecimiento 433
12-7 Uso de aleaciones que pueden endurecerse por envejecimiento
a altas temperaturas 433
12-8 La reaccin eutectoide 434
Contenido ix

12-9 Control de la reaccin eutectoide 438


12-10 La reaccin martenstica y el revenido 443
12-11 Las aleaciones con memoria de forma [AMF] 447
Resumen 448 | Glosario 449 | Problemas 450

Captulo 13 Tratamiento trmico de aceros y


hierros colados 461
13-1 Designaciones y clasificacin de los aceros 462
13-2 Tratamientos trmicos simples 465
13-3 Tratamientos trmicos isotrmicos 468
13-4 Tratamientos trmicos de templado y revenido 471
13-5 Efecto de los elementos de aleacin 475
13-6 Aplicacin de la templabilidad 477
13-7 Aceros especiales 480
13-8 Tratamientos superficiales 482
13-9 Soldabilidad del acero 484
13-10 Aceros inoxidables 485
13-11 Hierros fundidos 488
Resumen 493 | Glosario 494 | Problemas 496

Captulo 14 Aleaciones no ferrosas 503

14-1 Aleaciones de aluminio 504


14-2 Aleaciones de magnesio y berilio 510
14-3 Aleaciones de cobre 511
14-4 Aleaciones de nquel y cobalto 515
14-5 Aleaciones de titanio 518
14-6 Metales refractarios y preciosos 524
Resumen 525 | Glosario 525 | Problemas 526

Captulo 15 Materiales cermicos 531

15-1 Enlace en los materiales cermicos 533


15-2 Estructura de los materiales cermicos cristalinos 535
15-3 Defectos en las cermicas cristalinas 538
15-4 Fallas en los materiales cermicos 541
15-5 Sntesis y procesamiento de los materiales cermicos cristalinos 544
15-6 Slice y silicatos compuestos 549
15-7 Vidrios inorgnicos 551
15-8 Vidrios-cermicos 557
15-9 Procesamiento y aplicaciones de productos de arcilla 558
x Contenido

15-10 Refractarios 560


15-11 Otros materiales cermicos 562
Resumen 564 | Glosario 564 | Problemas 566

Captulo 16 Polmeros 571

16-1 Clasificacin de los polmeros 572


16-2 Polimerizacin por adicin y condensacin 575
16-3 Grado de polimerizacin 579
16-4 Termoplsticos comunes 581
16-5 Relaciones estructura-propiedades en termoplsticos 583
16-6 Efecto de la temperatura en termoplsticos 587
16-7 Propiedades mecnicas de los termoplsticos 593
16-8 Elastmeros (cauchos) 598
16-9 Polmeros termoestables o termofijos 602
16-10 Adhesivos 604
16-11 Procesamiento y reciclaje de polmeros 605
Resumen 610 | Glosario 610 | Problemas 612

Captulo 17 Materiales compuestos: trabajo en equipo y sinergia


en materiales 617
17-1 Materiales compuestos endurecidos por dispersin 619
17-2 Compuestos particulados 621
17-3 Compuestos reforzados con fibras 625
17-4 Caractersticas de compuestos reforzados con fibras 629
17-5 Manufactura de fibras y compuestos 636
17-6 Sistemas reforzados con fibra y sus aplicaciones 640
17-7 Materiales compuestos laminares 646
17-8 Ejemplos y aplicaciones de compuestos laminares 647
17-9 Estructuras tipo emparedado o sandwich 648
Resumen 650 | Glosario 650 | Problemas 651

Captulo 18 Materiales de construccin 659

18-1 Estructura de la madera 660


18-2 Contenido de humedad y densidad de la madera 662
18-3 Propiedades mecnicas de la madera 664
18-4 Expansin y contraccin de la madera 666
18-5 Madera contrachapada (triplay) 666
18-6 Materiales de concreto 667
18-7 Propiedades del concreto 669
Contenido xi

18-8 Concreto reforzado y presforzado 673


18-9 Asfalto 674
Resumen 674 | Glosario 675 | Problemas 675

Captulo 19 Materiales electrnicos 679

19-1 Ley de Ohm y conductividad elctrica 681


19-2 Estructura de las bandas de slidos 685
19-3 Conductividad de metales y aleaciones 689
19-4 Semiconductores 692
19-5 Aplicaciones de los semiconductores 699
19-6 Perspectiva general del procesamiento de un circuito integrado 702
19-7 Deposicin de pelculas delgadas 705
19-8 Conductividad en otros materiales 706
19-9 Aislantes y sus propiedades dielctricas 708
19-10 Polarizacin en dielctricos 708
19-11 Electroestriccin, piezoelectricidad y ferroelectricidad 712
Resumen 715 | Glosario 716 | Problemas 717

Captulo 20 Materiales magnticos 723

20-1 Clasificacin de los materiales magnticos 724


20-2 Dipolos magnticos y momentos magnticos 724
20-3 Magnetizacin, permeabilidad y campo magntico 726
20-4 Materiales diamagnticos, paramagnticos, ferromagnticos, ferrimagnticos
y superparamagnticos 729
20-5 Estructura del dominio y el ciclo de histresis 731
20-6 La temperatura de Curie 734
20-7 Aplicaciones de los materiales magnticos 735
20-8 Materiales magnticos metlicos y cermicos 741
Resumen 746 | Glosario 747 | Problemas 748

Captulo 21 Materiales fotnicos 753

21-1 El espectro electromagntico 754


21-2 Refraccin, reflexin, absorcin y transmisin 754
21-3 Absorcin, transmisin o reflexin selectivas 766
21-4 Ejemplos y uso de fenmenos de emisin 766
21-5 Sistemas de comunicaciones por fibra ptica 775
Resumen 775 | Glosario 775 | Problemas 776
xii Contenido

Captulo 22 Propiedades trmicas de los materiales 781

22-1 Capacidad trmica y calor especfico 782


22-2 Expansin trmica 784
22-3 Conductividad trmica 788
22-4 Choque trmico 792
Resumen 793 | Glosario 794 | Problemas 794

Captulo 23 Corrosin y desgaste 799

23-1 Corrosin qumica 800


23-2 Corrosin electroqumica 802
23-3 Potencial del electrodo en celdas electroqumicas 805
23-4 Corriente de corrosin y polarizacin 809
23-5 Tipos de corrosin electroqumica 810
23-6 Proteccin contra corrosin electroqumica 815
23-7 Degradacin microbiana y polmeros
biodegradables 820
23-8 Oxidacin y otras reacciones gaseosas 821
23-9 Desgaste y erosin 824
Resumen 826 | Glosario 827 | Problemas 828

Apndice A: Propiedades fsicas de algunos metales 832


Apndice B: Radios atmicos e inicos de algunos
elementos 835
Respuestas de problemas seleccionados 837
ndice 848
Ciencia e ingeniera
de materiales
Sptima edicin
Desempeo
Costo

(A)
Composicin

(C)
Sntesis y
procesamiento
(B)
Microestructura

Los objetivos principales de un cientco e ingeniero de materiales son 1) mejorar los materiales existentes y 2) inventar o
descubrir nuevos fenmenos, materiales, dispositivos y aplicaciones. Los avances en el campo de la ciencia e ingeniera de
materiales se aplican a otros campos de estudio como la ingeniera biomdica, la fsica, la qumica, la ingeniera ambiental y
la tecnologa de informacin. El tetraedro de la ciencia e ingeniera de materiales que se muestra aqu representa el corazn
y el alma de este campo y ejemplica su empleo para producir acero para construir el bastidor de un automvil. Como se mues-
tra en este diagrama, el objetivo principal de un cientco e ingeniero de materiales es desarrollar materiales o dispositivos que
tengan el mejor desempeo en una determinada aplicacin. En la mayora de los casos, la razn desempeo/costo, a diferencia
de slo el desempeo, es de importancia mxima. El concepto se muestra como el vrtice del tetraedro y las tres esquinas
son representativas de A, la composicin; B, la microestructura; y C, la sntesis y el procesamiento de materiales. Ellas estn
interconectadas y en ltima instancia afectan la razn desempeo/costo de un material o un dispositivo. La micrografa ad-
junta muestra la microestructura del acero inoxidable, diseada para absorber energa durante las colisiones automovilsticas.
Las partculas duras llamadas martensitas (oscuras) se dispersan en una matriz de ferritas relativamente blandas y dctiles de
color claro.
Para los cientcos e ingenieros de materiales, los materiales son como la paleta de colores para un artista. Al igual que
estos, que pueden crear distintas pinturas con base en diferentes colores, los cientcos de materiales crean y mejoran dis-
tintos materiales por medio del empleo de diversos elementos de la tabla peridica y diferentes rutas de sntesis y procesa-
miento. (Michael Shake/Shutterstock.com / Digital Vision/Getty Images / Digital Vision/Getty Images / Metals Handbook, Desk
Edition (1998), ASM International, Materials Park, OH 440730002. Reimpreso con autorizacin de ASM International. Todos los
derechos reservados. www.asminternational.org))
CAPTULO

Introduccin a la ciencia e
1
ingeniera de materiales
Se ha preguntado alguna vez:
Qu estudian los cientcos e ingenieros de materiales?
Cmo se puede mejorar de forma signicativa la eciencia del combustible de un
avin comercial con base en los materiales que se utilizan para su construccin?
Si pueden fabricarse circuitos electrnicos exibles y ligeros utilizando plsticos?
Por qu los joyeros adicionan cobre al oro?
Qu es un material inteligente?

Objetivos de aprendizaje
Los objetivos clave de este captulo son:
Entender los conceptos principales que denen a la ciencia e ingeniera de materiales.
Comprender el papel de la ciencia de materiales en el proceso de diseo.
Clasicar los materiales con base en sus propiedades.
Clasicar los materiales con base en su funcin.

