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GUA DE LABORATORIO N 6
1-Introduccin
En un amplificador de alto rendimiento, incrementos de la eficiencia que a primera vista
parecen menores pueden ser muy importantes, por ejemplo, aumentar la eficiencia del 80% al
90% reduce a la mitad las prdidas .Esto permite duplicar la potencia de salida ,o reducir a la
mitad el nmero de transistores , o el volumen y peso de los disipadores de calor , o reducir a la
mitad el incremento de la temperatura de juntura y as bajar la tasa de falla del transistor. El
reciente incremento del costo de la energa provee mayor incentivo para acotar las prdidas en
instalaciones fijas de alta potencia ,se debe tener en cuenta adems, que el ahorro de potencia
en generador o batera puede ser muy importante para equipos porttiles o remotos.
La mayor prdida de energa es comnmente la disipada en los dispositivos activos de
salida, como transistores o tubos de vaco. Para minimizarla , se intenta que disminuya :
1) el voltaje a travs del dispositivo cuando la corriente fluye por el;
2) la corriente a travs del dispositivo cuando existe voltaje en sus terminales;
3) la duracin de cualquier condicin inevitable en la que apreciable corriente y voltaje
existan simultneamente.
La Clase C cubre las condiciones (1) y (2). La Clase D cubre (1), (2) y (3),y se han hecho
intentos para reducir el tiempo de conmutacin del dispositivo y llevarla a regiones de RF .La
clase E soluciona el problema basndose en una red de carga que est sintetizada para dar una
respuesta de transicin que logra el objetivo , incluso cuando los tiempos de conmutacin de los
dispositivos son fracciones apreciables del ciclo de AC.
El amplificador clase E usa como dispositivo activo un switch y tiene un potencial de alta
eficiencia porque los estados on y off cumplen las condiciones (1) y (2) y la (3) se logra
por el uso de esta red de carga sintetizada para mantener una ptima respuesta de transicin a la
operacin cclica del switch.
ic t I dc io is t t
t I dc io
0 wst (2.1)
w s t 2
(2.2) Figura 1 : Circuito de un amplificador de potencia clase E .
dvs Ts Ts
0 (2.6) vs t (2.7)
0
dt 2 2
Pudindose ahora calcular cual ser la impedancia ZL para que la corriente i t adopte el
o
valor calculado en 2.8 .
0.28 (2.9)
vs1 t 0.28 cos 49 jsen
Z ej
49 49
L
De donde io t wsCs wsCs
C
CIRCUITOS ELECTRNICOS II Universidad Nacional de La Plata
Amplificadores clase E FACULTAD DE INGENIERA
Gua de laboratorio N 6
s
wR (2.10)
0.1836
wR
s L s L
Otra relacin importante que podemos obtener de la ecuacin 2.9 , es la que existe entre la
resistencia de RL y la parte reactiva de ZL .
carga
1
Z L RL cos 49 X L sen49 (2.11)
1
X L tan 49 (2.12)
RL 1.15RL
De las relaciones existentes entre las tensiones y corrientes del circuito, podemos calcular
cuales sern los valores mximos a los que ser sometido el transistor que oficie de llave.
3-Ecuaciones de diseo
P
L P
con
R R R R
outreal out ef L perdidas
Ref
V V 2 0.451759 0.402444
0.576801 1.001245
sat
P
CC
out
Ref QL QL 2
V V 2 0.451759 0.402444
0.576801 1.001245
sat
R
CC
ef
Pout QL QL 2
0.91424
1 1.03175
Cs 0.99866
34.2219 f Ref QL QL 2
1
C 1 1.00121 1.01468
o
2 f QL 0.104823 QL 1.7879
Ref
Q
L
L L Ref
o 2 . f
4- DESARROLLO DEL TRABAJO DE LABORATORIO:
Utilizando el canal B del osciloscopio observar las siguientes formas de onda y medir la
diferencia de fase con la de colector.
2
Poutreal VRMS Poutreal
Pin VCC I % Pin
100
RL
DC
Circuito a ensayar.
1 un generador de seales
2 multmetros (uno como ampermetro y otro como voltmetro).
1 osciloscopio de doble trazo.
1 Destornillador pequeo.
1 Calibrador plstico.
1 retro-proyector.
1 pantalla para proyeccin.
4.6 Circuito: