Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Electronica Analogica Apuntes PDF
Electronica Analogica Apuntes PDF
ELECTRNICA ANALGICA
CURSO 2009-2010
CICLO FORMATIVO DE GRADO SUPERIOR: DESARROLLO DE PRODUCTOS
ELECTRNICOS.
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA.
Profesor: Jos Manuel Ortega.
I=
V
R
Potencia elctrica.
Otra importante ley en electricidad, nos dice que cuando por un conductor circula una corriente
elctrica, ste se calienta de forma proporcional a la tensin y a la intensidad. Esta ley es
conocida como Ley de Joule y puede expresarse en la forma:
Q = V. I . t , siendo t el tiempo y Q la cantidad de calor disipada, que se expresa
en Julios cuando V est en Voltios, I en Amperios y t en segundos. Puede expresarse en
Caloras multiplicando por 0,24. Esta frmula, por tanto tambin es vlida para expresar
el Trabajo o Energa elctrica.
Teniendo en cuenta que la potencia es igual al trabajo por unidad de tiempo, tenemos:
P = E / t = V . I = I2 . R = V2 / R
Estos aparatos generalmente tienen varias escalas de medida con determinados mrgenes.
Siempre que se desconozca entre qu mrgenes puede estar una determinada magnitud, se comenzar
por la escala de medida mayor y si el aparato indica un valor muy bajo, se ir descendiendo hasta que
nos d una lectura adecuada.
Como ejemplo, un ampermetro puede constar de los siguientes mrgenes de medida: hasta 2
mA, 20 mA, 200mA, 2A y hasta 20A.
Estos aparatos se emplean en muchas ocasiones para diagnosticar averas en circuitos, siendo el
ms empleado, como se indic anteriormente, el voltmetro, pues para su uso basta con tocar con sus
terminales, en los terminales de cualquier componente de un circuito, para que nos d el
correspondiente valor de tensin, sin necesidad de abrir el circuito.
En la mayora de las ocasiones, los aparatos de medida se suponen ideales, sin embargo es
necesario resaltar que el voltmetro presenta una resistencia interna de valor elevado, lo que habr que
tener en cuenta si se est realizando una medida en un componente de gran valor hmico. Sin embargo
el ampermetro tiene una resistencia interna de valor muy pequeo y falsear la medida si el circuito
tambin presenta poca resistencia.
Existen aparatos que permiten realizar medidas de numerosas magnitudes, como tensin
(voltmetro), intensidad (ampermetro), resistencia (hmetro), capacidad de condensadores
(capacmetro), frecuencia (frecuencmetro), etc.., se conocen con el nombre de polmetros.
Las resistencias fijas tienen un determinado valor que no se puede modificar. Los
valores de las resistencias estn normalizados, entre otras cosas para facilitar su
reposicin. Existen varias series de valores, dependiendo de la tolerancia de los mismos:
10%, 5%, 1%,... Se utilizan casi exclusivamente las del 5%, excepto en aplicaciones
muy especficas de alta precisin. Los valores de resistencias del 5% son: 1; 1,1; 1,2;
1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2; 2,2; 2,4; 2,7; 3; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1
y los submltiplos y mltiplos de 10. Los valores en negrita son los que ms se
comercializan.
Para enumerar o designar los diferentes valores de una resistencia se emplea el sistema RKM,
que consiste en sustituir los puntos decimales y las comas separadoras de millar, en el sistema ingls de
puntuacin, por sus equivalentes R (unidad) K (kilo) M (mega). Ej. 4700 = 4K7; 2.200.000 = 2M2;
2R = 2; 0,2 = 2.
Se fabrican tambin varias resistencias del mismo valor bajo un encapsulado de varios pines,
bien en montaje simple (SIL -Single In Line- o array de resistencias de 5, 6, 7 y 9 pines ) o con doble
fila de patillas (DIL de 14 o 16 pines).
Actualmente se fabrican cada vez ms, resistencias SMD, es decir resistencias que se emplean
en circuitos impresos de montaje superficial y que por lo tanto, son miniatura y lgicamente no llevan
cdigo de colores, pues resultara ininteligible. Lo que se hace es marcar el valor sobre el cuerpo de la
misma y resulta imprescindible leerlo con una lupa. Son dos los encapsulados de estas resistencias,
conocidos con los cdigos 0805 y 1206.
En cuanto a resistencias a las que se les puede ajustar su valor, o resistencias variables, existe
gran variedad: las resistencias ajustables para montaje vertical u horizontal (llamadas tambin
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
potencimetros). Se fabrican de la misma potencia y valores que las resistencias. Se pueden ajustar
desde cero hasta su valor nominal mediante un cuarto de vuelta . Tambin existen, para mayor
precisin de los valores obtenidos, los potencimetros multivuelta. Existen resistencias variables de
mayor potencia, hasta MW, para ellas se reserva el nombre de reostato.
POTENCIMETRO LINEAL
POTENCIMETRO LOGARTMICO
Color
1 Banda
2 Banda
3 Banda
Multiplicador Tolerancia
Negro
1ohm
Marrn
10ohm
+1% (F)
Rojo
100ohm
+2% (G )
Naranja
1Kohm
Amarillo
10Kohm
Verde
100Kohm
Azul
1Mohm
+0.25% (C)
Violeta
10Mohm
+0.10% (B)
Gris
Blanco
S2 +0 5% (D)
+0.05%
Oro
0.10
+5% (J)
Plata
0.01
+10% (K)
La mayora de las resistencias llevan marcado el cdigo de 4 bandas. Adems para completar la
identificacin de una resistencia es necesario conocer la potencia que es capaz de disipar o dicho en
otros trminos, la corriente que es capaz de circular por ella sin que se queme. Para identificarla no
existe ninguna marca, tan slo es necesario saber que cuanto mayor sea la resistencia, mayor potencia
ser capaz de disipar, puesto que el tamao depende slo de esto y no del valor hmico, pues si es
necesario fabricar una resistencia de gran valor, basta con emplear un material de mayor resistividad.
Los valores normalizados de potencia son: 1/4W; 1/2W, 1 y 2W, aunque tambin se fabrican
resistencia de gran potencia;: 4W y 8W.
2.- CONDENSADORES.
2.1. Constitucin fsica. Capacidad y carga.
Un condensador es un componente elctrico formado por dos placas metlicas llamadas
armaduras, separadas por un aislante llamado dielctrico. La finalidad del condensador es la de actuar
como un almacn de cargas elctricas. Las armaduras se cargan elctricamente cada una con polaridad
opuesta a la otra. Dependiendo de la mayor o menor cantidad de cargas que
pueda almacenar, hablamos de Capacidad del condensador. La capacidad se
mide en Faradios, unidad sta muy grande, por lo que siempre se emplean
submltiplos: pF (pico = 10 12); nF (nano = 10 9); F (micro = 10 6) y mF
(mili = 10 3). La capacidad de los condensadores depende del dielctrrico
utilizado (se emplea para ello un factor llamado constante dielctrica - ), de
la superficie de las armaduras ( a mayor superficie, mayor capacidad) y de la distancia entre ellas ( a
menor distancia, mayor capacidad): C = . ( S / d ).
Cuanto mayor sea la capacidad y la tensin en sus terminales, mayor ser la carga almacenada
en el mismo. Q = C . V (Q = carga almacenada en Culombios, con C en F y V en V.)
2.2. Asociacin.
Los condensadores se pueden asociar, igual que las resistencias en serie, paralelo o acoplamiento
mixto.
Condensadores en serie: No es un montaje muy empleado. Se reduce la capacidad total. Lo que ocurre
en este montaje es que la carga almacenada es la misma en cada uno de los condensadores. Qtotal =
Ctotal . Vtotal. ; Q1 = C1 . V1; Q2 = C2 . V2; Q3 = C3 . V3..
