Está en la página 1de 40

Capitolul 6

Amplificatoare operationale.
Structuri interne

6.1. Introducere

6.1. Introducere

vivi+

a
+

vo

v O = a v i+ v i
Un AO prezinta:
- intrare diferentiala si iesire simpla
- capacitatea de a rejecta semnalele parazite

6.1. Introducere
AO ideal
impedanta de intrare infinita
impedanta de iesire nula
amplificare in tensiune infinita
banda de frecventa infinita (raspuns instantaneu) slew rate infinit
tensiune de iesire nula pentru tensiune de intrare nula
diferenta de potential nula intre cele doua intrari
curenti nuli de intrare

AO real:
impedanta de intrare foarte mare
impedanta de iesire mica
amplificare in tensiune foarte mare

6.2. Structuri interne de amplificatoare operationale

Amplificatoare operationale in tehnologie bipolara

6.2.1. Amplificator operational cu 2 etaje de amplificare


VCC

Regim static
Q3

Q4

Q7
io1
v1

Q1

Q2

v2

I C 5 ,6 ,7 ,8 =

vo
io
RL

Q5

Q6

Q8
-VCC

Regim dinamic
io1 = g m 1 (v 1 v 2 )
vo
io RL
7 io1 RL
Add =
=
=
v1 v 2 v1 v 2
v1 v 2

Add = g m 1 7 RL

2VCC VBE
R

I
I C 1 ,2 ,3 ,4 = C 5
2

6.2.2. Amplificator operational cu 3 etaje de amplificare


etajul I

etajul al II-lea

etajul al III-lea
VCC = 6V

R1
9k

R2
9k

R4
2,6k

R3
2,6k
Q3

vI1

Q1

Q2

Q9

Q4

vI2
R6
R9 400 R8
4,3k
5,3k

R7
2k

Q10

vO
Q5
R11
1k

Q6
R10
1k

Q7

Q8 R 5
3k

-VCC = - 6V

Regim static
VCC V BE 6
IC 6 =
= 1mA
R9 + R10
IC 5 = IC 6

R10
= 1mA
R11

I
I C 1 = I C 2 = C 5 = 0 ,5 mA
2
VCC R2 I C 2 V BE 3
IC 3 = IC 4 =
= 2 mA
2 R6
V V BE7
I C7 = I C 8 = I C 9 = CC
= 1mA
R8
I C 10 =

2VCC I C 4 R4 I C 9 R7 V BE 9 V BE 10
1mA
R5

Regim dinamic (analiza de mod diferential)


Semicircuitul de mod diferential (etajul I)
R1 // r3
vO
vI

Add I = gm 1 ( R1 // r 3 // ro1 )

Q1

Semicircuitul de mod diferential (etajul al II-lea)


R3
vO
vI

Add II gm 3 ( R3 // ro 3 )

Q3

Etajul al III-lea

Add III 1

1
2

Regim dinamic (analiza de mod comun)


Semicircuitul de mod comun (etajul I)
R1 // RI2
vO
vI

( R1 // RI 2 )
r 1 + ( + 1)2 RO 1
RI 2 = r 3 + ( + 1)2 R6
Acc I =

Q1

R11

RO 1 = ro5 1 +
r 5 + R11 + ( 1 / gm 6 + R10 ) // R9

2RO1

Semicircuitul de mod comun (etajul al II-lea)


R3
vO
vI

Q3
2R6

Acc II =

R3
r 3 + ( + 1)2 R6

6.2.3. Amplificator operational cu 4 etaje de amplificare


VCC
Q13

Q12

Q15

Q14

R1

Q10

R2

Q9
Q3

R3
vI1

Q16

Q1

Q2

Q4
Q8

vI2

Q18

Q5

vO

Q11

A
Q17

Rl

Q7
Q6
-VCC

etajul I

etajul al II-lea

etajul etajul
al III-lea al IV-lea

Regim static
I C 12 =

2VCC V BE
= I C 13 = I C 14 = I C 15 = I C 16 = I C 9 = I C 8 = I C 7 = I
R3

I C 17 = I C 18 = 2 I

IC 3 = IC 4 = IC 5 = IC 6 = I / 2
IC 1 = IC 2 = I
I
I
/ VBE 8 / + / VBE 9 / = VBE 10 + VBE 11 2Vth ln
= 2Vth ln C 10
IS8
I S 10
I
A
I C 10 = I C 11 = I S 10 = I 10
IS8
A8

