2.

- Si nosotros proyectamos los tomos en la red del diamante

visto desde arriba. Encontrar la altura de los tres tomos (X,Y,Z)
de la figura mostrada?

X=3/4
Y=1/4
Z=3/4
6.-a) Calcular la densidad del Arseniuro de Galio GaAs (la
constante de red del GaAs es 5.65A, el peso atmico del Ga y el
As son 69.72 y 74.92 g/mol respectivamente)
DATOS
No Avogadro = 6.02214e23 Atomos/mol
No Atomos por celda unitaria = 8
Peso atmico Ga=69.72 g/mol
Peso atmico As=74.92 g/mol
Density

No atomos/cm3 * Peso atomico

No Avogadro

No Atomos/cm3

8
8

4.4355e 22 Atomos/cm3
3
a
(5.65e 8) 3

Density

69.72g/mol 74.92g/mol

6.02e23Atomos/mol

4.4355e 22 Atomos/cm3 *

Density 5.3285 g / cm3

6.-b) Si el arseniuro de galio GaAs es dopado con estao, el

estao desplaza los tomos
de galio en la red del cristal.
Estn donadores o aceptores formados y que tipo de
semiconductor es?
DATOS
Estao IV -> 4 tomos en su ultima orbita

No hay formacin de electrones o huecos libres, debido a que en

la red se sigue cumpliendo la regla del octeto y por tanto no se
acepta ni se dona carga. Por ende no se podr considerar alguna
formacin de material tipo n o tipo p

10.- A 300K la densidad efectiva de estados en la banda de

valencia es Nv=2.66e19cm-3 para el silicio y 7e18cm-3 para el

arseniuro de galio, encontrar las correspondientes masas efectivas

de huecos.
Para el silicio
DATOS
Nv=2.66e19cm-3
K= 1.38066e 23 J/ K
h= 6.62e 34 Js( Kgm / s)
T=300K
2

3/ 2

2m p KT
Nv 2
h2

Esta ecuacin se puede escribir tambien como:

mp
Nv 4.38e15

mo

3/ 2

mp
T 3 / 2cm 3 4.38e15

mo

3/ 2

Sustituyendo el valor de Nv
2.66e19
mp

2.5045e19 mo

3/ 2

Elevando a la 2/3
mp
2/3

0.58 mp 0.69mo
mo

mp 0.69mo

Para el Arseniuro de Galio

Nv=7e18cm-3
K= 1.38066e 23 J/ K
h= 6.62e 34 Js( Kgm / s)
T=300K
2

2m p KT
Nv 2
h2

3/ 2

300 K 3 / 2cm 3

Elevando a la 2/3 en la ecuacin.

mp
Nv 4.38e15

mo

3/ 2

mp
T 3 / 2cm 3 4.38e15

mo

3/ 2

300 K 3 / 2cm 3

Sustituyendo el valor de Nv
7e18
mp

2.5045e19 mo

3/ 2

Elevando a la 2/3
mp
2/3

0.2794 mp 0.55mo
mo

m p 0.55mo

m psi m pAsGa mo

14.-a) La temperatura intrnseca de un semiconductor es la

temperatura a la cual la concentracin de portadores
intrnseca es igual a la concentracin de impurezas.
Encontrar la temperatura intrnseca para una muestra de
silicio dopada con 10^15 tomos de fsforo /cm3.
DATOS
ni=1e15 tomos/cm3
Nc=2.86e19/cm3
Nv=2.66e19/cm3
K= 1.38066e 23 J/ K
Ec - Ev 1.12ev 1.6018e - 19J

ni

NcNv e ( Ec Ev ) / 2 KT

Aplicamos ln en ambos lados de la funcin

ni
( Ec Ev)

2 KT
NcNv

ln

( Ec Ev)
1.602e 19 J

ni

1e15cm 3

2 K ln
2 *1.38066e 23J / K * ln

NcNv
2.86e19cm 3 * 2.66e19cm 3

1.602e 19 J
567.66 K
2.761e 23 J / k * ( 10.2224)

14.-a) Una muestra de silicio es dopada con 1e17 tomos/cm-3 de

As. Cul es la concentracin de huecos en equilibrio po a 300K
y donde esta Ef en relacin con Ei.
DATOS
Nd=1e17 tomos /cm-3
ni= 9.65e9 /cm-3
Nc=2.86e19
En ionizacin completa sabemos que
np ni
Donde n=Nd
2

