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Principios de funcionamiento.

Transistores PNP y NPN

Curvas caractersticas.

Polarizacin del Transistor

Transistores de Potencia. Caractersticas

Transistores de Efecto de campo (FET y MOS)

El MOSFET

Aplicaciones de los FETs

Cdigo de designacin de transistores PNP y NPN

Encapsulado de transistors

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OBJETIVOS DEL CAPITULO










Conocer los principios de funcionamiento del transistor.


Conocer los diversos tipos de transistores.
Analizar los efectos producidos por la polarizacin en directa
(normal) y en inversa con la corriente emisor-base del circuito
emisor-base.
Analizar los efectos producidos en polarizacin inversa en la
corriente del colector en el circuito emisor-base.
Analizar los efectos de la variacin de IB en el valor de IC.
Determinar el valor de Beta.
Conocer las aplicaciones ms comunes de los transistores.

BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA






Fundamentos de electrnica fsica y microelectrnica, Albella,


J.M. y Matinez-Duart, J.M Addison Wesley / Universidad
Autnoma de Madrid
Principios de Electrnica . Malvino, Albert Paul:: 6 Ed. Madrid.
Mc. Graw-Hill 2000
Circuitos y dispositivos electrnicos, L. PRAT et al.,, UPC, 1994.
Electrnica: Teora de circuitos, R.L. Boylestad & L. Nashelsky,
Ed. Prentice Hall, 1997
Diseo electrnico, SAVANT et al., Addison-Wesley
Iberoamericana, 1992.
Una pgina muy interesante. "The semiconductor applet service"
http://jas.eng.buffalo.edu/

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Uno de los dispositivos de estado slido que mayor impacto ha causado en


el desarrollo de los circuitos electrnicos es quizs el transistor.
Descubierto en 1947 por un grupo de cientficos de la compaa Bell
Telephone de EE.UU., pronto alcanz una enorme popularidad
sustituyendo a los antiguos elementos de vaci debido a su menor tamao y
consumo de potencia. Al mismo tiempo se abrieron nuevas posibilidades de
aplicacin en circuitos en los cuales los transistores ejecutan funciones cada
vez ms complejas. Actualmente existe una familia muy amplia de
dispositivos transistores, cada uno de ellos con caractersticas especficas.
En este captulo hablaremos de los transistores bipolares, denominados asi
porque en los procesos de conduccin que ocurren durante el
funcionamiento de estos dispositivos participan portadores de ambos
signos, es decir, huecos y electrones.
Sus fundamentos han sido descritos como el
fenmeno fsico ms sorprendente y uno de los
avances cientficos ms grandes de nuestra
poca, y tambin el ms importante dentro de la
electrnica despus de que, a fines del siglo
XIX, Fleming, estudiando el efecto Edison,
invent la vlvula diodo, que posteriormente
perfeccionaron Lee de Forest y Langmuir,
ideando el triodo. Las vlvulas han mantenido
su supremaca durante ms de 40 aos, pero a pesar de sus grandes
progresos y perfeccionamientos necesitan 1 vatio de consumo para
amplificar un microvatio, mientras el transistor tiene un rendimiento de un
25 a un 40 %, y slo necesita una potencia un milln de veces menor que la
vlvula.
El transistor bipolar de unin, a menudo denominado simplemente
transistor, est constituido por la unin de tres semiconductores, de carcter
P y N alternativamente. El semiconductor del centro suele ser muy estrecho
y se denomina base. Los otros dos semiconductores, de signo opuesto a la
base se denominan, de acuerdo con las funciones que ejecutan, emisor y
colector. Cada uno de estos semiconductores lleva un contacto metlico con
un hilo de salida al exterior. Se trata de un dispositivo de tres terminales.

PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO
Teora elemental del Transistor: Una primera aproximacin
Sus fundamentos son en ltimo extremo el mismo que el de los
rectificadores o diodos de germanio y silicio. Los materiales empleados
son, entre otros, el germanio y el silicio, por sus propiedadades
semiconductoras.
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Describiremos el transistor de contacto o juntura, por ser el que tiene ms


parecido al diodo ya descrito. Se compone de tres discos de Germanio o
Silicio (algunos del grueso de un cabello) con sus terminales o conexiones.
El disco central, llamado base es de polaridad distinta a la de los extremos;
por ejemplo, en el transistor tipo NPN, el disco central es de Germanio
positivo P, mientras los dos extremos son negativos N; como puede
observarse en la figura 1, uno de los discos exteriores N est polarizado en
sentido contrario al de la base P, es decir, que el diodo as formado no es
conductor, y se le llama colector (la unin PN, base-colector).

Fig.1 Transistor de unin.

Fig.2 - Esquema

En cambio, el otro disco exterior N se polariza en sentido directo con


respecto a la base P, es decir, que el diodo as formado es conductor, y ste
electrodo se denomina emisor (la unin NP, emisor-base).
Mientras en el circuito emisor no se aplica corriente, en el otro circuito, o
sea, el colector, aunque est conectada la pila, prcticamente no circular
corriente; Pero si cerramos el circuito emisor, los electrones libres de ste
pasarn a la base, y tambin parte de ellos sern atrados por el colector
polarizado positivamente, provocando as una circulacin de corriente del
colector. Entonces, si colocamos en el circuito del colector una elevada
impedancia, se puede obtener en ella una tensin controlada por la corriente
del emisor, resultando, por tanto, un amplificador. En los transistores PNP
el funcionamiento es idntico. Pero con distintas polaridades.

Fig.3 Modo de trabajo Amplificador.


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Con el circuito de la figura 3 se pueden obtener ganancias o


amplificaciones mucho mayores, pues las Corrientes del Colector tambin
circulan por el Emisor. En este circuito cuando los electrones del Emisor
llegan a la Base, slo una mnima parte de ellos alcanzarn el borne de la
pila de 1,5 V, porque, una vez en la Base, son atrados con mayor fuerza
por la pila de 6 V conectada al Colector, necesitando por lo tanto la
corriente de Emisor a Base ms pequea, por lo que ser ms ventajoso este
circuito.

Como se construye el transistor


Los diversos tipos de transistores se construyen mediante el dopado de un
semiconductor, como por ejemplo un cristal de silicio, introduciendo
impurezas cuidadosamente seleccionadas y controladas.
Determinadas impurezas producen
materiales de tipo n, en los que la
conduccin se debe principalmente
a los electrones libres. Otros tipos
de impurezas producen materiales
de tipo p, en los que la conduccin
se debe, en realidad, a partculas
positivas llamadas huecos.
Un dispositivo electrnico de gran importancia es el transistor bipolar o
BJT (bipolar junction transistor), que est compuesto por una serie de capas
de semiconductor dopado, como se muestra en la Figura 4. La figura
muestra un transistor npn que tiene una capa de material de tipo p entre dos
capas de tipo n, aunque tambin es posible construir un transistor bipolar
pnp.
Otro dispositivo importante es el MOSFET (metal-oxide-semiconductor
field-effect transistor: transistor de efecto de campo de metal-xidosemiconductor), que se muestra en la Figura 5. Este dispositivo contiene
una puerta metlica (G) aislada de un canal de semiconductor de tipo n
mediante una capa de dixido de silicio (se pueden construir dispositivos de
similar utilidad empleando un canal de material de tipo p). Los terminales
llamados drenador (D) y fuente (S) estn conectados a los extremos
opuestos del canal.
Un MOSFET puede funcionar como un interruptor que conecta y
desconecta los terminales del drenador y la fuente segn la tensin aplicada
a la puerta.

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Para determinados mrgenes de la tensin aplicada, el interruptor estar


abierto, y no pasar corriente entre el drenador y la fuente. Para otros
valores de tensin de puerta, el interruptor estar cerrado, y la corriente
pasar fcilmente entre el drenador y la fuente. Esta accin de tipo
interruptor es la base de los circuitos digitales. En la ejecucin de los
programas de un computador, millones de transistores MOS conmutan cada
segundo.
Otro modo de trabajo del MOSFET tiene lugar cuando la tensin en la
puerta se encuentra entre los dos valores para los cuales el canal entre el
drenador y la fuente est abierto o cerrado. En este caso, la corriente del
canal podr ser controlada con precisin por la tensin presente en la
puerta. En esta regin, el MOSFET puede amplificar seales analgicas. En
un equipo de sonido, los transistores hacen variar rpidamente el flujo de
corriente hacia los altavoces para producir la msica.
De manera similar, los transistores bipolares pueden funcionar como
interruptores (que son tiles en los circuitos digitales) o como fuentes
controladas de corriente (que son tiles en los circuitos analgicos).