Regim dinamic
Amplificarea primului etaj

R1 // r4
vO
vI

Q1

Add I = gm 1 ( R1 // r 4 // ro1 )

Amplificarea etajului al II-lea


Add II = gm 3 (ro6 // ro 4 // r 7 )
Amplificarea etajului al III-lea

ro16
r10 + (+1)Rl

Add III = g m7 (ro7 // ro16 // Rl )

2/gm9
A
ro7

Amplificarea etajului al IV-lea


AIV

Rl
=
1
r 10 + Rl

Rezistenta de intrare de mod diferential

Rid = 2 r 1
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
min
VIC
= VCC + VBE 1 + VCE 18 sat

max
V IC
= VCC R1 I C 1 VCE 1 sat + V BE 1

Excursia maxima a tensiunii de iesire

VOmax = min(VCC / VCE 16 sat / VBE 10 ; I C 16 Rl )


VOmin = VCC + VCE7 sat + / VBE 11 /

Amplificatoare operationale clasice in tehnologie CMOS

6.2.4. Amplificator operational cu un etaj de amplificare


VDD
M7

M4

M3

M6

Regim static
not

M1

v1

IO
M8

VC1

M2

vO

v2

I D9 = I O =

K
(VC 1 VT )2
2

I D 1 = I D 2 = ... = I D8 = IO / 2

M9
M5

Regim dinamic
i D6 i D5 = i D 3 i D8 = i D 3 i D 4 = i D 2 i D1 = gm 1 (v 2 v1 )
vO = (i D6 i D5 )RO = gm 1 (v 2 v1 )RO

RO = rds6 // rds 5 = rds 5 / 2

1
gm 1rds 5 (v 2 v1 )
2
1
1 K
a = g m 1 rds 5 =
2
IO

vO = gm 1 (v 2 v1 )RO =

6.2.5. Amplificator operational cu 2 etaje de amplificare (1)


VDD
M4

M3
R
IO

M5
v1

M8

M1

M2

vO

v2

M7

M6

Regim static
RI O + VGS 8 = V DD
IO

K
= (VGS 8 VT ) 2
2

V DD = VGS 8 +

RK
(VGS 8 VT )2 VGS 8 (VGS 8 > VT )
2
IO =

K
(VGS 8 VT )2
2

I D5 = I D6 = I D7 = I D8 = I O
I D 1 = I D 2 = I D 3 = I D 4 = I D7 / 2 = I O / 2

Regim dinamic
Amplificarea circuitului

a = gm 1 (rds 2 // rds 4 )gm 5 (rds5 // rds6 )


Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
max
VIC
= VDD VSG 5 VDS 2 sat + VGS 2 = VDD VSG 5 + VT = VDD

min
V IC
= V DS7 sat + VGS 1 = VGS7 + VGS 1 VT = VT + ( 2 + 1)

IO
K

2 IO
K

6.2.6. Amplificator operational cu 2 etaje de amplificare (2)


VDD
M13

M9
M6

M5 M3
v1

M1 M2

M4
vO

v2

IO

M10

M14
M11

M12

M7

M8

Regim static
I D 1 = ... = I D 8

IO
=
2

I D 9 = ... = I D 14 = I O

Regim dinamic
Amplificarea circuitului
1
a = gm 1 (rds 4 // rds 8 )gm 10 (rds 10 // rds 9 ) = gm 1 gm 10 rds 4 rds 10
4

Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun


max
V IC
= V DD V SG 3 V DS 2 sat + VGS 2 = V DD

min
V IC

= VGS 2 + V DS 14 sat = ( 2 + 1)

IO
+ VT
K

IO
K

6.2.7. Amplificator operational cu 3 etaje de amplificare


Regim static
VDD
VC1

v1

M2

VC2

VC3

M6

M8

v2

M3

M10
vO

M7
M4

M5

M9

M11

K
(VDD VC 1 VT )2
2
K
I D6 = I D7 = (VDD VC 2 VT )2
2
I D10 = I D 11 = I D 8 = I D9 =
I D1 =

K
(VDD VC 3 VT )2
2

I
I D 2 = I D 3 = I D 4 = I D5 = D1
2

Regim dinamic
Add 1 = gm 2 (rds 3 // rds 5 )
Add 2 = gm7 (rds6 // rds7 )
Add 3 = gm 8 (rds 10 // rds 11 )

Amplificatoare operationale cascod in tehnologie CMOS

6.2.8. Amplificator operational cascod cu un etaj de amplificare (1)


VDD

M7

M9

M6

M8

M5

M3

M4

M10

M1

M2

v1

Regim static
vO

v2

I D1 = I D 2 = ... = I D14 = I O / 2

IO
M11

M12

M13

M14

Regim dinamic
1
2
2
2
RO = gm 10 rds
//
g
r
g
r
=
m 12 ds 12
10
2 m 10 ds 10
1
2 (
vO = gm 1 (v 2 v1 )RO = gm 1 gm 10 rds
v 2 v1 )
10
2
a=

1
2
g m 1 g m 10 rds
10
2

6.2.9. Amplificator operational cascod cu un etaj de amplificare (2)


VDD
T3

T5 T4

T6
VC1

T8
vO

IO

v1

T1

T2
T11

T12

v2

VC2

T10

T9
T7

Regim static
I D1 = I D 2 = ... = I D10 = I D11 / 2 = I D12 / 2 = I O / 2
Regim dinamic
a = g m1 RO
RO = g m 9 rds 9 rds7 // g m8 rds 8 rds6 =

1
2
g m9 rds
9
2

Amplificatoare operationale cascoda intoarsa (folded cascod)


in tehnologie CMOS

6.2.10. Amplificator operational cascoda intoarsa (1)


VDD
VC2

R
v1

M1

M2

IO

M12

VC1

Regim static

M5

M6

I D1 = I D 2 = I O / 2

M3

M4

I D11 = I D12 = IO

v2

vO
M7

M8

M9

M10

M11

K
I D 5 = I D6 = (V DD VC 2 VT ) 2
2
I D 3 = I D 4 = I D7 = ...
... = I D 10 = I D6 I D 2

Regim dinamic
i D 4 i D 8 = i D 4 i D 3 = ( I D6 i D 2 ) ( I D 5 i D 1 ) = i D 1 i D 2
a = g m 1 RO
RO = rds 8 gm 8 rds 10 // [rds 4 gm 4 (rds6 // rds 2 )]

6.2.11. Amplificator operational cascoda intoarsa (2)


VDD
M17

M11

M10

M16

VC 2 asigura I D 4 = I D 5 = I O / 2

M13
v1

M1 M2

v2

M8

K 15 = 4 K 14 = 4 K
VGS 14 = VGS 15 + I O R

vO

M9
VC1

M14

M15

M3

M7

M6

M4

IO

Regim static

M12

M5

VT +

VC2

I D 1 = I D 2 = I D 4 = ... = I D 9 =

2IO
2IO
= VT +
+ IO R
K
4K

IO =

IO

1
2 KR 2

I D 3 = IO = I D10 = ... = I D17

Regim dinamic
i D9 i D7 = i D9 i D8 = ( I D11 i D 2 ) ( I D10 i D1 ) = i D1 i D 2
a1 = gm 1 RO
a1 = gm 1 {rds7 gm7 rds5 // [rds 9 gm 9 (rds 11 // rds 2 )]}
a2 1