E
n primer lugar este captulo lo introducir en el campo de la ciencia e ingeniera de
materiales (CIM) por medio de diferentes ejemplos reales. Despus lo introducir a
la clasicacin de los materiales. Aunque la mayora de los programas de ingeniera
requieren que los estudiantes tomen un curso de ciencia de materiales, usted debe abordar el
estudio de esta disciplina como algo ms que una mera exigencia pedaggica. Un conocimiento
profundo de la ciencia e ingeniera de materiales lo har un mejor ingeniero y diseador. La
ciencia de materiales es la base de todos los avances tecnolgicos, por lo que la comprensin
de los conceptos bsicos de los materiales y sus aplicaciones no slo lo harn un mejor
ingeniero, tambin lo ayudarn durante el proceso de diseo. Para ser un buen diseador
debe aprender cules materiales son apropiados para utilizar en distintas aplicaciones. Debe
ser capaz de elegir el material correcto para su aplicacin con base en sus propiedades,
as como reconocer cmo podran cambiar estas propiedades con el tiempo y debido al
procesamiento. Cualquier ingeniero puede consultar las propiedades de los materiales en un
libro o buscar en bases de datos un material que cumpla las especicaciones del diseo, pero
4 Captulo 1 Introduccin a la ciencia e ingeniera de materiales

la habilidad para innovar e incorporar materiales de manera segura en un diseo tiene sus
orgenes en la comprensin de cmo manipular sus propiedades y funcionalidades a travs del
control de la estructura y de las tcnicas de procesamiento del material.
El aspecto ms importante de los materiales es que se pueden hacer ciertas cosas con
ellos, es decir, permiten que sucedan las cosas. Por ejemplo, en la historia de la civilizacin,
materiales como la piedra, el hierro y el bronce desempearon funciones clave en el desarrollo de
la humanidad. En el mundo vertiginoso actual, el descubrimiento de los monocristales de silicio
y la comprensin de sus propiedades han permitido el desarrollo de la era de la informacin.
En este libro se proporcionan ejemplos convincentes de aplicaciones reales de
los materiales de ingeniera. La diversidad de aplicaciones y los usos nicos de los materiales
ilustran por qu un buen ingeniero debe comprender y conocer cmo aplicar los principios de la
ciencia e ingeniera de materiales.

1-1 Qu es la ciencia e ingeniera de materiales?


La ciencia e ingeniera de materiales (CIM) es un campo interdisciplinario que estudia y manipula la
composicin y estructura de los materiales a travs de escalas de longitud para controlar las propie-
dades de los materiales por medio de la sntesis y el procesamiento. El trmino composicin se refiere
a la constitucin qumica de un material. Por su parte, el vocablo estructura se remite a la descripcin
del arreglo de los tomos, es decir, cmo se observa a diferentes niveles de detalle. Los cientficos e
ingenieros de materiales no slo se enfocan en el desarrollo de materiales, sino tambin en su sntesis
y procesamiento y en los procesos de manufactura relacionados con la produccin de componentes.
El trmino sntesis se refiere a la forma en que se fabrican materiales a partir de sustancias qumicas
de estado natural o hechas por el hombre. El trmino procesamiento implica cmo se transforman
materiales en componentes tiles para provocar cambios en las propiedades de diferentes materiales.
Una de las funciones ms importantes de los cientficos e ingenieros que estudian esta disciplina es
establecer las relaciones entre las propiedades de un material o un dispositivo y el desempeo y la mi-
croestructura del material, su composicin y la manera en la que el material o dispositivo se sintetiz
y proces. La ciencia de materiales se enfoca en las relaciones bsicas entre la sntesis y el procesa-
miento, la estructura y las propiedades de los materiales. Por su parte, la ingeniera de materiales se
concentra en las formas de convertir o transformar los materiales en dispositivos o estructuras tiles.
Uno de los aspectos ms fascinantes de la ciencia de materiales involucra la investigacin
de la estructura de un material. La estructura de los materiales tiene una influencia profunda sobre
muchas propiedades de estos, an si la composicin general no cambia! Por ejemplo, si toma un
alambre de cobre puro y lo dobla de manera repetida, el alambre no slo se endurece sino que tam-
bin se vuelve cada vez ms quebradizo! Con el tiempo, el alambre de cobre puro se hace tan duro y
quebradizo que se romper! La resistividad elctrica del alambre tambin aumentar a medida que
se doble de manera repetida. En este ejemplo sencillo, observe que no se modific la composicin del
material (es decir, su constitucin qumica). Los cambios en las propiedades del material se deben a
un cambio en su estructura interna. Si examina el alambre despus de doblarse observar lo mismo
que antes; sin embargo, su estructura ha cambiado a escala microscpica. A escala microscpica, la
estructura se conoce como microestructura. Si es posible comprender lo que ha cambiado de forma
microscpica, se comenzarn a descubrir maneras de controlar las propiedades de los materiales.
Examine un ejemplo utilizando el tetraedro de la ciencia e ingeniera de materiales que se
presenta en la figura 1-1. (En la pgina de apertura del captulo se ofrece otro ejemplo). Durante la
mayor parte de la historia de la aviacin comercial, los fuselajes de los aviones se fabricaron con alea-
ciones de aluminio. El material del fuselaje debe poseer una resistencia suficientemente alta y a la vez
ser ligero y moldeable en contornos aerodinmicos. El aluminio es un material que cumple con estos
requisitos. En 2011, los pasajeros comenzaron a viajar en los aviones 787 Dreamliner de Boeing.
Una de sus innovaciones principales es el uso extensivo de materiales compuestos, es decir, aquellos
que se forman mediante la incorporacin de componentes mltiples en un material, de manera que
las propiedades de la combinacin resultante son nicas y no se podran obtener de otro modo.
Los materiales compuestos representan la mitad del peso total del Dreamliner y su fuselaje est
hecho de plstico reforzado con fibra de carbono. El plstico reforzado con fibra de carbono es un
compuesto de fibra de carbono en una matriz de resina epoxi de polmero.
1-1 Qu es la ciencia e ingeniera de materiales? 5

En qu medida se puede reducir el


peso del fuselaje si se emplean
Desempeo materiales compuestos?
Costo Cuntos pasajeros caben en un
avin con fuselaje compuesto?
Cul es su costo de fabricacin? Se compensa
el costo con los ahorros de combustible?

A: Composicin
Qu materiales deben usarse en
la matriz?
Con qu materiales se deben
reforzar?
Qu volumen porcentual debe ocupar el
reforzamiento?

C: Sntesis y procesamiento
Qu proceso debe emplearse para fabricar el
fuselaje?
Cmo se pueden incorporar los componentes
al material?
Se puede implementar el procesamiento con
confiabilidad suficiente?
B: Microestructura
Cmo se debe organizar la fase
de reforzamiento de la matriz?
Cules son las caractersticas de
la estructura que afectan su
confiabilidad?
Qu controla la fuerza?

Figura 1-1 Aplicacin del tetraedro de la ciencia e ingeniera de materiales a los plsticos reforzados de fibras
de carbono para fabricar fuselajes de aeronaves. Observe que la composicin, la microestructura y la sntesis-
procesamiento estn interconectadas y afectan la razn desempeo/costo. Aparecen en el sentido de las manecillas
del reloj a partir del lado superior derecho: el Boeing 787, el interior del fuselaje vaco de un Boeing 787, fibra de
carbono en una matriz epoxi. [Bloomberg a travs de Getty Images / Srinivasa, Vinod, Shivakumar, Vinay, Nayaka,
Vinay, Jagadeeshaiaih, Sunil, Seethram, Murali, Shenoy, Raghavendra, & Nafidi, Abdelhakim. (2010).
Fracture morphology of carbon fiber reinforced plastic composite laminates. Materials Research, vol. 13(3),
pp. 417-424. Recuperado el 6 de enero de 2014 de http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=
S1516-14392010000300022&lng=en&tlng=en. 10.1590/S1516 -14392010000300022./ AFP/Getty Images / Aviation
Images]

Despus de varias dcadas de fabricar modelos exitosos de aviones, Boeing invirti miles de
millones de dlares para desarrollar un avin comercial con base en una nueva clase de materiales.
Por qu tom esta decisin? La principal motivacin para usar plstico reforzado con fibras de car-
bono fue reducir el peso del fuselaje para incrementar la eficiencia del combustible, lo que tambin
ha aumentado la razn desempeo/costo de la aeronave.
El cambio hacia el uso de materiales compuestos implic una gran cantidad de retos tc-
nicos. Qu material compuesto se debera emplear? Cmo se dar forma al fuselaje? Los datos
recabados durante dcadas demuestran que se forman grietas en el aluminio como resultado de
los despegues y aterrizajes. El nuevo material compuesto ser confiable? Un plstico reforzado con
fibra de carbono tendr la misma resistencia a la corrosin que el aluminio o experimentar una
6 Captulo 1 Introduccin a la ciencia e ingeniera de materiales

deslaminacin entre los plsticos y las fibras? Las aeronaves de aluminio tienen paneles estructurales
remachados. Cmo se unirn los componentes estructurales del material compuesto? En este anli-
sis podemos observar que es necesario considerar muchas cuestiones durante el proceso de diseo y
la seleccin de materiales de cualquier producto, adems de que la razn desempeo/costo, la com-
posicin, la microestructura y la sntesis y el procesamiento son factores crticos.
Un ejemplo ms de la aplicacin del tetraedro de la ciencia e ingeniera de materiales es el
empleo de una clase de materiales conocidos como polmeros semiconductores (figura 1-2) en dispo-
sitivos microelectrnicos. Muchos tipos de pantallas, como las que se encuentran en los despertado-
res y los relojes, usan diodos emisores de luz (light emiting diodes, LED) elaborados con compuestos
inorgnicos basados en arseniuro de galio (GaAs) y otros materiales. La ventaja del uso de plsticos
en la microelectrnica es que son flexibles y fciles de procesar. Las preguntas que deben responder
los cientficos e ingenieros en materiales sobre las aplicaciones de los polmeros semiconductores son
Cules son las relaciones entre la estructura de los polmeros y sus propiedades elctricas?
Cmo pueden fabricarse dispositivos con el empleo de estos plsticos?
Estos dispositivos sern compatibles con la tecnologa del chip de silicio existente?
Cun robustos son estos dispositivos?
Cmo se compararn el desempeo y el costo de estos dispositivos con los dispositivos
tradicionales?
Estos son slo algunos de los factores que los ingenieros y cientficos deben considerar du-
rante el desarrollo, diseo y fabricacin de los dispositivos de polmeros semiconductores.

