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DEFECTOS CRISTALINOS

Defectos Cristalinos
objetivo general
Distinguir y explicar los diferentes defectos cristalinos existentes en la
materia.

CRISTALOGRAFA
Orden de largo alcance (long range order): al
solidificar el material, los tomos se sitan segn
un patrn tridimensional repetitivo, en el cual
cada tomo est enlazado con su vecino ms
prximo

Slidos
Sin orden (short range order): carecen de un
ordenamiento atmico sistemtico y regular a
distancias atmicas relativamente grandes.

En el ao 1912, Von Laue comprob, mediante rayos X, que los metales


estn fundamentalmente compuestos de tomos dispuestos en redes
geomtricas especficas.

Cristal

Vidrio

Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula


de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz polimrica de poliestireno.

Red cristalina (crystalline lattice): disposicin tridimensional de puntos


coincidentes con las posiciones de los tomos (o centro de las esferas). Los
tomos estn ordenados en un patrn peridico, de tal modo que los
alrededores de cada punto de la red son idnticos

La Red Cristalina no considera los tomos

Celda unitaria (unit cell): unidad de repeticin en la red (subdivisin de


una red que sigue conservando las caractersticas generales de toda la
red)
Al apilar celdas unitarias idnticas se puede construir toda la red.

Parmetros de red (lattice parameters):


longitudes a, b y c de las tres aristas de la celda
unitaria, y los tres ngulos a, b y g entre las
aristas

Sistemas cristalinos

En 1850 Bravais demostr que solo


existen 14 redes cristalina

Cbico
a=b=c
= b = g = 90

1811-1863

Simple

Centrado en el cuerpo (bcc)

Centrado en las caras (fcc)

Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm

Estructura cristalina

Elemento

Hexagonal compacta

Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn

Cbica compacta

Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt

Cbica centrada en el cuerpo

Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

Cbica-primitiva

Po

Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas
duran que tocan a su vecino ms cercano

cantidad de tomos por celda volumen de tomos


Factor de empaquetamiento
volumen de la celda unitaria

Ejercicio: Determine el factor de empaquetamiento en una celda cubica


simple, fcc y bcc.

F.E = 0.52

F.E= 0.74

F.E= 0.68

Ejercicio: Determinar la densidad terica de Fe el cual tiene un parmetro de


red de 2,866 A y un masa atmica de 55,85 g/ mol.
Respuesta:
tomos por celda= 2
Masa atmica= 55,85 g/g mol
Volumen de celda= (2,866 10-8)3= 25,55 10-24 cm3/celda
Nmero de Avogadro= 6,02 1023 tomos/g mol

Densidad

cantidad de tomos por celda masa atmica


volumen de la celda unitaria N Avogadro

(2)(55.85)
3

7
,
879
g
/
cm
23.55x10-24 6.02 x10 23

Ejercicio 3: Determine la contraccin o expansin de volumen cuando 1 cm3 de Fe


bcc pasa a Fe FCC. a0 fcc 0,3591 nm , ao bcc 0,2863 nm
Respuesta:

VBCC 0,2863 nm 0,023467 nm3

por 2 tomos

VFCC 0,3591 nm 0,046307 nm3

por 4 tomos

Cambio de Volumen

(0,046307 0,046934)
*100 1,34%
0,046934

1,34
Contraccin de 1 cm 1*
0,0134 cm3 0,2375 cm
100
3

Direcciones cristalogrficas (Directions):


Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia, ya que los
metales se deforman, por ejemplo, en las direcciones a lo largo de las cuales
los tomos estn en contacto ms estrecho.
ndices de Miller para direcciones (Miller indices of the directions):

1. Determinar dos puntos que se encuentren en la direccin a estudiar.


2. Restar las coordenadas del punto cabeza menos cola, (cabeza-cola)

3. Convertir el resultado por medio de multiplicacin o divisin a los menores enteros


posibles.
4. Nmeros negativos se denotan con una barra sobre el nmero.
5. Encerrar los nmeros en [ ].

Direcciones
1). cabeza = 0 1 0
z

2). cola = 0 1 1
3). Resta = [0-0 1-1 0-1]
[0 0 -1]
0,0,0

y
4). Convertir enteros [0 0 -1]

5). Direccin

[0 0 1 ]

Direcciones sistema hexagonal.


Generalmente se utiliza a1, a2 y c

Direccin:

(111)
(011)
(1-1; 0-0; 1-0)
(0 0 1)

Direcciones
Familia de direcciones (directions of a form): dos o ms direcciones son
estructuralmente equivalentes cuando los espaciados atmicos a lo largo de cada
direccin son iguales

< 111 >= [111], [1 11], [11 1], [111 ], [1 1 1 ], [11 1 ], [1 1 1], [1 11 ]
La direccin [a b c] es idntica a la direccin [na nb nc]

Una direccin y su negativa no son idntica , son direcciones opuestas.