6.2.12. Amplificator operational cascoda intoarsa (3)


VDD
M9
3K

M8
K

v1
IO

M1 M2
K
K

M10 M13
3K 12K

M1A
3K/2
v2

M2A
3K/2

M3A
K

M4A
K

M11
27K

vOUT
M14
K C

M7
K
M5
K

M6
K

M3
K

M12
5K

M4
K

Regim static
I D 5 = I D6 = I D7 = I D 8 = I O ; I D 9 = I D 10 = 3 I O ; I D 13 = I D14 = 12 I O
I D 11 = I D12 = 27 I O ; I D 3 A = I D 4 A = I D 1 A = I D 2 A = I D 3 = I D 4

IO 5 IO
= 3 IO
=
2
2

6.2.12. Amplificator operational cascoda intoarsa (3)


VDD
M9
3K

M8
K

v1
IO

M1 M2
K
K

M10 M13
3K 12K

M1A
3K/2
v2

M2A
3K/2

M3A
K

M4A
K

M6
K

Regim dinamic

M3
K

vOUT
M14
K C

M7
K
M5
K

M11
27K

M12
5K

M4
K

a1 = gm 1 RO 1

2
RO 1 = gm 4 Ards
4 A // rds 2 A [1 + gm 2 A (rds 10 // rds 2 )]

a 2 = gm 12 RO 2
RO 2 = rds 11 // rds 12

6.2.12. Amplificator operational cascoda intoarsa (3)


Analiza functionarii sursei de curent pentru tensiuni reduse
V1

Tranzistoare identice

IO2
IO1

IO1
M14

VGS 3 A = VGS 4 A =
not

M3A

M4A

= VGS 3 = VGS 4 = VGS =


= VT +

M3

2 IO1
K

M4

V = VGS 14 = VT +

VDS 3 = VDS 4 = V VGS > VGS VT V > 2VGS VT

2 IO 2
K

VDS 3 A = VGS (V VGS ) = 2VGS V > VGS VT V < VGS + VT


Se obtine:

2 IO1
2 IO 2
2 IO1
VT < VT +
2VT +
<
+ 2VT
Deci:
K
K
K

2 IO 2
2 IO1
4 I O 1 < I O 2 si

< VT - conditii de proiectare


K
K
Avantaj: V1 min = VGS (fata de oglinda clasica cascod avand V1 min = 2VGS )

6.2.12. Amplificator operational cascoda intoarsa (3)


Efectul capacitorului C de compensare Miller
C
vO
v12
gm1vi

RO1

gm12v12

RO2

v12
+ sC = gm 1v i + vO sC
RO 1

vO
+ sC = v12 sC gm 12 v12
RO 2

Rezulta:

sC
sC
1
1
gm 12
gm 12
a = gm 1 gm 12 RO 1 RO 2
= a 1a 2
1 + gm 12 RO 1 RO 2 sC
1 + gm 12 RO 1 RO 2 sC

Amplificatoare operationale transconductanta


(operational transconductance amplifiers OTA)
in tehnologie CMOS

Diferente fata de amplificatorul operational clasic:


- iesire in curent
- este utilizat in mod uzual in bucla deschisa, fara reactie negativa; amplitudinea
tensiunii de iesire este controlata prin intermediul rezistentei de iesire

iOUT = Gm (v1 v 2 )
vOUT = iOUT RO = Gm RO (v1 v 2 )
a=

vOUT
= Gm RO
v1 v 2

Dezavantaje:
- neliniaritatea amplificatorului transconductanta
- dependenta de temperatura a transconductantei echivalente