Cules son las caractersticas


elctricas?
Desempeo Cun robustos son los dispositivos?
Costo Cul es el costo de fabricacin?
Cmo se compara ste con los
dispositivos basados en silicio?

A: Composicin
Qu polmeros pueden
usarse?
Cuntos dopantes pueden
usarse para controlar
el nivel de conductividad?

C: Sntesis y procesamiento
Cmo pueden fabricarse
pelculas delgadas?
Cmo se pueden conectar los
diferentes dispositivos entre s?
B: Microestructura
Cmo controla la conductividad
la naturaleza del enlace?

Figura 1-2 Aplicacin del tetraedro de la ciencia e ingeniera de materiales a polmeros


semiconductores en microelectrnica.
1-2 Clasicacin de los materiales 7

1-2 Clasicacin de los materiales


Existen formas diferentes de clasificar los materiales. Una de ellas es describir cinco grupos
(tabla 1-1):
1. Metales y aleaciones
2. Cermicas, vidrios y vidrios cermicos
3. Polmeros (plsticos)
4. Semiconductores y
5. Materiales compuestos

Tabla 1.1 Ejemplos, aplicaciones y propiedades representativas de cada categora de materiales

Ejemplos de aplicaciones Propiedades

Materiales y aleaciones
Cobre Alambre conductor elctrico Conductividad elctrica alta, buena
formabilidad
Hierro colado gris Bloques de motores de automviles Moldeable, maquinable, amortiguador
de vibraciones
Aceros de aleacin Llaves inglesas, chasis de Endurecimiento signicativo por
automviles tratamiento trmico
Cermicas y vidrios
SiO2-Na2O-CaO Vidrios de ventanas pticamente transparente, aislante
trmico
Al2O3, MgO, SiO2 Refractarios (es decir, Aislantes trmicos, soportan altas
recubrimientos resistentes al temperaturas, relativamente
calor de horno) para contener inertes al metal fundido
metal fundido
Titanato de bario Capacitores para microelctrica Alta capacidad de almacenamiento
de carga
Slice Fibras pticas para tecnologa de la Prdidas pticas bajas
informacin
Polmeros
Polietileno Empaquetamiento de alimentos Fcilmente convertible en pelculas
delgadas, exibles y hermticas
Epoxi Encapsulado de circuitos integrados Aislante de electricidad y resistente
a la humedad
Fenlicos Adhesivos para unir capas de Fuertes, resistentes a la humedad
madera laminada
Semiconductores
Silicio Transistores y circuitos integrados Comportamiento elctrico nico
GaAs Sistemas optoelectrnicos Convierte seales elctricas en luz,
se usa en lseres, diodos lser,
etc.
Compuestos
Grato-epoxi Componentes para aviones Razn resistencia/peso alta
Carburo de tungsteno- Herramientas de corte de carburo Dureza alta, pero buena resistencia
cobalto (WC-Co) para maquinado al impacto
Acero revestido de titanio Contenedores de reactores Costo bajo y resistencia alta del
acero con la resistencia a la
corrosin del titanio
8 Captulo 1 Introduccin a la ciencia e ingeniera de materiales

Los materiales que integran cada uno de estos grupos poseen estructuras y propiedades dis-
tintas. Las diferencias en resistencia, las cuales se comparan en la figura 1-3, ilustran el amplio inter-
valo de propiedades a partir de las cuales pueden seleccionar los ingenieros. Dado que los materiales
metlicos se usan en gran medida en aplicaciones para soportar cargas, sus propiedades mecnicas
son de gran inters prctico. Aqu se introducirn de manera breve. El trmino esfuerzo se refiere
a la carga o fuerza por unidad de rea. La deformacin unitaria se relaciona con la elongacin o
cambio en dimensin dividido entre la dimensin original. La aplicacin del esfuerzo provoca la de-
formacin. Si la deformacin desaparece despus de que se retira la carga o el esfuerzo aplicado,
se dice que la deformacin es elstica. Por el contrario, si permanece despus de que se elimina el
esfuerzo, se dice que es plstica. Cuando la deformacin es elstica, el esfuerzo y la deformacin
estn relacionados de manera lineal; a la pendiente del diagrama esfuerzo-deformacin unitaria se
le conoce como mdulo elstico o de Young. Al nivel de esfuerzo necesario para iniciar la deforma-
cin plstica se le denomina lmite elstico. El porcentaje mximo de deformacin que se puede
obtener es una medida de la ductilidad de un material metlico. Estos conceptos se explicarn ms
adelante en los captulos 6 y 7.

Metales y aleaciones Los metales incluyen aluminio, magnesio, zinc, hierro, titanio,
cobre y nquel. Una aleacin es un metal que contiene adiciones de uno o ms metales o no metales;
por ejemplo, el acero es una aleacin de hierro con adiciones de carbono. En general, los metales
tienen buenas conductividades elctricas y trmicas. Adems, igual que las aleaciones tienen resisten-
cias relativamente altas, gran rigidez, ductilidad o formabilidad y resistencia al impacto. Son parti-
cularmente tiles para aplicaciones estructurales o de carga. Aunque en ocasiones se usan metales
puros, las aleaciones pueden mejorar una propiedad deseable especfica o permiten mejores combi-
naciones de las propiedades. Por ejemplo, el oro puro es un metal blando, por lo que los joyeros le
adicionan cobre para mejorar su resistencia con la finalidad de que las joyas de oro no se daen con
facilidad.

Cermicas Las cermicas pueden definirse como materiales cristalinos inorgnicos.


La arena de playa y las rocas son ejemplos de cermicas en estado natural. Las cermicas avanzadas,
que son materiales preparados por medio de la refinacin de cermicas de estado natural y otros
procesos especiales, se usan en los sustratos que albergan chips de computadora, sensores y activadores,
capacitores, comunicaciones inalmbricas, generadores de chispa, inductores y aislantes elctricos.
Algunas cermicas se utilizan como recubrimientos de barrera para proteger los sustratos metlicos en

2100
Metales y aleaciones
Aleacin de
cobalto
Acero de alta
Compuestos
resistencia
Carbono-epoxi
1400 Aleacin de acero
Resistencia (psi)

Kevlar-epoxi Aleacin de Cu-Be


Aleacin de nquel
Boro- Aleacin de titanio
Cermicas poliimida

700 Carbono- Latn Cu-Zn


poliimida Aleacin
de aluminio
Polmeros Vidrio- Aleacin de zinc
PEEK polister
Nailon
Polietileno Plomo
0
Figura 1-3 Resistencias representativas de varias categoras de materiales. Se muestra
la resistencia de las cermicas a la compresin.
1-2 Clasicacin de los materiales 9

motores de turbinas. Tambin se usan en productos de consumo como pinturas, plsticos, neumticos
y en aplicaciones industriales como los sensores de oxgeno que usan los automviles. Se recurre a
las cermicas tradicionales para fabricar ladrillos, vajillas, accesorios de bao, refractarios (material
resistente al calor) y abrasivos. En general, las cermicas no conducen bien el calor, y deben calentarse
a temperaturas muy altas antes de fundirse. Asimismo, son resistentes y duras, pero tambin son
quebradizas. Por lo regular se preparan polvos finos de cermicas y se convierten en distintas formas.
Las nuevas tcnicas de procesamiento permiten fabricar cermicas lo suficientemente resistentes a
la fractura que pueden utilizarse en aplicaciones de carga, como los impulsores en los motores de
turbinas. Las cermicas tienen una resistencia excepcional bajo compresin. Puede creer que todo un
camin de bomberos puede soportarse con ayuda de cuatro tazas de cermica para caf?

Vidrios y vidrios-cermicos El vidrio es un material amorfo; con frecuencia,


aunque no siempre, derivado de un lquido fundido. El trmino amorfo se refiere a materiales
que no poseen un arreglo regular y peridico de tomos. Los materiales amorfos se explicarn en
el captulo 3. La industria de la fibra ptica se basa en fibras pticas compuestas por vidrios de
slice de alta pureza. Los vidrios tambin se usan en casas, automviles, pantallas de computadoras,
televisores, smartphones y en cientos de otras aplicaciones. Los vidrios pueden tratarse de mane-
ra trmica (templarse) para hacerlos ms resistentes. La formacin de vidrios y la nucleacin
(formacin) de cristales pequeos dentro de ellos por medio de un proceso trmico especial crean
materiales a los que se conoce como vidrios-cermicos. El ZerodurMR es un ejemplo de un material
de vidrio-cermico que se usa para construir los sustratos de espejos para grandes telescopios (por
ejemplo, los telescopios Chandra y Hubble). Por lo general, los vidrios y los vidrios-cermicos se
procesan por fusin y colado.

Polmeros Por lo general, los polmeros son materiales orgnicos. Se producen por medio
de un proceso conocido como polimerizacin. Los materiales polimricos incluyen al caucho
(elastmeros) y muchos tipos de adhesivos. Los ms comunes son buenos aislantes elctricos y
trmicos, aunque existen excepciones. A pesar de que poseen una resistencia ms baja que los
metales o las cermicas, los polmeros tienen una muy buena razn resistencia/peso. Por lo regular
no se pueden usar a altas temperaturas, pero muchos de ellos tienen muy buena resistencia a
sustancias qumicas corrosivas. Adems, tienen miles de aplicaciones que van desde chalecos
antibalas, discos compactos (CD), cuerdas y pantallas de cristal lquido (LCD) hasta vestimenta y
tazas para caf. Los polmeros termoplsticos, en los que las cadenas moleculares grandes no estn
conectadas de manera rgida, tienen buena ductilidad y formabilidad; los polmeros termoestables
son ms resistentes, pero ms quebradizos, debido a que las cadenas moleculares estn enlazadas
de manera cruzada (figura 1-4). Todos ellos se usan en muchas aplicaciones, entre las cuales se
encuentran diversos dispositivos electrnicos. Los termoplsticos se fabrican moldeando su forma

tomos o grupos
de tomos
enlazados de
manera cruzada

Termoplstico Termoestable
Figura 1-4 La polimerizacin ocurre cuando se combinan molculas pequeas,
representadas por los crculos, para producir molculas ms grandes, o polmeros.
Las molculas de estos pueden tener una estructura que consiste en varias cadenas que estn
enredadas pero no conectadas (termoplsticos) o pueden formar redes tridimensionales en
las cuales las cadenas tienen enlaces cruzados (termoestables).
10 Captulo 1 Introduccin a la ciencia e ingeniera de materiales

fundida. Por lo general, los termoestables se cuelan en moldes. Los plsticos contienen aditivos que
mejoran las propiedades de los polmeros.