Circuitos Integrados
En 1958, Jack Kilby (de Texas Instruments) y Noyce y Moore (de Fairchild
Semiconductor), inventaron de manera independiente un dispositivo
extremadamente importante: el circuito integrado (CI), que combina
transistores bipolares, MOSFET, resistencias y condensadores, junto con
todas sus interconexiones, en un circuito funcional dentro de un nico chip.

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Principio de Funcionamiento
Un transistor se puede usar como amplificador o como conmutador. En la
fig. 1 se puede ver una aplicacin tpica de amplificacin: un transistor
NPN que amplifica la corriente proveniente de un micrfono para poner en
funcionamiento un altavoz Hablando ahora en trminos de corriente
electrnica, el micrfono convierte la potencia de las ondas sonoras en
ondas de corriente elctrica.

El micrfono bombea electrones de la base (regin P) del transistor.


Cuando no hay ninguna onda sonora que ponga en marcha el micrfono, el
transistor bloquea la corriente que la batera enva al circuito de trabajo.
Pero cuando los electrones se extraen de la regin P al micrfono, una
cantidad de ellos, mucho mayor, aunque proporcional, fluye del emisor al
colector y prosigue a travs del circuito hasta el altavoz.
Asimismo, se recordar que el transistor es necesario, porque la corriente
que produce el micrfono es tan pequea que no puede poner en
funcionamiento el altavoz. Es necesaria, por tanto, una potencia mayor, que
se obtiene de la fuente de alimentacin, una batera en este caso. El
transistor regula el flujo de electrones que proviene de la batera y produce
una copia amplificada de la mucho ms dbil seal del micrfono.
Basndonos en lo que se ha dicho respecto a los diodos, se puede entender
que este proceso de amplificacin se debe al movimiento de los electrones
libres y a los huecos o lagunas positivas del material semiconductor del
transistor. Veremos enseguida cmo sucede.
Recordemos ahora cmo funciona un transistor en el otro tipo de
aplicacin: la conmutacin. En la fig. 2 se puede ver la aplicacin de un
transistor conmutador: un sistema telegrfico en transmisin y recepcin.
En este sistema de transmisin, el interruptor del circuito de control
produce los puntos y las rayas, pero el cable que une el interruptor y el
receptor tiene una resistencia tan grande que la seal del circuito de control
llega demasiado dbil para poner en funcionamiento al avisador
automtico.
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A medida que el circuito de control bombea los electrones fuera de la


regin P, va bajando la tensin electrnica de la base hasta que llega por
debajo del umbral de conmutacin. Entonces, el transistor se pone a
conducir una gran cantidad de electrones que provienen del alimentador y
que ponen en marcha el avisador automtico.
Qu es el umbral que acabamos de mencionar? La tensin umbral de un
transistor de silicio es, aproximadamente, igual a la de un diodo de silicio y
su valor es de unos 0,6 V. Cuando se extraen bastantes electrones de la
regin P, los suficientes como para producir una diferencia de tensin
directa de unos 0,6 V en los bornes de la unin emisor-base, el transistor
alcanza el estado de conduccin siempre que se sigan retirando electrones
de la base, de forma que por el circuito de trabajo pueda circular una
corriente proporcionalmente mayor.

Diferencia entre un transistor conmutador y un amplificador


Ciertos transistores estn construidos de tal manera, que funcionan mejor
como conmutadores, y otros como amplificadores. Sin embargo, en caso
de necesidad, la mayora de los transistores se pueden usar tanto para
conmutar como para amplificar. Por ejemplo, el transistor de nuestro
sistema telegrfico tambin puede funcionar como amplificador. A pesar de
todo, en la mayor parte de los casos esto repercute desfavorablemente en
los resultados. Por esta razn, los transistores se clasifican, en general, en
amplificadores o conmutadores, pero no suelen hacer las dos funciones.
No es, por tanto, el transistor en s el que decide si tiene que conmutar o
amplificar, sino el circuito de control, es decir, el dispositivo que controla el
transistor y que determina que funcione de una u otra manera.
El transistor, puede ser usado en una amplia variedad de funciones de
control incluyendo amplificacin, oscilacin y conversin de frecuencia.

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La unin PN asimtrica
Un punto de partida conveniente para el anlisis y la comprensin del
funcionamiento del transistor es recordar cmo se produce un flujo de
corriente en una unin PN directamente polarizada (cuando vimos el
diagrama correspondiente al Captulo 1 - Semiconductores, el mismo
ilustraba la naturaleza del flujo de corriente en una unin simtrica en la
que la concentracin de los portadores era idntica a los dos lados de la
unin).
Consideremos ahora el caso de tener una concentracin asimtrica de
portadores de carga. Supongamos que se tiene una alta concentracin de
lagunas en la regin de tipo P y una baja concentracin de electrones en la
de tipo N. Esta situacin aparece representada en la fig. 3a. Si aplicamos
una polarizacin directa, las lagunas que provienen de la regin P
atravesarn la unin hacia la regin N. Al entrar en la regin de tipo N
solamente se encuentra una pequea cantidad de electrones y, por eso,
recorrern una gran distancia hasta que se hayan recombinado todos.
En el mismo tiempo, los electrones, que atraviesan la unin desde la regin
N a la de tipo P, encontrarn una alta concentracin de lagunas y, por esta
razn, se recombinarn velozmente sin alejarse de la unin. La distribucin
de las corrientes de lagunas y
de electrones es la de la fig. 3b.
Se puede ver que en las
proximidades de la unin, toda
la corriente est constituida por
el flujo de las lagunas de la
regin
P
(de
alta
concentracin) con slo una
pequea
corriente
de
electrones de la regin N (de
baja concentracin). Se dice
que existe una inyeccin de
lagunas y la corriente total que
atraviesa la unin recibe el nombre de eficiencia de inyeccin y, en uniones
asimtricas, puede alcanzar valores muy elevados, del orden del 99%. En
la regin N, cerca de la unin, se tiene que la mayor parte de la corriente se
debe a un flujo de lagunas que, despus de atravesar la unin, se convierten
en esta regin en portadores minoritarios.
A la distancia media que recorren los portadores minoritarios antes de
recombinarse se llama longitud de difusin, y su valor depende de la
movilidad y del tiempo de vida de los portadores minoritarios del material
semiconductor. Generalmente, es inversamente proporcional a la
concentracin de portadores mayoritarios del material. Por eso, como se
puede ver en la fig. 3, la longitud de difusin de las lagunas en la regin N
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de baja concentracin es mayor que la de los electrones en el material tipo


N de alta concentracin.
Si reducimos la longitud de la
regin N dejndola en un valor
muy pequeo, bastante inferior al
de la longitud de difusin de las
lagunas, fig. 4a, solamente una
pequea parte de las lagunas
inyectadas en la regin de tipo N
se recombinar antes de alcanzar
el terminal metlico, donde las
que lleguen sern reemplazadas
por los electrones que provienen
del circuito externo. En la fig. 4b
se pueden apreciar los flujos de
lagunas y de electrones a travs de
la estructura. Es importante
observar que la corriente que
atraviesa la fina regin de tipo N
est constituida casi totalmente
por un flujo de lagunas, que son los portadores minoritarios en esa zona.