Vtotal = V1 + V2 + V3 ; Qtotal / Ctotal = Q1 / C1 + Q2 / C2 + Q3 / C3. Como Q1 = Q2 = Q3 = Qtotal
Resulta: 1/Qtotal = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3.
Condensadores en paralelo: La cada de tensin en cada condensador es la misma, pero no la carga
almacenada por cada uno. Ctotal . Vtotal = C1 . V1 + C2 . V2 + C3 . V3. Como Vtotal = V1 = V2 =
V3. Resulta: Ctotal = C1 + C2 + C3.
2.3. Tipos: cermicos, MKT, polister, electrolticos, tntalo, SMD, ajustables
Condensadores cermicos: son condensadores cuyo dielctrico es un material cermico. Son de baja
capacidad (del orden de los pF). Se reconocer por su forma tpica de lenteja, aunque
algunos fabricantes los hacen de formas diferentes. Su capacidad va expresada en el
propio encapsulado, siempre en pF, por lo que si nos encontramos la inscripcin 101
significa 100 puesto que las dos primeras son las cifras y la tercera es el nmero de
ceros. La tensin mxima de trabajo de estos condensadores es de 100V.
Condensadores MKT: son condensadores de polister metalizado. La tensin mxima de trabajo y el
raster (distancia entre sus patillas) vara segn capacidades. Se reconocen fcilmente
por su forma prismtica. La tolerancia es del 5%. El valor se indica directamente en el
encapsulado . La capacidad de estos condensadores es del orden de los nF. Por lo tanto
si aparece el valor 103 se corresponde con 10.000 pF, o sea 10 nF.
Condensadores polister: Polister metalizado lacado, la tensin estndar para todos es de 400V, el
"raster" (separacin entre patillas) varia segn la cada capacidad. La tolerancia es de
+/- 10% para todas las capacidades. La capacidad de estos condensadores tambin es
del orden de los nF, como los MKT. La tolerancia de estos condensadores y de los
cermicos suele aparecer con una letra (F=1%; J=5%; K=10%; M=20%)
Condensadores electrolticos: Son condensadores de elevada capacidad (del orden de los F), sta
siempre va marcada directamente sobre el cuerpo del condensador. Son
condensadores polarizados, por eso siempre
lleva la marca del negativo y adems esa patilla
es ms corta. Su smbolo tambin es diferente.
Por lo tanto hay que tener cuidado siempre de
conectarlos adecuadamente. Las tensiones de
trabajo estn normalizadas: 25V., 35V, 63V. Y el tamao es tanto mayor
cuanto mayor sea la capacidad, pero sobre todo cuanto mayor sea la tensin que soportan. Su forma es
cilndrica.
Condensadores de tntalo: Son condensadores de elevada capacidad, como los
electrolticos y tambin estn polarizados. La diferencia es que stos son mucho
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
ms pequeos, pero por el contrario no soportan tensiones elevadas (hasta 25V.) El positivo va
marcado con el signo + y adems esa patilla es ms larga.. Tienen forma de gota.
Condensadores SMD: son condensadores para circuitos impresos de montaje superficial. El
encapsulado es el mismo que para las resistencias SMD, es decir el 0805 (hasta 10 nF) y el 1206 (hasta
470nF). Para capacidades superiores, se utilizan los electrolticos SMD (hasta 47uF). Recordemos que
los electrolticos tienen polaridad. Llevan la marca en el negativo.
Proceso de carga:
Proceso descarga:
El interruptor est en B.
Entonces la tensin en el condensador Vc empezar a descender desde Vo (voltaje inicial en el
condensador). La corriente tendr un valor inicial de Vo / R y disminuir hasta llegar a 0 (cero voltios).
Los valores de Vc e I en cualquier momento se pueden obtener con las siguientes frmulas:
Vc = Vo e-t / T I = -(Vo / R) e-t / T
Donde: T = RC es la constante de tiempo
NOTA: Si el condensador haba sido previamente cargado hasta un valor E, hay que reemplazar Vo en
las frmulas con E
3.- BOBINAS.
3.1. Constitucin fsica. Coeficiente de autoinduccin.
Una bobina no es ms que un hilo conductor arrollado sobre un ncleo de material ferromagntico o al
aire. Cuando por la misma circula una corriente elctrica, se genera un flujo magntico.
3.2. Asociacin.
En serie: cuando varias bobinas son recorridas por la misma corriente. En este caso el valor del
coeficiente de autoinduccin L es la suma de los de cada una de las bobinas asociadas en serie.
En paralelo: cuando soportan la misma tensin, es decir sus extremos estn unidos entre s. En este caso
el valor de L del conjunto es igual a la inversa de la suma de las inversas, como hacamos en el caso de
las resistencias.
En el caso de las bobinas puede darse el caso de que los campos magnticos que se generan se influyan,
en este caso habra que utilizar el llamado coeficiente de induccin mutua que puede reforzar el campo
magntico resultante o bien contrarrestarlo.
3.3. Funcionamiento en continua.
En continua y en rgimen permanente una bobina se comporta como un simple conductor. Sin embargo
en el transitorio de conexin y desconexin se manifiestan los efectos magnticos. En la conexin de
forma que la corriente se establecer al cabo de unos instantes (que depender del valor de la constante
de tiempo que en este caso es L/R).
Y en la desconexin, el campo magntico almacenado forzar a que la corriente no cese de forma
instantnea sino transcurrido tambin cierto tiempo que vendr dado por la constante de tiempo.
4.- COMPONENTES SEMICONDUCTORES.
4.1. Semiconductores tipo N y tipo P.
Un semiconductor, como el Silicio o el Germanio son elementos qumicos que tienen cuatro
electrones en su ltima capa que forman enlaces covalentes muy estables. En estado puro se
denomina intrnseco y no suele tener aplicaciones electrnicas.
Se le aaden impurezas de forma controlada de elementos qumicos. Si se le aaden B, Al, Ga,
In o Tl entonces es un sc extrnseco de tipo P porque dichos elementos tienen tres electrones en
su ltima capa y por tanto dejan un hueco (falta de electrn).
Si se le aaden N, P, As, Sb o Bi entonces es de tipo N pues tienen cinco electrones en su ltima
rbita (uno de los electrones queda libre). En stos la conduccin elctrica puede realizarse ms
fcilmente o menos dependiendo de la concentracin de electrones.
4.2. Diodos: Rectificador; LED; Varicap; Fotodiodo; Zner.
Un diodo es un cristal semiconductor al que se le han aadido impurezas tipo P en un lado y
tipo N al otro, por lo que tambin se le denomina unin NP.
En las proximidades de la unin algunos huecos han sido ocupados por los electrones libres de
la otra zona, por lo que se forma un potencial de unas pocas dcimas de Voltio.
Para que se establezca la corriente por el diodo es necesario polarizarlo directamente (zona P
con el positivo de la fuente y zona N con el negativo) y superar dicha barrera de potencial ( que
est entorno a 0,6V.).
Si se polariza inversamente, la corriente no puede circular por el diodo a no ser que se pase de
un valor excesivo llamado tensin de ruptura, el cual provoca una gran avalancha de electrones
y el diodo se destruye.
Cuando el diodo conduce, la caida de tensin en sus terminales (llamados nodo zona P- y
ctodo zona N- se mantiene aproximadamente en 0,6 a 0,8V independientemente del valor de
la intensidad que circule por l.
Un LED es un diodo emisor de luz. Se le ha aadido en el proceso de fabricacin otra sustancia
como el arseniuro de Galio, la cual, al circular corriente, emite luz con diferente longitud de
onda, dependiendo de la concentracin. Hay led de diferentes colores, incluso blanco y de
diferente luminosidad, como los de alto brillo. Tambin hay LED bicolor y tricolor. La cada de
tensin tpica en un Led est entorno a los 2V. independientemente de la corriente que circule
por l. Los LED necesitan unos 10 mA para comenzar a lucir y soportan mas de 50 mA. Se
considera como valor nominal 20mA.
