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Universidad Politcnica Salesiana. Fernando Chacn. Aplicaciones de los Transistor FET y BJT

Practica # 2
APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES FET Y BJT
Fernando Chacn
fchacon@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana
Resumen en el siguiente informe veremos algunas de
las aplicaciones de los transistores, FET y BJT, para el cual
disearemos un circuito para que la corriente en el Drain
sea constante, la cual para el desarrollo de la prctica
tenemos que obtener datos mediante ecuaciones, para poder
calcular las resistencias, la resistencia en el Drain ir
variando, en nuestro caso desde 100 a 1 k, por ultimo
realizamos el circuito que genera un diente de sierra en el
cual mediante un capacitor el cual har el trabajo de carga
y descarga, y en la seal nos dar el diente de sierra.

I.

ID=IDSS (1(Vgs/Vgs(off )))

OBJETIVOS

1) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de


dos circuitos generadores de corriente constante:
a. Con transistor FET
b. Con transistor BJT
2) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de
un circuito generador de onda diente de sierra.

II.

La curva caracterstica de transferencia de un transistor


FET de canal tipo P en el grfico inferior derecha. La
frmula es:

MARCO TERICO

Transistor FET:

Fig. 2 Curva caracterstica de transferencia


Donde IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs =
0, Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de
corriente entre drenaje y fuente (ID = 0), Vgs es el
voltaje entre la compuerta y la fuente para la que se
desea saber ID.
Transistor BJT:
Es el ms comn de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos
casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la
base y el colector.

Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo


de corriente por un canal semiconductor, aplicando un
campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la
corriente.

Fig. 3 Curva caracterstica del BJT

Fig. 1 Curva caracterstica del FET

El factor de amplificacin se llama (beta) y es


un dato propio de cada transistor. Entonces:
-

Ic es igual a x Ib.
Ic = x Ib

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Ie es igual a (+1) x Ib, pero se redondea al


mismo valor que Ic, slo que la corriente en un
caso entra al transistor y en el otro caso de sale
l, o viceversa.

Fig. 5 Circuito generador de corriente constante con


FET
VCC
5V

R1
2.2k

Onda diente de sierra:


Se producen en circuitos diseados para controlar
voltajes linealmente, como pueden ser, por ejemplo, el
barrido horizontal de un osciloscopio analgico o el
barrido tanto horizontal como vertical de una
televisin. Las transiciones entre el nivel mnimo y
mximo de la seal cambian a un ritmo constante.
Estas transiciones se denominan rampas.
La onda en diente de sierra es un caso especial de seal
triangular con una rampa descendente de mucha ms
pendiente que la rampa ascendente.

R2
1k

Q1

Q3

2N3903* 2N3903*

Fig. 6 Circuito generador de corriente constante con


BJT

VCC

XSC1
5V

XFG1

R2
1.2k

Fig. 4 Onda diente de sierra

ESQUEMAS

Q1

2N5557
R2
3.7

C1
10F

2N3903

3,7; 2,2; 1,2; 130 [k]


1 [k]
MPF 102
2n3904
10

15V
R1
1k

LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS

Resistencias
Potencimetro
Transistor FET
Transistor BJT
Capacitor

VCC

Q1

_
B

Fig. 7 Circuito generador de onda diente de sierra


IV.

Ext Trig
+

R1
130k

Multmetro
Fuente DC
Generador de funciones
Osciloscopio
Sondas
Protoboard
V.

DESARROLLO

CIRCUITO GENERADOR DE CORRIENTE


CONSTANTE CON TRANSISTOR FET

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CALCULOS:

Con transistor FET

Datos:

IDSS=5,16 mA

Vp=2 V
Vcc=5 V

Id=2 mA
Vds=7,5 V

V RD =VccVds
157,5

Fig. 9 Simulacin de la prueba 1.

7,5V
Rd=

7,5
=3,75 k
2 mA

RL=100,150, 220,330, 470, 510,560, 680, 820,1 k [ ]

Tabla 1. Valores medidos y simulados del circuito 1.