El efecto transistor
Si introducimos ahora otra unin PN, disponemos de una segunda regin de
tipo P a la derecha de la fina de tipo N, como se ve en la figura 5a. Ahora
polaricemos inversamente esta segunda unin. Si la primera unin contina
polarizada directamente, la corriente que la atraviesa est constituida
principalmente por el flujo de lagunas, como se ve en la fig. 4.
Las lagunas se difundirn a travs de la primera unin y, por lo tanto,
atravesarn la regin central de tipo N como portadores minoritarios.
Algunas lagunas, sobre la marcha, se recombinarn con los electrones.
Pero debido a que la longitud de la regin de tipo N es pequea en
comparacin con la longitud de difusin de las lagunas, slo una pequea
parte de ellas se recombinar antes de que el flujo alcance la regin de
carga espacial de la segunda unin PN. La energa potencial que hay en los
extremos de esta regin de carga espacial, debida a la polarizacin inversa,
es suficiente para arrastrar las lagunas (portadores minoritarios) a travs de
la unin de la segunda regin de tipo P.
Una vez que han llegado a la segunda regin de tipo P, bajo la influencia de
un campo elctrico externo, las lagunas se convierten en portadores mayo-

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ritarios y se dirigen hacia el


terminal negativo. La fig.
5b muestra el paso de la
corriente de lagunas por la
estructura.
Esta
transferencia
de
lagunas positivas de la
primera regin P, a travs
de una estrecha regin de
tipo N y una unin
inversamente polarizada, a
una segunda regin de tipo
P es lo que se llama efecto
transistor.
La corriente de lagunas que fluye a travs de la segunda regin de tipo P es
slo ligeramente inferior a la inicial que fluye a travs de la primera regin
de tipo P. Por eso, aplicando una pequea tensin, se puede producir una
corriente en un circuito de baja resistencia (la primera unin PN,
directamente polarizada) y, por lo tanto, hacer que esta corriente fluya a
travs de un circuito de alta resistencia (la segunda unin PN, inversamente
polarizada), teniendo, de esta forma, la posibilidad de obtener una alta
tensin de salida y una amplificacin de potencia.

Requisitos de la estructura de un transistor




La concentracin de portadores en la regin del colector debe ser baja


para poder obtener una alta tensin de breakdown de avalancha de la
unin de colector, es decir, que la resistividad de la regin del colector
debe ser alta.

La concentracin de portadores en la regin de la base debe ser alta en


comparacin con la del colector, para estar seguros de que la regin de
carga espacial se extiende principalmente en la regin del colector; es
decir, que la resistividad de la regin de base debe ser inferior a la de la
regin de colector.

La concentracin de portadores en la regin del emisor debe ser


altsima en comparacin con la regin de la base para obtener una alta
eficiencia de inyeccin; es decir, la resistividad de la regin del emisor
debe ser bastante inferior a la de la regin de la base.

La anchura de la regin de la base debe ser pequea en comparacin


con la longitud de difusin de los portadores minoritarios para que
haya una alta eficiencia de transporte.

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La movilidad de los portadores minoritarios en la regin de la base


debe ser alta para que pueda haber una alta eficiencia de transporte.

La unin de emisor debe estar directamente polarizada.

La unin de colector debe estar inversamente polarizada.

Tipos de transistores
Existen en el mercado dos tipos de transistores: PNP y NPN. Son utilizados
distintos smbolos para estos transistores con el objeto de mostrar la
diferencia del sentido de circulacin de la corriente en uno y otro tipo de
dispositivo.
En el transistor NPN, mostrado en la
figura 6b, los electrones fluyen desde el
emisor al colector; en el tipo PNP, figura
6c, lo hacen del colector al emisor. En
otras palabras, la direccin de la corriente
continua electrnica es siempre opuesta a
la de la flecha dibujada sobre la conexin
de emisor (como en el caso de los
diodos, la flecha indica la corriente del
flujo convencional de corriente, en el
circuito).
Las dos primeros letras de las
designaciones NPN y PNP indican las
respectivas polaridades de las tensiones
aplicadas al emisor y al colector en condiciones normales de
funcionamiento. En un transistor NPN el emisor se hace negativo con
respecto al colector y a la base, siendo el colector positivo con respecto a la
base y al emisor. En un transistor PNP el emisor se hace positivo tanto con
respecto al colector como a la base, mientras que el colector debe ser
negativo con respecto a los dos electrodos restantes.

Fig. 7

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Una juntura PN polarizada en sentido inverso es equivalente a un elemento


de alta resistencia (baja corriente para una tensin aplicada dada), mientras
que una juntura polarizada en la direccin directa equivale a un elemento de
baja resistencia (alta corriente para una tensin determinada).
Como la potencia desarrollada por una cierta corriente es mayor en un
elemento de alta resistencia (P = I2R), podemos obtener una cierta
ganancia de potencia en una estructura que contenga ambos tipos de
resistencia si la magnitud de la corriente no se reduce significativamente.
En sntesis, un dispositivo que contenga dos junturas PN polarizadas en
sentidos opuestas es denominado transistor bipolar de juntura (TBJ).

TRANSISTORES PNP y NPN


El transistor de unin consiste en dos uniones PN colocadas una tras otra
en un mismo trozo de material semiconductor, con una separacin de unas
pocas dcimas de milsimas de centmetro (el grosor de esta capa ronda los
3 micrmetros). La figura 7 muestra un dispositivo formado por dos
junturas. Las capas gruesas exteriores son del mismo tipo de material (tipo
N en este caso) y estn separadas por una capa muy delgada del tipo
opuesto (P en el dispositivo).. Por medio de bateras externas, es polarizada
la juntura izquierda NP en sentido directo para proporcionar un circuito de
entrada de baja resistencia y es aplicada polarizacin inversa a la juntura
derecha PN para dar lugar a un circuito de salida de alta resistencia.
Los electrones fluyen fcilmente de la regin N izquierda a la regin P del
centro por efecto de la polarizacin directa. La mayora de estos electrones
se difunde a travs de la delgada regin tipo P y son atrados por el
potencial positivo de la batera externa dispuesta sobre la juntura derecha.
En los dispositivos prcticos aproximadamente el 95 a 99,5% de la
corriente electrnica alcanza la regin N de la derecha. Este elevado
porcentaje de penetracin de la corriente, proporciona ganancia de potencia
en el circuito de salida de alta resistencia y constituye la base de la
capacidad del transistor para amplificar.
Como podemos observar del anlisis que hemos efectuado, el
funcionamiento de los dispositivos PNP es similar al NPN, salvo que las
tensiones de polarizacin deben invertir su polaridad y el flujo de electrones
circula en direccin opuesta.
En la fig. 8 se puede ver una tpica estructura de transistor en la que se
utiliza la llamada construccin planar.

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En el tipo PNP, la primera regin polarizada positivamente recibe el


nombre de emisor, porque emite o inyecta lagunas a lo largo de la unin
directamente polarizada en la regin central de tipo N. La fina regin
central de tipo N se llama base; la segunda regin de tipo P se llama
colector. Est polarizada negativamente para recoger las lagunas que
provienen de la regin central a travs de la segunda unin polarizada
inversamente.
La primera unin, entre emisor y base, se llama unin de emisor, y la
segunda, entre base y colector, unin de colector. Ya hemos visto que es
necesario que la concentracin de lagunas en el emisor de tipo P sea mayor
que la concentracin de electrones en la base de tipo N; la regin de emisor
est mucho ms dopada que la regin de base. Vimos tambin que la regin
de colector es deseable que est menos dopada que la regin de base.

Flujo de corriente en un transistor PNP


Consideremos por ahora solamente la unin de colector polarizada.
Comenzaremos examinando el caso en que se aplica al colector una tensin
negativa, de tal forma que la unin de colector est inversamente
polarizada y no se aplique ninguna tensin al emisor (fig. 9a).
Por la unin de emisor no pasar
ninguna corriente. Slo podr
pasar corriente a travs de la
unin de colector, y estar
constituida
por
portadores
minoritarios producidos por la
agitacin trmica en su regin de
carga espacial y en sus
proximidades. Esta corriente ser
la
corriente
inversa
de
saturacin de la unin de
colector, denominada en los transistores de unin, ICBO.

