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PROYECTO

Contador de objetos con display de 7 segmentos Materiales:


Cantidad

Materiales

1
Fototransistor de 5 mm con filtro de luz de da: PT1302B/C2
1
LED infrarrojo de 5 mm, larga distancia: IR383
7
Resistencia de carbn, de 1/4 Watt, al 5% de tolerancia: R330 1/4
1
Resistencia de carbn, de 1/4 Watt, al 5% de tolerancia: R1801/4
2
Resistencia de carbn, de 1/4 Watt, al 5% de tolerancia. R560 1/4
1
LED de 5 mm, color mbar difuso: E5/AMB-D
1
Circuito integrado TTL: SN74LS90N
1
Circuito integrado TTL: SN74LS47N
1
Base para circuito integrado de 14 patas. IC14P
1
Base para circuito integrado de 16 patas. IC16P
1
Display de 7 segmentos, nodo comn, de 10 mm: DA04
1
Terminal chica con 2 tornillos, para circuito impreso:TRT-02
1
Placa fenlica: PC- 5x5
1
Hojas de transferencia: PNP-010
1

Cloruro frrico: MC025


1

Convertidor de voltaje o eliminador regulado de 3 a 8,4 Vcc, 2,5 Amperes:


ELI-2520.

Funcionamiento

El circuito est diseado para llevar a cabo el conteo de algn objeto


que pase al centro de un sensor infrarrojo y un fototransistor, el cual
enviar un pulso para que muestre en un display el nmero de personas
u objetos detectados.
Se colocar el emisor y el receptor de frente a una distancia de 10 mm,
entre ellos existir un espacio para que un objeto pueda pasar e
interrumpir la barrera infrarroja, y as enviar el pulso al display e iniciar
el conteo del 1 al 0. Cuando se inserta el objeto entre el sensor infrarrojo
y el fototransistor, la resistencia de este ltimo aumenta produciendo un
pulso de voltaje, cuando el objeto deja de interrumpir el haz de luz del
infrarrojo, la resistencia del fototransistor

disminuye, regresando al

contador a su estado inicial. El resultado de este proceso es el envi de


un pulso hacia el contador, para continuar con el proceso de
enumeracin de personas u objetos detectados. El circuito se alimenta
con 5 volts a 156 mA.

Fototransistor
Al igual que los transistores normales se crean agregando a un diodo un
material tipo n para formar un transistor npn o bien agregando un
material p para formar un transistor pnp, de la misma forma si
agregamos por ejemplo, un material n a un fotodiodo, entonces se crea
un Fototransistor npn:

Smbolo del fototransistor


de Base Abierta
(sin conexin de base al exterior)
El lente ayuda a concentrar la luz incidente en la unin base-colector, y
puede ser un lente colocado por separado o bien el mismo encapsulado
transparente formando un lente. El fototransistor puede tener o no la
conexin de base hacia el exterior, de tal forma que la corriente de
colector, Ic, puede fluir en respuesta a la corriente de base Ib y a la luz
incidente Li en la unin base-colector, para el caso del fototransistor sin
conexin de base.
La unin base-colector opera en polarizacin inversa y funciona como un
fotodiodo que responde a la luz incidente. La unin base-emisor esta
polarizada directamente, permitiendo que el dispositivo funcione como
un transistor normal, amplificando la corriente.
LED infrarrojo
Los LED infrarrojos son un tipo especfico de diodo emisor de luz (LED
por sus siglas en ingls) que produce luz en el espectro infrarrojo. La luz
en este rango no es visible para el ojo humano, pero puede ser
detectada por una variedad de dispositivos electrnicos, haciendo al LED
ideal para objetos como controles remotos, donde el LED no necesita ser
visto para funcionar. 80 por ciento de los LED producidos en el mundo

tienen 5 mm de dimetro. Los LED infrarrojos no son diferentes y la


mayora de ellos tiene 5 mm de dimetro. La longitud de onda de la luz
emitida por un LED infrarrojo cae en el espectro infrarrojo. Mientras este
espectro es

bastante ancho, la mayora de

los led emitirn

luz con una longitud de onda de

cerca de 1000

nm con un ancho de banda de

unos 50 nm.

Esto significa qu e un LED con

valor de 1000

nm producir luz de entre 950 y

1050 nm.

Resistencia de carbon
Este tipo es muy habitual hoy da, y es utilizado para valores de hasta 2
watios. Se utiliza un tubo cermico como sustrato sobre el que se
deposita una pelcula de carbn tal como se aprecia en la figura.

Para obtener una resistencia ms elevada se practica una hendidura


hasta el sustrato en forma de espiral, tal como muestra (b) con lo que se
logra aumentar la longitud del camino elctrico, lo que equivale a
aumentar la longitud del elemento resistivo.
Las conexiones externas se hacen mediante crimpado de cazoletas
metlicas a las que se une hilos de cobre baados en estao para
facilitar la soldadura. Al conjunto completo se le baa de laca ignfuga y
aislante o incluso vitrificada para mejorar el aislamiento elctrico. Se

consiguen as resistencias con una tolerancia del 5% o mejores, adems


tienen un ruido trmico inferior a las de carbn prensado, ofreciendo
tambin mayor estabilidad trmica y temporal que stas.