Hay varios tamaos estndar: los de 3 mm., los de 5mm y los de 10mm. Tambin hay barras de
LED, cuyos segmentos se van iluminando segn va aumentando el valor de la tensin aplicada.
El varicap es un diodo cuya capacidad es variable dependiendo de la tensin inversa aplicada.
Se denomina diodo de sintona pues se utiliza en sintonizadores de radio como capacidad
variable.
El Zener es un diodo con una unin NP muy abrupta, es decir con mucha concentracin de
electrones y huecos, lo que le dota de un funcionamiento muy particular en sentido inverso,
pues en sentido directo funciona igual que el rectificador. En inversa deja pasar corriente si se
llega a la tensin nominal y no se destruye, precisamente se emplea as el Zener. (Se le llama
tambin, debido a esto, diodo de avalancha controlada).
El transistor es un dispositivo de 3 terminales o patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
smbolo.
Transistor NPN
Transistor PNP
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad
mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente
que pasa por la patilla base).
- Ic = * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un
caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.
- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del
circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
- Regin de saturacin: Un transistor est saturado
cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente
mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectados en el colector o el emisor o en ambos.
La saturacin se produce porque la intensidad de Base es
lo
suficientemente grande como para que las otras no puedan aumentar ms de forma proporcional como
correspondera en la zona activa. De ah que tambin se dice que la en saturacin es un valor muy
inferior respecto al de activa.
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib) y de
(ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y se mantiene esa
proporcionalidad.
Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Viendo el smbolo, tenemos tres posibles tensiones en un transistor: entre emisor y base, entre
colector y emisor y entre base y colector. Las ms importantes son las dos primeras.
La VBE tanto en activa como en saturacin es de unos 0,6V. La tensin VCE en saturacin es muy
prxima a cero (apenas alguna dcima de V.) y en activa es de un valor de varios Voltios.
Entre los encapsulados estn:
- El TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de
pequeas seales. La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no
est estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales
de equivalencias para obtener estos datos.
- El TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es
metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms
cercana es el emisor. Para saber la configuracin de patitas es necesario a
veces recurrir a los manuales de equivalencias.
- El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es mas grande. Al igual
que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del emisor, pero
tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipacin
de calor.
- El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia.
Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin.
Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se
debe utilizar una mica aislante
- El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de
disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126
debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo
debidamente aislado.
- El TO-3: este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se
puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est
fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la
energa que este genera en calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor,
pues este estara conectado directamente con el colector del transistor (ver
siguiente prrafo). Para evitar el contacto se pone una mica para que sirva
de aislante y a la vez de buen conductor trmico.
directamente conectado al cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines
o patitas.
Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone el
transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base.
En cuanto a encapsulado SMD el que ms se emplea para transistores es el SOT23, con unas medidas
de 51 milsimas de pulgada de ancho, 115 de largo, 37 de grosor
4.4. Transistores Unipolares: FET. MOSFET.
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se
controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en
los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran
una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:
Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo
los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de
los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los
circuitos
integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y
Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los
siguientes:
La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se
comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y
Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin de seales
dbiles.
En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los
ms importantes):
VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN.
IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza
directamente.
PD.- potencia total disipable por el componente.
IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0.
IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra
polarizado en sentido inverso.
El FET controla el paso de corriente entre el terminal surtidor(source) y el terminal drenador (drain)
mediante un campo electrosttico aplicado a un electrodo circular envolvente, terminal
compuerta(gate), el cual se expande o contrae proporcionalmente al voltaje aplicado, para ensanchar o
reducir el conducto imaginario que se forma en el material semiconductor empleado como canal central
del cilindro semiconductor de la compuerta de control. Las muchas o pocas cargas negativas se
dispersan por el ncleo en una distribucin, que rechazan el paso de las cargas elctricas de igual signo
que conforman la corriente principal entre el surtidor y el drenaje, por el principio de que cargas
elctricas iguales se repelen, y forzando la corriente a circular slo por el centro del ncleo
semiconductor, el cual como se puede deducir es de solamente un tipo de material semiconductor n o p,
este factor de por si diferencia en cierta medida a un FET de un transistor bipolar. Por lo que, un FET (
Field-effect transistor ), es un dispositivo amplificador en el cual los portadores de corriente
(electrones) son inyectados a un terminal ( surtidor, source ) y pasan a otro( drenaje ) a travs de un
canal semiconductor cuya resistividad depende de una regin de estrangulamiento (depletion region)
motivada por la accin del campo elctrico conectado al terminal de control (Compuerta, gate). La
region de estrangulamiento(campo de fuerza de los portadores minoritarios) se produce al rodear el
canal con un material semiconductor de conductividad opuesta y polarizando inversamente la unin
PN resultante, mediante el terminal gate. La profundidad de la regin de estrangulamiento depende de
la magnitud de la polarizacin inversa.
MOSFET (Metal xido Semiconductor). Existen dos tipos: Los de empobrecimiento y los de
enriquecimiento.
Los de empobrecimiento funcionan igual que los JFET con la nica diferencia de que no entra corriente
por la puerta puesto que est aislada con la capa de xido.
En los de enriquecimiento, no existe canal de paso de corriente desde D a S y por lo tanto hay que
crearlo polarizando adecuadamente la puerta. Si el canal que hay que crear es P, entonces la puerta se
conectar a negativo pues as la carga inducida ser positiva. Si el canal es N, entonces se conectar la
puerta a positivo para inducir carga negativa en el canal.
2 ley: En toda malla, la suma algebraica de las tensiones de la misma es igual a cero. (Suma
de las tensiones proporcionadas por los generadores = suma de las cadas de tensin en las resistencias)
Si hay resistencias en serie y otras en paralelo se tendr en cuenta lo citado en los dos prrafos
anteriores dependiendo de la colocacin de las mismas.
En cualquier circuito se cumple que la suma de las potencias cedidas por los generadores,
coincide con la suma de las potencias consumidas en los receptores. Este principio no es ms que el de
conservacin de la energa y se le conoce como balance de potencias. Veamos todo esto en un
ejemplo de clculo de intensidades, cadas de tensin y potencias disipadas.
R1
R2
V(V)
6
4
I (mA)
3
2
P (mW)
18
8
R3
2
2
4
R4
6
1
6
Pgenerada = 12V3mA = Pconsumida = 36mW
Si deseamos ahora calcular los ejemplo la tensin entre a y c, iremos de un punto a el otro a
travs de cualquier camino, el ms corto es a travs del punto b. Siempre que nos encontremos
generadores y resistencias, lo haremos por separado:
Vac = Vab + Vbc. La tensin entre a y b nos la proporciona el generador o fuente de 12V. y su
signo tambin pues vemos que el punto a est conectado al positivo de la misma, por lo que la tensin
de 12V ser positiva. (Si nos pidieran Vba sera negativa). La tensin entre b y c es la cada en la
resistencia de 2K, con lo cual, para saber la polaridad signo ser necesario conocer el sentido de la
intensidad de corriente que circula por la misma. Hemos deducido antes que va de c a b, por lo que la
tensin Vbc ser negativa (mientras que Vcb sera positiva).
Por lo tanto: Vac = 12V + ( 1,5mA 2 K ) = 9V .
I1
I2
I3
i1
i2
El valor medido con el polmetro es el correspondiente al valor eficaz. Mientras a que si se est
visualizando la seal en un osciloscopio, lo que se puede medir es el valor de pico y el de pico a pico,
no el eficaz. Por otro lado, con el polmetro, si disponemos de frecuencmetro, se medira la frecuencia,
por el contrario, en el osciloscopio podramos medir el periodo, no la frecuencia.