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Los ndices indican que la corriente va del colector hacia la base con el
circuito emisor abierto (open). Como ICBO se debe a la agitacin trmica,
aumentar con el aumento de la temperatura: es termosensible. A una
cierta temperatura, como se dijo al hablar de la unin PN inversamente
polarizada, ICBO tendr un valor constante, independientemente de la
tensin de colector, siempre que la tensin est por debajo del valor de
breakdown de avalancha de la unin.
Supongamos que se aplique una tensin
directa a la unin de emisor y no se aplique
ninguna tensin al colector (fig 9b). Como
hemos visto antes, es suficiente con una
pequea tensin directa, generalmente
menor de 1 V, para provocar un fuerte flujo
de corriente directa a travs de una unin.
Como la regin de emisor est ms dopada
que la de base, la corriente directa estar
constituida por un flujo de lagunas a travs
de la unin de emisor.
Una vez en el interior de la regin de base, las lagunas se convierten en
portadores minoritarios. Como no existe ninguna conexin con la regin de
colector, las lagunas no pueden fluir a travs de la unin de colector y, por
lo tanto, se mueven desde la regin de base hasta el electrodo negativo
conectado a la base.
Examinemos la situacin en la que la unin de emisor est directamente
polarizada, mientras que la unin de colector est inversamente polarizada
Esta es la disposicin
normal en que funciona un
transistor (fig. 9c). La
corriente de lagunas fluir a
travs de la unin de emisor
en la regin de base, como
se ha visto antes. Las
lagunas se convertirn en
portadores minoritarios y
fluirn lejos de la unin. Recorrern una pequea distancia (una pequea
fraccin de una milsima de milmetro) y se dirigirn a la regin de carga
espacial producida por la tensin inversa aplicada a la unin de colector,
donde sern arrastradas de un lado a otro de la unin de colector por la
accin que ejerce el campo elctrico.
En la regin de colector de tipo P, las lagunas se volvern a convertir en
portadores mayoritarios y se dirigirn hacia el terminal de colector
negativo, donde las rellenarn los electrones que provienen del conductor.
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Al pasar a travs de la regin de base de tipo N, un pequeo nmero de


lagunas se recombinar con los electrones. Esto significa que los electrones
habrn dejado de existir en la regin de base. Para reemplazarlos, deber
entrar en la regin de base un nmero igual de electrones provenientes del
terminal de base. Adems, una pequesima parte de la corriente que
atraviesa la unin de emisor estar constituida por electrones que van de la
base al emisor. Tambin estos electrones deben fluir a la regin de base
desde el terminal de base.
La suma de estos dos pequeos flujos de electrones constituye lo que se
llama corriente de base (Ib). A la corriente que circula por el cable exterior
del emisor se la llama corriente de emisor Ie, y a la que recorre el cable del
colector, corriente de colector (Ic).
Ya que el nmero total de electrones que sale de la estructura debe ser igual
al nmero de los que entran, la suma de la corriente de colector Ic y de la
corriente de base Ib debe ser igual a la corriente de emisor Ie. Es decir

Ie = Ic + Ib
Transistor de unin NPN
Una estructura NPN funcionar de forma anloga a la estructura PNP.
Tambin en este caso tenemos dos uniones PN, esta vez separadas por una
fina regin de tipo P. Como en el transistor PNP, la primera unin, el
emisor, est directamente polarizada, y la segunda, el colector,
inversamente.
Sin embargo, existen dos
diferencias
importantes
que hay que recordar.
En primer lugar, las
tensiones de trabajo sern
opuestas a las del
transistor PNP. El emisor
de tipo N debe estar
polarizado negativamente
respecto a la base de tipo P para funcionar directamente, y el colector,
siempre respeto a la base, positivamente, para funcionar inversamente.
En segundo lugar, ahora el emisor de tipo N inyectar electrones en la base
de tipo P y estos electrones se convertirn en portadores minoritarios y se
difundirn a travs de la regin de base hasta que el campo elctrico,
producido por el potencial positivo, los arrastre a lo largo de la unin de
colector. La fig. 10 muestra las polaridades para el transistor NPN.

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As, se puede ver porqu se dice que los dos tipos de transistores son
exactamente equivalentes, pero de funcionamiento opuesto.
En general, los transistores de tipo NPN pueden funcionar ms
rpidamente, es decir, que pueden ponerse en funcionamiento o en corte
ms rpidamente que los PNP.
Si a esto se le une el hecho de que el coste de fabricacin de los
transistores NPN es menor, se entiende porqu los transistores de tipo NPN
se usan ms que los PNP

CURVAS CARACTERISTICAS
Ganancia de corriente
Vimos que la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor.
Si se realiza un pequeo cambio de la corriente de emisor, se tendr una
variacin casi idntica de la corriente de colector. La relacin entre la
variacin de la corriente de colector y la de emisor se denomina Ganancia
de Corriente y se la designa con la letra griega
Por tanto, se tiene que:

= Ic/Ie

El valor de depender de dos factores: la eficiencia de inyeccin de la


unin de emisor y la eficiencia de transporte de la regin de base, que es la
relacin entre el nmero de portadores minoritarios que llegan al colector y
el nmero de portadores minoritarios inyectados en la regin de base a
travs de la unin de emisor. En la prctica, suele tener un valor cercano
a 0,997. El valor tpico est comprendido entre 0,98 y 0,99.
El trmino caractersticas es utilizado para identificar las propiedades y
valores elctricos de un transistor; estos valores pueden ser dados en forma
de una curva o bien mediante tablas. Cuando los valores caractersticos son
dados en forma de curvas, stas pueden servir para la determinacin del
comportamiento del transistor y el clculo de otros parmetros del mismo.
Los valores caractersticos son obtenidos de mediciones elctricas en
diferentes circuitos y bajo ciertas condiciones definidas de corriente y
tensin.
La caracterstica esttica es trazada aplicando potenciales de tensin
continua
a
los
electrodos
del
transistor.
La caracterstica dinmica es deducida inyectando tensin alterna en un
electrodo, bajo diferentes potenciales de tensin continua en todos los
electrodos. La caracterstica dinmica es, por lo tanto, ilustrativa de las
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109

posibilidades prcticas del transistor en las condiciones reales de


funcionamiento.
Consideremos la configuracin PNP en base comn de la figura 3.3.

La caracterstica de la unin de emisor es la indicada en la figura 3.7. Tal


curva pone de manifiesto cmo aumenta la corriente de emisor al aumentar
la polarizacin directa debida al incremento de la tensin de emisor, VEB, y
recibe el nombre de caracterstica de emisor o, a veces, caracterstica de
entrada.

Con corriente de emisor nula, la curva del colector ser similar a la de una
unin simple polarizada inversamente. La corriente estar slo constituida
por la corriente de saturacin inversa ICB0 y permanecer substancialmente
constante al aumentar la tensin. Esta es la curva sealada con IC = 0 en la
figura 3.8.
En los transistores, la corriente de saturacin inversa de la unin de colector
ICB0 es conocida con el trmino de corriente de dispersin del colector.
Ahora elevamos el valor de la corriente de emisor a 1mA (en la figura 3.7
esta situacin es dada por el punto A) y lo mantenemos constante en ese
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110

valor, mientras que variamos la tensin de colector para obtener una nueva
caracterstica de colector. La corriente de emisor pasa a travs del colector
sea cual fuere el valor de la tensin colector base y, as, la nueva curva de
colector ser la curva A de la figura 3.8 (sealada con IC = 1mA).
De la misma manera, si a continuacin aumentamos la corriente de emisor,
obtendremos las curvas de colector B, C y D para corrientes de emisor de 2,
3 y 4 miliamperios, respectivamente. As es como ahora tenemos una
caracterstica de salida completa, compuesta por una familia de curvas de
colector que muestran claramente el efecto de la corriente de emisor y de la
tensin de colector sobre la corriente de colector. La familia de las
caractersticas de salida es quiz la ms til de las caractersticas del
transistor.
La figura 3.7 muestra la caracterstica de emisor y est representada por una
sola curva. Las variaciones de la tensin de colector tienen un efecto
pequeo sobre la caracterstica de emisor y, por lo tanto, para que sean
realmente correctas, deberemos dibujar una familia de curvas de emisor,
cada una de ellas para un valor constante de la tensin de colector. As, el
efecto de la tensin de colector es tan poco importante que podemos pasar
por alto en la mayor parte de las aplicaciones prcticas.
En la figura 3.8 podemos ver que la corriente de colector existe incluso con
una tensin de colector nula. Esto es debido a que la barrera de potencial de
la unin de colector con polarizacin 0 tiene un valor tal que atrae a los
portadores minoritarios a la regin de base a travs de la unin. Para reducir
la corriente de colector a 0 es necesario aplicar una pequea tensin de
colector dirigida positivamente, como podemos apreciar en la figura 3.8.
Las caractersticas de colector de la figura han sido dibujadas en el tercer
cuadrante para recordar que la unin de colector est polarizada
inversamente. Pero al representar las caractersticas, normalmente son
dibujadas las curvas en el primer cuadrante, trazando la corriente de
colector hacia arriba y la tensin hacia la derecha.
Podemos determinar caractersticas similares para la configuracin con
emisor comn. En este caso, la caracterstica de entrada mostrar cmo
aumenta la corriente de base IB, cuando aumenta la polarizacin directa de
la tensin base emisor VBE. Esta caracterstica est indicada en la figura
3.9 para el mismo transmisor utilizado en las figuras 3.7 y 3.8.
La caracterstica de salida muestra cmo vara la corriente de colector IC al
variar la tensin colector emisor VCE para diversos valores previamente
fijados de la corriente de base