Semiconductores Los semiconductores basados en silicio, germanio y arseniuro de


galio, como los que se usan en computadoras y dispositivos electrnicos son parte de una amplia
clase de materiales conocidos como materiales electrnicos. La conductividad elctrica de los
materiales semiconductores se encuentra entre la de los aislantes cermicos y la de los conductores
metlicos. Los semiconductores han permitido la era de la informacin. En algunos de ellos el
nivel de conductividad puede controlarse para producir dispositivos electrnicos, como transistores
y diodos, que se usan para construir circuitos integrados. En muchas aplicaciones se necesitan
monocristales grandes de semiconductores que se producen a partir de materiales fundidos.
Con frecuencia, tambin se fabrican pelculas delgadas de materiales semiconductores mediante
procesos especializados.

Materiales compuestos La idea principal que subyace al desarrollo de compuestos


es combinar las propiedades de distintos materiales. Se forman a partir de dos o ms materiales, lo cual
genera propiedades que no se encuentran en ningn material simple. El concreto, la madera laminada
y la fibra de vidrio son ejemplos de materiales compuestos. La fibra de vidrio se prepara por medio
de la dispersin de fibras de vidrio en una matriz de polmero. Dichas fibras otorgan mayor rigidez
al polmero, pero no incrementan de forma significativa su densidad. Con los compuestos se pueden
producir materiales ligeros, resistentes, dctiles y resistentes a las temperaturas, o herramientas de
corte rgidas, pero resistentes al impacto que de otra manera las rompera. En gran medida, los
aviones avanzados y los vehculos aeroespaciales dependen de materiales compuestos. Como se
analiz en secciones anteriores, el Boeing 787 usa plstico reforzado con fibras de carbono en lugar
de aluminio en muchos de sus componentes, lo que mejora el rendimiento del combustible. Ciertos
equipos deportivos como bicicletas, palos de golf, raquetas de tenis y similares tambin emplean
distintos tipos de materiales compuestos que son ligeros y rgidos.

1-3 Clasicacin funcional de los materiales


Los materiales se pueden clasificar con base en la funcin ms importante que desempean, es decir,
si dicha funcin es mecnica (estructural), biolgica, elctrica, magntica u ptica. Esta clasificacin
de los materiales se presenta en la figura 1-5, donde tambin se muestran algunos ejemplos de cada
categora. Estas categoras pueden dividirse en subcategoras.

Aeroespaciales En el vuelo histrico de los hermanos Wright se usaron materiales ligeros


como madera y una aleacin de aluminio (que de manera accidental le dio an ms resistencia al
motor cuando se contamin con el cobre del molde que se us para su colado). En la actualidad, el
transbordador espacial de la NASA usa polvo de aluminio para construir cohetes impulsores y slice
para fabricar los lazos. El fuselaje y las alas del Boeing 787 estn compuestas principalmente por
plstico reforzado con fibras de carbono.

Biomdicos Los huesos y dientes estn constituidos, en parte, por una cermica formada
de manera natural conocida como hidroxiapatita. Varios rganos artificiales, partes de reemplazo
de huesos, cnulas cardiovasculares, aparatos de ortodoncia y otros componentes se fabrican con
diferentes plsticos, aleaciones de titanio y aceros inoxidables no magnticos. Los sistemas de imagen
ultrasnica usan cermicas conocidas como PZT (titanato de zirconio de plomo).

Materiales electrnicos Como ya se mencion, los semiconductores, como los


que se fabrican de silicio, se usan para fabricar circuitos integrados para chips de computadoras.
El titanato de bario (BaTiO3), el xido de tantalio (Ta2O5) y muchos otros materiales dielctricos
se emplean para fabricar capacitores cermicos y otros dispositivos. El cobre, el aluminio y otros
metales se usan como conductores en la transmisin de electricidad y en la microelectrnica.
1-3 Clasicacin funcional de los materiales 11

Aeroespaciales
Compuestos de C-C,
SiO2, silicio amorfo,
aleaciones de Al,
Estructurales superaleaciones, Biomdicos
Aceros, aleaciones ZerodurMR Hidroxiapatita,
de aluminio, aleaciones de titanio,
concreto, aceros inoxidables,
fibra de vidrio, aleaciones con
plsticos, memoria de forma,
plsticos, PZT
madera

Materiales
Materiales
electrnicos
inteligentes
Clasificacin Si, GaAs, Ge,
PZT, aleaciones con BaTiO3, PZT,
memoria de forma funcional
de los YBa2Cu3O7-x, Al,
de Ni-Ti, fluidos MR, Cu, W, polmeros
geles de polmeros materiales
conductores

Materiales Tecnologa
pticos energtica
y ambiental
SiO2, GaAs,
UO2, Ni-Cd,
vidrios, Al2O3,
Materiales ZrO2, LiCoO2,
YAG, ITO
magnticos Si:H amorfo
Fe, Fe-Si, ferritas
de NiZn y MnZn,
Co-Pt-Ta-Cr,
g-Fe2O3

Figura 1-5 Clasificacin funcional de los materiales. Observe que los metales, los plsticos y las cermicas
aparecen en categoras distintas. Se proporciona un nmero limitado de ejemplos en cada categora.

Tecnologa energtica y tecnologa ambiental La industria nuclear


emplea materiales, como el dixido de uranio y el plutonio, como combustibles. Se recurre a
otros muchos materiales, como vidrios y aceros inoxidables, para manejar materiales nucleares y
desechos radiactivos. Las nuevas tecnologas relacionadas con las bateras y las celdas de combustible
usan diversos materiales cermicos, como la zirconia (ZrO2) y los polmeros. La tecnologa de las
bateras ha adquirido una importancia significativa debido a la necesidad que tienen muchos
dispositivos electrnicos de contar con energa porttil y ms duradera. Las celdas de combustible
tambin se usarn en automviles elctricos. Las industrias del aceite y petrolera usa ampliamente
zeolitas, almina y otros materiales como sustratos catalizadores. Usan como catalizadores Pt, Pt/
Rh y otros metales. Muchas tecnologas de membranas para la purificacin de lquidos y gases usan
cermicas y plsticos. La energa solar se genera con base en el empleo de materiales, como silicio
amorfo (a:Si:H).

Materiales magnticos Los discos duros de las computadoras contienen muchos


materiales cermicos, metlicos y polimricos, dado que se fabrican utilizando aleaciones basadas
El cuarzo, tambin conocido como slice, cuya frmula qumica es SiO2, es el mineral que se encuentra en la arena. Este mate-
rial es uno de los ms abundantes en la Tierra. Si lo consideramos con base en su peso, el costo de la arena es muy econmico;
sin embargo, la slice es el material que se rena para fabricar el silicio de grado electrnico, uno de los materiales ms puros y
casi perfectos que hay en el mundo. Las obleas de silicio son los sustratos de los microchips, como los que se encuentran en el
procesador de su computadora. En tanto que una tonelada de arena podra costar slo 10 dlares, una tonelada de microchips
de silicio vale miles de millones de dlares.
La imagen anterior muestra un cristal de cuarzo. Un material cristalino en el que los tomos estn ordenados en un arreglo
regular repetitivo. Las facetas de los cristales reejan el orden de largo alcance de los arreglos atmicos. (Galyna Andrushko/
Shutterstock.com)
CAPTULO

Arreglos atmicos e inicos


3
Se ha preguntado alguna vez:
Qu es el silicio amorfo y en qu es distinto del silicio que se usa para fabricar
chips de computadora?
Qu son los cristales lquidos?
Si fuera a empacar una caja cbica con esferas de tamao uniforme, cul es el
empaquetamiento mximo posible?
Cmo se puede calcular la densidad de los distintos materiales?

Objetivos de aprendizaje
Los objetivos clave de este captulo son:
Visualizar la forma en la que los tomos se distribuyen en estructuras de cristal
cbicas centradas en la cara, centradas en el cuerpo y hexagonales compactas, y
denir las relaciones espaciales entre los tomos en estas estructuras. Con base en
los parmetros de una estructura de cristal distinta de las enumeradas, visualizar
los arreglos atmicos
Determinar las propiedades de los materiales cristalinos con base en su estructura
de cristal (por ejemplo, la densidad de su masa y el tamao relativo de los sitios
intersticiales).
Identicar los planos y direcciones compactos de las estructuras de cristal.
Identicar y utilizar el ndice de Miller de las direcciones y planos en un sistema
coordinado de cristal.

L
os arreglos de tomos e iones desempean una funcin importante para determinar
la microestructura y las propiedades de un material. Los objetivos principales de este
captulo son:
a) aprender a clasicar los materiales con base en sus arreglos atmicos/inicos y
b) describir los arreglos de los slidos cristalinos con base en conceptos de la red, la
base y la estructura cristalina.
52 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

En el caso de los slidos cristalinos se ilustrarn los conceptos de redes de Bravais,


celdas unitarias, direcciones cristalogrcas y planos por medio del examen de los arreglos de
tomos o iones en muchos materiales de importancia tecnolgica, entre ellos, los metales (por
ejemplo, Cu, Al, Fe, W, Mg), los semiconductores (por ejemplo, Si, Ge, GaAs), las cermicas
avanzadas (por ejemplo, ZrO2, Al2O3, BaTiO3, etc.), el diamante y muchos otros. Tambin se
desarrollar la nomenclatura necesaria que se utiliza para caracterizar los arreglos atmicos o
inicos en los materiales cristalinos. Se examinar el uso de la difraccin de rayos x (DRX), de la
microscopa electrnica de transmisin (MET) y de la difraccin de electrones. Estas tcnicas
permiten explorar los arreglos de los tomos/iones en los distintos materiales. Se presentar una
visin general de los tipos diferentes de materiales amorfos como el silicio amorfo, los vidrios
metlicos, los polmeros y los vidrios inorgnicos.
En el captulo 2 se hizo hincapi en cmo inuye el enlace interatmico en ciertas
propiedades de los materiales. En este captulo el enfoque se centrar en la inuencia de los
arreglos atmicos y inicos sobre las propiedades de los materiales de ingeniera. En particular,
se concentrar en los arreglos perfectos de los tomos o iones en los slidos cristalinos.
Los conceptos que se explican en este captulo lo prepararn para comprender cmo las
desviaciones de estos arreglos perfectos de los materiales cristalinos crean lo que se describe
como defectos a nivel atmico. En este contexto el trmino defecto se reere a la falta de
perfeccin del orden atmico o inico de los cristales y no a cualquier falla o cualidad de un
material de ingeniera. En el captulo 4 se describirn cmo estos defectos atmicos en realidad
permiten el desarrollo de los aceros formables y resistentes que se usan en los automviles y
las construcciones, las aleaciones de aluminio para aviones, las celdas solares y los mdulos
fotovoltaicos para los satlites y muchas otras tecnologas.

