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Facultad de

Ingenieras
Fsico
Mecnicas

Escuela de Ingenieras
Elctrica, Electrnica y de
Telecomunicaciones
LABORATORIO - Hoja 1 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
ASIGNATURA: Fundamentos de Circuitos Analgicos 2 Sem 2015

PRCTICA DE LABORATORIO:

CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES

CDIGO: 23414
NO.: 03

INTRODUCCIN: Estimacin de K, VTH0, y


A partir del modelo cuadrtico del transistor, se aprovechar un procedimiento sencillo para extraer
los parmetros de inters en los MOSFETs. Se limitar la extraccin a la regin de saturacin y por
lo tanto se har uso de la ecuacin cuadrtica que caracteriza a los transistores MOS de canal largo.

LISTA DE MATERIALES REQUERIDOS


CD4007 (integrado que contiene MOSFETS)
LM741 (amplificador operacional)
Datasheet del CD4007 (debe llevarse al laboratorio)
Resistencias de 100, 1k, 10k y 100k ohmios.
Potencimetro de 10k Ohmios.
Protoboard y cables de conexin de varios tamaos.

ACTIVIDADES PREVIAS AL LABORATORIO


Las actividades de esta seccin deben presentarse completamente desarrolladas al inicio de la prctica de
laboratorio, ya que sin ellas NO se permitir al estudiante iniciar la prctica.
1. Transistor NMOS
1.1. Realice el montaje del circuito de la figura 1 utilizando un transistor NMOS dentro del CD4007 que
no tenga la conexin entre surtidor y cuerpo. Asegrese de entender las conexiones internas del circuito
integrado con ayuda del datasheet. Verifique cuidadosamente las conexiones en la protoboard antes de
energizar el circuito. Tenga en cuenta que la tensin VGS que all aparece medida a travs de un
voltmetro se generar con la fuente que se usar en el laboratorio.
1.2. Responda: En qu regin de operacin estar el transistor?
1.3. El circuito con el LM741 permite que la tensin en el surtidor sea aproximadamente igual a 0V y
permite convertir la seal de corriente de salida en una seal de tensin que se puede llevar al
osciloscopio Por qu? Explique.

Figura 1
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FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

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CONSTRUIMOS FUTURO

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ACTIVIDADES EN EL LABORATORIO
1. Caracterstica ID vs VGS
1.1.
Establezca una tensin de cero voltios en el terminal de cuerpo. Incremente VDD hasta observar una
corriente medible a travs del convertidor de corriente a tensin y a partir de este punto mida ID para
varios valores de VGS = VDS hasta alcanzar 10V.
1.2.

Repita las medidas de ID vs VGS para varios valores de VSB hasta alcanzar 10V. Verifique que siempre
la tensin del surtidor es mayor a la tensin de sustrato (cuerpo).

2. Caracterstica ID vs VD
El montaje en este experimento se muestra en la figura 2.
2.1.

Configure una seal triangular de baja frecuencia (1kHz o menor) en el generador de seales con una
tensin de offset (DC) de 7.5V y 15Vp-p. Esto con el fin de tener una excursin de seal desde 0 hasta
15 V en la tensin VDD emulada por este generador. Note que esta configuracin permite hacer un
barrido por diversos puntos de polarizacin del transistor y por tanto extraer la curva ID vs VDS.

2.2.

Utilizando el modo X-Y del osciloscopio con 1V/div en cada canal, Conecte el canal horizontal entre
el drenador y la tierra real del sistema.

2.3.

Configure el canal vertical en modo invertido para poder hacer la traduccin de la corriente con el
signo correcto Por qu?

2.4.

El canal vertical debe mostrar la caracterstica de corriente en funcin de VDS, obtenga esta curva para
diversos valores de VGS que podr ajustar a travs del potencimetro (esto es una curva completa para
cada valor de VGS).

Figura 2

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3. Transistor PMOS
3.1.
Repita los procedimientos descritos en la parte 2 para el transistor PMOS. Utilice el montaje mostrado
en la figura 3 para llevar a cabo esto. Para este caso configure el generador de seales con una funcin
triangular de 1kHz y -15Vp-pcentrada en -7.5V.

Figura 3

4. Identifique los transistores utilizados en la prctica para usarlos en algunos diseos ms adelante.
5. Una vez extrados los datos y medidas, lea cuidadosamente el anexo de la prctica para el

procesamiento de los datos y la extraccin de parmetros.


6. Preparacin del informe
Preste atencin a las indicaciones del docente para el desarrollo y entrega del informe de la prctica.

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ANEXO: PROCESAMIENTO DE DATOS


*Las ecuaciones que aqu aparecen referenciadas pero no se muestran se pueden identificar fcilmente.

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