En equilibrio
po

ni 2 9.65e9

9.312e2
Nd
1e17
2

ni 2
Nd

po

Ec Ef KT ln( Nc / Nd )

2.86e19
0.146eV
1e17

Ec Ef 0.0256 ln

Ef Ei KT ln( Nd / ni )

1e17
0.418eV
9.65e9

Ef Ei 0.0259 ln

1.-) %%%%%%CONCENTRACION INTRINSECA%%%%%

T=50:50:500;
nsi=(3.4375e15)*(500.^1.5)*exp(-6496./T);
niGaAs=(3.4375e15)*(500.^1.5)*exp(-8236./T);
plot(1000./T,nisi,'r',1000./T,niGaAs,'g')
xlabel('1/Temperatura')
ylabel('ni')
grid

CONCENTRACION INTRINSECA Vs TEMPERATURA

14

10

Silicio

12

10

9.65E9 cm-3

GaAs

10

10

ni

10

10

2.25E6 cm-3

10

10

10

5.5

4.5

4
1000/T

3.5

2.5

4.- Para que valores de concentracin de portadores no po es

mnima la conductividad de un semiconductor Cul es el valor
de contenido neto de impurezas Nd-Na que esto implica?
Par un semiconductor intrnseco
qni ( n p)

Par un semiconductor extrinseco

qpp

qnn

La movilidad de los huecos y electrones dependen de la

temperatura, esta movilidad disminuye al aumentar la temperatura
debido a la agitacin trmica
La concentracin de portadores aumenta debido al incremento
de la temperatura la movilidad disminuir y por consiguiente la
conductividad aumentara.
As concluimos que para valores de temperatura pequeos la
concentracin de portadores debe ser pequea implicando que
la conductividad sea mnima
El efecto de la temperatura es mucho mas notable en los
semiconductores intrinsecos que los extrinsecos de esta manera la
relacion Nd-Na es pequea.

%%%DISTRIBUCION DE FUNCION FERMI

K=8.63e-5; %% unidades en eV
Ef=-0.5:0.001:0.2; %%Ef=E-Ef
FE1=1./(1+(exp((Ef)./(K*100))));
FE2=1./(1+(exp((Ef)./(K*300))));
FE=1./(1+(exp((Ef)./(K*500))));
plot(Ef,FE1,'r',Ef,FE2,'g',Ef,FE,'b')
xlabel('Energia E-Ef')
ylabel('F(E)')
grid

T=100 K
T=300 K
T=500 K

0.9
0.8
0.7

F(E)

0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-0.5

-0.4

-0.3

-0.2
-0.1
Energia E-Ef

0.1

GRAFICA DE LA PROBABILIDAD DE OCUPACION DE LOS ESTADOS

T=0K
T=150K
T=300K
T=450K
T=600K

1- fo(E)
PROBABILIDAD DE OCUPACION DE LOS HUECOS,

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.22

0.44

Ef

0.66

0.88

1.1

ENERGIA, (E)
%%%%%%CONCENTRACION
INTRINSECA%%%%%

T=50:50:500;
nsi=(3.4375e15)*(500.^1.5)*exp(-6496./T);
niGaAs=(3.4375e15)*(500.^1.5)*exp(-8236./T);
plot(1000./T,nisi,'r',1000./T,niGaAs,'g')
xlabel('1/Temperatura')

ylabel('ni')
grid
CONCENTRACION INTRINSECA Vs TEMPERATURA

14

10

Silicio

12

10

9.65E9 cm-3

GaAs

10

10

ni

10

10

2.25E6 cm-3

10

10

10

5.5

4.5

4
1000/T

%%%Nivel de Fermi extrinseco Vs temperatura

K=8.63e-5;
Uc=1e19;
Nd=1e15;
Ec=2.24;
Ed=-0.045;
%%%para Nd=1e15;
T=0:10:1200;

3.5

2.5

for T1=0:10:200;
A=-K.*T1*(asinh(3.5355e18*(exp(-(Ec-Ed)./(2*K.*T)))));
Ef=(0.5*(Ec+Ed))+(K.*T*0.5*log(0.5*1e19./Uc))+A;
end
plot(T,Ef,'r')
xlabel('Temperatura')
ylabel('Energia ')
grid
ENERGIA DE FERMI Vs TEMPERATURA
Nd=1E19

1.2

Energia

0.8

0.6

0.4

0.2

200

400

600
Temperatura

800

1000

1200