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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

Escuela de Ciencias Bsicas Tecnologa e Ingeniera


Electrnica Bsica - 203039

HOJA DE RUTA
CURSO ELECTRONICA DE POTENCIA
203039
Entorno AVA: Aprendizaje Practico.

Temticas revisadas: Unidad I, II y III.


Aspectos generales: El curso electrnica de potencia es de tipo metodolgico lo
que significa que es terico - prctico el desarrollo del componente prctico del
curso se puede desarrollar usando simuladores de circuitos electrnicos, es
opcional realizar montajes fsicos para el desarrollo de los experimentos dados en
esta hoja de ruta.
La dinmica es la siguiente:
1. El estudiante debe inscribirse para realizar las prcticas a travs del aplicativo
de oferta integrada de laboratorios en campus virtual.
2. El producto esperado es la asistencia, participacin y un informe final en
formato IEEE que el estudiante debe entregar a su tutor de prcticas antes del
15 de Noviembre de 2016.
3. El tutor de prcticas de laboratorio asignado en el centro orientara y evaluara el
desempeo del estudiante. El tutor deber reportar la calificacin final en el
aplicativo de oferta integrada de laboratorios antes del 30 de Noviembre de
2016.
4. Los estudiantes que se les haga imposible asistir a las prcticas (in-sito
presencial) deben informar al director del curso con soportes de justa causa
la razn por la cual no podrn asistir, para que este le autorice la realizacin de
la prctica de manera autodirigida. En este caso el estudiante no debe
inscribirse en el aplicativo de la oferta integrada. El plazo para informar lo
anterior es de 10 das luego de iniciado el periodo acadmico.
5. Para el desarrollo de los experimentos en in-sito si decide realizarlos en fsico
el estudiante debe llevar a la prctica:

Todos los componentes electrnicos de cada circuito.


Protoboard.
Cables de conexin.
Pinza y corta frio.

Docente Diseador: Jairo Luis Gutirrez Torres


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6. Los equipos que el tutor debe solicitar en el centro para el desarrollo de esta
gua de laboratorio se listan a continuacin:

Multmetro.
Osciloscopio (incluir puntas de prueba).
Fuente de poder regulada variable. (incluir cables)
Generador de seal. (incluir cables)

Peso evaluativo:
150 puntos

Propiedad moral:
La edicin de las guas del curso Electrnica de potencia, diseado por el Ingeniero Jairo Luis Gutirrez Torres, del programa Ingeniera
Electrnica estuvo a cargo de la ECBTI de la Universidad Nacional Abierta y a Distancia (UNAD).
Derechos reservados:
2014, Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD
Vicerrectora de Medios y Mediaciones Pedaggicas, Bogot D.C.
Telfono: 3443700 Sede Nacional: Calle 14 Sur No. 14 23.

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PRACTICA No.1 CARACTERSTICAS DEL SCR

Figura No.1
Procedimiento:
1. Realice el montaje del circuito de la figura.
2. Lleve a R1 y R2 al valor medio y V1 y V2 al valor mnimo.
3. Lleve la IG = IG1 (Tal que el voltaje de ruptura en directa este entre 15 y 20V
variando R2 y V2).
4. Lentamente vari el valor de V1 en aumentos de 2 voltios note como cae el
valor de VAK e IAK hasta que el SCR conduzca.
5. Asegrese que el SCR est en estado de conduccin.
6. Inicie reduciendo el voltaje VAK en decrementos de 2 voltios, revise el estado
del SCR al estar apagada la fuente V2.
7. Desconecte temporneamente el pin puerta (GATE) y poco a poco reducir la
tensin de alimentacin hasta que la corriente del SCR repentinamente cae a
cero. Tenga en cuenta el valor de la corriente anterior a cero este es el valor
de la corriente de mantenimiento IH.
Pregunta: Qu crees que va a pasar en el circuito de la figura 1 si se dispara el
SCR, y luego se reduce la corriente de puerta a cero de nuevo?
Pregunta: Qu observas ahora que repentinamente usted aumenta y reduce la
corriente de puerta?

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PRACTICA No.2: CARACTERSTICAS DEL MOSFET

Figura No.2
Procedimiento:
Caractersticas de transferencia
1. Realice el montaje del circuito de la figura.
2. Ajuste VGS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a del valor

total.

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3. Cambie el valor de VGS variando el valor de V2. (mantenga R2 en el valor

mnimo) y observe como cae el valor de IDS cada 0.5V de variacin del voltaje
VGS, llevando VGS a 5V.
4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores de VDS2 = 15V.
Llenar las tablas.

V1=VDS1 = 10V
VGS V

V1=VDS2 = 15V o 12V

IDS (mA)

VGS V

IDS (mA)

0V

8V (max)

Caractersticas de drenaje:
5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH.
6. Variar VDS cambiando el valor de V1 en variaciones de 0.5V y anote el valor de
IDS. (hasta que IDS sea constante)
7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2 = VTH 0.1V.
Llenar la tabla.

VGS =VGS1=VTH
VDS V

VGS =VGS2=VTH 0.1V

IDS (mA)

VDS V

0V

0V

8V (max)

8V (max)

IDS (mA)

Pregunta: Por qu los MOSFET no son implementados en aplicaciones de


elevadas potencias?
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PRACTICA No.3: CARACTERSTICAS V-I DEL IGBT

Figura No.3
Procedimiento:
Caractersticas de transferencia
1.
2.
3.
4.

