Tema 5 Dopado PDF

TEMA 5
Tecnologa y fabricacin de CIs

E. Procesos de dopado en Semiconductores:
Difusin e
Implantacin inica
Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Procesos de dopado
La impurificacin de cristales es de total necesidad en Electrnica.

En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o

crecimiento epitaxial) impurificacin uniforme de la oblea (aunque no del lingote).
Adems, en el curso de la fabricacin de dispositivos es necesario introducir
nuevas impurezas para modificar las propiedades electrnicas.
Los PROCESOS para dopar una capa SC:
Difusin de impurezas (se utiliza desde los
aos 70)
Las impurezas se introducen a T elevada en

regiones seleccionadas del semiconductor.
La concentracin de dopantes disminuye

desde la superficie.
Implantacin inica los iones se

implantan mediante un haz de iones altamente
energtico.
Esta tcnica se usa tanto en Si como en

GaAs.
Es un proceso ms moderno, complejo y

costoso que la difusin
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Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de

implantacin inica (inferior) para la introduccin
selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.

II. Procesos de dopado: Difusin
Definicin: Redistribucin de tomos desde regiones de alta concentracin de

especies mviles hacia regiones de baja concentracin. las impurezas,
previamente depositadas sobre la superficie del cristal, penetran en el
interior.
Este fenmeno tiene lugar a todas las temperaturas, sin embargo, la difusividad
tiene una dependencia exponencial con la temperatura.
C (x)
x
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Comparativa uso de difusin en Si vs GaAs:

En la tecnologa de Si es la tcnica ms
empleada utilizando la capacidad del xido
de Si (SiO2) para actuar como mscara.
Permite la formacin de la fuente y el drenador de

MOS y regiones activas de transistores bipolares.
Pueden manejarse muchas obleas en cada
proceso.
En GaAs, la difusin es menos controlable,

adems las estructuras avanzadas de
diferentes capas requieren en su mayora
procesos epitaxiales.
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DIFUSION:

Vamos a estudiar:
Naturaleza de la difusin
Teora de la difusin: Modelo 1D de Fick

Fuente de impurezas ilimitada o constante
Fuente de impurezas limitada
Ejemplos de resolucin
Efectos reales en la difusin
Efectos de difusin lateral
Segregacin de impurezas
Hornos de Difusin: Sistemas fsicos para la realizacin de procesos de

difusin
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Naturaleza Microscpica de la difusin: La difusin de tomos en una red
cristalina depende de los diferentes tipos de mecanismos de difusin que se
pueden producir en la red.
Tipos de mecanismos de difusin:
1. Intersticial: La impureza penetra en el cristal de forma

intersticial y se mueve o salta a otra posicin intersticial.
2. Substitucional: Un tomo salta desde un punto de la
red cristalina a otro adyacente que es necesario que est
vacante. Este mecanismo ocurre con menor velocidad que
la difusin intersticial. Muchos de los dopantes de Si son
substitucionales.
3. Mecanismo kick-out o patada: Un tomo de
impureza pasa de un lugar intersticial a un lugar de la red
desplazando un tomo: se forma una intersticial de tomo
de la red que puede difundirse como una impureza.
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TEORIA de la difusin: (Teora 1D de Fick) Las constantes de difusin
representan la facilidad de penetracin de las impurezas en el slido.
Hiptesis simplificadoras
Sistema unidimensional que ignorar los efectos de fronteras de granos
Supone dispositivos plano-paralelos.

Supone difusin substitucional (se aplica lo mismo en difusin intersticial) en la
red del Si o GaAs (Zinc- Blenda).

Considera una seccin transversal de rea A, el

espacio entre planos es d/(3)0.5 donde d es la
distancia entre los lugares de las redes del tetraedro.
En la difusin los tomos de una capa (de
impurezas o de la red) deben pasar a la capa vecina.
Se calcula el flujo de tomos (F ) neto a lo lago
del plano P en la direccin x probabilidad
temporal de cambio de concentracin de impurezas:
C, por unidad de rea como:
F = D
C
x
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1 Ley de Fick de la difusin.