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111

De nuevo, puede ser til ver el procedimiento seguido para dibujar la


familia de curvas del colector. La figura 3.10 muestra las caractersticas del
colector, esta vez en el primer cuadrante. Con una corriente de base nula,
existe una pequea corriente de colector llamada corriente de dispersin a
emisor comn ICE0. sta es debida a la corriente de saturacin inversa de la
unin colector base y su valor ser discutido despus, en esta misma
seccin. La segunda curva ha sido trazada con la presencia de una corriente
de base de 50 microamperios.
Obtenemos curvas similares si la corriente de base es aumentada cada vez
50 microamperios, lo cual permite que sea obtenida la familia de curvas de
la figura 3.10. Podemos observar que las caractersticas de salida con
emisor son parecidas, en la forma, a las de la configuracin con base
comn, salvo que en este caso hay una inclinacin ms acentuada de las
curvas de corriente. Esto sucede porque la corriente de dispersin de la
unin del colector no permanece constante al aumentar la tensin. Las
pequeas imperfecciones en el material semiconductor prximo a la unin
obligan a la corriente a aumentar ligeramente con la tensin, y en la
conexin con emisor comn este aumento est amplificado por la ganancia
de corriente
Otra observacin interesante es que la corriente de colector cae a 0 cuando
la tensin de colector emisor es nula. Como a la tensin nula el colector
est al mismo potencial que el emisor, la unin colector base estar
directamente polarizada, como la unin de emisor, y el flujo de portadores
minoritarios de la regin de base a travs de la unin de colector ser
anulada.

Ganancia de corriente
Una indicacin de la ganancia del transistor es la relacin de transferencia
directa de corriente, es decir, la relacin entre la corriente en el electrodo
de salida y la corriente en el de entrada. En virtud de las diferentes formas
en que pueden ser conexos los transistores en los circuitos, la relacin de
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112

transferencia directa es especificada para cada configuracin particular. La


relacin de transferencia directa de corriente para base comn es
generalmente denominada alfa (), la relacin de transferencia directa de
corriente para colector comn es conocida como gama () y la relacin de
transferencia directa de corriente para emisor comn suele ser llamada beta
().
En el circuito de base comn mostrado en la figura 3.4, el emisor es el
electrodo de entrada y el colector el de salida. El alfa de corriente continua
es, por lo tanto, la relacin entre la corriente continua de colector, IC, y la
corriente continua de emisor, IE:

En el circuito de emisor comn, la base es el electrodo de entrada y el


colector el de salida. El beta de corriente continua resulta ser entonces, la
relacin entre la corriente continua de colector, IC, y la corriente continua
de base, IB:

En el circuito de colector comn, el colector es el electrodo de entrada y el


emisor el de salida. El gama de corriente continua es la relacin existente
entre la corriente continua de emisor, IE, y la corriente continua de base, IB:

Puesto que las relaciones precedentes son basadas en las corrientes


continuas, es acertado denominarlas alfa de corriente continua, beta de
corriente continua o gama de corriente continua.

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113

Es ms comn, empero, indicar la relacin de transferencia de corriente en


trminos de la relacin entre las corrientes de seal en los electrodos de
entrada y la salida, o sea la relacin entre un cambio en la corriente de
salida y el cambio en la corriente de seal de entrada que lo provoca.
La figura 3.11 muestra las corrientes tpicas de los electrodos en un circuito
de emisor comn bajo condiciones de ausencia de seal y con corriente de
seal de un microamperio aplicada a la base.

Esta ltima determina una variacin de 49 microamperios (147 98) en la


corriente de colector, de modo que el beta de corriente alterna para el
transistor es 49.

La frecuencia de corte de un transistor es definida como la frecuencia para


la cual el valor de alfa (en un circuito de base comn) o el de beta (en un
circuito de emisor comn) decae a 0,707 de su valor en un kilohertzio.
El producto ganancia anchura de banda es la frecuencia para la cual la
relacin de transferencia directa de corriente con emisor comn (beta)
resulta igual a la unidad.
Estas caractersticas proporcionan indicacin aproximada del rango de
frecuencias til de la unidad y facilitan la determinacin de la configuracin
ms adecuada para una aplicacin particular. La figura 3.12 muestra estas
curvas tpicas de alfa y beta en funcin de la frecuencia.
Las corrientes de corte son pequeas corrientes continuas inversas
fluyentes cuando el transistor est polarizado en condicin no conductiva;
comprenden las corrientes de fuga, que estn relacionadas con las
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114

caractersticas de superficie del material semiconductor y las corrientes de


saturacin, que estn vinculadas con la concentracin de impurezas en el
material y se elevan con el incremento de la temperatura. La corriente de
corte de colector es la corriente continua fluyente en el circuito colector
base con polarizacin inversa, cuando el circuito emisor base est abierto.
La corriente de corte de emisor es la corriente circulante en el circuito
emisor base con polarizacin inversa, cuando el circuito colector base
est abierto.
Las tensiones de ruptura del transistor definen los valores de tensin entre
dos electrodos especificados, para los cuales la estructura cristalina se
modifica y la corriente comienza a crecer rpidamente. La tensin
permanece entonces relativamente constante para un amplio rango de
corrientes en los electrodos. Las tensiones de ruptura pueden ser medidas
con el tercer electrodo abierto, en cortocircuito, o polarizadas en sentido
directo o inverso.
En la figura 3.13 existen una serie de curvas caractersticas de colector para
diferentes condiciones de polarizacin de base.

Podemos ver que la tensin de ruptura entre colector y emisor aumenta a


medida que decrece la polarizacin entre base y emisor, desde los valores
directos normales, pasando por 0 hacia los valores inversos. Los smbolos
consignados en las abscisas son usados en ocasiones para designar
tensiones de ruptura entre el colector y emisor con la base abierta VRCEA,
con resistencia externa entre la base y el emisor VRCER, con el emisor y la
base en cortocircuito VRCEC, y con tensin inversa entre base y emisor
VRCEV.

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115

A medida que decrece la resistencia entre base y emisor, la caracterstica de


colector desarrolla dos puntos de ruptura. Despus de la ruptura inicial, la
tensin entre el colector y emisor se reduce, con aumento correspondiente
en la corriente de colector, hasta que se presenta otra ruptura a una tensin
inferior. Esta tensin de ruptura mnima entre colector y emisor es
denominada tensin de sostenimiento.
En los transistores de potencia de grande superficie, existe un mecanismo
destructivo al cual aludimos como segunda ruptura. Esta condicin no es
ruptura de tensin, sino ms bien proceso regenerativo trmico y elctrico
en el cual la corriente se concentra en una pequea zona cuyo dimetro es
del orden del de un cabello humano. La elevada corriente, junto con la
tensin a travs del transistor, determina un calentamiento localizado que
puede llegar a fundir una diminuta perforacin entre el colector y el emisor,
dando lugar de este modo a un cortocircuito en el dispositivo. Este proceso
de regeneracin no se inicia a menos que coincidan ciertos valores elevados
de tensin y corriente durante lapsos finitos.
En estructuras convencionales de transistores, los efectos limitantes de
segunda ruptura varan directamente con la amplitud de la tensin aplicada
e inversamente con la anchura de la regin base. Estos efectos son ms
intensos en los transistores de potencia cuyas estructuras de base sean
empleadas para lograr buena respuesta de frecuencia.
Las curvas, a la izquierda de la figura 3.13, muestran caractersticas tpicas
de colector bajo condiciones normales de polarizacin directa. Para una
corriente de entrada dada en la base, la tensin de saturacin entre colector
y emisor es la tensin mnima requerida para mantener el transistor en
condicin de plena conduccin (es decir, en la regin de saturacin). En
estas caractersticas, un aumento ulterior de la polarizacin directa no
produce el incremento correspondiente de la corriente de colector. Las
tensiones de saturacin son muy importantes en las aplicaciones que son
referidas a la conmutacin y son usualmente especificadas para distintas
condiciones de las corrientes electrdicas y de la temperatura ambiente.
La tensin de perforacin define el valor de la tensin para el cual la capa
de agotamiento en la regin de colector pasa completamente a travs de la
regin de base y hace contacto en algn punto con el emisor. Este
fenmeno de perforacin da origen a un camino de resistencia
relativamente baja entre el emisor y el colector y determina un sbito
aumento de la corriente. La tensin de perforacin no produce la
destruccin permanente de un transistor, en la suposicin de que exista
suficiente impedancia en la fuente de alimentacin como para limitar la
disipacin de la unidad a valores de seguridad.