Realice el montaje del circuito de la figura.


Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mnimo.
Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
Lentamente vari V2 (VGE) y anote VGE e IC en cada 0.5V de cambio tenga en
cuenta que el VGE mximo debe ser 8 voltios.
5. El mnimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT
conduzca es llamado VTH.
6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y dibuje la grfica de
VGE vs IC..
Caractersticas de Colector
1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE1 sea 5V mayor o igual al
VTH.
2. Lentamente varie V1 y anote los valores de V GE e IC para ujn particular voltaje
de compuerta (VG) existe un valor de voltaje de estrangulamiento VP entre
colector y emisor.
3. Si VCE es menor que Vp el dispositivo trabaja en la regin de ganancia
constante e IC es directamente proporcional a VCE.
4. Si VCE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo y esta
regin es llamada regin de corriente constante.
5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de V GE y anote los valores
de IC vs VCE.
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PRACTICA No.4: CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA


Cuando se pretende desarrollar un control del ngulo de encendido del SCR
partiendo de la misma tensin que alimenta a la carga, es preciso recurrir a
circuitos capaces de retardar la seal de disparo durante un intervalo regulable
mientras transcurre todo el semiciclo de conduccin del dispositivo.
La configuracin ms sencilla para conseguirlo se puede materializar utilizando
una red desfasadora serie R-C, a cuyos extremos se aplica una fraccin de la
tensin que ha de estar presente en la carga. La propia naturaleza de la red R-C
introduce un desfase variable entre 0 y 90 respecto de la tensin aplicada,
pudindose conseguir con una adecuada relacin de valores resistenciacapacidad un control pleno de la corriente por la carga entre los 0 y prcticamente
los 180.

Figura No.5 Circuito rectificador controlado de media onda.


En el circuito de la figura 2 la red desfasadora est formada por R1 + P1 y C, que
tiene aplicada la tensin presente entre nodo y ctodo del SCR. La seal de
control, variable en fase y amplitud por la accin de P1 se extrae en extremos de
C y se aplica entre puerta y ctodo a travs de la resistencia limitadora R2 y el
diodo D1 que previene la descarga de C durante los semiciclos negativos.
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En el anlisis del funcionamiento del control debe tenerse presente que cuando el
valor de la reactancia que presenta C es mucho mayor que el de la resistencia
serie asociada con ste R1 + P1 (P1 al mnimo), el circuito se comporta como
capacitivo, la tensin que se extrae del condensador es mxima y se puede
considerar en fase con la tensin aplicada; la conduccin del SCR se produce casi
al inicio de cada semiperiodo positivo.
4.1. Montar en el simulador el circuito de la Figura 2. (Anexe imagen del circuito al
informe).
4.2. Realizar la simulacin anexe la grfica que muestre al menos 4 ciclos de la
tensin entrada V1 y la de la tensin en la carga RL Que ha notado?
4.3. Observar la tensin de salida para diferentes valores del potencimetro P1.
Qu sucede cuando la resistencia disminuye?
4.4. Para qu valor de P1 la potencia entregada a la carga es la mitad de la
potencia mxima?
4.5 Calcule los ngulos de disparo y conduccin para al menos 6 valores distintos
de P1 Registrar los valores en una tabla. Utilizar como referencia la Figura 3 y
emplear las siguientes ecuaciones.

Figura No.6
ngulo de conduccin t2 = 180 - ngulo de disparo t1

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RUBRICA ANALTICA
PARA PRCTICAS DE LABORATORIO
tem evaluado

Valoracin baja

Valoracin media

Valoracin alta

Puntaje

El estudiante no asisti
o no participo en las
prcticas de laboratorio.
(Puntos= 0)

El estudiante asisti a
las prcticas pero no
particip activamente en
el desarrollo de los
ejercicios que
contribuyan a la solucin
plateada.
(Puntos= 12)

El estudiante asiste y
participa de manera activa
en el desarrollo de la
prctica de laboratorio.
(Puntos= 25)

25

El estudiante no
desarrollo los
experimentos
planteados.
(Puntos= 0)

El estudiante desarrolla
de manera errnea los
experimentos
planteados
(Puntos= 37)

El estudiante desarrolla de
manera correcta los
experimentos planteados
(Puntos=75)

75

Informe de la prctica.

El estudiante no
presenta informe final
de las prcticas de
laboratorio a su tutor de
centro,
(Puntos= 0)

El estudiante presenta
informe de laboratorio,
pero no incluye todos
los experimentos
solicitados
(Puntos= 10)

El estudiante presenta
informe de laboratorio, con
todos los experimentos
solicitados
(Puntos= 20)

40

Estructura del informe

El estudiante no tuvo
en cuenta las normas
bsicas para la
realizacin de informes
(Puntos=0)

Referencias

Se maneja de manera
inadecuada el uso de
citas y referencias.
(Puntos = 0)

Asistencia y
participacin
en la prctica

Desempeo individual del


estudiante en la prctica.

Aunque el documento
presenta una
estructura base la
misma carece de
algunos elementos del
cuerpo.
(Puntos=2)
Aunque presenta
referencias, estas no
se articulan
adecuadamente con el
trabajo.
(Puntos = 2)

Total de puntos posibles

XITOS EN SU FORMACIN

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El documento presenta
excelente estructura
(Puntos=5)

El manejo de citas y
referencias es
satisfactorio.
(Puntos = 5)

150

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