Planos

-y

-1/2

0,0,0

1). Anotar intersecciones = -1/2


2). Recprocos = 1/ -2 1/

-z
3). Multiplicar MCM = 0 -2 0

4). Plano
-1/2

(0 2 0 )

Planos
El plano (h k l) es paralelo al plano (nh nk nl) y estn separado por dhkl/n.

Familia de planos (planes of a form): son planos que geomtricamente son


idnticos pero poseen diferentes ndices de Miller.

{ 100 } = ( 100 ), ( 010 ), ( 001), ( 1 00 ), ( 01 0 ), ( 001 )

Ejercicios en clases:
Determine los ndices de las siguientes direcciones y planos

Dibuje las direcciones

y los planos

Ejercicios en clases:
Determine los ndices de las siguientes direcciones y planos

A = (111)
B= (210)
C=(0-10)

A = [100]
B= [111]
C=
Dibuje las direcciones

y los planos

1895: descubrimiento de los rayos X


(W. C. Roentgen). 1 premio Nobel de
Fsica 1901.

1912: aplicacin de los rayos X para


revelar la estructura interna de los
cristales (Max Von Laue). 1914 recibe
premio Nobel de Fsica.

1913: La ley de Bragg la cual permite predecir los ngulos en los


que los rayos X son difractados por un material con estructura
atmica peridica. por los fsicos britnicos William Henry Bragg y su
hijo William Lawrence Bragg. 1915 Padre e hijo recibieron el premio
Nobel de Fsica.

Produccin de Rayos X

1
E

M5

M3
M1

M4
M2

L3

L1

NUCLEO

L2

M5

M3
M1

M2

L3

L
K

M4

L1
K

NUCLEO

L2

Ley de Bragg
La diferencia de recorrido
entre las dos ondas,
despus de la reflexin es
la suma de los trazos MP
y NP

MP = NP = d sen
MP+NP=2dsen

Para que exista


interferencia constructiva:
n = 2dsen
= 2dhklsen dhkl=d/n

Ejercicio: Determine en que ngulo 2 difractar el plano (111) del Cu, cuando se
utiliza radiacin de Cu ( = 1,5406 A). Recuerde que el Cu presenta un parmetro
de red de 3,6151 A.


2 2sen

2
d

Respuesta:

1 h2 k 2 l 2

2
d
a2

5000
4500
4000

(111)=> d = 2,087 A = 43,31

Intensidad cps

3500

3000
2500
2000
1500
1000
500
0
25

30

35

40

45

50

55

60

65
2 Tetha

70

75

80

85

90

95 100 105

DEFECTOS PUNTUALES
- Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos

- La alteracin afecta una regin donde intervienen uno varios tomos

Defectos puntuales:
Defecto de vacancia (a)

Defecto Insterticial (b)


Defecto sustitucional (c, d)

Ejercicio en clase
Si la densidad real de un alambre de cobre, de 100 m de largo y
1 cm de dimetro, es 8,93 g/cm3, determine:
a) El porcentaje de vacancias por cada celda unitaria
b) La cantidad de vacancias contenidas en el alambre
c) La cantidad de tomos de cobre en el alambre

Estructura
Cobre

FCC

Masa
Radio
atmica
atmico
63,54 g/mol 0,1278 nm

Respuesta:
(a)

(b)

Respuesta:
(c)

A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea,


pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura
en una red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente
ecuacin:
nv : cantidad de vacancias por cm3

Qv

n v n exp
RT

n : cantidad de tomos por cm3


Q : energa para producir un mol de vacancias
(cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol K;
8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin

Ejercicio: Determine la T necesaria para aumentar la concentracin


volumtrica de vacancias para el Cu 1000 veces desde la T ambiente (298K).
Considere que la energa necesaria para producir un mol de vacancias es de
20000 cal.

Respuesta:
Q

- ( T298 -T
nv (T )
n exp-Q/RT
R
1000 =
=
=
exp
Q/RT
298
nv (298K ) nexp
-Q
Ln(1000) =
(T298 - T TT298 )
R

ln(1000) * 1,987 298 - T


=
- 20000
(298)T
T = 298/0,795= 375 K

TT298 )

(-0,205)T = 298 - T

Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina en
una posicin normalmente desocupada.
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.

