TEMA 5.

CIRCUITOS EN
CONMUTACIN

http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

1. Introduccin
2.

Circuitos en conmutacin con BJT.

3.

Circuitos en conmutacin con MOSFET.

1. Etapa inversora MOSFET
2. Etapa CMOS
3. Etapa inversora MOS de carga integrada

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

Hasta ahora, los circuitos estudiados en la asignatura (salvo el oscilador de relajacin) son
lineales (establecemos una relacin lineal entre la entrada y la salida)

Para ello hemos operado (polarizados dentro de sus caractersticas I-V) en la regin lineal:

Los BJTs : Regin activa

Los MOSFETs: Regin de saturacin

Ahora vamos a estudiar cuando estos mismos dispositivos trabajan en conmutacin:

CONMUTACION: Paso de un punto de corte (OFF) a conduccin (ON)

Partiendo de un punto de funcionamiento esttico (POE) de las caractersticas I-V del transistor

Llevamos al dispositivo a trabajar en otro punto suficientemente alejado del primero.

MOSFET

BJT
IC ( mA)

5.1. INTRODUCCIN

IB = 80 A

IB = 60 A
IB = 40 A
IB = 20 A

IB = 0 A
VCE (V)

FFI-UPV.es

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

Transistor Bipolar de Unin (BJT) en conmutacin:

El de un punto de corte (OFF) es en la regin de corte

El punto de corriente elevada es en la regin de saturacin (ON)

RC
RB
VBB

VBE

VCE

VCC

IC ( mA)

5.1. INTRODUCCIN

IB = 80 A

FFI-UPV.es

IB = 60 A

Q
Q

IB = 40 A

Regin de saturacin
Regin activa
Regin de corte

ln
ea
de
ca
rg
a

IB = 20 A

IB = 0 A

VCE (V)

En regin activa: unin EB en directa, BC en inversa. Aplicacin en amplificacin.

En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente: circuito abierto.
En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas directamente: cortocircuito.

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN 5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

VBB = IB RB+ VBE

VCC = IC RC + VCC

Retomamos el estudio del punto de operacin ESTACIONARIO

VBE 0,7 V
RC =1 k
RB=16 k
VBB = 2 V

IB

VBE

= 100

VCE

VBB VBE 2 0,7

81,25 A
16000
RB
Ic = IB = 8,125 mA

IB

IC
VCC=10 V

VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

FFI-UPV.es

IC
VCC
RC

IB4

Q
IB2
IB1

VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3

IB3
ln
ea
de
ca
rg
a

VCC = 10 V

VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0

Ic (mA)
0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10

IB (A)
0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100

Corte
Regin activa

Saturacin

VCE
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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN 5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales
Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC
zona de saturacin

+VCC

cortocircuito VCE = 0

RC

IC

RB

V0=Vsalida

Vi=Ventrada

Q
FFI-UPV.es

ln
ea
de
ca
rg
a

FFI-UPV.es

VCE (V)

Si VBB = 0 IB = 0, IE IC 0, VCE = VCC

Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC
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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN 5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

D. Pardo, et al. 1999

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC

zona de saturacin

IC

cortocircuito VCE = 0

Q
Q
ln
ea
de
ca
rg
a

FFI-UPV.es

VCE (V)

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0, IE IC 0, VCE = VCC

La salida V0 est invertida

con respecto a la entrada
Vi Etapa inversora

Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

+VCC

VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3

RC
RB

Vsalida

Ventrada

VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0

INVERSOR

X
Ventrada

Vsalida

Ic (mA)
0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10

IB (A)
0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100

Y = not X
Y

FFI-UPV.es

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.2. CIRCUITOS BJT

Etapa inversora: BJT en aplicaciones digitales

TIEMPOS DE CONMUTACION
Cuando la entrada cambia bruscamente: tambin lo hace la salida Pero el cambio
en la salida no se produce en un tiempo nulo.

El tiempo que la salida tarda en ir desde V0=+VCC hasta V0= 0 V tiempo de paso de corte a
saturacin : toff-on

El tiempo que la salida tarda en ir desde V0= 0 V hasta V0=+VCC tiempo de paso de
saturacin a corte : ton-off
La suma de estos dos tiempos es el periodo mnimo de la seal cuadrada que se puede
aplicar a la entrada para que la etapa inversora pueda responder en conmutacin.

Jim Stiles, Dept. of EECS. The Univ. of Kansas

ton-off

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFET

Transistor MOSFET en conmutacin: Configuracin en fuente comn.

El de un punto de corte (OFF) es en la regin de corte

El punto de corriente elevada es en la regin de NO-SATURACION (ON)

Es utilizado en circuitos digitales.

Cuando Vin toma un valor bajo, el transistor est cortado y Vout es elevado.
Cuando Vin es elevado el transistor conduce y Vout es bajo.

D. Pardo, et al. 1999

Regin de NOSATURACION

Regin de CORTE
FFI-UPV.es

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFET

Transistor MOSFET en conmutacin: Configuracin en fuente comn.

10V

ID

ID [mA]
VGS = 4,5V

2,5K
D

VGS

VGS = 4V

VDS

+
-

VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V

12 VDS [V]

www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt

Comportamiento resistivo

VGS < VTH = 2V

Comportamiento lineal

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V

Comportamiento como circuito abierto

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFETs

Etapa inversora: MOSFET en aplicaciones digitales

B

ID

Vin

VGS(B)
Vout
VCC

B
www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt

VGS(A)
VDS

D. Pardo, et al. 1999

Aplicando una onda

cuadrada en los terminales
VGS se puede conseguir
que el MOSFET acte
como un inversor

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12

TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFETs

Etapa CMOS (Complementary MOSFET)

En la mayora de los Cis, se utiliza una etapa inversora con dos transistores
MOSFET de realce complementarios:

Uno Canal N y otro Canal P

Presenta numerosas ventajas con respecto a la anterior: menor consumo en estado OFF,
mayor velocidad de conmutacin.
Sus desventajas son: fabricacin ms costosa y mayor del rea del chip.

D. Pardo, et al. 1999

D. Pardo, et al. 1999

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TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIN

5.3. CIRCUITOS MOSFETs

Etapa inversora MOS con carga integrada de realce

En esta etapa, un transistor acta como resistencia: QL0

D. Pardo, et al. 1999

D. Pardo, et al. 1999

En general, en todos los circuitos vistos en el TEMA 5 podemos decir que:

Si la entrada toma uno de los dos valores discretos que mantienen al transistor
en corte y conduccin

La salida nicamente tomar tambin dos valores discretos Aplicaciones en

Electrnica DIGITAL.
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Referencias

Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de

Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e
Intercambio Editorial.1999.

Universidad de Oviedo. Area de tecnologa Electrnica (ATE). Departamento de

Ingeniera Elctrica, Electrnica, de Computadores y de Sistemas. Area de
Tecnologia Electrnica. www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt

Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica

(FFI). Universidad Politcnica de Valencia.
http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html
Material de Prof. Jim Stiles, Dept. of EECS. The Univ. of Kansas, USA.

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