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Circuitos Electrónicos 1 Clase K PDF
Circuitos Electrónicos 1 Clase K PDF
(a)
EJEMPLO
GANANCIA DE TENSIN
EJEMPLO
SOLUCIN
Puesto que cada una de las resistencias del divisor de
tensin tienen un valor de 10 k, la tensin continua de
la base es la mitad de la tensin de alimentacin, es decir
5 V. La tensin continua de emisor es 0,7 V menor, es
decir, 4,3 V. La corriente continua de emisor es 4,3 V
dividido entre 4,3 k , es decir, 1 mA. Por tanto, la
resistencia en alterna del diodo de emisor es:
(c) Alimentacin
nica,
(d) Circuito
equivalente de
continua con
polarizacin
mediante divisor de
tensin.
como ic ie, la
ecuacin se simplifica :
EJEMPLO
SOLUCIN
El circuito tiene que tener su punto Q determinado, es
decir que tenemos que analizarlo en corriente continua.
RESUMEN
TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO.
(FET)
JFET de canal N
JFET de canal P
Drenador
(D)
Drenador
(D)
ID
Puerta
(G)
Puerta
(G)
IG
VSD
VGS
IS
Surtidor
(S)
Surtidor
(S)
EJEMPLO
ID
VDS
Ecuacin aproximada:
V
I D I DSS 1 GS
VP
48
49
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
La curva de transconductancia de un JFET es la grfica
de ID en funcin de VGS. A partir de los valores de ID y
VGS de cada una de las curvas de drenador. Observe que
la curva no es lineal porque la corriente aumenta
rpidamente cuando VGS se aproxima a cero.
Cualquier JFET tiene una curva de transconductancia
como la mostrada en la Figura. Los puntos extremos de
la curva son VGS(off) e IDSS. La ecuacin de esta grfica es:
Transistores MOSFET.
55
Transistores MOSFET.
Canal N
D
Enriquecimiento
Canal P
D
S
D
Empobrecimiento
S
D
G
S
G
S
56
Sustrato (B)
Sustrato (B)
MOSFET de enriquecimiento
de canal N
MOSFET de enriquecimiento
de canal P
57
N
P
Sustrato (B)
58
VGS
I D K(VGS VT )
Ecuacin aproximada:
60
Sustrato (B)
Sustrato (B)
MOSFET de
empobrecimiento de canal N
MOSFET de
empobrecimiento de canal P
61
N
P
Sustrato (B)
62
63