TEORIA de la difusin: (Teora 1D de Fick)

Primera ley de Fick de la Difusin:

La redistribucin de dopantes macroscpicos viene determinada por la primera Ley

de Fick que describe como el flujo de dopantes ( F: tomos/cm2 s) depende el gradiente
de la concentracin:
F = D
C
x
Es similar a otras leyes en las cuales la causa es

proporcional al efecto (Ley de Ohm, de Fourier).
El signo negativo el flujo produce la reduccin
del gradiente de concentracin.
D = Difusividad o Coeficiente de Difusin D
(cm2/s) (est relacionada con la dependencia de la
frecuencia del salto de los tomos a la capa
vecina).
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1 Ley de Fick de la difusin:

Primera ley de Fick de la Difusin:
Coeficiente de difusin:
E
D(T ) = D0 exp A
K BT
El coeficiente de difusin depende de la

temperatura de la manera de manera
exponencial:
EA: la energa de activacin de la impureza
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Difusividades medias de
dopantes substitucionales en Si

Existe un lmite para la difusin:

Supongamos que establecemos un
depsito en la superficie de impurezas en
exceso.

La concentracin en superficie (Cs) es
constante a lo largo del tiempo e igual al
limite de solubilidad del slido es la
concentracin mxima que, para cada
temperatura, puede ser introducida en el
slido.

Para mayores valores de impurezas, stas
precipitan en otra fase.
Solubilidad del slido en Silicio

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Observar la solubilidad de impurezas como el

fsforo (P), Arsnico (As) y Boro (B).


Segunda ley de Fick de la Difusin:

Esta ley describe como el cambil en concentracin en un elemento de volumen
viene determinado por el cambio en los flujos dentro y fuera del volumen.
C F C
=
= D
t
x x x
CASO PARTICULAR: D=cte: coeficiente de
difusin no depende de la concentracin
(ocurre as en muchas aplicaciones).
2 Segunda ley de Fick se reduce a:

2
=D 2
t
x
NOTA: N=C (concentracin de dopantes)

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2 Ley de Fick de la difusin:

RESOLUCION de la 2 LEY DE FICK de la Difusin

1er CASO: Difusin desde una fuente ILIMITADA o constante

La oblea se expone a una cantidad de impurezas en el proceso de difusin
La solucin que satisface 2 Ley de Fick: Funcin Error
x
( x, t ) = 0erfc
2 Dt
La concentracin en la superficie se mantiene cte

en el tiempo e igual al lmite de solubilidad, N0.
La anchura de difusin aumenta con el tiempo
(determinada por la funcin error).
APLICACIONES: regiones de fuente y drenador de

MOSFET, as como en el emisor del BJT de Si y en
la mayora de las difusiones de GaAs
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Perfiles de difusin de fuente constante.

Concentracin de impurezas para diferentes
tiempos de difusin


2 CASO: Difusin desde una fuente LIMITADA

En este caso poseemos una cantidad finita de tomos de impureza para su difusin.
La solucin que satisface la 2 Ley de Fick GAUSSIANA
x2
Q0
( x, t ) =
exp
Dt
4 Dt
Q0 es una constante
La concentracin en x=0 decrece como
La distancia de difusin desde el origen aumenta como:
1/ t
2 Dt
APLICACIONES: dopajes muy profundos pero con

valores bajos de la concentracin en la superficie:
Dopaje de la base de un BJT.

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Perfiles de difusin de fuente Limitada.

