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Contaminacin o dopaje

Los semiconductores en s no presentan propiedades prcticas, por esto se los contamina para darles
alguna propiedad especial, como alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear
centros de recombinacin, y otros.
Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb); al
tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse la estructura cristalina, el
quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel
energtico superior a los cuatro restantes. Si consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que
ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la
energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la
correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que
los electrones son los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este excedente de
electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. An siendo mayor n
que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero
de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un
disminucin del nmero de huecos p, es decir: :n > ni = pi > p, tal que: np = ni Por lo que respecta a la
conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo
donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.
En cambio si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas aportan una vacante,
por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es
un hueco como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico
ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia
en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los
portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve
compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas
tambin se cumple en este caso.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da
algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para
ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del
silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de
la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el
material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones
de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn
libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N
generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del
semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de
valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina
en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido
que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un
protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una
cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules
(tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce
de manera natural.