1

La corriente de difusin es un proceso,

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a. Artificial que se consigue manipulando la mecnica cuntica
b. Natural de paso de electrones hacia la regin P
c. Artificial provocado porque el semiconductor se polariza directamente
d. Natural de paso de electrones hacia la regin N

2
La diferencia entre los diferentes mtodos de deposicin se encuentra principalmente en (escoja
slo una),
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a. El sustrato utilizado
b. Los materiales que se usan en el proceso
c. El mtodo de volatilizacin del material
d. El mtodo de calentamiento del material

3
La relacin entre la corriente de base y la corriente de emisor en un transistor DEPENDE de
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a. La corriente de las junturas
b. El ancho de la base
c. La corriente de colector
d. La polarizacin de las uniones

4
En un Mosfet canal P, si la Compuerta est ms positiva que la Fuente,
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a. Hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje
b. Hay corriente de drenaje dependiendo del voltaje de Drenaje
c. No puede saberse si hay corriente de drenaje
d. NO hay corriente de drenaje sin importar el voltaje de Drenaje

5
Un diodo zener opera
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a. En la misma regin que el diodo
b. En la misma regin en que el transitor falla
c. En la misma regin que el transitor
d. En la misma regin en que el diodo falla

6
Ya que un circuito integrado sin polarizar no tiene corriente circulando a travs de l, se puede decir
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a. La corriente de difusin debe cancelarse con la corriente IS para cada semiconductor interno
b. No hay corriente de difusin para cada semiconductor interno
c. No hay regin de agotamiento en los semiconductores internos
d. No puede decirse nada respecto a las corrientes de difusin internas de cada semiconductor

Se puede decir que diodos y transistores

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a. Tienen la misma cantidad de huecos
b. Tienen la misma cantidad de electrones
c. Tienen la misma cantidad de tipos de regiones
d. Tienen la misma cantidad de regiones

8
Si en un sistema amplificador basado en un Mosfet canal N se reemplaza este transistor por un Mosfet canal P, entonces
es seguro que,

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a. El transistor cambia a modo de saturacin
b. El transistor sigue operando
c. No funcionar el sistema
d. Se avera el transistor

9
En un material en el que los portadores mayoritarios son electrones, se infiere que:

Seleccione una respuesta.

a. Es un material N y no tiene huecos
b. No hay carga neta
c. Es un material P y no tiene huecos
d. Estos portadores se encuentran en la banda de valencia

10
Si se llega a determinar con exactitud y precisin total que una partcula est en una posicin x,y,z especfica,

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a. No hay ningn dato acerca de la velocidad
b. No hay ningn dato acerca de la frecuencia
c. No hay ningn dato de la energa
d. No hay ningn dato acerca del tiempo que durar en esa posicin

11
Una partcula de movimiento unidimensional se encuentra asociada a una funcin de onda compleja,
que es igual a Aexp(-ikx), con A,k=constantes, i=raz de -1, x: posicin. Se puede decir que

Seleccione una respuesta.

a. X puede tomar todos los valores entre menos infinito y ms infinito
b. La partcula est quieta
c. El estado de la partcula es estacionario
d. No hay fuerza actuando sobre ella

12
Un solo electrn, al pasar por una rendija
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a. No exhibe su comportamiento ondulatorio
b. Tiene masa en reposo nula
c. Pierde necesariamente energa
d. No tiene funcin de onda asociada que pueda definirse

13
Suponga un caso unidimensional. Si la funcin de onda Ax4 soluciona la ecuacin de Schrdinger (A
es una constante), cul de estos debe ser el potencial asociado?

Seleccione una respuesta.

a. Ax4
b. 12/ Ax4
c. -12Ax4
d. -12/ Ax4

14
Mientras un electrn pasa del estado base a un estado excitado
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a. Emite un fotn
b. Ni absorbe ni emite fotones
c. Absorbe un fotn
d. Se convierte en un fotn

15
Las capacitancias internas de un transistor BJT y Mosfet,

Seleccione una respuesta.

a. En el primer caso se ubican entre las terminales y entre el segundo caso en las
terminales
b. En ambos casos se ubican entre las junturas
c. En ambos casos se ubican entre las terminales
d. En el primer caso se ubican entre las junturas y en el segundo caso entre las
terminales
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