RESISTENCIA ()
100
150
220
330
470
510
560
680
820
1K

MEDIDO
0,46 V
0,62 V
0,86 V
1,34 V
1,60 V
1,98 V
2,05 V
2,49 V
2,97 V
3,66 V

VOLTAJE (V)
SIMULADO
0,424 V
0,635 V
0,931 V
1,394 V
1,981 V
2,148 V
2,357 V
2,857 V
3,394 V
3,734 V

Fig. 10 Simulacin de la prueba 2

R vs I
0
0

Fig. 11 Simulacin de la prueba 3

0
0
0

200

400

600

800

1000

Fig. 8 Grafica Resistencia vs Corriente


SIMULACIN:

1200

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Fig. 12 Simulacin de la prueba 4

Fig. 15 Simulacin de la prueba 7

Fig. 13 Simulacin de la prueba 5

Fig. 16 Simulacin de la prueba 8

Fig. 14 Simulacin de la prueba 6

Fig. 17 Simulacin de la prueba 9

CIRCUITOS GENERADORES DE CORRIENTE


CONSTANTE CON TRANSISTOR BJT.
CALCULOS:

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R vs I
Datos:

0.01
0

=373

0
0

Ic=2 mA

0
0

Vcc=5 V

200

400

600

800

1000

Fig. 18 Grfica Resistencia vs Corriente

R 1=

VccVbe
Ic
SIMULACIN:

R 1=2,2 k

Con transistor BJT

RL=100,150, 220,330, 470, 510,560, 680, 820,1 k [ ]

Tabla 2. Valores medidos y simulados del circuito 2.


VOLTAJE (V)
RESISTENCI
A ()
100

MEDID
O
0,14 V

SIMULAD
O
0,201 V

150

0,21 V

0,302 V

220

0,31 V

0,442 V

330

0,50 V

0,661 V

470

0,70 V

0,938 V

510

0,74 V

1,017 V

560

0,81 V

1,116 V

680

0,95 V

1,351 V

820

1,12 V

1,623 V

1 K

1,44 V

1,97 V

CORRIENTE (I)
MEDID
O
1,58
mA
1,58
mA
1,36
mA
1,32
mA
1,32
mA
1,30
mA
1,24
mA
1,22
mA
1,18
mA
1,14
mA

SIMULAD
O
2,016 mA

Fig. 19 Simulacin de la prueba 1

2,014 mA
2,009 mA
2,004 mA
1,997 mA
1,995 mA
1,992 mA
1,987 mA
1,98 mA
1,971 mA

Fig. 20 Simulacin de la prueba 2

1200

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Fig. 21 Simulacin de la prueba 3

Fig. 24 Simulacin de la prueba 6

Fig. 22 Simulacin de la prueba 4

Fig. 25 Simulacin de la prueba 7

Fig. 23 Simulacin de la prueba 5

Fig. 26 Simulacin de la prueba 8

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Fig. 27 Simulacin de la prueba 9

Rb=

Vbe
Ib

Rb=

0,7
5,361

Rb=130,57

1
1
T= =
=0,01
F 100
Fig. 28 Simulacin de la prueba 10

DISEAR, CALCULAR Y COMPROBAR


EL FUNCIONAMIENTO DE UN CIRCUITO
GENERADOR DE ONDA DIENTE DE
SIERRA.

=10 mA
T =

C=
CALCULOS:

VccIcRcVce=0

IbRbVbe=0

10103
C=
1,25
C=8 F

2,5
=
2103
=1,25 k

Ic= Ib
3

Ib=

210
373

Ib=5,36106

Fig. 29 Onda diente de sierra captado en el


osciloscopio
VI.

CONCLUCIONES

Para obtener la corriente constante hay que configurar


el transistor en la configuracin del source comn,
porque cuando
a ser constante.

V GS=0

la corriente en el Drain va

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La corriente constante llegar en un momento a


cambiar cuando cambiamos demasiado la resistencia
en nuestro caso, la corriente se mantuvo constante
variando la resistencia mediante un potencimetro que
le variamos desde 100 hasta 1 k.
El circuito diente de cierra nos demuestra que la
configuracin del capacitor el momento que se carga
en el osciloscopio podemos ver que llega la onda al
voltaje y luego se descarga, esta seal tiene un periodo
del 50 %.
For get the constant current there set up the transistor
in the set up common source, when

V GS=0

the

drain current is constant.

The constant current in the moment change due a when


the resistor change too, in our case the current no
change and current is constant. We change the resistor
in 100 until 1k.
The sawtooth circuit shows that the configuration of
the capacitor when being loaded into the oscilloscope
can see that the wave reaches the voltage and then
discharged, this signal has a period of 50%.

VII.
BIBLIOGRAFIA
[1] http://unicrom.com/fet-de-juntura-o-jfet-transistorefecto-de-campo/
[2] http://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npnpnp/
[3]
http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0
304/cce/practicas/manuales/osciloscopio/terminos.htm

VIII.

REFERENCIAS

[1]
Roberto L. Boylestad. Teoria de circuitos y
dispositivos electrnicos. Dcima edicin.

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