Concentracin de impurezas para diferentes
tiempos de difusin


2 CASO: Difusin desde una fuente LIMITADA
Concentracin de impurezas: evolucin

temporal de la funcin Gaussiana
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Comparativa matemtica de
Gaussiana y Funcin Error
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EJERCICIO 1:

Se realiza la difusin de aluminio en una capa gruesa de

silicio sin contenido previo de aluminio a una temperatura de
1100C durante 6 horas.
a qu profundidad habr una concentracin de

1016tomos/cm3 si la concentracin en la superficie es
1018tomos/cm3?.
NOTA: A esa temperatura el coeficiente de difusin de

aluminio en silicio es 2 10-12cm2/s.
x
( x, t ) = 0erfc
2 Dt
SOLUCIN: buscamos la profundidad en la que la concentracin

cae hasta el 1 % del valor en la superficie Impurity conc/surface
conc= 10-2.
Grficamente obtenemos:
x
z =
= 1.75
2 Dt
Despejamos el valor de x:
x = 1.75 2 Dt
Sustituyendo D y t, ambos conocidos Obtenemos para la

profundidad x= 106.5 nm=0.11 m.
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EJERCICIO 2:
Se difunde arsnico en una capa gruesa de silicio sin contenido

previo de As a 1100C.
Si la concentracin de ese elemento en la superficie es

5x1018tomos/cm3 y a 1,2m de la superficie es 1,5
1016tomos/cm3 cul habr sido el tiempo de difusin?.
NOTA: D=3 10-14 cm2/s para As en Si a esa temperatura.
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Efectos reales en la difusin: Efectos de difusin lateral
En la prctica, la difusin en microcircuitos se lleva a cabo a travs de ventanas abiertas en

una mscara que se coloca en la oblea
El modelo 1D representa una manera satisfactoria de describir este proceso excepto en el
lmite de la mscara. En el lmite, la fuente dopante proporciona impurezas que se difunden:
Principalmente en un ngulo perpendicular a la superficie del semiconductor
Tambin de manera lateral
Podemos ilustrar los contornos de concentracin de

dopaje constante en los que se observa la difusin
lateral.
La penetracin lateral es del orden del 75-80 % de la

penetracin en la direccin vertical para
concentraciones que son ms de dos rdenes de
magnitud bajo la concentracin superficial
Contornos de difusin al lmite de una

ventana de difusin
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HORNOS de difusin:

Los requerimientos bsicos que debe cumplir un sistema de difusin son:

Los requerimientos adicionales del proceso de difusin son:

Un mtodo para atraer las impurezas difusoras hacia la oblea

Mantenerlas all durante un tiempo y una T especfica
El proceso de difusin no debe daar la superficie de la oblea
Tras la difusin, el material restante en la superficie debe ser eliminado (grabado)
fcilmente para realizar otros procesos posteriores: formacin de contactos u otras
difusiones
Es necesario que los resultados sean altamente reproducibles de un run al siguiente
proceso de fabricacin
Sera rentable poder realizar el proceso de difusin en el mayor nmero de obleas al
mismo tiempo.
Hornos de difusin:
Se realizan normalmente en tubos abiertos (los hornos de difusin) en los que las
obleas se colocan en una barquilla dentro de un tubo horizontal de cuarzo de alta
pureza.
El horno se calienta (mediante arrollamientos resistivos se controla la T
electrnicamente en la zona central del horno: entre T entre 600 C y 1200 C.
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HORNOS de difusin:
El primer horno de difusin fue patentado en 1957:
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III. Procesos de dopado: Implantacin Inica
La implantacin inica es un mtodo de impurificacin tanto de Silicio como de

GaAs.

Es el mtodo dominante de dopaje utilizado hoy da a pesar de sus desventajas.