1
2fC
Reactancia inductiva: XL = 2fL
Reactancia capacitiva: Xc =
En ambas expresiones, se emplea la letra X para distinguir reactancia de resistencia pues ambas
empiezan por la misma letra y se obtienen ohmios cuando la frecuencia est en Hertzios, la
Capacidad en Faradios y el coeficiente de autoinduccin de la bobina (L) en Henrios.
Con motivo de los efectos producidos en la bobina y en el condensador en presencia de
corriente alterna, se produce un desfase entre la tensin alterna aplicada y la corriente que fluye
por dichos elementos. Este fenmeno no se produce en la resistencia, por lo que se dice que no
desfasa y por tanto si slo hubiese una resistencia en un circuito de alterna , la tensin y la
corriente iran en fase.
El condensador desfasa 90, provocando un retraso de la tensin respecto a la intensidad.
La bobina desfasa 90, provocando un retraso de la intensidad respecto a la tensin.
Para distinguirlos, al desfase provocado por el condensador se le considera negativo, mientras
que al de la bobina, se le considera positivo.
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
La reactancia por tanto es una magnitud vectorial pues tendr un mdulo que viene dado por la
correspondiente frmula expresada con anterioridad y un ngulo, que ser el desfase. Por ello
puede representarse vectorialmente, o bien como un nmero complejo
2.3. Impedancia.
En general un circuito de alterna contendr resistencias, bobinas y condensadores, por lo que
tendr una resistencia total y una reactancia total. La reactancia total ser la resultante de los elementos
reactivos.
La impedancia por lo tanto es la resultante de todos los elementos resistivos y reactivos, por lo
que se trata de una magnitud vectorial con un mdulo que se expresar en ohmnios y un ngulo que
representar el desfase resultante y que estar comprendido entre 0 y 90 bien entre 0 y 90.
2.4. Diagramas vectoriales.
Al emplearse magnitudes vectoriales en c.a., suele ser til realizar la representacin grfica de
las mismas.
Para ello se tomarn dos ejes: el horizontal es el eje real y el vertical el eje imaginario.
Por lo tanto los elementos
resistivos se representan en el eje
real y los reactivos en el
imaginario. La reactancia
inductiva siempre ser un vector
sobre el eje imaginario hacia
arriba y la capacitiva, hacia
abajo puesto que la primera
desfasa 90 y la segunda 90. La
resultante ser la impedancia que
ser la hipotenusa del llamado
tringulo de impedancias.
De forma similar puede
construirse un diagrama vectorial
con los vectores intensidad y
tensin en cada componente. En
los circuitos serie de c.a. suele ser
habitual dibujar el vector intensidad en el eje real y los dems con el correspondiente desfase respecto a
este, con ello resulta un diagrama similar al de impedancias. Por ltimo tambin se puede obtener el de
potencias, si se toma como origen de fases la intensidad, nuevamente resulta un diagrama similar.
La reactancia total ser la resultante de la reactancia capacitiva e inductiva y ser un vector que
siempre estar a 90 respecto al eje real. Ser a +90 cuando la reactancia inductiva sea mayor que la
capacitiva (el circuito se dice que es inductivo) y ser 90 cuando la reactancia inductiva sea menor.
3.2. Resonancia serie. Caractersticas del circuito resonante.
En el caso particular, que se produce a una determinada frecuencia, de que las reactancias
inductiva y capacitiva sean iguales, la reactancia total ser nula, por lo que el circuito es resistivo y se
denomina resonantes o sintonizado.
El circuito resonante tiene un desfase total igual a cero.
La tensin y la intensidad van en fase.
Hay condensador y bobina pero se contrarrestan sus efectos por lo que todo pasa como si solo
hubiera resistencia.
La impedancia total es mnima.
La intensidad es mxima.
3.3. Potencia en corriente alterna.
Potencia activa: P = V . I . cos.
Se mide en Watios.
Potencia reactiva: Q = V . I . sen. Se mide en Voltiamperios reactivos.
Potencia aparente: S = V . I .
Se mide en Voltiamperios.
Rectificadores.
-
De media onda: Est formado por un simple diodo que conduce y se bloquea de
forma alternativa en cada semiciclo de la seal. Con lo cual a la salida del mismo se
obtiene una seal pulsatoria de media onda.
- De onda completa: Puede realizarse con dos diodos (siendo preciso en este caso un
transformador con toma intermedia) con cuatro en puente. Al conducir
alternativamente la seal ser pulsatoria de onda completa de doble onda.
1.2.
Al colocar un condensador a la salida del rectificador, ste se carga rpidamente a travs del diodo
diodos que conducen, sin embargo se descarga lentamente a travs de la carga (que ser de un
valor muy superior al de la pequea resistencia equivalente a un diodo que conduce), con lo cual se
obtiene una seal tpica con un determinado rizado. ste es mayor cuanto mayor sea la intensidad
que circula, pero menor cuanto mayor sea la capacidad del condensador.
1.3.
1.4.
FORMA DE ONDA
ALTERNA
VALOR EFICAZ
Vp / 2
VALOR MEDIO
0
PULSATORIA MEDIA
ONDA
PULSATORIA ONDA
COMPLETA
Vp / 2
Vp /
Vp / 2
2Vp /
Estabilizador.
En las fuentes de alimentacin clsicas el elemento estabilizador era un diodo Zner puesto en
paralelo con la salida. Debido a las propiedades del Zner, aunque la salida demandara ms
menos corriente (siempre entre unos determinados lmites de corriente mnima y mxima) la
corriente restante era absorbida por el Zner sin que variara casi la tensin de salida de la
fuente. Para conseguir mejor regulacin se incluan varios transistores, bsicamente uno en serie
que absorba la cada de tensin sobrantes controlado por otro que actuaba de comparador. En
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
la actualidad se utiliza tan slo un regulador integrado cuyo circuito interno dispone de
transistores y Zner permitiendo una muy buena regulacin y un pequesimo rizado de salida.
4V .
= 1K.
4mA
El ancho de las pistas depender de la intensidad que vaya a circular por ella. Se tendr en
cuenta que 0,8 mm. puede soportar hasta 2Amperios y 2 mm unos 5 A.
No se dispondrn pistas entre los bordes de la placa y los puntos de soldadura de terminales de
entrada, salido o alimentacin, exceptuando la pista de masa.
4.- Trazado de pistas: por ordenador; forma manual. Normas de trazado. Tamao de pistas y
nodos.
Si se emplea el diseo por ordenador habr que seguir los pasos que correspondan a la
aplicacin elegida, ,por ejemplo Orcad. En caso de realizarlo de forma manual se tendr especial
cuidado con el tamao de las pistas, de los pads, con la distancia entre pads y todo ello realizarlo con
rotulador permanente negro con el fin de proteger perfectamente esas zonas. Habr que asegurarse de
que al trazar las pistas ha quedado suficientemente cubierto con el rotulador. Adems cuando se vaya a
colocar el acetato o el papel vegetal en la placa se realizar colocando la zona que ha sido dibujada en
contacto con la zona fotosensible y no al revs pues en tal caso saldr mal la placa.
El tamao de las pistas ir en funcin de la corriente que vaya a circular pero no es conveniente
realizar pistas por debajo de 0,4 mm. En cuanto a los pads conviene que sean al menos el doble de
anchos que la pista que llega al mismo., pero ya se ha dicho que esto estar en funcin del grosor de la
patilla a taladrar en el mismo.
5.- Taladrado de la placa. Herramientas necesarias: granete, taladrn, brocas.
El taladrado se puede hacer automticamente en una taladradora automtica, pues las
aplicaciones informticas de diseo de circuitos impresos generan un fichero de taladrado. Tendr que
tenerse cuidado a la hora de elegir el origen de coordenadas en el mismo. Si se va a taladrar a mano,
conviene primero granetear los nodos o pad para que la broca no resbale. Los taladrines empleados en
la forma manual se alimentan a 12 V. y suelen calentarse si se realizan muchos taladros, teniendo que
dejarlos enfriar de vez en cuando. Las patillas de las resistencias de 1/4W suelen tener unos 0,7 mm de
grosor por lo que habr que emplear broca de este grosor, as como para las patillas de los integrados.