3-1 Orden de corto alcance frente a orden


de largo alcance
En los distintos estados de la materia se pueden definir cuatro tipos de arreglos (o distribuciones)
atmicos o inicos (figura 3-1).

a) b)

c) d)

Figura 3-1 Niveles de arreglos atmicos en los materiales: a) Los gases monoatmicos
inertes no tienen un ordenamiento regular de tomos. Algunos materiales, entre ellos el
vapor de agua y b) el vidrio de silicato c) tienen orden de corto alcance. d) Los metales,
las aleaciones, muchas cermicas y algunos polmeros tienen un ordenamiento regular
de tomos/iones que se extiende a lo largo del material.
3-1 Orden de corto alcance frente a orden de largo alcance 53

Sin orden En los gases monoatmicos, como el argn (Ar) o el plasma creado en una lm-
para fluorescente, los tomos o iones no tienen un arreglo ordenado.

Orden de corto alcance Un material muestra un orden de corto alcance (OCA) si


el arreglo especial de los tomos slo se extiende a los tomos vecinos ms cercanos. Cada molcula
de agua del vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los tomos de
hidrgeno y oxgeno; es decir, cada tomo de oxgeno se une a dos tomos de hidrgeno para formar
un ngulo de 104.5 entre los enlaces. Sin embargo, no existe un orden de largo alcance, debido a
que las molculas de agua que conforman el vapor no tienen un arreglo especial con respecto a la
posicin de las dems.
Existe una situacin similar en los materiales conocidos como vidrios inorgnicos. En la
seccin 2-5 se describi la estructura tetradrica de la slice que cumple el requerimiento de que cua-
tro iones oxgeno estn enlazados a cada ion silicio. Como se explicar ms adelante, en el vidrio, las
unidades tetradricas individuales se unen entre s de manera aleatoria. Estos tetraedros pueden com-
partir esquinas, aristas o caras. Por lo tanto, ms all de la unidad bsica de un tetraedro de (SiO4)42,
los arreglos carecen de periodicidad. En contraste, en el cuarzo y otras formas de slice cristalina, los
tetraedros (SiO4)42 estn conectados en distintos arreglos peridicos.
Muchos polmeros tambin muestran arreglos atmicos de corto alcance que se parecen
mucho a la estructura del vidrio de silicato. Analizaremos los polmeros en el captulo 16.

Orden de largo alcance La mayora de los metales y las aleaciones, los semiconduc-
tores, las cermicas y algunos polmeros tienen una estructura cristalina en la que los tomos o iones
muestran un orden de largo alcance (OLA); el arreglo atmico especial se extiende sobre escalas de
longitud mucho mayores de , .10 nm. Los tomos o iones que constituyen estos materiales forman
un patrn repetitivo regular parecido a una cuadrcula en tres dimensiones. A estos materiales se les
conoce como materiales cristalinos. Si uno de ellos solo consiste en un nico cristal grande, se le co-
noce como monocristal. Los monocristales son tiles en muchas aplicaciones electrnicas y pticas.
Por ejemplo, los chips de computadora se fabrican a partir de silicio en la forma de monocristales
grandes (de hasta 12 pulgadas de dimetro) [figura 3-2a)]. De manera similar, muchos dispositivos
optoelectrnicos tiles se fabrican a partir de cristales de niobato de litio (LiNbO3). Los mono-
cristales tambin pueden fabricarse como pelculas delgadas y utilizarse para muchas aplicaciones
electrnicas y otras. Ciertos tipos de labes de turbinas tambin se fabrican a partir de monocris-
tales de superaleaciones basadas en nquel. Un material policristalino est constituido por varios
cristales ms pequeos con diversas orientaciones en el espacio. A estos cristales ms pequeos se
les conoce como granos. A los lmites entre los cristales, donde estos estn en desalineamiento, se les
llama lmites de grano. La figura 3-2b) muestra la microestructura de un material de acero inoxidable

a) b)
Figura 3-2 a) Fotografa de un monocristal de silicio. (Petr Sobolev/iStock/Thinkstock)
b) Micrografa de un acero inoxidable policristalino que muestra los granos y los lmites
de los granos. (Cortesa de los doctores A. J. Deardo, M. Hua y J. Garca)
54 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

policristalino. Numerosos materiales cristalinos con los que se realizan aplicaciones de ingeniera
son policristalinos (por ejemplo, los aceros que se utilizan en la construccin, las aleaciones de alu-
minio para aviones, etc.). En captulos posteriores aprender que muchas propiedades de los mate-
riales policristalinos dependen de las caractersticas fsicas y qumicas de los granos y de sus lmites.
Las propiedades de los materiales monocristalinos dependen de la composicin qumica y de las
direcciones especficas dentro del cristal (conocidas como direcciones cristalogrficas). El orden de
largo alcance en los materiales cristalinos puede detectarse y medirse por medio de tcnicas como la
difraccin de rayos x o la difraccin de electrones (vea la seccin 3-9).
Los cristales lquidos (CL) son materiales polimricos que tienen un tipo especial de orden.
Los polmeros de cristal lquido se comportan como materiales amorfos (de modo parecido a los
lquidos) en un estado. Cuando se los somete a un estmulo externo (como un campo elctrico o
un cambio en la temperatura), algunas molculas de polmero experimentan una alineacin y for-
man pequeas regiones cristalinas, de ah el nombre de cristales lquidos. Estos materiales tienen
muchas aplicaciones comerciales en la tecnologa de las pantallas de cristal lquido (LCD).

3-2 Materiales amorfos


Cualquier material que slo tiene un orden de corto alcance de tomos o iones es un material amorfo;
es decir, es un material no cristalino. En general, se pretende que la mayora de los materiales formen
arreglos peridicos, dado que esta configuracin maximiza su estabilidad termodinmica. Los mate-
riales amorfos tienden a formarse cuando, por alguna u otra razn, la cintica del proceso por medio
del cual se prepararon no permite la formacin de arreglos peridicos. Los vidrios, los que por lo
general se forman en sistemas cermicos o polimricos, son buenos ejemplos de materiales amorfos.
De manera similar, ciertos tipos de geles polimricos o coloidales, o materiales parecidos a geles,
tambin se consideran amorfos. Con frecuencia, los materiales amorfos presentan una mezcla nica
de propiedades, dado que los tomos o iones no estn ensamblados en sus arreglos regulares y pe-
ridicos. Observe que, con frecuencia, muchos materiales de ingeniera etiquetados como amorfos
pueden contener una fraccin cristalina.
De manera similar a otros vidrios inorgnicos, muchos plsticos tambin son amorfos.
Durante el procesamiento, se enredan entre s cadenas relativamente grandes de molculas del pol-
mero, de forma parecida al espagueti. Estas molculas enredadas no se organizan en materiales cris-
talinos. Durante el procesamiento de botellas polimricas de bebidas, se aplica un esfuerzo mecnico
para fabricarlas [por ejemplo, para la fabricacin de una botella estndar de bebida refrescante de
2 litros se usa tereftalato de polietileno (plstico PET)]. A este proceso se le conoce como formacin
por soplado y estiramiento. En realidad, los esfuerzos radiales (del soplado) y longitudinales (del
estiramiento) durante la formacin de la botella desenredan algunas de las cadenas de polmero y
ocasionan una cristalizacin inducida por esfuerzo. La formacin de cristales aade resistencia a las
botellas de PET.
En comparacin con los plsticos y los vidrios inorgnicos, los metales y las aleaciones tien-
den a formar materiales cristalinos con bastante facilidad. Como resultado, deben realizarse esfuer-
zos especiales para enfriar rpidamente los metales y aleaciones a fin de prevenir su cristalizacin:
en el caso de algunas aleaciones se requiere una velocidad de enfriamiento de >106 C/s para formar
vidrios metlicos. A esta tcnica de enfriamiento muy rpido de metales y aleaciones se le conoce
como solidificacin rpida. Otras composiciones especiales requieren de tasas de enfriamiento de
solo decenas de grados por segundo o menos. Muchos vidrios metlicos tienen propiedades tiles e
inusuales. En el captulo 6 se explicarn las propiedades mecnicas de los vidrios metlicos.

