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AMPLIFICADOR

DRAIN COMN
REPASO DEL DESARROLLO DE ECUACIONES

* Circuito equivalente con el modelo incluyendo ro













* Ganancia de voltaje Se define Rp = RC//RL//r









Es menor que 1



La salida est en fase con la entrada


Resistencia de entrada

Resistencia de salida Vp = -vgs














Ro = Rs//ro//(1/gm)

Ganancia de corriente


Depende del valor de las resistencias de polarizacin





EJERCICIO CON EL AMPLIFICADOR DRAIN COMN













Esto significa que para la ecuacin
de la regin de saturacin del
MOSFET la constante total es

1 W
2

K=

k'

= 5mA /V

* Los parmetros del MOSFET



En saturacin:

En los manuales aparece GFS "Forward Transconductance":
Relacin entre la variable de salida (ID) y la de entrada VGS para una
corriente ID especfica. Esta definicin es similar al gm para
pequea seal, aplicada a valores DC. Para el MOSFET VN10K:


Para trabajar con las ecuaciones de polarizacin se define:

iD = K (VGS Vth ) 2

1 W
K = k'
2 L

W
k' = 2K
L

Utilizando una de las ecuaciones para gm y aplicndola a GFS


(identificada tambin como Gm):

W 2I D
W
gm = k'
k' = 2K
W
L

L
k'

L


W 2I
2I
I

Gm = k'

W
k'
L

= 2K

2K

= 2K



Con los datos del ejercicio:

mA
100
= 2 K 500mA
V

= 2 KI D

Gm = 2 KI D

K=5

mA
V2

iD = 5 mA (VGS Vth ) 2
V2

* Clculo del punto de operacin suponiendo saturacin




Voltaje VGG:

2M
VGG =
12V = 8V
3M


Vt 2V




* Determinacin de la corriente ID.






En saturacin




* Anlisis de pequea seal. Parmetros










* Modelo de pequea seal

* Modelo de pequea seal arreglado

* Ganancia de voltaje







* Resistencia de entrada

* Resistencia de salida










* Ganancia de corriente



* Parmetros del amplificador

Tiene ganancia de voltaje menor que 1

Resistencia de entrada muy elevada

Resistencia de salida baja

AMPLIFICADOR GATE COMN








La resistencia RG evita la
acumulacin de carga esttica
en Gate, y el condensador CG
asegura que Gate est a tierra
para el anlisis de pequea
seal.
Hay que calcular el punto de
operacin y los parmetros del
modelo de pequea seal.

EJERCICIO PARA LA CONFIGURACIN GATE COMN


DESARROLLAR LAS ECUACIONES DEL MODELO DE PEQUEA SEAL
EN FORMA LITERAL

Con modelo
ro no se va a tomar en cuenta

* Del modelo simplificado:












* Ganancia de voltaje:



Ganancia de corriente
















Es menor que 1

Resistencia de entrada














Esta configuracin tiene una baja resistencia de entrada.

* Resistencia de salida











ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET



Hallar los valores de los voltajes y corrientes en el circuito.







VGD = 0 < Vt = 2 Estn en saturacin
Ecuaciones en el circuito MOSFET de la izquierda Iref = ID:

Ecuacin de la corriente en el MOSFET. Clculo de ID












Para ID = 0,71mA tenemos VGS = 0, 65V mientras que para ID = 0,4mA
tenemos VGS = 4V.
La corriente ID2 es igual a ID y constituye la fuente de corriente que
puede utilizarse para polarizar otros amplificadores.

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