El aumento de sitios intersticiales ocupados produce un aumento de la


resistencia de los materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales en la estructura generalmente es
constante (an cuando cambie la temperatura)

Defecto intersticial (interstitial defects): Un defecto intersticial se forma


cuando un tomo ingresa a la red cristalina en un lugar que regularmente no
esta ocupado por un tomo.
Sitios

N Coordinacin

Radios atmicos posibles


elementos intersticiales A

Cbicos

Octadricos

Tetradricos

0,46

0,97

0,77

0,71

0,60

Ejercicio Calcular el tamao y nmero de los sitios octadricos y tetradricos


para el Fe bcc y fcc. El parmetro reticular de la celda bcc y fcc son 2,866 y 3,589
A, respectivamente. Mientras el radio atmico del Fe es 1,241 (bcc) y 1,269 (fcc) A
Estructura fcc:
Sitio octadrico:
Rfcc o

Arista - 2RFe 3,589 - 2(1,269)

0,526 A
2
2

1
N = (12 aristas) + 1 centro = 4 sitios intersticiales por celda
4

Sitio tetradrico:
Rfcc t =

Diag cubo
3,589 3
- RFe =
- 1,269 = 0,285 A
4
4

N = 8 sitios intersticiales por celda

Estructura bcc:
Sitio octadrico:
Rbcc o =

Arista - 2RFe 2,866 - 2(1,241)


=
= 0,192 A
2
2

1
1
(
)
N = (12 aristas) + 6 caras = 6 sitios intersticiales por celda
4
2

Sitio tetradrico:

R fcc t = (1 2 a0 )2 + (1 4ao )2 = (r + R)2


Rbcc t = 2,567 - 1,214 = 0,361 A

1
N = 4(6 caras) = 12 sitios intersticiales por celda
2

Ejercicio en clases
Calcule la deformacin lineal provocada en la retcula del Fe fcc cuando un
tomo de C se ubica en la posicin octadrica del centro de la red.

Fe
C

Parmetro de red (nm) Radio atmico (A)


0,3589
1,269
----------0,77

Respuesta:

Tarea
Una pieza de Fe bcc cilndrica de 5 cm de dimetro y 0,5 cm de
largo es sometida a tratamiento trmico a
cambio de volumen en %.

1200 C, calcule el

Defecto Sustitucionales
Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido con un
tipo distinto de tomo.
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin de los
espacios interatmicos vecinos.
Cuando son de menor tamao, causando que los tomos vecinos tengan
distancia interatmicas mayores.
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de impurezas o
adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos generalmente no varia con la
temperatura.

Ejercicio en clase
Una aleacin Cu Zn cristaliza fcc, los tomos de Zn se ubican en el centro de
cara de cada celda y los tomos de Cu se ubican en los vrtices.
a) Calcule la densidad terica.
b) Calcule la composicin en masa y atmica de la aleacin:

Cobre
Zn

Masa atmica
g/mol

Radio atmico
nm

63,54
65,37

0,1278
0,1332

DEFECTOS LINEALES
Resistencia de un cristal perfecto:

Esfuerzo terico de corte:

Comparacin del esfuerzo de corte terico para el deslizamiento con


valores medidos de Esfuerzo de corete crtico real (ECCR).
Metal

Al
Ag
Cu
a - Fe
Mg

Estructura

FCC
FCC
FCC
BCC
HCP

Mdulo de corte en la
direccin de
deslizamiento (x 106
lb/pulg2)

(lb/pulg2)

3,54
3,63
5,91
~ 10
2,39

556.000
577.000
940.000
~ 1.590.000
381.000

ECCR
(lb/pulg2)

114
54
71
4000
57

En 1934, G. I. Taylor, E. Orowan y M.


Polanyi postularon que puede existir una
imperfeccin dentro de la red de los
cristales y que el movimiento de la
imperfeccin a bajos niveles de
esfuerzos conduzca a la deformacin.

El
concepto
de
dislocacin
fue
introducido por Volterra y Timpe en la
teora de la elasticidad del continuo, en
1900.
Las dislocaciones
fueron vistas por
primera vez a comienzo de 1950, en los
cristales de haluros de plata por una
tcnica de decolorado

Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos

Dislocacin de tornillo (helicoidal)


Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando
tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido

separadas por un plano cortante.


Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una regin
de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos distorsionados.

Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de
carcter de borde y otras de carcter de tornillo. El
desorden atmico varia a lo largo de la curva AB

Desplazamiento de una dislocacin

Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento


de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga


y el de una dislocacin.

Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto


y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento,
en el plano de deslizamiento.

Multiplicacin de dislocaciones
Cuando existe deformacin plstica, se produce un aumento de la densidad
de dislocaciones.