6.2.13. Amplificator operational transconductanta (1)


VDD

V1

M5

M6

VA

VB

VA
M1

Ma

VB
M3

M2

Mb

M4

V1

V2
IO

IO

ID1 + ID3

iOUT =

ID2 + ID4

K
(V A' V1 VT )2 + K (VB' V2 VT )2 K (V A' V2 VT )2 K (VB' V1 VT )2
2
2
2
2

iOUT =

K
(V2 V1 )(2V A' V1 V2 2VT ) + K (V1 V2 )(2VB' V1 V2 2VT )
2
2

iOUT = K (VB' V A' )(V1 V2 )


2IO
V A ' = V A + V SGa = V A + VT +
K

2IO
V B ' = V B + V SGb = V B + VT +
K

iOUT = K (VB V A )(V1 V2 )

6.2.13. Amplificator operational transconductanta (1) - aplicatie AO


VDD
M13

M12
M11

M5
Va
v1

Va
M1

M14

M6
V b
Ma M2
v2

IO

Vb
M3

Mb M4

v1

IO

vO

M9

M7

M17

M15

M10

M8

M18

M16

RO = rds 14 gm 14 rds 13 // rds 15 gm 15 rds 16 =


a = Gm RO =

1
2
gm 15 rds
15
2

1
2
K (VB V A )g m 15 rds
15
2

6.2.14. Amplificator operational transconductanta (2)


Circuit de extragere a radacinii patrate (I)
VDD
VC

M5
I2

I1

M6

M1

I
iOUT1

I =

M2
M3

V SG 1 + V SG 3 = V SG 5 + V SG 6

IO

M4
I

iOUT2

iOUT 1 = I + I 2 = I 1 + I 2 +
iOUT 2 = I 1 + I 2 +

K
(VC 2VT ) I 1
2

K
I = I 1 + (VC 2VT ) 2 2 KI 1 (VC 2VT )
2
K
(VC 2VT )2 2 KI 1 (VC 2VT )
2

K
(VC 2VT )2 2 KI 2 (VC 2VT )
2

iOUT = iOUT 1 iOUT 2 = 2 K (VC 2VT )( I 2 I 1 )

6.2.14. Amplificator operational transconductanta (2)


VDD
IO
V1
M7

M8

VC

M5

V2

I2

I1
M6
M1

M2
M3

IO

M4

iOUT2

iOUT1

VC = V SG 5 + V SG 6 = 2VT + 2

2IO
K

iOUT 1 iOUT 2 = 4 I O ( I 2 I 1 )
K
(VSG 8 VSG7 ) = 8 KI O (V1 V2 )
iOUT 1 iOUT 2 = 4 I O
2

Gm = 8 KI O

6.2.15. Amplificator operational transconductanta (3)


iOUT1

I1a
V1

iOUT2

I3a
M1a M3a

IO
V

I1b
I3b
M3b M1b

M5

M4a

M2a

M2b
M6

VO

V2

2 I 3a
V1

= 2VGS 3a = 2 VT +
2
4 K

I 3a

V
K

= VO 1 2VT
2
2

M4b

I 1a

M7

K V

= 1 VT
2 2

K
(VO 3VT )(V1 VO + VT )
2
K
I 1b I 3b = (VO 3VT )(V 2 VO + VT )
2
iOUT 1 iOUT 2 = ( I 1a + I 3 b ) ( I 1b + I 3 a ) = ( I 1a I 3a ) ( I 1b I 3 b ) =
I 1a I 3 a =

K
(VO 3VT )(V1 V2 )
2
iOUT 1 iOUT 2
KI O
KI O
G
3
=
=
(V1 V2 )
m
=3
V1 V2
2
2
=

iOUT 1 iOUT 2

6.2.16. Amplificator operational transconductanta (4)


VDD

VDD

I4

I1
V1

M1

M5

M6

M2

I3

I2

V2

M7 M8

M3

M4
VC

I1 I2 =

K
K
K
(V 1 VT ) 2 (V 1 VC VT ) 2 = VC (2V1 VC 2VT )
2
2
2
I4 I3 =

K
VC (2V 2 VC 2VT )
2

iOUT = ( I 1 I 2 ) ( I 4 I 3 ) = KVC (V1 V2 )