Se puede emplear tambin broca de 1mm. Para los espadines y los potencimetros se emplear broca
de 1,25mm y para realizar los taladros en los extremos de la placa para los soportes, de 3mm.
6.- Eliminacin del cobre. Proteccin de las pistas.
6.1. Productos empleados. Fase de revelado en la tcnica fotosensible.
Para la eliminacin de la emulsin fotosensible se utiliza revelador lquido. Existen en el
mercado distintos tipos. Actualmente la mayora vienen en bolsitas, en forma de polvo. Este polvo se
echar en agua y se agitar hasta su perfecta disolucin. En general cada sobre viene preparado para un
litro de agua. Una vez revelada una placa el revelador puede volverse a utilizar varias veces ms a no
ser que est muy saturado.
En cuanto a la eliminacin del cobre ya se ha citado el cido o atacador rpido, pero tambin se
puede utilizar el cloruro frrico que es algo ms lento pero menos corrosivo.
7.- Soldadura de componentes. Comprobacin de pistas y soldaduras.
Para soldar los componentes, se utilizar un soldador de al menos 15W de punta fina. Se
emplear estao con alma de resina. Realmente es una aleacin de estao-plomo (60-40%). El plomo
desde julio de 2006, por Ley, no debe utilizarse, por lo que se ha de emplear estao con un 3% de plata.
El problema es que el coste de ste casi se duplica y adems necesita ms temperatura para fundir (al
menos 40C ms) con lo cual el soldador tendr que se de 25W al menos. Se colocar el estao sobre el
pad., la patilla y el estao y se calentar el tiempo imprescindible para que funda para no sobrecalentar
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
al componente. Una vez realizadas todas las soldaduras conviene comprobarlas con el polmetro
(comprobacin de continuidad), para ello antes se debe lijar ligeramente las pistas con estropajo de
aluminio para eliminar de las mismas la emulsin fotosensible que an no se ha ido del cobre.
Para finalizar y realizar un acabado ms profesional, se puede realizar la serigrafa de
componentes que consiste en marcar, por la cara de componentes el contorno de los mismos. Este
proceso no se suele realizar de forma manual por su dificultad, por ello no realizaremos este ltimo
paso.
Para realizar las conexiones a la alimentacin o a otros componentes como altavoces, etc., se
pueden colocar espadines que estn pensados para conectar en ellos los faston . Tambin pueden
conectarse conectores o clemas para circuito impreso.
Cada vez se realizan menos placas de circuito impreso por este procedimiento tradicional de
taladrado de la placa, actualmente la mayor parte de las placas son de montaje superficial (tecnologa
SMD o SMT), en la misma los componentes van soldados sobre la placa sin necesidad de realizar
taladros, si bien puede haberlos si se necesita la conexin con alguna de las capas intermedias (en el
caso de multicapa). Para este procedimiento es necesario emplear componentes cuyo patillaje y
encapsulado sea especfico para ello. El tamao de los componentes es mucho menor y por lo tanto
tambin lo son las patillas y la distancia entre las mismas, por lo que se necesita mucha precisin para
realizar este tipo de montaje, por ello casi exclusivamente se realiza mediante procedimientos
automatizados.
En zona activa el transistor funciona de modo que cuanto mayor sea la intensidad de Base, mayores
sern las intensidades de Colector y Emisor. Existir por tanto una proporcionalidad entre estas
intensidades que viene expresada por la ganancia de corriente en continua, conocida como = IC/IB (o
tambin hFE). Este valor no es constante y vara segn las condiciones de funcionamiento. Pero en
general se puede decir que es del orden de varios cientos cuando el transistor trabaja en zona activa. Si
la IB aumenta mucho, llega un momento en que el transistor no es capaz de seguir aumentando sus
intensidades de Colector y Emisor y se satura, por lo que en saturacin la se reduce a un valor muy
inferior (como orientacin se puede decir que menos de 100).
1.1. Aplicaciones: circuitos digitales; detector de luminosidad y sensor trmico.
Las aplicaciones del transistor en conmutacin son todas aquellas en las que se cumpla lo dicho
anteriormente. En el caso del circuito de la figura 1 el potencimetro determina el paso de corte
a saturacin. Si la resistencia del potencimetro es elevada la intensidad se va por la base
saturando al transistor pues se ha colocado una resistencia de tan solo 10K para que circule
suficiente corriente como para saturarlo, por lo tanto el LED lucir. Si es pequea, se va toda
por el potencimetro y el transistor se corta y el LED se apaga. Un sensor puede sustituir al
potencimetro ya que de forma automtica cambia de valor con una magnitud fsica como la
temperatura, la iluminacin, etc. Este es un circuito muy simple, pero con un pequeo
problema: slo pasar a corte cuando la resistencia del potencimetro o del sensor sea muy
pequea.
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
Los sensores ms empleados son, entre otros el de temperatura PTC (aumenta la resistencia con
la temperatura) y NTC (disminuye con la t. y el de luz: LDR (disminuye la resistencia con la
luz). El circuito por lo tanto indica mediante el LED si la temperatura, luz,... es baja o elevada.
2.- El transistor bipolar como amplificador.
En este caso el transistor deber permanecer en zona activa sin entrar en corte ni en saturacin.
Las aplicaciones sern tanto para radio, como audio como cualquier otra en la que se desee amplificar
una seal. Primero habr que polarizar adecuadamente al transistor, en continua para que est en activa
y despus inyectar la seal alterna que se desea amplificar. Para no modificar la polarizacin de
continua, la seal se introducir y sacar a travs de condensadores llamados de acoplo.
Debe tenerse siempre presente que la potencia que se va a proporcionar a la carga se saca de la
fuente de alimentacin de continua. Adems nunca se podr sobrepasar a la salida de un amplificador el
valor de la tensin de alimentacin. Cuando se requiere dar mucha potencia a la carga, se suelen
emplear circuitos convertidores cc/cc que sirven para poder alimentar a mayor tensin al amplificador.
Ejercicio: Calcular el valor mximo rms de potencia en una carga de 8 ohmios cuando Vcc es de 12V.
2.1. Amplificadores de pequea seal. Concepto.
Estos amplificadores sirven para amplificar pequeas seales que son las que provienen de un
micrfono, una antena, los cabezales magnticos de un cassette, etc., proporcionando seales
amplificadas pero sin sobrepasar aproximadamente medio watio. A partir de este valor de potencia, se
habla de amplificadores de potencia, en lugar de pequea seal.
2.1.1. Caractersticas: ganancias de tensin, intensidad y potencia.
Av= vsal/ vent. Se conoce como ganancia de tensin. Es adimensional o bien se puede expresar
en dB aplicando el log y multiplicando por 20.
Ai= isal/ient. Se conoce como ganancia de intensidad.
Ap=psal/pent = Av * Ap.
Para que un circuito se considere amplificador debe ganar potencia, es decir Ap mayor que 1.
2.1.2. Impedancias de entrada y salida.
Son dos valores importantes pues de ellos depende por ejemplo el mayor o menor valor de la
ganancia. El cociente entre la tensin de entrada y la intensidad de entrada es la impedancia de
entrada. El cociente entre la tensin de salida en circuito abierto y intensidad de salida en
cortocircuito es el valor de la impedancia de salida.
Cuando deseamos obtener forma de onda de la seal de entrada y no nos interesa demasiado
sacar de la entrada toda la potencia posible pues esta es demasiado pequea, entonces interesa
una impedancia de entrada muy elevada, hablaremos por tanto en este caso de un amplificador
de tensin. Cuando a la salida nos interesa entregar la mxima potencia posible, entonces nos
tendremos que igualar la impedancia de salida a la de la carga a conectar, hablaremos en este
caso de amplificador de potencia.