Es un proceso ms costoso y complejo que la difusin y una alternativa a la misma.
Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de

implantacin inica (inferior) para la introduccin
selectiva de dopantes en un substrato semiconductor.
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Haz del equipo implantador incidiendo en la oblea

Vamos a estudiar:

Procesos microscpicos en la implantacin inica

Principio bsico de la implantacin inica
Ventajas e inconvenientes de la implantacin inica
Distribucin de iones implantados: definicin de parmetros
Sistema fsico de implantacin: implantador inico

Comparacin de los perfiles de dopantes obtenidos mediante difusin e implantacin
inica
Efectos reales de la implantacin inica:
Acanalamiento.
Daado de la red cristalina

Recocido : RTA
Implantacin inica a travs del xido (SiO2)
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Proceso de Implantacin Inica
Principios bsicos:
Se dopa un substrato mediante un flujo de iones energticos de la impureza (obtenidos
de un plasma de la misma) que se proyectan contra la oblea (blanco).
Los iones de impurezas penetran en el substrato con una alta energa (velocidad) y
pierden su energa mediante colisiones con los ncleos y los electrones que acaban
deteniendolos.
Los iones quedan parados a una determinada distancia de la superficie de la oblea
formado un perfil de implantacin.

La profundidad a la que se localiza la impureza

depende en la energa (o velocidad) de los iones.
Las colisiones con los ncleos del blanco hacen que se

modifique la situacin de los iones de la red cristalina
daando el substrato:
Si el tomo del semiconductor recibe en una colisin una

energa mayor que su energa umbral de
desplazamiento provoca la formacin de defectos
(tpicamente defectos puntuales como vacantes e
intersticiales).
Proceso microscpico de la implantacin inica
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La implantacin inica, presenta importantes ventajas:
Posibilita la introduccin controlada de grandes dosis de impurezas en una regin del

semiconductor proceso de NO EQUILIBRIO: es posible introducir dopantes a
concentraciones mayores que su solubilidad slida de equilibrio.
Permite realizar un control independiente del dopaje y de la profundidad (salvo en
algunos casos de acanalamiento)
Los perfiles de impurificacin obtenidos por implantacin inica son mucho ms precisos
(errores de 1 %) y ms superficiales (< 1mm) que los obtenidos por difusin
Aplicaciones en procesos de fabricacin delicados:

Ajuste del potencial umbral VT de conduccin de los

MOSFET.
Autoalineamiento de puerta de los mismos.
Posibilidad de formacin de capas enterradas de
colector en los BJTs.
Proceso de baja T al poder realizarse a T

ambiente, es posible una gran flexibilidad a la hora
de elegir las mscaras (Si3N4, Al, Silica)(incluso
fotoresinas).
Es posible realizar la implantacin inica a travs
del xido de Si: SiO2 como mscara.
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La implantacin inica muestra ciertas desventajas o inconvenientes :

Los dopantes no son elctricamente activos dado que estn situados en lugares intersticiales
Aparece una reduccin en la movilidad debido al dao producido en el substrato
Debido a los choques internos en el

semiconductor al realizar la implantacin
produce un dao en la superficie del cristal
semiconductor.
Es necesario un posterior recocido (anneal) (a

T elevada) para reparar este efecto

Re-cristaliza.

Re-activa los dopantes.
Este recocido es delicado en GaAs.
Tambin es un inconveniente la sofisticacin y el

coste del Equipo Implantador que a
estudiaremos ms tarde.
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Esquema (resumen) de las ventajas/desventajas

de la implantacin inica, as como de los
parmetros de una implantacin-inica tpica

Distribucin de iones implantados: definicin de parmetros tpicos
Se definen los siguientes trminos para caracterizar los perfiles (la distribucin de
dopantes) de la implantacin inica:

Rango (R): Distancia recorrida por unin en el slido.

Rango proyectado (Rp): Profundidad de penetracin media bajo la superficie.
Desviacin transversal (RT): Desviacin standard en el plano perpendicular a la superficie.
Rp (desviacin estndar o straggle).
Definicin de los parmetros tpicos de una

implantacin inica
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Simulacin de implantacin de Boro

La distribucin de iones (cualitativamente):

