Electrnica Analgica y Digital; Grupo: 4 Polarizacin de Transistores BJT

Polarizacin De Transistores BJT

Campoverde, P; Idrovo A.; Morocho E; Naula, K.
Abstract This research talks about the BJT transistors
and the polarization of them. This research has two types
of methods to solve these circuits. Also this document
contains the simulation and examples about this topic.

Keywords: BJT transistors, Polarization, Simulation.

I.

INTRODUCCION

os transistores son componentes electrnicos que en la

actualidad, existen una gran variedad de aparatos
electrnicos, tales como televisores, vdeos, equipos
musicales, relojes digitales y, cmo no, computadoras.
Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen
algo en comn: los dispositivos electrnicos de los que estn
constituidos. Los transistores son unos de los dispositivos ms
importantes.
Estn
construidos
con
materiales
semiconductores, pero con estructuras ms complejas que los
diodos. Son la base de la electrnica y uno de los objetivos
actuales es ir reduciendo su tamao continuamente. Lo
transistores BJT, son nuevos componentes utilizados en las
prcticas de electrnica. Este es un dispositivo semiconductor
de tres terminales y que se utiliza para una variedad de
funciones de control en los circuitos electrnicos. Entre alguna
de las funciones podemos incluir la amplificacin, oscilacin,
conmutacin y la conversin de frecuencias. En el reporte
siguiente podremos ver los elementos de un transistor, las
ventajas de la utilizacin de los transistores electrnicos, los
tipos de transistores, como realizar un test en un transistor,
aplicaciones de los transistores y sus encapsulados o
materiales que estn compuestos.
II. CONFIGURACIN DE EMISOR COMN

Se llama configuracin en emisor comn porque el emisor es

comn o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es comn para las terminales base y
colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
caractersticas para describir plenamente el comportamiento
de la configuracin en emisor comn: uno para el circuito de
entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de
colector-emisor en la fig 1 que se muestra a continuacin se
puede observar las configuraciones emisor comn

Figura 1 Disposicin del emisor comn. El emisor conectado a

tierra en un transistor npn y pnp..

Para la configuracin en emisor comn, las caractersticas de

salida son una grfica de la corriente de salida (IC) con el
voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de la
corriente de entrada (IB). Las caractersticas de entrada son
una grfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje de
entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de
salida (VCE).
Para cada transistor existe una regin para un punto Q, con
caractersticas dadas; se le llama regin de operacin, y se
localiza en la grfica de sus curvas caractersticas de salida.
Estas grficas estn dadas en las hojas de datos de cada
transistor, y se obtienen en el laboratorio por medio de un
equipo llamado trazador de curvas. En la figura 8.14a se
muestra la que corresponde a un dispositivo tipo npn en
configuracin emisor comn. En sta se distinguen las
siguientes reas o regiones de operacin:
Regin de saturacin Es el rea de la grfica para voltajes
de polarizacin colector-emisor tales que 0 <VCE < VCEsat.
El punto de operacin Q se encuentra en esta regin cuando el
BJT tiene polarizacin directa, tanto a la entrada como a la
salida. Observa que los incrementos de la corriente en colector

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son sbitos para pequeas variaciones del voltaje VCE. El

transistor opera como un conmutador en estado de
encendido.
Regin de corte Es el rea de la grfica comprendida por
debajo de la curva de IB = 0 A. El punto de operacin Q se
encuentra en esta regin cuando el BJT tiene polarizacin
inversa, tanto a la entrada como a la salida. Observa que los
incrementos de la corriente en el colector son muy pequeos,
debido a la corriente de saturacin inversa. No influyen de
manera significativa las variaciones del voltaje VCE. El
transistor opera como un conmutador en estado de apagado.
Regin activa Comprende el rea donde las curvas de
corriente de base tienden a ser rectas. Est limitada a la
izquierda por la regin de saturacin y abajo por la curva IB =
0 A; en la parte superior por la curva de potencia. Los
valores de voltaje de polarizacin que hacen que el punto de
operacin Q se ubique en la regin activa son tales que
VCEsat < VCE < VCEmx. En esta regin, el transistor opera
como un amplificador.
Figura 3 zona de trabajo con curva de potencia se puede apreciar
regin de corte saturacin y curva de potencia.

Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas

de salida representan una grfica 2a de la corriente de salida (
I C ) en funcin del voltaje de salida ( V CE ) para un
rango de valores de corriente de entrada ( I B ). Las
caractersticas de entrada representan una grfica 2b de la
corriente de entrada ( I B ) en funcin del voltaje de entrada
(

Figura 2 zona de trabajo del transistor con sus respectivos puntos de

trabajo.

V BE ) para un rango de valores de voltaje de salida (

V CE ).

Un tipo de circuito bsico de polarizacin del BJT, con un

nivel superior de estabilizacin es el que tiene un par de
resistencias en la base R1 y R2 que se comporta como si
fueran un divisor de voltaje, como el que se presenta. Este tipo
de circuito es prcticamente independiente de las variaciones
de o de los cambios de temperatura. Para el anlisis de este
tipo de circuito se tiene que obtener un circuito equivalente de
Thvenin en la red de entrada.
A.