3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas


Un slido comn contiene un orden de 1023 tomos/cm3. Para comunicar los arreglos espaciales de
los tomos en un cristal, est claro que no es necesario o prctico especificar la posicin de cada to-
mo. Se explicarn dos metodologas complementarias para describir de manera sencilla los arreglos
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 55

tridimensionales de los tomos en un cristal. Se har referencia a ellas como el concepto de red y base
y el concepto de celda unitaria. Estos conceptos estn ligados a los principios de la cristalografa.
En el captulo 2 se explic la estructura del tomo. Un tomo consiste en un ncleo de protones y
neutrones rodeado por electrones, pero para el propsito de la descripcin de los arreglos de tomos
en un slido, se visualizarn los tomos como esferas rgidas, muy parecidas a pelotas de ping-pong.
Se comenzar con el concepto de red y base.
Una red es una coleccin de puntos llamados puntos de red, los cuales se arreglan en un
patrn peridico, de tal manera que los entornos de cada punto en la red sean idnticos. Una red
es una construccin puramente matemtica cuya extensin es infinita. Una red puede ser uni, bi o
tridimensional. En una dimensin solo existe una red posible: es una lnea de puntos separados entre
s por una distancia igual, como se muestra en la figura 3-3a). A un grupo de uno o ms tomos
localizados en una manera en particular respecto uno de otro y asociados con cada punto de red,
se le conoce como motivo o base. La base debe contener por lo menos un tomo, pero puede con-
tener muchos tomos de uno o ms tipos. En la figura 3-3b) se muestra la base de un tomo. Para
obtener una estructura cristalina los tomos de la base se deben colocar en cada punto de red (es decir,
la estructura cristalina 5 la red 1 la base), como se muestra en la figura 3-3c). En la figura 3-3d) se
muestra un cristal unidimensional hipottico que tiene una base de dos tomos distintos. El tomo
ms grande se ubica en cada punto de red con el tomo ms pequeo localizado a una distancia fija
sobre el punto de red. Observe que no es necesario que uno de los tomos de la base est ubicado en
cada punto de red, como se muestra en la figura 3-3e). Las figuras 3-3d) y e) representan el mismo

a) b) c) d) e)

Figura 3-3 Red y base. a) Red unidimensional. Los puntos de red estn
separados por una distancia igual. b) Base de un tomo. c) Estructura
cristalina que se forma colocando la base de b) sobre cada punto de red en a).
d) Estructura cristalina que se forma colocando una base de dos tomos de
distintos tipos en la red en a). e) El mismo cristal que el que se muestra en d );
sin embargo, la base se ha desplazado en relacin con cada punto de red.
56 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

cristal unidimensional; los tomos simplemente se desplazan de manera relativa entre s. Tal despla-
zamiento no modifica los arreglos atmicos en el cristal.
Slo existe una manera de arreglar los puntos en una dimensin para que cada punto tenga
entornos idnticos: un arreglo de puntos separados por una distancia igual, como ya se explic.
Existen cinco maneras distintas de arreglar los puntos en dos dimensiones para que cada punto tenga
entornos idnticos: por lo tanto, existen cinco redes bidimensionales. Slo hay 14 maneras nicas de
arreglar los puntos en tres dimensiones. A estos arreglos tridimensionales nicos de puntos de red
se les conoce como redes de Bravais, nombradas as en honor de Auguste Bravais (1811-1863), quien
fue uno de los primeros cristalgrafos franceses. En la figura 3-4 se muestran las 14 redes de Bravais.
Como ya se enunci, cada red tiene una extensin infinita, por lo que se muestra una sola celda
unitaria de cada red. La celda unitaria es la subdivisin de una red que mantiene las caractersticas
generales de toda la red. Los puntos de red se localizan en las esquinas de las celdas unitarias y, en
algunos casos, en sus caras o en el centro de ellas.
Las 14 redes de Bravais se agrupan en siete sistemas cristalinos, que se conocen como cbico,
tetragonal, ortorrmbico, rombodrico (al que tambin se le llama trigonal), hexagonal, monoclnico
y triclnico. Observe que el sistema cristalino cbico tiene las redes de Bravais cbica sencilla (CS),
cbica centrada en la cara (CCCa) y cbica centrada en el cuerpo (CCCu). Estos nombres describen
el arreglo de los puntos de red en la celda unitaria. De manera similar, el sistema cristalino tetrago-

Cbica sencilla Cbica centrada Cbica centrada


en la cara en el cuerpo

Tetragonal Tetragonal centrada Hexagonal


sencilla en el cuerpo

Ortorrmbica Ortorrmbica Ortorrmbica centrada Ortorrmbica


sencilla centrada en el cuerpo en la base centrada en la cara

Rombodrica Monoclnica Monoclnica centrada Triclnica


sencilla en la base

Figura 3-4 Los 14 tipos de redes de Bravais agrupados en los siete sistemas cristalinos.
En las figuras 3-6 y 3-11 se muestra la celda unitaria real de un sistema hexagonal.
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 57

nal tiene las redes tetragonal sencilla y tetragonal centrada en el cuerpo. De nuevo, recuerde que el
concepto de red es matemtico y no menciona tomos, iones o molculas. Solo cuando se asocia una
base con una red se puede describir una estructura cristalina. Por ejemplo, si se toma la red cbica
centrada en la cara y se posiciona una base de un tomo sobre cada punto de red, se reproduce la
estructura cristalina cbica centrada en la cara.
Observe que aunque slo existen 14 redes de Bravais, se puede tener un nmero infinito de
bases. En la naturaleza se observan o pueden sintetizarse cientos de estructuras cristalinas distintas.
Muchos materiales diferentes pueden tener la misma estructura cristalina. Por ejemplo, el cobre y el
nquel tienen la estructura cristalina cbica centrada en la cara en la que slo un tomo est asociado
con cada punto de red. En estructuras ms complejas, en particular los materiales polimricos, cer-
micos y biolgicos, se pueden asociar varios tomos con cada punto de red (es decir, la base es mayor
de uno), para formar celdas unitarias muy complejas.

Celda unitaria El objetivo es desarrollar una notacin para modelar slidos cristali-
nos que comuniquen de manera sencilla y con detalle cmo se arreglan los tomos en el espacio.
El concepto de celda unitaria complementa el modelo de red y base para representar una estructura
cristalina. Aunque las metodologas de los conceptos de red y base y de celda unitaria son un tanto
distintos, el resultado final, la descripcin de un cristal, es el mismo.
Nuestro objetivo al elegir una celda unitaria para una estructura cristalina es encontrar una
unidad de repeticin sencilla que, cuando se duplica y se traslada, reproduce toda la estructura cris-
talina. Por ejemplo, imagine el cristal como un rompecabezas tridimensional en el que cada pieza es
exactamente la misma. Si se sabe a qu se parece una pieza del rompecabezas, se sabe a qu se parece
todo el rompecabezas y no se tiene que armarlo todo para resolverlo. Slo se necesita una pieza!
Para comprender el concepto de celda unitaria, se comienza con el cristal. La figura 3-5a) muestra
un cristal bidimensional hipottico que consiste en tomos del mismo tipo.
Despus, se adiciona una cuadrcula que imita la simetra de los arreglos de los tomos.
Existe un nmero infinito de posibilidades para representar la cuadrcula, pero por convencin,
por lo regular se elige la ms sencilla. En el caso del arreglo cuadrado de tomos que se muestra en
la figura 3-5a) se elige una cuadrcula cuadrada, como la de la figura 3-5b). Despus, se selecciona
la unidad de repeticin de la cuadrcula, la cual tambin se conoce como celda unitaria. Esta es la
unidad que, cuando se duplica y traslada por medio de mltiples enteros de las longitudes axiales de
la celda unitaria, recrea todo el cristal. En la figura 3-5c) se muestra una celda unitaria; observe que
en cada una de ellas slo hay un cuarto de un tomo en cada esquina en dos dimensiones. Siempre
se dibujarn crculos llenos para representar los tomos, pero se comprende que slo la fraccin del
tomo que est contenido dentro de la celda unitaria contribuye al nmero total de tomos en cada
una de ellas. Por lo tanto, hay 1/4 de tomo/esquina* 4 esquinas 5 1 tomo por celda unitaria, como
se muestra en la figura 3-5c). Tambin es importante observar que, si hay un tomo en una esquina de
la celda unitaria, debe haber un tomo en cada esquina de la celda unitaria para mantener la simetra
de traslacin. Cada celda unitaria tiene su propio origen, como se muestra en la figura 3-5c).

a) b) c)
Figura 3-5 Celda unitaria. a) Cristal bidimensional. b) El cristal con una cuadrcula superpuesta
que refleja la simetra del cristal. c) Unidad de repeticin de la cuadrcula conocida como celda
unitaria. Cada celda unitaria tiene su propio origen.
58 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

Cbico Ortorrmbico Hexagonal


Figura 3-6 Definicin de los parmetros de red y su uso en los sistemas cristalinos
cbico, ortorrmbico y hexagonal.

Parmetros de red y ngulos interaxiales Los parmetros de red son las


longitudes o dimensiones axiales de la celda unitaria que, por convencin, se indican como a, b y c.
Los ngulos entre las longitudes axiales, conocidos como ngulos interaxiales, se indican por medio
de las letras griegas ,  y . Por convencin,  es el ngulo entre las longitudes b y c,  es el ngulo
entre las longitudes a y c y  es el ngulo entre las longitudes a y b, como se muestra en la figura 3-6.
(Observe que para cada combinacin hay una letra a, b y c, ya sea que se escriban en letras griegas
o romanas.)
En un sistema cbico cristalino slo se debe especificar la longitud de uno de los lados del
cubo (en ocasiones se designa como a0). Con frecuencia, la longitud se da en unidades de nanmetros
(nm) o angstrom (), donde

1 nanmetro (nm) 5 1029 m 5 1027 cm 5 10


1 angstrom () 5 0.1 nm 5 10210 m 5 1028 cm
En la tabla 3-1 se presentan los parmetros de red y los ngulos interaxiales de las celdas unitarias
de los siete sistemas cristalinos.

