Amplificadores Microondas 2 PDF

Microondas
Tema 4: Amplificadores de microondas con transistores
Pablo Luis Lpez Esp
Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de los parmetros S de un transistor.
Diagrama de bloques de un amplificador de una etapa.
Estudio de la estabilidad.
Circunferencias de estabilidad.
Factor de Rollet.
Amplificador incondicionalmente estable.
Amplificador condicionalmente estable.
Diseos ptimos en ganancia.
Adaptacin conjugada simultanea.
Amplificadores con una puerta desadaptada.
Mxima ganancia disponible, MAG.

Mxima ganancia estable, MSG.
Ganancia en potencia. Circunferencias de ganancia en potencia.
Ganancia disponible. Circunferencias de ganancia disponible.
Diseos ptimos en ruido.

Figura de ruido mnima.
Circunferencias de figura de ruido.
Aproximacin unilateral.
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Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor

Un transistor con un terminal comn puede caracterizarse mediante
una matriz de dimensin 2x2
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Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor (II)

Cul es el significado fsico de estos parmetros?
S11 y S22 son los coeficientes de reflexin a la entrada y la salida si se
carga con la impedancia de referencia.
Pueden representarse sobre la carta de Smith!
S12 y S21 son las ganancias de transferencia en sentido directo e inverso
Pueden representarse sobre una carta polar o sus mdulos sobre ejes
cartesianos!
TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIN Y

LA FRECUENCIA!
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Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor (III)

Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30
mA, f = 0,2 1 Ghz
S11 y S22
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Tema 4
Estudio de los parmetros S de un transistor (IV)

Representacin de los parmetros S del BFR93, Vce = 5 V, Ic = 30
mA, f = 0,2 1 Ghz
S12 y S21
Microondas ITT-ST
Tema 4
Diagrama de bloques de un amplificador de una

etapa
Disear un amplificador consiste en encontrar los valores de las
impedancias ptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su

ganancia de transferencia o minimizar su figura de ruido
Microondas ITT-ST
Tema 4
Diagrama de bloques de un amplificador de una

etapa (II)
Circuito equivalente:
IN
S12 S 21 L
= S11 +
1 S 22 L
OUT
1 G
1 L
P
2
GT = L =
21
PDG 1 G S11 2
1 OUT L
2
S12 S 21 G
= S 22 +
1 S11 G
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Tema 4
Estudio de la estabilidad
Se pretenden detectar las situaciones en las que el amplificador
se convierte en un oscilador, es decir, EXISTE SEAL EN

AUSENCIA DE EXCITACIN
i=
V 0
= 0
Z 0
Z G + Z IN = 0
RG = RIN
X G = X IN
UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA!

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Tema 4
Estudio de la estabilidad (II)

Para que no exista oscilacin la impedancia de entrada debe
tener parte real siempre positiva.
IN = S11 +
S12 S21 L
<1
1 S22 L
OUT = S22 +
S12 S21G
<1
1 S11G
Una vez elegido el transistor y su punto de polarizacin, la
estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra.

Hay que detectar los valores de coeficiente de reflexin en la
carga que hacen el coeficiente de reflexin a la entrada mayor o
igual que uno!
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Tema 4
Estudio de la estabilidad (III)

Si para cualesquiera valores de L y G correspondientes a
cargas pasivas, los valores de los mdulos in y out son

menores que la unidad, entonces se dice que el transistor es
INCONDICIONALMENTE ESTABLE.
En caso contrario, se dice que el transistor es
CONDICIONALMENTE ESTABLE.
10
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Tema 4
Circunferencias de estabilidad
Para la puerta de entrada, se trata de resolver:
S12 S 21 L
=1
S11 +
1 S 22 L
La ecuacin anterior representa una circunferencia de centro y
radio dados por:
CL
S
(
=
11
22
* *
11
S22
2
; rL =
S12 S21
S22
2
Las soluciones son los valores de L que hacen Zin = 0 + jX

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Tema 4
Circunferencias de estabilidad (II)

Anlogamente, considerando la salida del transistor
S12 S 21 G
S 22 +
=1
1 S11 G
La ecuacin anterior representa una circunferencia de centro y
radio dados por:
CG
S
(
=
12
11
S22
S11
2
* *
2
; rG =
S12 S21
S11
2
Las soluciones son los valores de g que hacen Zout = 0 + jX

