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Electrnica II

ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO


FACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA
ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN CONTROL Y REDES

MESFET
Soledad Armijos, 432. soledadarmijosantana@gmail.com
Abstract- Will study about the devices MESFETs
cell structure, the analysis for their equations, their
characteristic curves and the most important
characteristics for proper operation. therefore I
finished ivestigacion have the ability to understand
the operation of these devices.
PALABRAS
mesfet.

CLAVE:

dispositivos

vaciamiento aumenta con el incremento de la tensin


aplicada entre puerta y fuente, VGS .
F
1

ig
.-

elctricos,

1 INTRODUCCIN
La presente investigacin se refiere a los dispositivos
MESFETs tambin conocido como transistor de unionmetal semiconductor. La caracterstica principal de este
dispositivo es que aunque su funcionamiento es similar el
JFET desde el punto de vista practico puede operar a
frecuencias mas altas, en la regin de la microondas, a
diferencia del JFET el electrodo de puerta esta formado
por una unin metal-semiconductor de ah el nombre
MESFE, para comprender el funcionamiento de este
dispositivo debemos analizar sus ecuaciones y las
principales
caractersticas
elctricas
para
su
funcionamiento todas ellas descritas en el reciente
trabajo.

2 MARCO TEORICO
El transistor de efecto campo basado en materiales
compuestos ms importante es el transistor de efecto
campo metal semiconductor (MESFET). El MESFET de
GaAs consta de un sustrato semiaislante o ligeramente
dopado tipo P. Encima de este semiconductor hay otra
capa conductora tipo N (canal) en la que se conectan tres
terminales: los contactos hmicos de fuente y drenador y
un contacto Schottky que acta como puerta. Se pueden
encontrar tambin canales tipo P, sin embargo, son
menos frecuentes puesto que la movilidad de los huecos
es inferior a la de los electrones. Entre fuente y drenador
se har circular una corriente mediante una tensin
aplicada entre estos terminales. Esta corriente se puede
controlar a su vez mediante una tensin aplicada al
terminal de puerta. El control de esta corriente se realiza
gracias a la variacin de la zona de carga espacial que
aparece en el canal debajo de la puerta. Esta regin de

estructura de un MESFET y detalle de la modificacin de la


zona de carga espacial para distintas tensiones aplicadas entre
los contactos de puerta y fuente

La unin metal semiconductor est polarizada en inverso


para aislar el terminal de puerta de los otros terminales.
Al modificar la zona de carga espacial con variaciones
de la tensin VGS aparecen efectos capacitivos entre la
puerta y el canal, comportamiento anlogo al resto de
los transistores de efecto campo. Las diferencias con el
resto de transistores de efecto campo estriban en (i) la
localizacin del canal, (ii) cmo se consigue el
aislamiento de puerta y (iii) el tipo de material utilizado.
Fi
.-

g2

Definicin del espesor del canal h en un MESFET.

PRINCIPIO DE OPERACIN

Electrnica II

La conductancia que presentara el canal tipo N sin tener


en cuenta la zona de carga espacial sera:

donde L es la longitud del canal y W su profundidad. La


conductividad real de este canal incluyendo los efectos de
la zona de carga espacial sera:

Esta aproximacin es slo vlida mientras no aparezca


el agotamiento del canal en la regin de drenador, es
decir, mientras no se cumpla . A partir de ese punto la
corriente tomara un valor constante que se obtiene
imponiendo la condicin de agotamiento

Cuando la zona de carga espacial ocupe todo el canal la


conductividad se har nula.
Cuando, adems de aplicar una tensin a la puerta, la
tensin VDS es distinta de cero la diferencia de potencial
entre puerta y un punto x del canal variar a lo largo del
mismo. Se debe dividir el canal en elementos de longitud
dx, cada uno de los cuales presentar un espesor ) y una
conductividad diferentes entre s . El espesor de la zona
de carga espacial en un punto x es:

donde es el potencial del canal en ese punto referido al


terminal de fuente. Este procedimiento se conoce como
aproximacin de canal gradual, y es el que se ha venido
usando para calcular la caracterstica corriente tensin en
todos los transistores de efecto campo. El primero que
us este mtodo fue Shockley en su trabajo de 1952 Un
transistor de efecto campo unipolar

Fig4.- mesfet tipo de empobrecimiento(canal n)simbolo y


relaciones bsicas y curva de transferencia.

Fig5.- mesfet tipo de enriquecimiento(canal n)simbolo y


relaciones bsicas y curva de transferencia.

3 CONCLUSIONES

Fig3.- Variacin del espesor del canal a-h en un MESFET por


efecto de la tensin VDS .

La resistencia de ese elemento de canal se puede escribir


como:

con lo que la cada de potencial en este pequeo


segmento ser:

Integrando esta ecuacin entre 0 y L se obtiene la relacin


entre la corriente que circula por el canal con las
tensiones aplicadas entre los terminales del transistor:

Describimos la esctrucutra del MESFET y su


modo de operacion.
Los dispositivos MESFET son construidos casi
en su totalidad de arseniuro de galio esto
genera una ventaja ya que sus electrones
poseen una movilidad mayor que la del silicio.
El canal de esete disposiivo se encuentra
cerrado cuando la tension aplicada es cero por
esto recurrimos a los MESFET cuando
pretendemos una velocidad de respuesta
elevada.

4 REFERENCIAS
[1] Rashid, M. H., Gonzlez, M. H. R. V., & Fernndez, P.
A. S. (2004). Electrnica de potencia: circuitos,
dispositivos y aplicaciones. Pearson Educacin.

Electrnica II

[2] Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2003). Teora de


circuitos y dispositivos electrnicos. Electrnica.