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116

POLARIZACION DEL TRANSISTOR


Para la mayora de las aplicaciones que no sean de conmutacin, el punto
de funcionamiento para un transistor particular se establece con referencia a
los valores estticos (CC, sin seal) de la tensin de colector y de la
corriente de emisor. En general, puede considerarse un transistor como un
dispositivo operado por corriente, es decir, la circulacin por corriente en el
circuito de emisor-base controla el flujo de la misma en el circuito de
colector.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:


1.

2.

ZONA ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta


zona, y se comporta como una fuente de corriente constante
controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). Este
parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y
un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto,
suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la
corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su
valor. Algunos multmetros son capaces de medir este parmetro pero
esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el
polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector
distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.
SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para
aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo
podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el
emisor.

3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin


4.

(potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes


que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic).
ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente
de inters.
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117

Concepto de punto de trabajo y recta de carga esttica


El transistor bipolar que opera en la region lineal tiene unas caracteristicas
electricas lineales que son utilizadas para amplificacion. En estos circuitos,
las senales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay
un aporte de energia realizado a traves de fuentes de tension externas
denominadas fuentes de alimentacion o fuentes de polarizacion. Las fuentes
de alimentacion cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y
tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la region
lineal y suministrar energia al transistor de la que parte de ella va a ser
convertida en potencia (amplificacion). Los valores de corrientes y
tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto
de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).
En transistor del circuito de la figura.(a) siguente est polarizado con dos
resistencias y una fuente de tension en continua VCC. En este circuito se
verifica que
Si suponemos que el transistor se encuentra en la region directa lineal,
entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a traves de
la hFE y asignar una tension base-emisor tipica de 0.7 V. El calculo de las
tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q.
Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

En la figura (b) se muestra la representacin grafica del punto de trabajo Q


del transistor, especificado a traves de tres parametros: ICQ, IBQ y la
VCEQ.

Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de


carga estatica: si Q se encuentra en el limite superior de la recta el
transistor estara saturado, en el limite inferior en corte y en los puntos
intermedios en la region lineal. Esta recta se obtiene a traves de la ecuacion
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118

del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas
caracteristicas del transistor de la figura (b) anterior, corresponde a una
recta. La tercera ecuacion de planteada, define la recta de carga obtenida al
aplicar KVL al circuito de polarizacion, de forma que
VCC=VCE+IC RC
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del
transistor se selecciona dos puntos:
a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC;
b) IC=0, entonces VCE=VCC.
Estos puntos se pueden identificar en la figura (b) y representan los cortes
de la recta de carga estatica con los ejes de coordenadas. Una de las
primeras decisiones relacionadas con la polarizacion de un transistor es
seleccionar la situacion del punto Q. La seleccion mas practica es situarle
en la mitad de la recta de carga estatica para que la corriente de colector sea
la mitad de su valor maximo, condicion conocida como excursion maxima
simetrica. Evidentemente esta es una condicion de diseno que asegurara el
maximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la
intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de
operacion del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro
sentido. En estos casos la situacion del punto Q estara definida por las
diferentes restricciones.

Potencia de disipacin esttica mxima (PCMAX)


Un transistor de union polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus
terminales que le hacen disipar energia. Esta potencia de disipacion se
puede obtener aplicando la definicion de potencia absorbida por un
elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se expresa como

PC = IB VBE + ICVCE
Debido a que generalmente la IB<<<IC y la
VBE<<VCE , el primer
termino de esta ecuacion es despreciable frente al segundo, resultando que

PC IC VCE
Esta ecuacin representa a
una hiprbola en el plano
(VCE, IC) de las curvas
caractersticas del transistor.
El fabricante proporciona
como dato la potencia de
disipacin mxima de un
transistor; como ejemplo, el
BC547
tiene
una
PCMAX=500mW.
En la
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119

figura (b) se representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor. Es


preciso que el punto del trabajo Q este por debajo de esa curva ya que sino
el transistor se daara por efecto Joule.
Los valores de corriente y de tensin elegidos, as como la disposicin
polarizadora utilizada en particular, dependen de las caractersticas del
transistor y de los requisitos especficos de su aplicacin.
La polarizacin del transistor en la mayor parte de las aplicaciones, se
forma suministrando tensin en sentido director en la juntura emisor-base y
en sentido inverso a travs de la juntura colector-base.
En las figuras 1, 2 y 3 se emplean dos
bateras para establecer la tensin de
polarizacin con la polaridad correcta
para un transistor NPN en los circuitos
de base comn, emisor comn y colector
comn, respectivamente; son utilizables
tambin muchas variantes de estos
circuitos bsicos.

Circuitos de polarizacin de transistores bipolares


La seleccion del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a traves de
diferentes circuitos de polarizacion que fijen sus tensiones y corrientes. En
los siguientes prrafos veremos algunos circuitos tipicos basados en
resistencias y fuentes de alimentacion. Estos circuitos presentan diferencias
en algunos casos importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura (a)
anterior, es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas
condiciones se puede producir deriva termica que autodestruye el transistor.
La polarizacion de corriente de base de la figura indicada en la figura 5 es
mucho mas estable aunque el que mas se utiliza con componentes discretos
es el circuito de autopolarizacion. La polarizacion de colector-base asegura
que el transistor nunca entra en saturacion al mantener su tension colectorbase positiva.
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120

En la fig. 4 se presenta una disposicin polarizadora simple para el circuito


de base comn usando un transistor NPN. La polarizacin para la juntura
colector-base y para la juntura emisor-base se obtiene de una sola batera,
mediante la red divisora de tensin que comprende los resistores R2 y R3.
Se observa que la juntura emisor-base est polarizada en sentido directo, ya
que el emisor es negativo con respecto a la base y la juntura colector-base
se ha polarizado en sentido inverso, en razn de que el colector es positivo
con relacin a la base, tal como se
indica.
La corriente I procedente de la batera
que atraviesa el divisor de tensin,
establece una cada de tensin sobre
el resistor R2 que polariza el emisor
con respecto a la base. De esta
manera circular por R1 la cantidad
adecuada de corriente que establecer
el potencial de emisor correcto para
suministrar polarizacin directa con
relacin a la base.
Esta corriente de emisor establece la corriente de colector que, a su vez,
provoca cada de tensin sobre R4. Simplificando, el divisor de tensin
formado por R2 y R3 establece el potencial de emisor; el emisor de
potencial y el resistor R1 establecen la corriente de emisor; la corriente
de emisor establece la corriente de colector; y la corriente de colector y
R4 establecen el potencial de colector.
R2 queda derivado por el capacitor C1, de modo que la base queda
efectivamente a masa para las seales de CA.
El circuito de emisor comn puede polarizarse tambin por medio de una
sola batera.
La disposicin simplificada, fig. 5, se denomina usualmente "polarizacin
fija". En este caso, tanto la base como el colector se hacen positivos con
respecto al emisor por medio de la batera
Se determina entonces la resistencia de base RB que producir la corriente
de base deseada (la que a su vez establece la corriente de emisor IE),
recurriendo a la siguiente
expresin:
RB = (VBB - VBE) / IB
donde VBB es la tensin de
batera y VBE es la tensin
de base a emisor
En el circuito mostrado, por
ejemplo, la tensin de la batera
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121