2.1.3. Respuesta en frecuencia.
la
uno
alta
4. Transistor Darlington :
Consiste en dos transistores en cascada. Sus ventajas son la alta impedancia de entrada que se
percibe en la base del primer transistor, este dispositivo de tres terminales conocido como
MDULO PROFESIONAL: ELECTRNICA ANALGICA
transistor darlington actua como un transistor de un factor de amplificacin muy alto y que
ahora hay dos transistores o sea dos caidas de voltaje de union base-colector.
Donde IB = IC1 = IE1 Este dispositivo de 3 terminales conocido como transistor Darlington actua
como un solo transistor con una ( factor de amplificacin muy alta )
Se puede utilizar el transistor Darlington en los amplificadores donde se necesite una ganancia
de tensin muy alta tal como en los amplificadores de sonido por ejemplo. El analisis de un
amplificador en el que se emplea un transistor Darlington(llamado amplificador Darlington) es
similar a los que llevan un solo transistor, excepto que ahora hay dos transistores.
Ventajas:
Alta impedancia de entrada que se percibe hacia la base del primer transistor.
Impedancia: Z = * RE .
La ganancia de corriente es mucho mas grande, esto debido a T = 1 * 2.
Funcionamiento en clase B: Conlleva a que la IC circule solo 180 del ciclo de la senal;
implica que el punto Q se aproxima al punto de corte de ambas rectas de carga ( la continua y la
de seal ) Este desarrolla primero un semiciclo y despues el otro semiciclo.
En este caso amplifica primero el semiciclo negativo ( PNP ) despus el positivo ( NPN ) Como
los transistores Darlington clase B generan grandes cantidades de calor el dispositivo debe tener
un tamao optimo para su funcin o estar acompaado de un disipador.
Ventajas : Menos consumo de corriente y mayor rendimiento.
Si el dispositivo a activar funciona en continua a una tensin prxima a 12V y con una corriente
no muy elevada, ste se podr activar directamente sin necesidad de rel. Por ejemplo una pequea
bombilla de continua se podr colocar en lugar del rel o un led con una resistencia en serie, o un
pequeo ventilador. Si bien en este caso, si la corriente que absorbe es excesiva, conviene cambiar el
segundo transistor por otro de potencia que aguante la corriente necesaria para el ventilador.
Si se precisa activar un dispositivo que funcione en alterna; un ventilador, un sistema de aire
acondicionado, lmparas de corriente alterna, sistema de calefaccin, etc., se dejar el rel, as el
dispositivo a activar y el circuito de control que es el disparador estarn aislados elctricamente.
en
un
este
En caso de que el dispositivo a activar tenga mayor consumo, se puede colocar la base de un
transistor de potencia a la salida, a travs de una resistencia, colocando el dispositivo entre la
alimentacin y el colector del transistor. Adems si el dispositivo es inductivo, se colocar con el
mismo un diodo en antiparalelo (diodo volante).
T 1 0,7 (R1 + R 2 ) C
Y en estado bajo:
T 2 0,7 R 2 C
Tambin puede ajustarse el ciclo de trabajo con un potencimetro, por ejemplo en aplicaciones
como la de regulacin de velocidad de un motor de corriente continua.
4. Amplificador inversor.
Para empezar con las aplicaciones del operacional veremos en primer lugar el amplificador
inversor. En primer lugar debe recordarse que todas estas aplicaciones son para pequea seal no
para potencia, pues el operacional no es capaz de dar mas all de 20, 30 o 40 mA a la salida, por
lo que realmente se emplea para etapas previas o preamplificadores, siendo necesaria intercalar
una etapa de potencia en caso de desear por ejemplo una salida de audio al altavoz. Tambin se
debe tener en cuenta que en todas las aplicaciones en las que no se desee saturar al operacional,
como las de amplificacin la realimentacin del mismo se realizar a travs de la patilla
inversora (realimentacin negativa).
Pues bien, el amplificador inversor no tiene ms
que una resistencia de realimentacin entre la
salida y la patilla inversora y la seal se
introducir a travs de otra resistencia por esta
misma patilla.
En estas condiciones, al tener una impedancia de
entrada muy grande, la corriente que viene del
generador no entrar en el operacional sino que se
ir por la resistencia de realimentacin. Adems
precisamente por este motivo, la diferencia de
potencial entre ambas patillas de entrada
(inversora y no inversora) es prxima a cero, con
lo que al estar la patilla no inversora a masa, la
patilla inversora estar virtualmente a masa. Con
todo ello podemos decir que Ve = Ie.R2 y que Vs
= - Ie.R1. Dividiendo estas expresiones tendremos: Av = Vs/ve = - R1/R2.
Esta frmula nos dice que la ganancia de este montaje depende de las resistencias R1 y R2, con
lo cual eligindolas adecuadamente tendremos la ganancia deseada. Por ejemplo para conseguir
ganancia 10 bastar con colocar R1 diez veces mayor que R2.
Sin embargo habr que tener en cuenta que existen varias restricciones a esta frmula:
1.- La saturacin del operacional. Si el montaje tiene por ejemplo ganancia 10, si la tensin de
entrada es de 5Vpp la salida debera ser de 50Vpp pero el operacional, suponindolo alimentado
a 12V se satura aproximadamente a 11 y 11V con lo cual la seal saldr recortada no
pudiendo alcanzar dicha ganancia.
2.- La frecuencia. Si la entrada tiene una frecuencia tal que la ganancia no puede llegar a lo que
calculamos con la frmula, entonces la ganancia la impone el propio operacional (y la podemos
averiguar con la frmula vista anteriormente o con la grfica). Por ejemplo para una frecuencia
prxima a 100KHz ya no se pude conseguir ganancia 10 con el 741 y si necesitamos llegar a
ella, la solucin consiste en colocar varias etapas iguales en cascada por ejemplo con ganancia 2
y 5 (la ganancia total es el producto de las ganancias de cada una de las etapas que coloquemos
en cascada) o bien elegir un operacional que tenga mayor ancho de banda.
3.- Los valores de las resistencias. R1 y R2 tendrn que tener unos valores que no sean
excesivamente pequeos ni excesivamente grandes pues en el primer caso consumiran mucha
corriente y en el segundo caso podran ser del mismo orden que la resistencia interna del
operacional y en tal caso no podramos hacer la suposicin de que casi no entra corriente por los
pines de entrada del operacional.
conductor, sin resistencia alguna. Ahora la seal de entrada y la de salida son prcticamente
iguales, con lo cual la ganancia de este montaje es igual a 1, pero la impedancia de entrada es
elevada coincidente con la del operacional y la de salida baja, coincidente tambin con la del
operacional.
7. Sumador inversor.
Si tenemos varias seales y deseamos que la salida sea igual a la suma de ellas o bien que la
salida sea la mezcla de ellas, realizaremos un sumador, Para ello lo nico que tendremos que
hacer es modificar levemente el amplificador
inversor, introduciendo cada seal a travs de
una resistencia y llevarlas a la patilla
inversora.
Si deseamos que todas las entradas tengan la
misma ganancia, se introducirn a travs de
resistencias de igual valor. En caso de que
necesitemos dar diferente ganancia a cada
entrada, pondremos resistencias diferentes de
forma que la entrada que tenga menor valor
de resistencia, tendr mayor ganancia y
viceversa. As pues, si analizamos el circuito
la frmula de la tensin de salida ser:
Av = R4. ( v1/R1 + v2/R2 + v3/R3 + ...).
Vemos que realmente se trata de un sumador inversor ponderado. Ya se ha dicho que si no se
desean ponderar las entradas, sino que tenga el mismo peso sobre la salida, se debern colocar
todas las resistencias iguales.