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Tema 4
Circunferencias de estabilidad (III)

Consideremos un transistor caracterizado por la siguiente
matriz S:
S Z0
0.770-166
=
6.1189
0.02935
0.365-34
Los valores de los centros y radios de los crculos de estabilidad
son:
13
Microondas ITT-ST
CG = 1.28169
CL = 2.62151.2
rG = 0.314
rL = 1.713
Tema 4
Circunferencias de estabilidad (IV)

Estabilidad a la entrada
14
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Tema 4
Circunferencias de estabilidad (V)

Estabilidad a la salida
15
Microondas ITT-ST
Tema 4
16
Circunferencias de estabilidad (VI)

El crculo delimita las regiones que hacen el coeficiente de
reflexin mayor o menor que uno. Para determinar cual regin

corresponde a cada caso es necesario probar valores:
Z G = 0,1 j G = 0,98 + j 0,198 OUT = 1,150,87

Z G = 1 G = 0 OUT = S 22 = 0,36534
Z L = 2 j L = 0, 6 + j 0,8 IN = 1, 03167,67
Z L = 1 L = 0 IN = S11 = 0, 770166
Regla prctica: Si los mdulos de los parmetros S11 y S22 son
menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de

salida y entrada respectivamente pertenecen a la regin estable
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Tema 4
Factor de Rollet
El factor de ROLLET Permite valorar numricamente si un
transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. El

transistor es incondicionalmente estable si se cumple que:
K >1
<1
1 S11 S 22 +
K=
2 S12 S 21
2
Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para
medir la estabilidad. La estabilidad del transistor es mayor

cuanto mayor sea el valor de .
17
=
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1 S11
S22 S + S12 S 21
*
11
>1
Tema 4

Si el transistor es incondicionalmente estable, es posible la
adaptacin conjugada simultnea:
L = *OUT = ML
G = *IN = MG
Se obtiene en este caso la mxima ganancia disponible, MAG.
18
GTadaptacion
conjugada
simul tan ea
Microondas ITT-ST
S21
= MAG =
K K2 1
S12
)
Tema 4
Amplificador condicionalmente estable

En los diseos en los que no es posible conseguir la MAG (K<1)
se fija una cota de seguridad en el clculo de la ganancia

llamada Mxima Ganancia Estable, MSG.
Es el lmite de la MAG cuando el factor de Rollet es igual a 1.
MSG =
S 21
S12
19
Microondas ITT-ST
Tema 4
20

Factor de Rollet.


Microondas ITT-ST
Tema 4
Adaptacin conjugada simultnea

Para lograr la adaptacin conjugada simultnea es condicin
suficiente:
K >1
G = MG = IN
ML = L = OUT
GT = MAG
21
Microondas ITT-ST
Tema 4
22
Adaptacin conjugada simultnea (II)

Coeficientes de reflexin que adaptan conjugadamente de
manera simultnea
MG =
ML =
BG B 4 AG
2
G
2 AG
BL B 4 AL
Microondas ITT-ST
2
L
2 AL
G '
=
G ''
L '
=
L ''
AG = S11 S22
BG = 1 S11 + + S22
AL = S22 S11
BL = 1 S22 + + S11
2
Tema 4
23
Amplificadores con una puerta desadaptada

Por razones de estabilidad, o por objetivos de diseo, puede ser
necesario o deseable desadaptar alguna de las puertas del transistor.

En estos casos, las impedancias hacia el generador o la carga son
diferentes de las impedancias que adaptan conjugadamente la entrada
y la salida.
En temas anteriores estudiamos la ganancia en potencia y la ganancia
disponible.
1 G
PDL
1
2
=
GD =
S21
PDG 1 S11G
1 OUT
2
PL
1
=
GP =
PIN 1 IN
Microondas ITT-ST
= f ( G )
1 L
= f (L )
1 S22 L
2
S21
Tema 4
24
Circunferencias de ganancia disponible