Tabla 3-1 Caractersticas de los siete sistemas cristalinos

Estructura Ejes ngulos entre los ejes Volumen de la celda unitaria

Cbica a5b5c Todos los ngulos son de 90 a3


Tegragonal a5b?c Todos los ngulos son de 90 a2c
Ortorrmbica a?b?c Todos los ngulos son de 90 abc
Hexagonal a5b?c El ngulo entre a y b es de 120. 0.866a2c
Todos los ngulos son iguales y
ninguno es de 90
Rombodrica a5b5c All angles are equal
a31 2 3cos2 1 2cos3
o trigonal and none equals 90
Monoclnica a?b?c Dos ngulos de 90. Un ngulo () abc sen 
no es de 90
Triclnica a?b?c Todos los ngulos son distintos y
ninguno es de 90 abc1 2 cos2 2 cos2 2 cos2 1 2cos cos cos
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 59

Para definir por completo una celda unitaria, se deben especificar los parmetros de red o
razones entre las longitudes axiales, los ngulos interaxiales y las coordenadas atmicas. Cuando se
especifican las coordenadas atmicas, todos los tomos se colocan en la celda unitaria. Las coor-
denadas se especifican como fracciones de las longitudes axiales. Por lo tanto, en el caso de la celda
bidimensional que se representa en la figura 3-5c), la celda unitaria se especifica por completo por
medio de la siguiente informacin:

Longitudes axiales: a 5 b
ngulo interaxial:  5 90
Coordenada atmica: (0, 0)

De nuevo, slo 1/4 del tomo en cada origen (0, 0) contribuye al nmero de tomos por celda
unitaria; sin embargo, cada esquina acta como un origen y contribuye 1/4 de tomo por esquina
para un total de un tomo por celda unitaria. [Entiende por qu con un tomo en (0, 0) de cada celda
unitaria sera repetitivo tambin dar las coordenadas (1, 0), (0, 1) y (1, 1)?]
De manera similar, una celda unitaria cbica con un tomo en cada esquina se especifica por
completo por medio de la siguiente informacin:

Longitudes axiales: a 5 b 5 c
ngulos interaxiales:  5  5  5 90
Coordenada atmica: (0, 0, 0)

Ahora en tres dimensiones, cada esquina contribuye con 1/8 de tomo a cada una de las ocho esqui-
nas para un total de un tomo por celda unitaria. Observe que el nmero de coordenadas atmicas
que se requieren es igual al nmero de tomos por celda unitaria. Por ejemplo, si hay dos tomos
por celda unitaria, con un tomo en las esquinas y un tomo en la posicin centrada en el cuerpo, se
requieren dos coordenadas atmicas: (0, 0, 0) y (1/2, 1/2, 1/2).

Nmero de tomos por celda unitaria Cada celda unitaria contiene un


nmero especfico de puntos de red. Cuando se cuenta el nmero de puntos de red que pertenecen a
cada celda unitaria, se debe reconocer que, al igual que los tomos, los puntos de red pueden estar
compartidos por ms de una celda unitaria. Un punto de red en una esquina de una celda unitaria
est compartido por siete celdas unitarias adyacentes; slo un octavo de cada esquina pertenece a
una celda en particular. Por lo tanto, el nmero de puntos de red de todas las posiciones en las esqui-
nas en una celda unitaria es:

1/8 punto de red 1 punto de red


1 esquina 218 esquinas
celdas 2
5
celda unitaria

Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto, las caras con 1/2 y las posiciones centradas en el
cuerpo, con 1 punto [figura 3-7a)].
El nmero de tomos por celda unitaria es el producto del nmero de tomos por
punto de red y el nmero de puntos de red por celda unitaria. En la figura 3-7b) se muestran las
estructuras de las celdas unitarias cbicas sencilla (CS), cbicas centradas en el cuerpo (CCCu) y
cbicas centradas en la cara (CCCa).

Radio atmico frente a parmetro de red Las direcciones en la celda


unitaria a lo largo de las cuales los tomos estn en contacto continuo se llaman direcciones compac-
tas. En las estructuras sencillas, particularmente en aquellas con slo un tomo por punto de red, se
utilizan estas direcciones para calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao
de la celda unitaria. Cuando se determina de manera geomtrica la longitud de la direccin con res-
pecto a los parmetros de red y despus se adiciona el nmero de radios atmicos a lo largo de esta
direccin, se puede determinar la relacin deseada.
60 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

tomo centrado en la cara,


compartido entre dos
celdas unitarias

Cada tomo en una esquina


es compartido por 8 celdas
(1-4 al frente, 5-8 atrs)
a)

Cbica sencilla Cbica centrada Cbica centrada


en el cuerpo en la cara
b)
Figura 3-7 a) Ilustracin que muestra la comparticin de los tomos de las caras y las esquinas.
b) Modelos de celdas unitarias cbicas sencillas (CS), cbicas centradas en el cuerpo (CCCu) y
cbicas centradas en la cara (CCCa), suponiendo slo un tomo por punto de red.

Ejemplo 3-1 Determinacin del nmero de puntos de red en los sistemas


cristalinos cbicos

Determine el nmero de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos cbicos. Si slo hay un
tomo localizado en cada punto de red, calcule el nmero de tomos por celda unitaria.
SOLUCIN
En la celda unitaria CS, los puntos de red slo estn localizados en las esquinas del cubo:
8 esquinas 1/8 punto de red 1 punto de red
5
celda unitaria * esquina celda unitaria
En las celdas unitarias CCCu, los puntos de red se localizan en las esquinas y en el centro del
cubo:
8 esquinas 1/8 punto de red 1 centrado en el cuerpo 1 punto de red 2 puntos de red
1 * centrado en el cuerpo 5 celda unitaria
celda unitaria * esquina celda unitaria
En las celdas unitarias CCCa, los puntos de red se localizan en las esquinas y en las caras del
cubo:
8 esquinas 1/8 punto de red 6 centrado en la cara 1/2 punto de red 4 puntos de red
* 1 * centrado en la cara 5
celda unitaria esquina celda unitaria celda unitaria
Dado que se supone que slo se localizan un tomo en cada punto de red, el nmero de tomos
por celda unitaria sera de 1, 2 y 4 en l3as celdas unitarias cbicas sencillas, cbicas centradas en
el cuerpo y cbicas centradas en la cara, respectivamente.
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 61

Ejemplo 3-2 Estructura del cloruro de cesio


Por lo general, a las estructuras cristalinas se les asignan los nombres de un elemento o compuesto
representativo que ellas contienen. El cloruro de cesio (CsCl) es un compuesto inico cristalino.
En la figura 3-8 se muestra una celda unitaria de la estructura cristalina del CsCl. La celda unita-
ria es cbica. Los aniones cloruro se localizan en las esquinas de la celda unitaria y el catin cesio
lo hace en la posicin centrada en el cuerpo de cada celda unitaria. Describa esta estructura como
una red y base y tambin defina la celda unitaria del cloruro de cesio.

Figura 3-8 Estructura


cristalina del CsCl.
Nota: Los tamaos de los
iones no estn a escala.
Cs

Cl

SOLUCIN
La celda unitaria es cbica; por lo tanto, la red es CS, CCCa o CCCu. No hay tomos localizados
en las posiciones centradas en la cara; por ello, la red es CS o CCCu. Cada anin Cl est rodeado
por ocho cationes Cs en las posiciones centradas en el cuerpo de las celdas unitarias adyacentes.
Cada catin Cs est rodeado por ocho aniones Cl en las esquinas de la celda unitaria. Por lo tan-
to, la esquina y las posiciones centradas en el cuerpo no tienen entornos idnticos, por lo que no
pueden ser puntos de red. La red debe ser cbica sencilla.
La red cbica sencilla slo tiene puntos de red en las esquinas de la celda unitaria. La
estructura cristalina del cloruro de cesio puede describirse como una red cbica sencilla con una
base de dos tomos, Cl (0, 0, 0) y Cs (1/2, 1/2, 1/2). Observe que las coordenadas atmicas se pre-
sentan como fracciones de las longitudes axiales, las cuales son iguales en el caso de una estruc-
tura cristalina cbica. El tomo base de Cl (0, 0, 0) colocado en cada punto de red (es decir, cada
esquina de la celda unitaria) explica por completo cada tomo de Cl en la estructura. El tomo
base de Cs (1/2, 1/2, 1/2) que se localiza en la posicin centrada en el cuerpo con respecto a cada
punto de red, explica por completo cada tomo de Cs en la estructura.
Por lo tanto, hay dos tomos por celda unitaria en el CsCl:

1 punto de red 2 iones 2 iones


* 5
celda unitaria punto de red celda unitaria

Para definir por completo una celda unitaria, se deben especificar los parmetros de red o razones
entre las longitudes axiales, los ngulos interaxiales y las coordenadas atmicas. La celda unitaria
del CsCl es cbica; por lo tanto
Longitudes axiales: a 5 b 5 c
ngulos interaxiales:  5  5  5 90
Los aniones Cl se localizan en las esquinas de la celda unitaria, mientras que los cationes Cs se
ubican en las posiciones centradas en el cuerpo. Por lo tanto,

Coordenadas: Cl (0, 0, 0) y Cs (1/2, 1/2, 1/2)


62 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

Al contar los iones por celda unitaria,


8 esquinas 1/8 Cl ion 1 centrado en el cuerpo 1 Cs ion 2 iones
* 1 * centrado en el cuerpo 5 celda unitaria
celda unitaria esquina celda unitaria

Como se espera, el nmero de tomos por celda unitaria es el mismo sin que importe el mtodo
empleado para contarlos.

Ejemplo 3-3 Determinacin de la relacin entre el radio atmico


y los parmetros de red

Determine la relacin entre el radio atmico y el parmetro de red en las estructuras CS, CCCu
y CCCa.
SOLUCIN
En la figura 3-9 se observa que los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo en las estructu-
ras CS. Los tomos en las esquinas estn centrados en las esquinas del cubo, por lo que

a0 5 2r (3-1)
En una estructura CCCu, los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo, la cual es de
3a0 de longitud. Hay dos radios atmicos del tomo centrado y un radio atmico de cada uno
de los tomos en las esquinas en la diagonal del cuerpo, por lo que
4r
a0 5 (3-2)
3
En una estructura CCCa, los tomos se tocan a lo largo de la diagonal de la cara del cubo, la cual
tiene una longitud de 2a0 . Existen cuatro radios atmicos a lo largo de esta longitud: dos radios
del tomo centrado en la cara y un radio en cada esquina, por lo que

4r
a0 5 (3-3)
2

(CS) (CCCu) (CCCa)

Figura 3-9 Relaciones entre el radio atmico y el parmetro de red en los


sistemas cbicos (del ejemplo 3-3).

Red hexagonal y celda unitaria La imagen de la red hexagonal en la figura 3-4


refleja la simetra subyacente a la red, pero a diferencia de las dems imgenes de la figura 3-4, no re-
presenta la celda unitaria de la red. En la figura 3-6 se muestra la celda unitaria hexagonal. En la
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 63

a) b)
Figura 3-10 Ilustracin del nmero de coordinacin en las celdas unitarias a) CS y
b) CCCu. Seis tomos tocan cada tomo en la celda unitaria CS, mientras que ocho
tomos tocan cada tomo en la celda unitaria CCCu.
figura 3-4 puede encontrar la celda unitaria hexagonal. Los parmetros de red de la celda unitaria
hexagonal son
Longitudes axiales: a 5 b c
ngulos interaxiales:  5  5 90,  5 120
Cuando los tomos de la celda unitaria slo estn localizados en las esquinas, la coordenada atmica
es (0, 0, 0).