Esta frmula lgicamente se puede emplear tanto en continua como en alterna. Las restricciones
a ella son las mismas que en los casos anteriores.
La impedancia de entrada de cada seal ser igual a la resistencia a travs de la que se introduce
y la impedancia de salida, la del operacional.
Mediante entradas de continua, podemos obtener tensiones de salida proporcionales a la suma de
las tensiones de entrada.
Mediante entradas de alterna, podemos obtener un mezclador de tensiones, por ejemplo la tpica
mesa de mezclas de audio, en la cual mediante potencimetros colocados a las entradas, en lugar
de resistencias, podemos hacer que la salida al altavoz sea bien la seal 1, la dos,... o bien una
mezcla de ellas.
8. Sumador no inversor.
Ahora las seales se introducen a travs de la patilla no inversora bien directamente o a travs de
un divisor de tensin. Recordemos que en este montaje las ganancias de cada una de las entradas
son diferentes que en el montaje inversor y la impedancia de entrada. En cuanto a las
restricciones, son las mismas, as como los dems aspectos estudiados anteriormente.
9. Restador.
Para realizar un restador, es decir un circuito que proporcione una seal de salida igual a la resta
de las entradas, tendremos que introducir
las entradas a travs de ambas patillas: la
inversora y la no inversora. A la salida
tendremos una seal proporcional a la
resta de ambas de forma ponderada si as
lo deseamos colocando en las entradas
diferentes resistencias o no ponderada,
colocndolas iguales. As mismo habr
que tener en cuenta que la ganancia
respecto a la entrada inversora es diferente
que respecto a la entrada no inversora,
como se vi en los respectivos
amplificadores (puntos 4 y 5 de este tema).
Si se desea que ambas ganancias coincidan
habr que poner un divisor de tensin en la
entrada no inversora con las dos
resistencias del mismo valor.
vsal (inicial )
(tfinal tinicial )
RC
que hace realmente en amplificar la diferencia entre ambas seales de entrada por un valor muy
elevado, precisamente el valor de la ganancia diferencial, con lo cual podemos decir que lo que
hace es comparar ambas entradas.
Si es mayor la entrada no inversora, la salida estar saturada a positivo. Si es mayor la entrada
inversora, la salida estar saturada a negativo.
Los comparadores estn siempre saturados, se emplean para que trabajen as, pues la ms
mnima diferencia entre las entradas, se multiplica por una ganancia tan elevada, que se saturan.
a. Comparador regenerativo: bscula de Schmitt.
14. Osciladores.
Para hacer osciladores con operacionales, se toman como base los esquemas realizados con
transistores, sustituyendo stos por los operacionales. Pueden por tanto realizarse con circuito
tanque o con cristal de cuarzo. Como ejemplo, en la figura se muestran algunos tipos que no se
vieron en el tema de transistores.
15. Filtros activos.
Con operacionales se pueden realizar montajes de filtros activos es decir filtros en los que
adems de filtrar determinadas frecuencias, podemos realzar o amplificar otras. Esto ltimo no
se puede realizar con los filtros pasivos.
Varios son los parmetros importantes para disear un filtro:
- La ganancia en la banda pasante.
- La atenuacin del filtro o el orden del mismo.
- La frecuencia o frecuencias de corte.
La ganancia en la banda pasante es aquella que necesitamos dar a las frecuencias que no van a
ser atenuadas.
Cuando empieza la atenuacin a partir de una determinada frecuencia, es necesario precisar la
selectividad del filtro es decir si queremos que atene ms o menos a medida que nos alejamos
de la frecuencia de corte.
Un filtro de orden 1 es aquel que atena a razn de 20dB por cada dcada o bien 6dB por cada
octava.
En general un filtro de orden N atena 20.N dB por cada dcada o 6. N dB por octava.
A mayor orden, mayor selectividad del filtro.
En general para conseguir orden N se necesitan N clulas R-CJusto a la frecuencia de corte, la ganancia cae 3 dB respecto a la de la banda pasante, dicho de
otra manera la ganancia se divide entre raz de dos.
Los tipos de filtro existentes son:
S.C.R.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o rectificador controlado de Silicio) conocido tambin
como tiristor es un dispositivo de tres terminales cuyo funcionamiento es similar al del diodo de cuatro
capas, con la diferencia de que dispone de un terminal de control llamado puerta (G = Gate) que
permite realizar el disparo del componente para un valor pequeo de la tensin nodo-ctodo, sin ms
que introducir una corriente por el terminal de puerta. Cuanto mayor sea esta corriente, menor ser la
tensin necesaria entre nodo y ctodo para dispararlo. En cualquier caso esta tensin tendr que estar
por encima de aproximadamente 1,2V y la corriente de puerta ser un valor pequeo (basta con algunos
microAmperios o a lo sumo miliAmperios). Con este pequeo valor que adems bastar con aplicarlo
durante unos milisegundos, se conseguir que el dispositivo permita la conduccin de grandes
corrientes (de hasta varios cientos de Amperios). Todo lo dicho es vlido cuando el SCR est
polarizado directamente (tensin entre nodo y ctodo positiva). Una vez disparado el tiristor su tensin
Vak estar entorno a 1V., independientemente de la corriente que circule por l (siempre que sea mayor
que
En cuanto al modo de funcionamiento en sentido inverso, ste coincide con el del diodo
rectificador, es decir no conduce cuando la tensin entre nodo y ctodo es negativa.
Un tiristor puede dispararse tambin, aunque no se introduzca corriente de puerta, pero para ello
sera necesaria una tensin entre nodo y ctodo muy elevada (de varios centenares de Voltios, depende
de cada tiristor) o tambin existe la posibilidad de que se dispare con tensin algo inferior a ella
siempre y cuando la rapidez con la que aumenta la tensin sea muy grande ( que se eleve varias
decenas de Voltios en tan slo un microsegundo).
En la curva caracterstica se aprecia el modo de funcionamiento normal del SCR (no se refleja
el posible disparo por aumento rpido de tensin) en la que se puede apreciar que la tensin necesaria
entre nodo y ctodo para conseguir el disparo es inferior cuanto mayor sea la intensidad de puerta. El
SCR se bloquea bien cuando la intensidad de la corriente que circula entre nodo y ctodo disminuye
por debajo del valor de mantenimiento, o bien cuando se polariza inversamente.
Se emplea como dispositivo de potencia para aplicaciones de rectificacin o paso de alterna a
continua, por ejemplo si se desea realizar un control de potencia de un motor de continua a partir de
corriente alterna.
2.2.1. S.C.S.
El interruptor controlado de Silicio (Silicon Controlled Switch) dispone de cuatro terminales, el
nodo el ctodo y dos terminales de puerta: la puerta del nodo y la puerta del catdo. La puerta del
nodo es de tipo N y la del ctodo es de tipo P (el dispositivo tiene cuatro capas). Si se polariza
directamente cualquiera de las dos puertas, entonces el dispositivo se dispara. Si se polariza
inversamente cualquiera de las dos puertas, entonces el dispositivo se bloquea. Por lo tanto la diferencia
con el anterior est en la posibilidad de bloqueo por puerta. El problema es que estos dispositivos no se
ha conseguido que manejen grandes corrientes por lo que slo pueden emplearse en aplicaciones de
baja potencia.
2.2.2. Fototiristor.
Es un SCR activado por luz. Cuando la luz es la suficientemente intensa, se produce la
conduccin del tiristor, ste permanece en conduccin aunque desaparezca la luz
TRIAC.