Fuente de dislocacin Frank-Read:

Energa involucrada en una dislocacin

Como las dislocaciones son un defecto, su existencia incrementa la energa del


cristal. La deformacin causada por una simple dislocacin es significante a
una distancia de 100 ao del centro de la dislocacin.
Energa involucrada en una dislocacin de tornillo.

E/L=(Gb2/4p )ln (R/ro)

La energa por unidad de longitud de la dislocacin de borde es:


E/L=(Gb2/4p1 ))ln (R/ro)

Razn de Poisson: 0,2-0,4 metales

Ejercicio : (a) Determine la distancia entre los planos (111), (001), (110) y sus planos
inmediatamente paralelo para el Cu (a0 = 3,6151 A). (b) Determine la densidad
atmica de estos planos.

Resultado

3,6151 3
d=
= 2,09 A
3

d=

3,6151
= 1,81 A
2

(3(1/ 2) + 3(1 6))( )(1,2782 )


2

( 3 4)( 2) (3,6151)

(1+ 1/ 4( 4))( )(1,2782 )


2

(3,6151)

= 0,91

= 0,79

(2(1/ 2) + 1/ 4( 4))( )(1,2782 )


3,6151 2
= 0,56
d=
= 1,278 A =
(3,6151)( 3,6151 2 )
4

Ejercicio Por qu las dislocaciones se mueven por planos compactos?


Respuesta:
Las dislocaciones se mueven con mayor facilidad a lo largo de planos con
espaciamientos amplios donde la distorsin reticular debido al movimiento de la
dislocacin es pequeo. La separacin entre planos vara directamente con el
grado de compacticidad en los planos.
Ejercicio X: Por qu las dislocaciones se mueven por direcciones compactas?
Respuesta:
Son direcciones con vector de Burgers ms pequeo y por tanto son ms
estables al presentar menos energa.
E/L=(Gb2/4p )ln (R/ro)

Sistema de deslizamiento observados en estructuras cristalinas

Factor

fcc

bcc

hcp

50-100

500010000

50-100

Nmero de sistemas de
deslizamiento

12

48

Deslizamiento cruszado

Ocurre

Ocurre

No ocurre

Resumen de
propiedades

Dctil

Resistente

Relativamente
frgil

Esfuerzo cortante
resultante crtico (psi)

Ejercicio: Dibuje los sistemas de deslizamiento para las tres estructuras


cristalinas
Respuesta:

fcc
hcp

bcc

DEFECTOS DE SUPERFICIE
Borde de grano (grain boundary): es la superficie que separa los granos
individuales, siendo una zona estrecha donde los tomo no se encuentra
espaciados de manera apropiada a la red cristalina.
Grano (grain): por se un monocristal un grano es una porcin de materia donde
dentro de la cual el ordenamiento de los tomos es idntico.
Se puede controlar las propiedades de un material mediante el endurecimiento
por tamao de grano debido a que los lmites de grano actan como barreras al
movimiento de dislocaciones.

Al-4% masa Cu

Al

Simulacin

Una tcnica mediante el cual se especifica el tamao de grano es el


entregado por la American Society for Testing and Materials (ASTM).

N = 2n-1
N= nmero de granos por pulgada cuadrada en una fotografa del metal
tomada con una amplificacin x 100.
n = ndice de tamao de grano ASTM
Ejemplo: Supngase que se encuentran 16 granos por pulgada cuadrada en
una fotomicrografa con ampliacin x 100 de un metal. Determine el ndice
ASTM de tamao de grano

Respuesta:
N=16=2n-1
log16=(n-1)log2
1,204=(n-1)(0,301)
n=5

Ejemplo: Supngase que se encuentran 16 granos por pulgada cuadrada en


una fotomicrografa con ampliacin x 250. Determine el ndice ASTM de
tamao de grano

100 => 1 plg


1 => x plg

=> 0,01 plg => 0,0001 plg2

0,000016 plg2 => 16


0,0001 plg2 => x

250 => 1 plg


1 => x plg

=> 0,004 plg => 0,000016 plg2

x = 100

N=100=2n-1
log100=(n-1)log2
2=(n-1)(0,301)
n=7,6 8

Fallas de apilamiento: Ocurren en los metales fcc y hcp y representa un


error en la secuencia de apilamiento de los planos compactos.

Fallas de apilamiento

A-B-A-B-A-B hcp
A-B-C-A-B-C fcc
A-B-C-A-B-A-B-C-A-B-C
Falla de apilamiento

MACLAS
El borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tienen
una pequea diferencia en la orientacin cristalogrfica.

Microfotografa de maclas
de latn x 250