Los iones pesados (como el Sb) se frenan ms

rpidamente que iones ligeros (como el B)
En media, la distribucin de iones muestra un
mximo en una profundidad bajo la superficie.
Este pico define el parmetro de rango
proyectado: Rp)
IMPORTANTE:
Debido a la trayectoria aleatoria de los iones,
algunos iones separan ms rpido y otros
iones tienen un viaje ms largo originan
una distribucin de rangos proyectados que
presenta una cierta desviacin estndar:
Rp.
En 1 aproximacin, el perfil de
implantaciones puede ser descrito mediante
un distribucin Gaussiana con un mximo en
Rp y una desviacin estndar : Rp
La distribucin Gaussiana es
matemticamente sencilla, aunque en la
realidad solamente se ajusta en la regin del
mximo.
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Perfiles de distribucin (Gaussiana) de

diferentes dopantes en Si (Energa
implantacin= 200keV)

La distribucin de iones (de manera cualitativa):

Rp depende de la energa de implantacin mayores energas dan lugar a rangos proyectados

ms profundos
Para obtener una distribucin de impurezas con un perfil profundo, se requieren:
Iones ligeros
Energas de implantacin elevadas
Distribucin de iones de Boro en Si para diferentes

energas de implantacin
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Rango de los dopantes ms comunes en Si

en funcin de la energa de la implantacin

Rango proyectado en Si y SiO2.

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Desviaciones del rango.

II. Procesos de dopado: Implantacin inica
EJERCICIO 1:
Dibujar aproximadamente los perfiles de impurezas si:

Se implantan impurezas de arsnico, boro y fsforo, con energa

de 300 keV y dosis adecuadas para que la mxima concentracin
que se obtenga sea 1020 cm-3.
SOLUCION: De las grficas obtenemos los valores de la situacin

de los mximos de la concentracin (Rango proyectado):

Arsenico= 0.15 m.

Fsforo= 0.4 m

Boro= 0.8 m

Tambin obtenemos los valores de las desviaciones del Rango:

Arsenico= 0.055 m.
Fsforo= 0.1 m
Boro= 0.1 m
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El implantador, cuyo esquema aparece en la figura consiste bsicamente de los siguientes bloques:

Una fuente de iones, en la que se produce el plasma de la impureza, normalmente a partir de una
fuente gaseosa de la misma (BF3, AsH3, PH3, SiH4) aunque puede producirse por evaporacin o por
sputtering de una fuente slida.
Mediante un ligero potencial extractor y un diafragma, el flujo deseado de iones son encaminados al
espectrgrafo de masas.
Espectrgrafo de masas, que desva

los iones por la aplicacin de un
campo magntico producido por las
bobinas del espectrgrafo. Ajustando
este campo se puede seleccionar el
ion que atraviesa el diafragma de
salida
Columna de aceleracin. Los iones
seleccionados en el espectrgrafo de
masas son acelerados al atravesar
diversos diafragmas de potenciales
crecientemente negativos. (hasta unas
energas mximas y tpicas de 300
KeV (algunas aplicaciones se alcanzar
algunos MeV).
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Diafragma
Seleccin
Placas aceleradoras
Placas deflectoras
Oblea
Espectrgrafo
de masas
Haz de
iones
Lentes
electrnicas
Fuente
de iones



Zona de focalizacin: El haz de iones seleccionado y acelerado es focalizado mediante las
correspondientes lentes electromagnticas, que diminuyen su divergencia a valores en torno al grado
sexagesimal.
Zona de deflexin y barrido. Est formada, esencialmente, por placas de desviacin electrosttica.
Permiten:

Separar aquellos iones que han perdido energa en su camino por colisiones con residuos de gas o
las paredes del implantador

Realizar irradiacin uniforme de la oblea mediante un barrido de la misma por el haz.
Cmara del blanco. En ella se
aloja la oblea u obleas a
implantar y se puede orientar
adecuadamente la muestra con
relacin al haz y, en muchos
casos, hacer un control de
temperatura. Adems se puede
medir (mediante un
culombmetro) la carga
aportada por los iones y
deducir, de ella, la dosis de
implantacin, que oscila,
usualmente, entre 1011 y 1016
iones cm-2.
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Parte final
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del equipo implantador

Espectrgrafo
de masas
Diafragma
Seleccin
Haz de
iones
Fuente
de iones
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Va
Placas aceleradoras
Lentes
electrnicas
Placas deflectoras
Vaco
Oblea
Medidor
de flujo
Fotografa del
Implantador de alta
energa, Eaton
HE3, mostrando el
haz de iones
impactando en la
estacin de obleas
de 300 mm.

