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SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son sustancias qumicas que tienen una conductividad elctrica inferior a la de
un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante.
Toda clase de slidos, independientemente de su tipo de enlace, se caracterizan porque sus estados
electrnicos se agrupan en bandas de energa.
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Los metales poseen una ltima banda, parcialmente ocupada, con niveles energticos
superiores libres, desocupados. Los electrones de valencia, dbilmente unido a los tomos
aislados, al formarse el cristal se deslocalizan y se mueven por todo el cristal en forma de un
gas de Fermi, constituyendo los electrones de conduccin. Su conductividad disminuye:
a) Al aumentar la temperatura.
b) Al crecer las impurezas y los defectos de la red.
Los aislantes poseen una banda prohibida de energa, de anchura Eg, que separa la
ltima banda completamente llena, banda de valencia, sin estados libres. Los electrones de
valencia estn ligados formando enlaces ms o menos fuerte entre los tomos de la red. La
banda prxima superior, banda de conduccin, est vaca, con la totalidad de sus estados
energticos desocupados. A 0 K la conductividad es nula, tienen una banda prohibida de
anchura no nula, Eg no igual a 0eV.
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Semiconductores: tienen una banda prohibida de anchura Eg < 2eV. Su conductividad tiene un
valor intermedio entre el valor de los metales y el valor de los aislantes. Su conductividad
crece con la temperatura. Mientras que en los metales el nmero de portadores de corriente
elctrica es constante, del orden de 1028 m-3, independientemente del valor de la temperatura,
en los semiconductores al crecer la temperatura crece la agitacin trmica, se rompen enlaces
atmicos, y se crean pares de electrn-hueco, el nmero de portadores de carga aumenta.

MATERIALES SEMICONDUCTORES
Hasta ahora la demanda de materiales semiconductores ha hecho que se hayan desarrollado tanto
las tcnicas de obtencin de sustancias puras y monocristalinas, semiconductores intrnsecos, cmo
las tcnicas de dopado de semiconductores inorgnicos y orgnicos, semiconductores extrnsecos.
Por ahora, los ms importantes son los inorgnicos. Indiquemos algunos elementos y compuestos:
a) Elementos del grupo IV del Sistema Peridico: Si y Ge con valencia cuatro.
b) Compuestos binarios entre elementos de los grupos III y V de la tabla peridica, los ms conocidos
son el AsGa, InP, AlSb, etc., entre elementos de los grupos II y VI del SP; SeCd, TeCd
En cuanto a su utilizacin se tiene:

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IV-IV Ge, Si (tipo-p, tipo-n) : Chips
III-IV GaAs, GaP : Led y lser
InSb, InAs : Detectores de radiacin
II-VI SZn : Material fluorescente para diversas aplicaciones.
En los ltimos aos se estn desarrollando nuevos materiales para que pueden sustituir, en un futuro
no lejano, a los compuestos de Si para hacer las veces de semiconductores. Se tratan de polmeros
dopados adecuadamente que actan como semiconductores.

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Un semiconductor cristalino y sin impurezas ni defectos en su red se denomina intrnseco. A 0 K su
BV(banda de valencia) est llena de electrones, su BC (banda de conduccin) est vaca y su Eg <
2eV. A temperatura de 0 K es un aislante. Al crecer la temperatura la agitacin trmica rompe algunos
enlaces que quedan incompletos. Cada enlace roto crea un par de portadores, electrn y hueco. El
semiconductor se transforma en un dbil conductor. Los electrones liberados suben a la BC y se
mueven por toda la red cristalina. Los enlaces incompletos, con un solo electrn, denominados
huecos, h+, se mueven en la BV en el sentido de que el enlace roto se va intercambiando entre
enlaces de tomos adyacentes (difusin).
La energa requerida pasa romper un enlace o crear un par electrn-hueco, como ya sabemos, es el
ancho de la BP (banda prohibida), Eg. Los semiconductores inorgnicos suelen adoptar estructura
tetradrica, con cuatro enlaces covalentes.

Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas
las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento
semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones
en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del
semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que
haya un movimiento de electrones. Un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su
cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del

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ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas
exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una
pequea energa.
Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice
que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco.
Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos enlazados unos con otros segn
una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina.
Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de las
rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se
desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene
una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga
positiva o al sitio que ocupaba el electrn.
El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto
en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene.
Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos
puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del
material semiconductor de silicio.

Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductor es el de

electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos
diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas
positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven,
slo parece que lo hacen.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Independientemente de los portadores de origen trmico pueden existir en un cristal semiconductor
electrones y/o huecos generados por dopado. Como es sabido, la estructura reticular de los
semiconductores intrnsecos usuales, (IV-IV, VII-II y V-III del SP) es tal que cada tomo es centro de
un tetraedro, y se encuentra unido por enlaces covalentes a otros cuatro tomos situados en los
vrtices de dicho tetraedro. Cada enlace est formado por un par de electrones y los cuatro enlaces
forman un octeto de electrones que rodean cada tomo.

El dopaje o dopado, consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A
estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el
que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N

Si en una red cristalina de silicio sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4
electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su
capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos
de la red y el quinto queda libre.

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N En esta
situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina

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"portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones. Las Impurezas tipo N ms
utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo.
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornes, las posibilidades de
que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma
tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) sustituimos uno de sus
tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento
que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los
huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por
ocupar. O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en el
cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los
portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de

portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco
dopado", "muy dopado", etc.
Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.

Semiconductor
tipo
fuertemente dopado

NSemiconductor
tipo
fuertemente dopado

Diodos
Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la
corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De forma
simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como
un corto circuito con muy pequea resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
Diodos (unin p-n)
Los diodos p-n son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que
tambin reciben la denominacin de unin p-n. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales
por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el
mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga
neta es 0).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse
estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe
diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de
vaciado, etc.

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A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y
n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de
germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5
micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se
encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo
p, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C (o K).

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A (p)

C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado,
pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Polarizacin directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo
el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera
al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y
se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

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El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos
por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea
corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin
una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una
pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p,
tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de
ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es
despreciable.