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Carlos Ortega

Dr. Luis Villamagua

7 de December de y

Barrera de drenaje inducida por la reduccin


(DIBL)
QUE ES?
Es un efecto a corto canal en MOSFETs que hace referencia
inicialmente a una reduccin de la tensin de umbral del transistor
con tensiones de drenaje superiores [1].
Adems que se da debido a una penetracin del campo significativo
desde el drenaje a la fuente. Debido a la longitud del canal (L) se
reduce y el voltaje a travs de drenaje para se aumenta fuente
(VDS), la regin de agotamiento de drenaje se mueve ms cerca de
la fuente de agotamiento, lo que resulta en el campo penetracin.
Debido a esta penetracin del campo, la barrera de potencial en la
fuente se reduce, dando lugar a aumento de la inyeccin de
electrones por la fuente sobre la barrera reducida del canal, dando
lugar a desplazado tensin de umbral [2].
PARA QUE SIRVE ?
Si se aumenta la tensin de drenaje, la barrera de potencial en el
canal disminuye, dando lugar a la barrera de drenaje inducida por la
reduccin (DIBL).
La reduccin de la barrera de potencial, finalmente, permite el flujo
de electrones entre la fuente y el drenaje, incluso si el voltaje de
puerta a fuente es menor que la tensin de umbral [3].
COMO SE PUEDE CALCULAR Y UNIDADES?
En el rgimen de inversin dbil hay una barrera de potencial entre la
fuente y la regin de canal. La altura de esta barrera es el resultado
del equilibrio entre la deriva y la corriente de difusin entre estas dos
regiones. Si se aplica un voltaje de alto consumo, la altura de la

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barrera puede disminuir, como se indica en la Fig. 2.6 , que conduce


a un aumento de la corriente de drenaje. As, la corriente de drenaje

es controlado no slo por la tensin de puerta, sino tambin por la


tensin de drenaje. Para fines de modelado de dispositivos este
efecto parsito se puede explicar por una reduccin de tensin de
umbral en funcin de la tensin de drenaje [4].

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El efecto DIBL se hace evidente cuando se observa en las curvas de


transferencia de un transistor MOS para los casos lineales y saturados
(Fig.

2.7 ). Si no haba DIBL, las dos curvas se coinciden en el

rgimen de subumbral. El efecto DIBL se puede medir por el


desplazamiento lateral de las curvas de transferencia en el rgimen
de subumbral por la diferencia de tensin de drenaje de las dos
curvas.
El DIBL se lo puede calcular con la siguiente
formula:

donde, VDD es el voltaje umbral de medida a una tensin de


alimentacin (la alta tensin de drenaje), Vlow es el voltaje umbral de
medida a una tensin muy baja de drenaje, por lo general 0,05 V o
0,1 V. VDD es la tensin de alimentacin (el alto voltaje de drenaje) y
VD es la tensin de drenaje de baja por una parte lineal de las
caractersticas del dispositivo IV.
El signo menos en la parte delantera de la frmula asegura un valor
positivo DIBL. Esto se debe a la tensin de umbral de alto consumo
VDD es menor que la tensin de umbral bajo de desage Vlow [1].

Las unidades del DIBL son el mili Voltio/Voltio(1)(4).

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Bibliografa
[1]
[2]
[3]
[4]

Drain induced barrier lowering. [Online]. Available:


https://en.wikipedia.org/wiki/Drain-induced_barrier_lowering.
J. T. Qu, H. M. Zhang, X. B. Xu, and S. S. Qin, Study of Drain Induced Barrier
Lowering(DIBL) effect for strained Si nMOSFET, in Procedia Engineering, 2011,
vol. 16, pp. 298305.
F. D agostino and D. Quercia, Short-Channel Effects in MOSFETs.
Michael Stockinger, 2.3 Drain-Induced Barrier Lowering. [Online]. Available:
http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/stockinger/node15.html.

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