Comparacin de Perfiles de Dopantes: Difusin e Implantacin Inica
En la difusin, vimos que normalmente se realiza en dos fases:

Debemos recordar que en el proceso de difusin, el mximo de concentracin se localizaba justo en la

superficie
La implantacin inica

Una dosis se distribuye justo bajo la superficie. Sin embargo, el mximo de concentracin aparece en
una distancia: Rp
Posteriormente, (si se desea) los dopantes se redistribuyen mediante una fase de recocido:
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Efectos reales de la implantacin inica: acanalamiento
El acanalamiento o channeling ocurre cuando:

Un in incidente encuentra una entrada hacia un espacio entre filas de tomos.

Ocurre si la velocidad del in es paralela a una orientacin principal del cristal.
Una vez que el in entra, es guiado a lo largo del canal hacia distancias considerables la
distancia de penetracin de un in acanalado es mucho mayor que la de un blanco amorfo.
Se producen de manera inesperada perfiles de impurificacin muy profundos en la
componente de concentracin aparece una cola debido a la componente de acanalamiento
Efecto del acanalamiento en una direccin

privilegiada de la red cristalina
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Esquema de un recorrido inico en un monocristal mostrando

el comportamiento acanalado y el no acanalado y sus
consecuencias en la concentracin de dopantes

Efectos reales de la implantacin inica: acanalamiento

Para evitar este efecto,

se realiza una
inclinacin de la oblea
7 en la direccin [110]
y una rotacin de 30
(110)
(111)
Simulacin virtual del

channeling en Si en
diferentes orientaciones
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(100)
(100 con rotacin e inclinacin)

Recocido
Dependiendo del tipo de iones tendremos diferentes

daos:
Iones pesados (As, Sb, In) se frenan mediante

colisiones nucleares el dao es importante.
Iones ligeros como B y P Se frenan principalmente
mediante interacciones electrnicas La mayor parte
del dao ocurre al final de la trayectoria.

Temperaturas del recocido:

T> 400C:

se eliminan defectos puntuales y

comienzan a activarse las impurezas.
Se eliminan defectos en la interfase SiSiO2, de los dispositivos MOS.
T> 1000C, se activan impurezas de

iones ligeros y pesados implantadas.
Si es necesarias T elevadas se
recurre entonces al recocido trmico
rpido: RTA (Rapid Thermal
Annealing):
elevaciones/descensos/mantenimientos
sbitos de temperatura hornos
especiales RTA.
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Dao producido dependiendo del tipo de in

de impureza
External chamber
Process
Gas
Quartz
Chamber
Esquema de
un sistema de
recocido
rpido (RTA:
Rapid Thermal
Annealing)
Tungsten-Halogen
Lamps
Wafer
Pyrometer

Implantacin inica a travs del
xido (SiO2)
Ventajas del Si en la fabricacin de CIs la superficie del Si puede cubrirse por

una capa gruesa de SiO2.
La superficie de proteccin se mantiene mientras se realiza la implantacin a travs del

xido de este modo la superficie del Si no es expuesta durante el proceso.
La implantacin puede realizarse a travs del

xido de diferentes maneras:
El Perfil A: la capa del SiO2 en este caso sirve como

mscara en la prctica se utilizara un grosor de
xido mayor para impedir la penetracin de Boro
El perfil B : deposita una gran dosis de Boro dentro del
Si til en el dopado del semiconductor mientras a la
vez se mantiene su superficie cubierta por una capa de
pasivacin. En este caso la capa de xido sirve como
ventana de implantacin
El perfil C: la mitad de la distribucin de iones se
deposita en Si, mientras que el resto se mantiene en el
xido. Idealmente, de esta manera se controla una
carga superficial en la interfaz Si-SiO2 .
NOTA: extremadamente importante para controlar el voltaje

umbral de los MOSFETs.
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Implantacin de Boro a travs de SiO2. Capa de

SiO2 de 120 nm que cubre la superficie del Si

Aplicaciones a dispositivos MOSFET

Fabricacin de un MOSFET:

Actualmente las regiones de fuente y drenador no se forman mediante difusin.