Si se deja desadaptada la puerta de salida y se adapta la puerta de
entrada, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en

potencia.
Los valores de coeficiente de reflexin que consiguen una misma
cantidad de ganancia disponible se encuentran situados en una
circunferencia sobre la carta de Smith.
gd C1*
CD =
1 + gd D1
r CD =
2
D
Microondas ITT-ST
gd =
1 gd 1 S22
1 + gd D1
GD
S21
C1 = S11 S22
D1 = S11
2
Tema 4
25
Circunferencias de ganancia disponible (II)

Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con
anterioridad:
0.770-166
S Z0 =
6.1189
La MSG del transistor es:
0.02935
0.365-34
S21
MSG =
= 210,69 23, 24dB
S12
Algunos valores de los centros y radios de los crculos de
estabilidad son:
CDG = MSG = 0,974169,023
CDG = MSG 2 dB = 0,854169,023
rDG = MSG = 0,128
rDG = MSG 2 dB = 0,187
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Tema 4
26
Circunferencias de ganancia disponible (III)
Estabilidad
MSG
MSG 2 dB
MSG 5 dB
MSG 10 dB
MSG 15 dB
Microondas ITT-ST
Tema 4
27
Circunferencias de ganancia en potencia

Si se deja desadaptada la puerta de entrada y se adapta la puerta de
salida, la ganancia de transferencia coincide con la ganancia en

potencia.
Los valores de coeficiente de reflexin que consiguen una misma
cantidad de ganancia en potencia se encuentran situados en una
circunferencia sobre la carta de Smith.
CP =
g p C2*
1 + g p D2
r CP =
2
P
Microondas ITT-ST
gp =
1 g p 1 S11
1 + g p D2
GP
S21
C2 = S22 S11*
D2 = S22
2
Tema 4
28
Circunferencias de ganancia en potencia (II)

Consideremos el transistor condicionalmente estable visto con
anterioridad:
0.770-166
S Z0 =
6.1189
La MSG del transistor es:
0.02935
0.365-34
S21
MSG =
= 210,69 23, 24dB
S12
Algunos valores de los centros y radios de los crculos de
estabilidad son:
CPG = MSG = 0,96651,20
CPG = MSG 2 dB = 0,70651,20
rDG = MSG = 0,338
rPG = MSG 2 dB = 0,411
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Tema 4
29
Circunferencias de ganancia en potencia (III)
Estabilidad
MSG
MSG 2 dB
MSG 5 dB
MSG 10 dB
MSG 15 dB
Microondas ITT-ST
Tema 4
30

Factor de Rollet.


Microondas ITT-ST
Tema 4
31
Amplificadores de figura de ruido mnima

La figura de ruido que presenta un amplificador solo depende
de las condiciones de adaptacin a la entrada del transistor.
F = Fmin +
4rn G opt
(1 ) 1 +
2
2
opt
rn =
Rn
Z0
Los parmetros de ruido del transistor son Fmin, opt y Rn. Sus
valores varan con la frecuencia y el punto de polarizacin.

Puesto que, en general, opt y mg no coinciden, no es posible
conseguir simultneamente mxima ganancia y mnima figura
de ruido.
Microondas ITT-ST
Tema 4
32
Circunferencias de figura de ruido constante

Los valores de coeficiente de reflexin hacia el generador que
dan lugar a igual figura de ruido estn situados sobre una

circunferencia en la carta de Smith del plano de entrada.
Se define N como:
N=
G opt
1 G
F Fmin
=
1 + opt
4rn
El centro y radio de los crculos es:
1
rN =
1+ N
Microondas ITT-ST
N + N 1 + opt
2
CN =
opt
1+ N
Tema 4
33
Circunferencias de figura de ruido constante (II)
Fmin = 1dB
opt = 0, 2150
Rn = 10
Fmin
Fmin + 0,5 dB
Fmin + 1,0 dB
Fmin + 1,5 dB
Fmin + 2,0 dB
Microondas ITT-ST
Tema 4
34

Factor de Rollet.