El TRIAC (triodo de alterna = triode altern current) es un componente
de tres terminales y derivado del tiristor, que puede considerarse elctricamente
como dos tiristores en antiparalelo. As pues la curva caracterstica de este
dispositivo es idntica a la del SCR en sentido directo y en sentido inverso sera
simtrica respecto al origen) La diferencia entre ellos est en que ahora el triac
puede conducir en ambos sentidos por lo que adems sus terminales no se
llaman nodo y ctodo sino T1 y T2. Por otro lado tambin permite el disparo
del dispositivo con corriente entrante por puerta y con corriente saliente (puerta
polarizada directamente o inversamente respecto al T1). En este dispositivo
tambin se produce una disminucin de la tensin entre sus terminales cuando
se produce la conduccin pero aproximadamente a 1,5V. El dispositivo se
bloquea cuando la corriente disminuya por debajo de la de mantenimiento o
bien al cambiar la polaridad entre T1 y T2. Es importante tener en cuenta que para el disparo se debe
realizar la polarizacin de la puerta respecto de T1 y no respecto de T2. Las aplicaciones de este
componente de potencia se producen en control de potencia de cargas de alterna como lmparas,
calefactores, motores, ...
circuito de excitacin de base consume ms energa que el de los tiristores Su principal ventaja es la
baja caida de tensin entre colector y emisor en saturacin lo que reduce las prdidas en conduccin.
MOSFET de potencia: Las ventajas ms importante de este son: la alta impedancia de entrada, la gran
velocidad de conmutacin y la buena estabilidad trmica. Su principal inconveniente es su alta
resistencia entre drenador y fuente en conduccin lo que se traduce en elevadas prdidas. El control de
este dispositivo se realiza por tensin.
Para disparar a los componentes de potencia es necesario realizar circuitos que generen
impulsos capaces de activar el terminal de disparo de los mismos, para ello debern tener el valor de
tensin o corriente adecuado as como mantenerse el intervalo de tiempo suficiente. Es conveniente que
entre el circuito de potencia y el de control exista algn tipo de aislamiento, no obstante existe la
posibilidad de realizarlo sin el citado aislamiento. Algunos ejemplos de este tipo son:
Oscilador de relajacin con UJT.
Se realiza con el circuito de la figura en el que puede apreciarse que el condensador se
comenzar a cargar hacia Vcc, pero cuando alcance la tensin de pico del UJT provocar el
disparo de ste. A continuacin el condensador se descargar a travs de la resistencia que hay
conectada a la base1 del uniunin y adems la corriente circular entre b2 y b1 generndose por
tanto un pulso de tensin en extremos de dicha resistencia el cual puede ser aplicado a la puerta
de un dispositivo de potencia con el fin de dispararlo. Cuando la tensin en el condensador
disminuye por debajo de la tensin de valle del UJT, ste pasa al estado de alta impedancia ,
existiendo una tensin muy pequea ahora en la citada resistencia, comenzando de nuevo el
ciclo.
Optoacopladores.
Son muy utilizados actualmente por su bajo precio. Proporcionan aislamiento elctrico (el
acoplo es ptico). Existe una gran variedad de optoacopladores pero la mayora lleva a la
entrada un diodo emisor de luz (infrarroja o no) y un componente sensible a la luz emitida por el
diodo. Dicho componente puede ser otro diodo, un transistor, un Darlington, un tiristor, un
diac,... (ejemplos: 4N25, 4N26, MOC 3011, MOC 3041...). Se escoger el ms adecuado
dependiendo de la aplicacin concreta que se desee realizar, pero el modo de funcionamiento
ser prcticamente el mismo: se encender el diodo mediante la polarizacin directa del mismo
y la luz emitida por ste har que conduzca el receptor, con lo cual su cada de tensin ser
pequea y la corriente que pasar por el mismo ser de un valor apreciable. La frecuencia de
conmutacin puede llegar a ser incluso del orden de los MHz. Suelen estar encapsulados en
formato DIL de 4 o 6 pines.
TIPOS
Existen varios tipos de optoacopladores cuya diferencia entre s depende de los dispositivos de salida que se
inserten en el componente. Segn esto tenemos los siguientes tipos:
Fototransistor: o lineal, conmuta una variacin de corriente de entrada en una variacin de tensin de salida.
Se utiliza en acoplamientos de lneas telefnicas, perifricos, audio...
Optotiristor: Diseado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una seal lgica y la red.
Optotriac: Al igual que el optotiristor, se utiliza para aislar una circuiteria de baja tensin a la red.
En general pueden sustituir a rels ya que tienen una velocidad de conmutacin mayor, as como, la ausencia
de rebotes.
Smbolo de un optotransistor en
configuracin Darlington
Smbolo Optotriac
Smbolo de un optotransistor de
encapsulado ranurado
ENCAPSULADOS
El encapsulado vara en funcin del tipo de optoacoplador y de su aplicacin, as como del nmero de unidades
que se encuentren en su interior. En el caso de optoacopladores sencillos la cpsula, de tipo DIL, suele tener 6
patillas, siendo estos los ms utilizados (observa en la figura su construccin interna). Los dobles, tambin de
tipo DIL tienen 8 pines; algunos pueden tener hasta cuatro unidades en cpsulas DIL de 16 patillas.
Normalmente, los pines del elemento emisor estn a un lado de la cpsula y los del sensor en el lado opuesto.
Existen unos encapsulados diferentes en los que, fsicamente se puede interrumpir el haz luminoso (usados
para control de posicin, n de revoluciones, cerraduras...). De esta forma el encapsulado presenta una ranura
entre el emisor y el receptor. Se les denomina de cpsula ranurada o fotoclulas de herradura.
siendo delta la relacin entre el tiempo de conduccin y el periodo (= ton/T). Con lo cual la
tensin de salida slo puede ser inferior a la de entrada. (Ventrada = Ve = Vi)
Convertidor indirecto.
En este circuito, cuando el transistor conduce (ton), el diodo D impide el paso de la
corriente, hacindolo a travs de L, almacenando as la energa. Esta energa se libera
cuando el transistor se bloquea y se polariza el diodo directamente, debido a la fuerza
contraelectromotriz inducida. El condensador C hace mantener constante la tensin
entregada a la carga con la polaridad indicada. Se cumplir por tanto:
Vi ton = Vo toff
Despejando:
ton
Vo = Vsal = Vi (
)
toff
Se ve como se puede conseguir ahora ms o menos tensin a la salida sin ms que controlar
los tiempos de bloqueo y conduccin del transistor, con el adecuado circuito de control.
Convertidor simtrico.
En este tipo de convertidor se utilizan dos interruptores (transistores por ej.) funcionando
alternativamente. En el primario del transformador se combinan las corrientes procedentes
de estos interruptores, y en el secundario se obtienen las corrientes resultantes que, a travs
de los diodos D1 y D2 se llevan a la autoinduccin , provocando el efecto estudiado en el
tipo de convertidor directo, con lo cual:
Vo = 2 Vi K
siendo K la relacin de transformacin.
Puente trifsico.
Ahora se colocan tres ramas con dos semiconductores de potencia cada una, o sea un total de
6 dispositivos de potencia controlados adecuadamente (conviene que sea control PWM) para
conseguir que la seal de salida tambin sea PWM, es decir de envolvente alterna senoidal.
NDICE
TEMA 1. MAGNITUDES ELCTRICAS FUNDAMENTALES......................................................... 2
TEMA 2.- COMPONENTES ELECTRNICOS ................................................................................. 6
TEMA 3: CIRCUITOS RESISTIVOS DE CORRIENTE CONTINUA. ............................................. 20
TEMA 4: CORRIENTE ALTERNA ................................................................................................. 25
TEMA 6: FUENTES DE ALIMENTACIN LINEALES. ................................................................. 29
TEMA 7.- CIRCUITOS IMPRESOS ................................................................................................. 35
TEMA 8.- CIRCUITOS CON TRANSISTORES. .............................................................................. 38
TEMA 8B.- EL DISPARADOR DE SCHMITT................................................................................. 45
TEMA 9 : CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS .................................................................. 47
TEMA 10.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES..................................................................... 51
TEMA 11: ELECTRNICA DE POTENCIA .................................................................................... 63