es de 6 volts; el valor de RB se calcul para obtener corriente de base de 27


microamperes, en la siguiente forma:
RB = (6 - 0,6) / 27 x 106 = 200.000
La disposicin de polarizacin fija de la
fig. 5 no resulta, sin embargo, mtodo
satisfactorio de polarizar la base en un
circuito de emisor comn. La corriente de
base es crtica en este tipo de circuito y
muy difcil de mantener con la
disposicin referida, debido a las
diferencias entre los transistores y a la
sensibilidad de los mismos para cambios
de temperatura.
Este problema se supera parcialmente en la configuracin de
"autopolarizacin", fig. 6. En este circuito, el resistor de base se conecta
directamente al colector lo que ayuda a estabilizar el punto de
funcionamiento, en razn de que un aumento o disminucin de la corriente
de colector produce una modificacin similar en la polarizacin de base.
El valor de RB se determina como
antes, excepto que se usa la tensin de
colector VCD en lugar de la tensin de
la fuente VBB:
RB = (VCE - VBE) / IB = (3 - 0,6) /
27 x 106 = 90.000 ohms
El sistema de la figura 31 evita muchos
de los inconvenientes de la polarizacin fija aunque reduce la ganancia
efectiva del circuito.
En el mtodo ilustrado en la figura 7, el divisor de tensin compuesto por
R1 y R2 provee la polarizacin directa requerida a travs de la juntura
base-emisor
. El valor de la polarizacin de base
queda determinado por la corriente
que atraviesa el divisor de tensin.
Este tipo de circuito proporciona
menos ganancia que el de la fig. 6,
pero se lo utiliza comnmente en
virtud de su inherente estabilidad. El
circuito de emisor comn, fig. 8,
tiene por objeto obtener estabilidad y
reducir al mismo tiempo la prdida de ganancia.
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122

Se agrega un resistor RE en el circuito de emisor y el resistor de base R2 se


retorna al terminal positivo de la batera, en lugar de hacerlo al colector. El
resistor de emisor RE introduce estabilidad adicional y est derivado con el
capacitor CE. El valor de CE depende de la menor frecuencia a ser amplificada

EL TRANSISTOR DE POTENCIA
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al
de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las
altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas
potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.
Parmetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 )

Media (104 )

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturacin)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura de
operacin

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Coste

Alto

Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la


capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:




Trabaja con tensin.


Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

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123

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento


ideal:







Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta
frecuencia de funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE
mxima elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y


concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a
conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino que siempre hay
un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las
capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los
tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

Otros parmetros importantes


Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por
un terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).
Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de
drenador (IDM). Con este valor se determina la mxima disipacin de
potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en
circuito
abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del
dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador
y fuente en los FET).
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin
prcticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y
resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este valor, junto con el de
corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en
saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor
bipolar (ganancia esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia
en directa).

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124

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO


Los transistores de efecto de campo representan una categora importante
y especializada de dispositivos electrnicos. Estos dispositivos poseen
pequeo tamao, bajo consumo de potencia, rigidez mecnica y otras
ventajas de los componentes de estado slido.
Los transistores de efecto de campo (Field Effect Transistor) derivan su
nombre del hecho de que el flujo de corriente es controlado mediante la
variacin de un campo elctrico establecido aplicando una tensin a un
electrodo de control llamado compuerta; mientras que, en los transistores
bipolares el flujo de corriente es controlado mediante la variacin de una
corriente menor inyectada en el terminal de la base.
Adems, el funcionamiento de estos ltimos depende de la accin de dos
tipos de portadores de carga (electrones y huecos); en cambio, los TEC son
dispositivos unipolares en el sentido de que en ellos la conduccin es
explicada mediante un solo tipo de portadores: huecos en los dispositivos
de canal P y electrones en los de canal N.
Basndose en la construccin de la compuerta, los TEC son clasificados en
dos clases principales:
a)

Transistor de efecto de campo de juntura (TECJ o en ingls JFET,


Junction Field Effect Transistor), en el cual el campo elctrico de
una juntura inversamente polarizada, constituida por el canal y otro
material semiconductor unido a la compuerta, controla la
conductancia del primero segn el valor de la tensin inversa
aplicada.

b) Transistor de efecto de campo con compuerta aislada (En ingls


IGFET, Insulated Gate Field Effect Transistor) caracterizado por
tener la compuerta aislada del canal por una capa de xido de silicio.
Si bien ambas clases funcionan segn el mismo principio (la conduccin de
corriente es controlada mediante la variacin de un campo elctrico), la
construccin de una compuerta confiere a cada tipo caractersticas y
ventajas definidas.

FUNCIONAMIENTO BASICO DE UN FET


Para explicar el funcionamiento de los TEC podemos recurrir al concepto
de control de carga. Una carga en la compuerta (electrodo de control)
induce una carga igual, pero opuesta, en una capa semiconductora llamada
canal, que se ubica inmediatamente debajo de la compuerta. Esta carga
inducida en el canal controla la conduccin de corriente en el mismo y, por
lo tanto, la corriente entre los electrodos de fuente y drenaje ubicados en
sus extremos.
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125

El dispositivo ms sencillo de analizar es el transistor de unin de efecto de


campo (JFET) que trataremos en primer lugar de forma detallada. El metalxido-semiconductor FET (MOSFET) desempea un papel realmente
importante en las implementaciones de lgica digital.
Comenzaremos describiendo el funcionamiento y el control de un JFET.
Bsicamente, la accin de un JFET podra entenderse teniendo en cuenta un
canal de conduccin formado por silicio dopado n y dos terminales, uno
en cada extremo. El dispositivo se convierte en una resistencia cuyo valor
viene dado por el nivel de dopaje.
El ejemplo ms sencillo de un JFET es el silicio dopado N.

En este estado, el dispositivo se comporta simplemente como una


resistencia. Por ello, la corriente circula a travs del canal en proporcin a
la tensin de la fuente/drenador.
Los tres terminales del JFET reciben el nombre de fuente, drenador y
puerta. La fuente equivaldra al emisor del BJT (transistor de juntura
bipolar) y es el portador mayoritario. As, en un material de tipo n, los
portadores son electrones y la fuente es, por tanto, la fuente de los
electrones. El drenador equivaldra al colector del BJT y, por tanto, la
corriente portadora mayoritaria circula desde la fuente al drenador. De
nuevo, el material de los portadores est formado por electrones y la
corriente convencional circula en direccin contraria.
Se aade una estructura
de puerta para formar
un canal. En realidad,
las dos regiones de la
puerta estn conectadas
entre s para definir el
canal por el que circula
la corriente portadora.
El control de la
corriente del FET (la
resistencia) se obtiene
modificando el tamao de las zonas de agotamiento que rodean a las
puertas.
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126

Las puertas son dos regiones de material de tipo p que se establecen para la
conduccin desde la fuente al drenador. Las dos regiones de la puerta casi
siempre estn conectadas entre s para que el usuario slo vea una conexin
entre
ellas.
Observe que el dispositivo que se muestra arriba es un JFET NPN, ya que
la fuente es de tipo n, la puerta de tipo p y el drenador de tipo n. Si no se
analiza desde la perspectiva de puerta-canal-puerta, estaramos ante una
unin pnp.
Al igual que ocurre en cualquier unin PN, la puerta est rodeada por una
zona de agotamiento.

La zona de agotamiento reduce el tamao eficaz del canal dopado N, y con


ello, aumenta la resistencia aparente de dicho canal. Al modular el potencial
entre el drenador y la puerta, el campo elctrico de la zona de agotamiento
entre la puerta y el drenador vara y tambin lo hace la zona de
agotamiento. Como ocurre con cualquier unin pn, existe una zona de
agotamiento que rodea la puerta.Evidentemente, esta zona reduce el rea de
la seccin cruzada del canal de tipo n disponible para la conduccin de
electrones.
La accin del JFET se controla variando el potencial entre la puerta y el
drenador, con lo que tambin cambia el tamao de la zona de agotamiento.