Se utiliza una tcnica de autoalineado (se usa el mismo proceso de mscara para realizar el
metal de la puerta que para el dopaje de la fuente y el drenador) junto con implantacin.

Se forma la puerta con SiO2 y posteriormente una capa de polisilicio.

Se realiza una implantacin inica para formar las islas de fuente y drenador.

La puerta hace de mscara del canal durante la implantacin y tambin se dopa el poli-silicio se convierte en conductor.
Al conseguir el auto-alineado de fuente y drenador se reduce el efecto de las capacidades de overlap.

Esta implantacin y el posterior recocido puede modificar el dopaje de la interfaz Si/SiO2 de puerta
Se controla el voltaje umbral, que es proporcional a la carga:
VT = q
QT
Cox
Cox =
ox
tox
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Distribucin de dopantes despus de la implantacin.

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Distribucin de dopantes tras la implantacin y el recocido.

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Tecnologa y fabricacin de CIs

Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

La impurificacin de cristales es de total necesidad en Electrnica.

En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o

Las impurezas se introducen a T elevada en

La concentracin de dopantes disminuye

Implantacin inica los iones se

Esta tcnica se usa tanto en Si como en

Es un proceso ms moderno, complejo y

Comparacin entre tcnicas de difusin (superior) y de

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Definicin: Redistribucin de tomos desde regiones de alta concentracin de

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Comparativa uso de difusin en Si vs GaAs:

Permite la formacin de la fuente y el drenador de

En GaAs, la difusin es menos controlable,

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Teora de la difusin: Modelo 1D de Fick

Fuente de impurezas ilimitada o constante

Fuente de impurezas limitada

Efectos reales en la difusin

Efectos de difusin lateral

Hornos de Difusin: Sistemas fsicos para la realizacin de procesos de

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1. Intersticial: La impureza penetra en el cristal de forma

Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

Sistema unidimensional que ignorar los efectos de fronteras de granos

Supone dispositivos plano-paralelos.

Considera una seccin transversal de rea A, el

1 Ley de Fick de la difusin.

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Primera ley de Fick de la Difusin:

La redistribucin de dopantes macroscpicos viene determinada por la primera Ley

Es similar a otras leyes en las cuales la causa es

1 Ley de Fick de la difusin:

Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

Primera ley de Fick de la Difusin:

El coeficiente de difusin depende de la

Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

TEORIA de la difusin: (Teora 1D de Fick)

Existe un lmite para la difusin:

Solubilidad del slido en Silicio

Observar la solubilidad de impurezas como el

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Segunda ley de Fick de la Difusin:

2 Segunda ley de Fick se reduce a:

NOTA: N=C (concentracin de dopantes)

2 Ley de Fick de la difusin:

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1er CASO: Difusin desde una fuente ILIMITADA o constante

La oblea se expone a una cantidad de impurezas en el proceso de difusin

La solucin que satisface 2 Ley de Fick: Funcin Error

La concentracin en la superficie se mantiene cte

APLICACIONES: regiones de fuente y drenador de

Perfiles de difusin de fuente constante.

Tema 5. Tecnologa y Fabricacin de CIs

2 CASO: Difusin desde una fuente LIMITADA

La solucin que satisface la 2 Ley de Fick GAUSSIANA

La concentracin en x=0 decrece como

La distancia de difusin desde el origen aumenta como:

APLICACIONES: dopajes muy profundos pero con

Dopaje de la base de un BJT.