Anlisis exacto (Thevenin)

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Figura 4 Circuito con Fuente de alimentacin y emisor comn.

Est formada por dos mallas; una de ellas la integran la fuente

de alimentacin y los resistores R1 y R2 y la otra la forman
R2, el diodo base-emisor del BJT y el resistor RE. La seccin
formada por la fuente y los dos resistores R1 y R2 (sealada
por una lnea punteada en gris oscuro) se pueden sustituir por
un circuito equivalente de Thvenin, que estar formado por la
fuente de Thvenin VTh conectada en serie con una
resistencia equivalente de Thvenin (RTh), como se muestra
en las figuras 5 y 6.

Figura 5 Fuente de aliementacion con resistores transofrmada en

fuentes equivalentes con la lnea interpuntada se observa ek corte
que le daremos al circuito para aplicar el anasis exacto

Para obtener el valor de RTh se sustituye la fuente de

alimentacin original por un, lo que dar por resultado que R1
y R2 quedan conectados en paralelo.
R Th = R1 || R2
De acuerdo al teorema de Thvenin, la fuente de voltaje
equivalente es aquella cuyo valor corresponde al voltaje a
circuito abierto en la red que se analiza. La figura muestra esta
seccin del circuito, desconectada de la base del BJT,
quedando sus terminales en circuito abierto. El valor de la
fuente de Thvenin ser el voltaje. que existe en estas
condiciones de circuito abierto en las terminales de R2.

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VCC + ICRC + VCE + IERE = 0

A partir de la ecuacin se despeja para obtener el voltaje
entre colector y emisor:

V CE =V CC I C ( RC + R E )

B. Ejemplo
Con el mtodo de anlisis exacto, calcula el voltaje colectoremisor del circuito de polarizacin automtica de la figura
8.29, si el transistor es de silicio, con una = 100. Elabora un
cuadro de concentracin de datos del anlisis y haz la
simulacin del circuito para efectos de comprobacin del
anlisis terico.
Solucin Datos:
VCC = 12V
= 100
R1 = 52 k
R2 = 10 k
RC = 4.8k
RE = 1.2 k

Figura 6 Fuente Thevenin para las mallas donde se sustituye la

fuente de alimentacin original quedando sus terminales en circuito
abierto

V Th=

R2 V cc
R1 +R2

Cuando se tienen los valores del componente del circuito

equivalente de Thvenin, se conecta a la base del BJT, al
sustituir a los elementos de la malla de entrada original,
configurndose una red como la que se ve en la figura 6. En
sta se puede ver ahora una sola malla conformada por VTh,
RTh, el diodo base-emisor y RE. A partir de este paso se puede
obtener una expresin para la corriente de base, al aplicar las
mismas tcnicas utilizadas en el anlisis de otros circuitos de
polarizacin. La ecuacin de voltajes en la malla de entrada es
ahora:

V Th + I B R Th +V BE + RE =0
Al sustituir
tenemos:

I B=

I E =( + I ) I B

y resolver para

IB

V Th V BE
RTh + ( +1 ) R E

Cuando ya se conoce la expresin que permite calcular el

valor de IB, este ltimo se sustituye en la ecuacin 8.8, para
encontrar el valor de la corriente en el colector y, poder seguir
ahora con el anlisis de la malla de salida en el circuito
original, formada por la fuente de alimentacin VCC, el
resistor del colector, el voltaje entre colector y emisor y el
resistor del emisor, figura 8.27. Al aplicar la ley de voltajes de
Kirchhoff se obtiene la ecuacin de la malla de salida:

Figura 7 circuito realizado en cicuit maker para el respective calculo

Solucin

RT h =R1 R2
R 1 R 2=

( 52k )( 10 k )
=8.39 k
52 k +10 k

Calculo del voltaje de thvenin:

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Th= V R 2=

R 2 V CC
R 1+ R 2

V
( 10 K )( 12 V )
V Th=
=1.93 V
52 k +10 k
IB
V Th + I B R Th +V BE + RE =0
I E =( + I ) I B

Calculando de la corriente

V Th + I B R Th +V Th + I B R Th +V BE + RE =0
0
I B=

V Th V BE
RTh + ( +1 ) R E

I B=

1.93 V 0.7 V
( 8.39 k ) + ( 101 ) (1.2 k )

1.23 V
I B=
( 8.39 k ) + ( 101 )( 1.2 k )
I B=8.93 A
I C = I B
I C =(140)(9.49 A)
I C =893 uA
Calculando el voltaje
IE = IC = IB + IC = 8.93 A + 0.94999mA 1 mA

V CE =V CC I C ( RC + R E )
V CE =12V (1 mA )(4.8 k +1.2 k )
V CE =7.20
Simulacion

Figura 8 simulacin hecha en el programa circuit maker para la

comparacin con el calculo

III. EMISORES EN COMN CON DOS FUENTES

La configuracin de polarizacin de emisor con dos fuentes de
alimentacin se utiliza para producir voltajes positivos y
negativos. La fuente de voltaje positiva polariza el diodo del
colector y la fuente de voltaje negativo polariza en forma
directa al diodo del emisor.
Algunos equipos electr6nicos tienen una fuente de
alimentaci6n que produce tensiones positivas y negativas., se
muestra un circuito con dos fuentes de alimentaci6n: +10 V y
-2 V. La fuente negativa polariza directamente el diodo emisor
y la positiva lo hace con el diodo colector. Este circuito se
deriva del circuito de polarizaci6n de emisor, por lo que nos
referimos a l simplemente como de polarizacin de emisor
con dos fuentes.

