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Nombre: Christian Stalin Lascano Pazmio
Fecha: 15 de noviembre 2016
COMPONENTES PASIVOS
1. Transistores
Se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor.
Clasificacin:
Transistores de unin bipolar (BJT): (PNP y NPN) Para amplificar seales
analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de
potencia elctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados.
Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos
dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor
(MOS o MOSFET).
Los transistores MOSFET: Es un transistor de efecto de campo basado en
la estructura MOS
Transistores de induccin esttica (SIT): Manejan alta potencia y alta
frecuencia. Construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en
amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se
los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales.
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): Se los utiliza
fundamentalmente en circuitos de conmutacin de potencia elctrica por
ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a corriente alterna, y
otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan las ventajas de los
transistores BJT y MOSFET.
2. Tiristores