Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
microondas en comunicaciones
inalmbricas
RESUMEN
Este artculo presenta las consideraciones indispensables para el diseo
de lneas de transmisin a frecuencias milimtricas. Se describe un
procedimiento para determinar las prdidas en lneas de transmisin,
obtenibles directamente de mediciones experimentales, as como una
comparacin analtica de lneas de transmisin ideales a estas frecuencias.
La ltima parte de este artculo contiene una breve introduccin a la
tecnologa usada en la fabricacin de circuitos pasivos para ondas
milimtricas, as como ejemplos de lneas de transmisin que han sido
fabricadas. Por ltimo, se hace mencin de diversas herramientas de software comercialmente disponibles para el diseador moderno de circuitos
de microondas.
PALABRAS CLAVE
Microondas, ondas milimtricas, lneas de transmisin, micro-fabricacin,
micro-maquinado.
ABSTRACT
This paper discusses the main considerations involved with the design of
millimeter wave transmission lines, namely: losses and dispersion. A method
for extracting the losses of microwave transmission lines directly from experimental results is presented, as well as an analytical loss comparison of
ideal millimeter wave transmission lines. It also contains a discussion of
different transmission line architectures made with different materials, using micro-machining or micro-fabrication techniques, and ends with the
presentation of several software tools for the modern microwave designer.
KEYWORDS
Microwaves, milimeter wave, transmission lines, micro-fabrication, micromachining.
INTRODUCCIN
El trmino microondas se usa para describir ondas electromagnticas en el
intervalo de frecuencias de 300 MHz a 300 GHz, las cuales corresponden a
longitudes de onda en espacio libre de 1 metro a 1 milmetro. El trmino ondas
milimtricas es comnmente usado para las frecuencias en el intervalo de frecuencias de 30 GHz a 300 GHz, porque su longitud de onda va de 10 mm a 1 mm.
37
38
(a)
(b)
Fig. 1. Guas de onda. (a) Circular, (b) Rectangular
QO = o
(1)
Los tres factores de calidad definidos anteriormente estn relacionados de la siguiente manera:
1
1
1
=
+
Ql Qe QO
(a)
1
1
1
1
1
=
+
+
+
QO Qc Qd Qr Qk
(b)
Fig. 2. Resonadores de microondas (a) Cavidad resonante, (b) Resonador en microcinta.
(5)
Ql =
Qe = o
(4)
fo
fo
=
BW3dB
f 2 f1
(6)
(2)
Ql = o
(3)
39
Qo =
Ql
1 S 21
(7)
S 21 = 10
IL
20
rea = b 2
(a)
rea = b 2
(b)
(8)
40
rea = 2d (w + 2 nd )
rea = b (2nb + w )
En donde n=2,3,5
En donde n=2,3,5
(c)
(d)
en donde,
b
r 1 +
a
c = 1.5657
b
Rs ob ln
a
(9)
c =
47.09 Rs b
w
1 +
o Zo w (0.2794b + 0.7206w)2
cuando
c =
b
0.414t 1 4W
B = 1+
+
ln
0.5 +
W
2 t
0.5W + 0.7t
(16)
(17)
(10)
2.5 b/w 4
(11)
59.96 Rs b 1
1 +
o Zo w b
c =
2W 1 b + t 2b t
+
ln
bt b t t
59.37 Rs b 1
1 +
o Zo w b
cuando
c =
A = 1+
Rs
wZo
(a)
(13)
c =
2.7 x10-3 Rs r Zo
A
30 (b t )
c =
0.16 Rs
B
bZo
(14)
(15)
(b)
Fig. 5. Comparacin de diversas lneas de transmisin
de 50 Ohm a 50 GHz. (a) Constante de atenuacin,
vs rea. (b) Qo vs rea.
41
QO =
(18)
42
y ha sido ampliamente explotado en lneas de transmisin de bajas prdidas (ver figuras 6, 7 y 8). Aqu
es muy importante la resistividad del silicio cuando
se lo involucra como medio de propagacin; el silicio
de baja resistividad, (por ejemplo de 10 Ohm x cm)
tiene muchas prdidas y an no se ha podido utilizar
de manera efectiva en circuitos de microondas; sin
embargo, el silicio de alta resistividad (por ejemplo
de 1000 Ohm x cm) presenta bajas prdidas pero un
alto costo del material.
En la figura 6 se muestra una lnea de transmisin hecha en silicio.8 Esta lnea es llamada microcinta
invertida debido a que tiene como medio de propagacin principal el aire que est entre el dielctrico y
el conductor de tierra. El dielctrico usado es BCB
(Benzocyclobuteno), el cual sirve para reducir las
prdidas en la lnea de transmisin, al evitar el contacto directo del conductor central con el silicio. Esta
lnea de transmisin present un factor de calidad
no-cargado de Qo= 60, para el caso 1, en el cual hay
una capa de silicio debajo del BCB, y un Qo= 110
cuando slo se us el BCB de dielctrico, ambas
lneas consideradas a 40 GHz.
La estructura9 de la figura 7 ha sido ampliamente
usada y ha mostrado un muy buen desempeo a
frecuencias milimtricas; esto es porque el medio de
propagacin empleado es aire, evitndose as prdidas
por dielctricos. Adems la estructura est totalmente
encerrada, evitando prdidas por radiacin. El silicio
que est en contacto con la microonda es de alta
resistividad, manteniendo prdidas al mnimo en esa
regin; de acuerdo al diseo, el campo electromagntico
est menos concentrado en esta regin. Esta
estructura presenta un Qo= 450, a 60 GHz. El conductor del centro est suspendido en una membrana.
Las lneas coplanares tienen el campo
electromagntico fuertemente concentrado entre los
conductores; en la figura 8 se muestra una lnea coplanar micro-maquinada,10 de manera que el material entre los conductores es removido, para reducir la
dispersin y para minimizar las prdidas por el semiconductor. Como resultado, la lnea presenta menores
prdidas por conductor y dielctrico, y tiene un Qo= 47.
La misma lnea de transmisin, sin el micro-maquinado,
tiene un Qo= 33; ambas consideradas a 60 GHz.
La estructura de la figura 9 tiene forma similar a la
de la figura 7, pero aqu se ha usado una resina foto-
43
44
planar waveguides for use in high-frequency circuits IEEE Transactions on microwave theory
and techniques, Vol. 46, No. 6, pp 762-768, June
1998.
11. J. E. Harriss, L. W. Pearson, X. Wang, C. H.
Barron and A. V. Pham, Membrane-supported
Ka band resonator employing organic
micromachined packaging IEEE MTT-S Digest,
pp. 1225-1228, 2000.
12. Wai Y. Liu, D. Paul Steenson and Michael B.
Steer, Membrane-supported CPW with mounted
active devices IEEE Microwave and wireless
components letters, Vol. 11, No. 4, April 2001.
13. Jae-Hyoung Park, Chang-Wook Baek, Sanghwa
Jung, Hong-Teuk Kim, Youngwoo Kwon and
Yong-Kweon Kim, Novel micromachined coplanar waveguide transmission lines for application
in millimetre-wave circuits Jpn. J. Appl. Phys.
Vol. 39, Part 1, No. 12B, pp. 7120-7124, December 2000.
14. I. Llamas-Garro, K. Jiang, P. Jin, and M. J.
Lancaster, SU-8 microfabrication for a Ka band
filter 4th Workshop on MEMS for millimiterwave
communications, LAAS-CNRS, Toulouse,
France, pp. F55-F58, 2nd 4th of July 2003.
45