TRANSISTORES DE POTENCIA

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores

normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que
soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:

bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.

TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA:

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor
est consitutdo por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos
de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con donadores de

electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin es la de emitir
electrones a la base. La base es la zona ms estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores
de electrones. El colector es la zona ms ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en
cantidad intermedia entre el emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO:
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se
encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta situacin
gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco
grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

ZONA DE SATURACION:

El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se comporta como una pequea
resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor
se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cer

ZONA ACTIVA:

En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente , determinada por la
corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la
corriente de colector, de forma casi independiente de la tension entre emisor y colector. Para trabajar
en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientra que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.

ZONA DE CORTE:

El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito base emisor
abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por ello se puede
considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

CIRCUITO DE POLARIZACION DE EMISOR:

CIRCUITO DE POLARIZACION DE BASE:

TRANSISTOR UNIPOLAR O FET:

son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En
un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a
huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.

Los smbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han
sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo de los materiales tipo N y P en la fabricacin
de estos dispositivos.
CARACTERISTICA:
Una caracterstica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realizacin de circuitos
utilizando nica y exclusivamente transistores FET.

TRANSISTORES IGBT

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de

puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal
elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

CARACTERISTICAS:
-El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido alBJT en
muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa comofuente conmutada,
control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
- Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin.
Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms
potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
- Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de
puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn
voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente
ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada
positivamente con respecto a la terminal
S.
LA seal de encendido es un voltaje