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V =20.7=1.3V
Ie=
Figura 9 Emisor comun dos fuentes

Lo primero que hay que hacer es dibujar de nuevo el circuito

como aparece habitualmente en los esquemas. Ello implica
que se han de borrar los de batera.
Cuando este tipo de circuitos est diseado correctamente, la
comente de base ser suficientemente pequea como para ser
ignorada, lo que equivale a decir que la tensi6n de base es de 0
V aproximadamente.

Figura 10 Eliminacin de las bateras en el circuito

la resistencia de emisor, nuevamente, desempea el papel

clave a la hora de establecer la comente de emisor. Para hallar
esta corriente, se aplica la ley de Ohm a la resistencia de
emisor como sigue: la parte superior de la resistencia de
emisor tiene una tensi6n de -0,7 V y la parte inferior de -2 V.
Por tanto, la tensin en la resistencia de emisor es igual a la
diferencia entre estas dos tensiones. Para llegar a la respuesta
correcta, se resta el valor ms negativo del valor ms positivo.
En este caso, el valor ms negativo es -2; por lo que: Una vez
calculada la tensi6n en la resistencia de emisor, se calcula la
corriente de emisor con ayuda de la ley de Ohm:

1.3 V
(1 k )

V rc=101.3 mA ( 3.6 K )=5.3 V

V ce=5.3 V ( 0.7 )=6.2 V
IV. CONCLUSIONES
- Se llama configuracin en emisor comn porque el emisor es
comn o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es comn para las terminales base y
colector).
- La configuracin de polarizacin de emisor con dos fuentes
de alimentacin se utiliza para producir voltajes positivos y
negativos. La fuente de voltaje positiva polariza el diodo del
colector y la fuente de voltaje negativo polariza en forma
directa al diodo del emisor.
-Cuando el emisor comn de dos fuentes circuitos est
diseado correctamente, la comente de base ser
suficientemente pequea como para ser ignorada, lo que
equivale a decir que la tensi6n de base es de 0 V
aproximadamente.
REFERENCIAS
Basic format for books:
[1] VILLASEOR GMEZ, JORGE RAL
PEARSON EDUCACIN, Mxico Circuitos elctricos y electrnicos.
Fundamentos y tcnicas para su anlisis. Pg 380 -390 Analisis exacto
thevenin.

[2]MALVINO, Paul. Principios de Electrnica. p.

285. Emisores en comun dos fuentes.

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Primer autor: Pablo Sebastin Campoverde

nacido en la ciudad de Cuenca el 5 de noviembre
de 1993 su estudio escolar fue en la escuela Luis
Cordero Crespo en donde fue escolta de la
bandera de Cuenca. Curso el colegio en el
Colegio Tcnico Salesiano en donde realizo
pasantas en cetivehiculos y recibi un diploma
en electricidad del automvil. Actualmente es
estudiante de la Universidad
Politcnica Salesiana en la carrera
de ingeniera automotriz y recibe
clases de ingls en el centro de
estudios interamericanos Cedei.

Segundo autor Andrs Efran

Idrovo Villa nacio el 2 de mayo de
1993 en la ciudad de Cuenca
estuvo en la escuela julio
matovelle curso el Colegio Daniel Cordova Toral
en donde se gradu de bachiller tcnico en el
instituto de ingls Golden Bridge es percusionista
en la banda efecto camalen y estudia en la
Universidad Politcnica Salesiana.

Tercer Autor: Emilio Santiago Morocho Bermeo

naci en la ciudad de azogues el 26 de junio de
1993 donde estudio en Unidad Educativa Mixta
"La Providencia" curso el colegio en
instituto Pedaggico y Colegio experimenta con
Bachillerato Internacional "Luis Cordero " es
cantante y tecladista en la banda de la
Universidad Politcnica Salesiana donde Estudia
desde 2012 trabaja como profesor de msica en
Unidad Educativa "Emilia Merchan"
Cuarto autor: Kleber Grabriel Naula Mediavilla
nacio en la ciudad de azogues el 2 de marzo de
1990 escuela Jos Belisario Pacheco curso el
colegio
Tcnico
Luis
Rogerio
Gonzales
actualmente estudia en la universidad Politcnica
Salesiana pertenece al grupo de danza de la
Universidad Politecnica Salesiana Pumapungo
trabaja en la escuela Cacique Tenemaza

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