Nmero de coordinacin El nmero de coordinacin es el nmero de tomos que


tocan un tomo en particular, o el nmero de los vecinos ms cercanos a l. Esta es una indicacin
del grado de precisin y eficiencia con que estn empaquetados los tomos entre s. En el caso de
slidos inicos, el nmero de coordinacin de los cationes se define como el nmero de aniones ms
cercanos. El nmero de coordinacin de los aniones es el nmero de cationes ms cercanos. En la
seccin 3-7 se explicarn las estructuras cristalinas de los distintos slidos inicos y otros materiales.
En las estructuras cbicas que slo contienen un tomo por punto de red, los tomos tie-
nen un nmero de coordinacin relacionado con la estructura de red. Por inspeccin de las celdas
unitarias de la figura 3-10, se puede observar que cada tomo de la estructura CS tiene un nmero
de coordinacin de seis, mientras que cada tomo de la estructura CCCu tiene ocho vecinos ms
cercanos. En la seccin 3-5 se demostrar que cada tomo de la estructura CCCa tiene un nmero de
coordinacin de 12, que es el mximo que se puede alcanzar.

Factor de empaquetamiento El factor de empaquetamiento o fraccin de empa-


quetamiento atmico es la fraccin del espacio que ocupan los tomos, suponiendo que son esferas
duras. La expresin general del factor de empaquetamiento es:
(nmero de tomos/celda)(volumen de cada tomo)
Factor de empaquetamiento 5 (3-4)
volumen de la celda unitaria
El ejemplo 3-4 ilustra cmo se calcula el factor de empaquetamiento de una celda unitaria CCCa.

Ejemplo 3-4 Clculo del factor de empaquetamiento


Calcule el factor de empaquetamiento de la celda unitaria CCCa.
SOLUCIN
En la celda unitaria CCCa hay cuatro puntos de red por celda; si hay un tomo por punto de red,
tambin hay cuatro tomos por celda. El volumen de un tomo es 4r3/3 y el volumen de la celda
unitaria es a30, donde r es el radio del tomo y a0 es el parmetro de red

(4 tomos/celda) 143 r 2
3

Factor de empaquetamiento 5
a30
64 Captulo 3 Arreglos atmicos e inicos

Dado que en el caso de las celdas unitarias CCCa, a0 5 4r/2:

4
s4d 13 r 2
3

Factor de empaquetamiento5 5 > 0.74


s4ry2d3 18

El factor de empaquetamiento de /18 > 0.74 en la celda unitaria CCCa es el empaqueta-


miento ms eficiente posible. Las celdas CCCu tienen un factor de empaquetamiento de 0.68 y
las celdas CS tienen un factor de empaquetamiento de 0.52. Observe que el factor de empaque-
tamiento es independiente del radio de los tomos, siempre que se suponga que todos los tomos
tienen un radio fijo. Lo que esto significa es que no importa si los tomos se empacan en celdas
unitarias o en balones de basquetbol o en pelotas de tenis de mesa en una caja cbica. El factor
de empaquetamiento mximo alcanzable es /18 . A este concepto de geometra discreta se
le conoce como conjetura de Kepler. Johannes Kepler propuso esta conjetura en 1611 y se mantu-
vo como tal y sin comprobar hasta 1998, cuando Thomas C. Hales demostr que en realidad es
verdadera.

El arreglo CCCa representa una estructura compacta (EC) (es decir, la fraccin de empaque-
tamiento es las ms alta posible con tomos de un tamao). Las estructuras CS y CCCu son relativa-
mente abiertas. En la siguiente seccin se ver que es posible que una estructura hexagonal tenga la
misma eficiencia de empaquetamiento que la estructura CCCa. A esta estructura se le conoce como
estructura compacta hexagonal (CH). Los metales con slo enlazamiento metlico estn empaqueta-
dos lo ms eficientemente posible. Los metales con enlace mixto, como el hierro, pueden tener celdas
unitarias menores al factor de empaquetamiento mximo. Por lo general no se encuentran metales o
aleaciones de ingeniera que tengan estructura CS.

Densidad La densidad terica de un material puede calcularse utilizando las propiedades de


la estructura cristalina. La frmula general es

(nmero de tomos/celda)(masa atmica)


Densidad 5 (3-5)
(volumen de la celda unitaria)(constante de Avogadro)

Si un material es inico y consiste en distintos tipos de tomos o iones, tendr que modi-
ficarse esta frmula para que refleje estas diferencias. El ejemplo 3-5 ilustra cmo se determina la
densidad del hierro CCCu.

Ejemplo 3-5 Determinacin de la densidad del hierro CCCu


Determine la densidad del hierro CCCu, el cual tienen un parmetro de red de 0.2866 nm.
SOLUCIN
En una celda unitaria de hierro CCCu hay dos tomos.

Volumen de la celda unitaria 5 (2.866 3 1028 cm)35 2.354 3 10223 cm3

(nmero de tomos/celda)(masa atmica)


Densidad 5
(volumen de la celda unitaria)(constante de Avogadro)

(2 tomos/celda)(55.847g/mol)
5 5 7.879 g/cm3
s2.354 3 10223 cm3 /celdads6.022 3 1023 tomos/mol d
3-3 Red, base, celdas unitarias y estructuras cristalinas 65

La densidad medida es de 7.870 g/cm3. La ligera discrepancia entre las densidades terica y me-
dida es consecuencia de los defectos del material. Como ya se mencion, el trmino defecto en
este contexto se refiere a las imperfecciones con respecto al arreglo atmico.

Estructura compacta hexagonal En la figura 3-11 se muestra la estructura


compacta hexagonal (CH). La red es hexagonal con una base de dos tomos del mismo tipo: uno
localizado en (0, 0, 0) y otro en (2/3, 1/3, 1/2). (Estas coordenadas siempre son fracciones de las lon-
gitudes axiales a, b y c incluso si estas no son iguales.) La red hexagonal tiene un punto de red por
celda unitaria que se localiza en las esquinas de la celda unitaria. En la estructura CH, dos tomos
estn asociados con cada punto de red; por lo tanto, hay dos tomos por celda unitaria.
Una representacin igualmente vlida de la estructura cristalina CH es una red hexagonal
con una base de dos tomos del mismo tipo: uno localizado en (0, 0, 0) y otro en (1/3, 2/3, 1/2).
Las coordenadas (2/3, 1/3, 1/2) y (1/3, 2/3, 1/2) son equivalentes, lo que significa que no pueden dis-
tinguirse entre s.
En los metales con una estructura CH ideal los ejes a0 y c0 estn relacionados por la razn
c0/a0 5 8/3 5 1.633. Sin embargo, la mayora de los metales CH tienen razones c0/a0 que difieren
ligeramente del valor ideal debido al enlace mixto. En razn de que la estructura CH, como la estruc-
tura CCCa, tienen el factor de empaquetamiento ms eficiente de 0.74 y un nmero de coordinacin
de 12, varios metales poseen esta estructura. La tabla 3-2 resume las caractersticas de las estructuras
cristalinas de algunos metales.
Las estructuras de los metales enlazados de manera inica pueden verse como formados por
medio del empaquetamiento (cbico o hexagonal) de los aniones. Los cationes entran en los sitios
u orificios intersticiales que quedan despus del empaquetamiento de los aniones. La seccin 3-7
explica este tema con mayor detalle.

Volumen

Figura 3-11 Estructura compacta hexagonal (CH) (izquierda) y su celda unitaria.

TABLA 3-2 Caractersticas de las estructuras cristalinas de algunos metales a temperatura ambiente
tomos Nmero de Factor de
Estructura a0 frente a r por celda coordinacin empaquetamiento Ejemplos
Cbica sencilla (CS) a0 5 2r 1 6 0.52 Polonio (Po), -Mo
Cbica centrada en el a0 5 4r / 3 2 8 0.68 Fe, W, Mo, Nb, Ta, K, Na, V, Cr
cuerpo (CCCu)
Cbica centrada en la a0 5 4r / 2 4 12 0.74 Cu, Au, Pt, Ag, Pb, Ni
cara (CCCa)
Estructura compacta a0 5 2r 2 12 0.74 Ti, Mg, Zn, Be, Co, Zr, Cd
hexagonal (CH) c0 ,
, 1.633a0
Los materiales son un componente de habilitacin de lo que los ingenieros
pueden imaginar, disear y construir. En el lmite de la innovacin
nos encontramos con el descubrimiento o la creacin de materiales totalmente
nuevos, lo que a menudo es posible gracias a modernas tcnicas de procesamiento,
que aluden al equilibrio para hacer que los materiales existan en estados metaestables,
as como el desarrollo de herramientas para ensamblar, formar y estudiar los materiales
a nanoescala.
En la actualidad resulta rutinario analizar la estructura y composicin
de los materiales a nivel casi atmico, aplicar tcnicas como la microscopa de alta
resolucin electrnica de transmisin, la incidencia rasante de difraccin de rayos X
y la espectroscopa de prdida de energa de electrones. Al mismo tiempo,
el procesamiento de los materiales ha avanzado hasta el punto en que se pueden generar
o depositar lminas delgadas de slo unas capas atmicas de grosor y fabricar
estructuras tridimensionales con dimensiones de decenas de nanmetros o menos.
Toda la industria de la electrnica se basa en estos avances.

Lo nuevo en esta edicin


Se incorporan nuevos problemas al final de cada captulo, hasta incrementar
15% el nmero de los mismos.
En el captulo 15 se ha ampliado el contenido sobre los materiales cermicos
para incluir las cermicas cristalinas, el slice y los silicatos, entre otros temas
de inters, con la finalidad de proporcionar una visin ms completa de esta
clase de materiales tan importantes para la ingeniera.
En el captulo 14 se actualiz el costo de los materiales comunes
en ingeniera.
Esta edicin ha sido adaptada para incorporar en ella el Sistema
Internacional de Unidades (Le Systme International dUnit o SI).

ISBN-13: 978-607-526-062-4
ISBN-10: 607-526-062-5

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