Microondas ITT-ST
Tema 4
Aproximacin unilateral
Un cuadripolo se dice unilateral cuando su parmetro S12 = 0
En este caso:
IN = S11
OUT = S 22
(1 )
2
GTu =
(1 S11G )
(1 )
2
S 21
(1 S22 L )
GTu = G1G0G2
35
Microondas ITT-ST
Tema 4
Aproximacin unilateral (II)

Diseo incondicionalmente estable:
S11 < 1; S 22 < 1

El valor mximo de ganancia Gtumx se obtiene mediante
adaptacin conjugada simultnea de entrada y salida
G = S11
L = S 22
GTu max =
36
Microondas ITT-ST
1
1 S11
S 21
1
1 S 22
Tema 4
Aproximacin unilateral (III)

Los valores de G o L que provocan un mismo valor de
ganancia G1 o G2 estn situados en sendas circunferencias

sobre la carta de Smith
C1 =
r1 =
G1S11*
1 + G1 S11
C2 =
1 G1 1 S11
37
Microondas ITT-ST
1 + G1 S11
r2 =
*
G2 S 22
1 + G2 S 22
1 G2 1 S 22
1 + G2 S 22
Tema 4
38
Aproximacin unilateral (IV)

Diseo condicionalmente estable:
S11 > 1
S 22 > 1
La oscilacin es posible cuando se cumple alguna de las siguientes
condiciones:
1
G =
S11
1
L =
S22
Se debe elegir el coeficiente de reflexin de manera que su parte real
sea mayor que la del punto 1/Sii*

Propiedad de la carta de Smith: La resistencia negativa asociada a un
coeficiente de reflexin se puede calcular obteniendo el punto
conjugado inverso, interpretando las circunferencias de resistencia
como negativas y las de reactancia tal cual
Microondas ITT-ST
Tema 4
39
Aproximacin unilateral (V)

Error cometido en la aproximacin unilateral
S12 S 21 L G
X=
(1 S11G )(1 S22 L )
GT
1
=
GTu 1 X
1
2
1+ X
GT
1
<
<
GTu 1 X
Para el caso de la ganancia mxima unilateral, se define el
factor de mrito unilateral, U:
U=
S11S12 S 21S 22
1 S11
Microondas ITT-ST
)(
1 S 22
GT
1
<
<
2
GTumax 1 U 2
1+ U
Tema 4

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Amplificadores con una puerta desadaptada.

Mxima ganancia disponible, MAG.

Diseos ptimos en ruido.

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una matriz de dimensin 2x2

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Estudio de los parmetros S de un transistor (II)

TODOS ELLOS DEPENDIENTES DEL PUNTO DE POLARIZACIN Y

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Diagrama de bloques de un amplificador de una

impedancias ptimas a colocar a su entrada y salida para maximizar su

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Diagrama de bloques de un amplificador de una

Amplificadores de microondas con transistores

se convierte en un oscilador, es decir, EXISTE SEAL EN

UNA DE LAS DOS PRESENTA IMPEDANCIA CON PARTE REAL NEGATIVA!

Amplificadores de microondas con transistores

Estudio de la estabilidad (II)

tener parte real siempre positiva.

Una vez elegido el transistor y su punto de polarizacin, la

estabilidad de una puerta solo depende de la carga de la otra.

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Estudio de la estabilidad (III)

cargas pasivas, los valores de los mdulos in y out son

Amplificadores de microondas con transistores

radio dados por:

Las soluciones son los valores de L que hacen Zin = 0 + jX

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Circunferencias de estabilidad (II)

radio dados por:

Las soluciones son los valores de g que hacen Zout = 0 + jX

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Circunferencias de estabilidad (III)

Los valores de los centros y radios de los crculos de estabilidad

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Circunferencias de estabilidad (IV)

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Circunferencias de estabilidad (V)

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Circunferencias de estabilidad (VI)

reflexin mayor o menor que uno. Para determinar cual regin

Z G = 0,1 j G = 0,98 + j 0,198 OUT = 1,150,87

menores que la unidad los centros de las cartas de Smith de

Amplificadores de microondas con transistores

transistor es incondicionalmente o condicionalmente estable. El

Otra posibilidad es emplear el factor de Edwards-Sinsky para

medir la estabilidad. La estabilidad del transistor es mayor

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Amplificador incondicionalmente estable.

adaptacin conjugada simultnea:

Se obtiene en este caso la mxima ganancia disponible, MAG.

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