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127

En este caso, la tensin del drenador a la fuente, VDS, equivale a la tensin


entre la puerta y el drenador. Cuando VDS aumenta, las zonas de
vaciamiento se aproximan y la resistencia de la fuente aumenta.
Un sencillo ejemplo sera conectar a tierra el voltaje de la puerta a la fuente
para que el voltaje de drenador a la puerta sea igual que el voltaje del
drenador a la fuente. Al aumentar el voltaje entre el drenador y la puerta, la
zona de vaciamiento aumenta y la conduccin del canal disminuye.
En el caso de voltajes pequeos, la resistencia aumenta con el voltaje y
recibe el nombre de zona hmica.
Por encima del voltaje de
estrangulamiento, el canal entra en saturacin y la resistencia se vuelve
constante. El voltaje de estrangulamiento podra describirse como el voltaje
en el que coinciden las zonas de vaciamiento de las dos puertas.
Se define una resistencia aparente en el FET: la resistencia de canal RC

Caracterizaremos el dispositivo por su resistencia eficaz de unin. Por


supuesto, en este momento la medicin tpica para caracterizar un transistor
se basa en medir la corriente de drenador como una funcin del voltaje de
drenador-fuente para un conjunto de corrientes (o voltajes) aplicados a la
puerta.
Recuerde que as es exactamente como se llevan a cabo las comprobaciones
en el BJT. Una vez medida la corriente de drenador como funcin del
voltaje de drenador-fuente, ya contamos con la informacin necesaria para
calcular el valor eficaz de la resistencia CC para este punto de
funcionamiento.

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128

A medida que VDS aumenta, la zona de empobrecimiento crece y la


resistencia eficaz aumenta lentamente.

Cuando VDS = VP (voltaje de estrangulamiento), las dos zonas de


empobrecimiento coinciden, no circula corriente adicional y la
resistencia aumenta rpidamente con VDS .

En VBR se da una avalancha drenador-puerta que trataremos ms


adelante.

A la izquierda se muestra la caracterstica de la corriente de drenador /


voltaje drenador-puerta en una puerta conectada a tierra.
La zona entre cero y el voltaje de estrangulamiento representa la zona
hmica, la curva plana representa la zona de saturacin y, a voltajes
elevados, se produce una regin de ruptura en la que la conduccin en el
canal aumenta rpidamente. Muchos dispositivos se rompen al funcionar en
esta zona de ruptura, aunque existen dispositivos diseados para funcionar
en esta zona de avalancha, como es el caso de los diodos zener.
El grfico de la derecha muestra la resistencia correspondiente. En la zona
hmica, la resistencia aumenta de forma lenta y en la zona de saturacin, lo
hace con mayor rapidez.
Es importante sealar que la corriente de drenador del JFET es
independiente del voltaje drenador-fuente de la zona de saturacin. Como
tendremos la oportunidad de comprobar en breve, en esta zona la corriente
es muy sensible al potencial drenador-puerta.
Por ello, si queremos controlar el dispositivo a travs de la puerta,
deberemos disear por defecto un dispositivo que funcione en la zona de
saturacin. Sin embargo, si lo que buscamos es controlar el dispositivo
mediante el voltaje de drenador, situaremos el dispositivo en la zona
hmica.

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129

Control de la puerta del FET


El tamao de la zona de vaciamiento puede aumentarse mediante la
polarizacin de la unin PN en la puerta. As, la puerta controlar la ID y,
como la puerta estar polarizada, fundamentalmente no habr corriente de
puerta.

Aqu se muestra la variacin de la curva I - V como funcin del voltaje de


la puerta. Recuerde que en el estrangulamiento las zonas de vaciamiento de
las dos puertas coinciden y, como cambia el voltaje de la puerta, el punto de
funcionamiento se desplaza. Lo ms frecuente es invertir la puerta (como se
indica en el circuito) para aumentar el campo en la unin PN y, en
consecuencia, aumentar el tamao de la zona para un voltaje drenadorfuente constante. Observe que la puerta se polariza.
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (JFET):
1. ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta
como una resistencia variable dependiente del valor de VGS.Un
parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
2. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor
amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

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130

A diferencia del transistor de unin, los terminales drenador y surtidor del


FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).
La operacin de un FET de CANAL P es
complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que
significa que todos los voltajes y corrientes son de
sentido contrario
.
El voltaje de drenador es lo suficientemente grande para que podamos
asumir que el dispositivo trabaja en la zona de saturacin. As, podemos
detectar inmediatamente la corriente de drenador como una funcin del
voltaje de puerta-fuente.

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Amplificador de Fuente Comn

La configuracin tpica de fuente es un amplificador con ganancia. En


nuestro caso, el voltaje se divide en la resistencia de drenador, en el FET y
en la resistencia de fuente. La resistencia de fuente slo establece el punto
de funcionamiento de CC. Observe que que existe un condensador
conectado en paralelo que cortocircuita la resistencia a altas frecuencias.

Cundo utilizar JFET






El JFET tiene impedancias de entrada mucho ms altas y


corrientes de salida mucho ms bajas que los BJT.
Los BJT son ms lineales que los JFET.
La ganancia de un BJT es mucho ms alta que la de un JFET.

Por norma general, los JFET slo se utilizan cuando los BJT no son la
solucin ms conveniente, por ejemplo, cuando la corriente de fuga de la
base de un BJT es demasiado elevada.
En aplicaciones de lgica digital, el uso de los FET es importante, ya que
son mucho ms rpidos y disipan menos energa. Sin embargo, la mayora
de estas aplicaciones utilizan MOSFET, que presentan impedancias mucho
ms elevadas incluso que los JFET.

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132

Una aplicacin de los FETs

Se puede comprobar que con un amplificador operacional es posible


obtener amplificadores diferenciales ptimos y que su ganancia viene
controlada por las resistencias de retroalimentacin. Con un JFET se
obtiene fcilmente una resistencia de voltaje controlado y, en consecuencia,
una ganancia de voltaje controlada.

Los smbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura : Smbolos de los transistores JFET

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133

Al igual que ocurre con los BJT, existen JFET de tipo npn y pnp. Los de
tipo NPN suelen denominarse de canal n para evitar confusiones con la
configuracin de puertas.

El MOSFET
Los transistors de efecto de campo de semiconductors de metal-xido
difieren bastante de los JFET y se presentan en una gama muy variable. La
funcin que los caracteriza es que la puerta est acoplada con un
condensador.

Hoy da, los MOSFET son ms comunes que los JFET, y su


funcionamiento es demasiado extenso para analizarlo con detalle.
El hallazgo inteligente fue darse cuenta de que, al interesarse slo por el
campo elctrico entre la puerta y el drenador, no haba necesidad de
establecer una conexin galvnica y que bastaba con una conexin de
condensacin que tuviese el mismo efecto. Por ello, en los MOSFET existe
una capa de aislante (vidrio) entre el conector de la puerta y el
semiconductor
dopado
p.
Obsrvese que, en ausencia de un voltaje de puerta, el semiconductor
funciona como unin NPN entre el drenador y la fuente y tiene el aspecto
de dos diodos bidireccionales (con la consiguiente corriente pequea entre
drenador y fuente). Compare este hecho con los BJT [Transistor de Juntura
Bipolar] (donde la zona de las puertas es pequea) y los JFET (en los que
el drenador y la fuente conforman un canal de conduccin).

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134

Para analizar el funcionamiento de un MOSFET, comenzamos por estudiar


la unin capacitiva de la puerta y preguntarnos cul ser la distribucin de
cargas en el semiconductor para distintos potenciales de puerta. Observe
que ahora nos interesa la diferencia de potencial entre el electrodo de la
puerta y el sustrato (hasta ahora no hemos mencionado ni la fuente ni el
drenador).
Si la puerta del sustrato est cargada positivamente, obtendremos una
concentracin de electrones entre los canales de tipo n de la fuente y del
drenador y la corriente podr circular. Estar formada, evidentemente, por
portadores mayoritarios en las zonas de la fuente y del drenador y por
portadores minoritarios en la zona de la puerta (que hemos concentrado
nosotros).
Se trata, pues, del mecanismo normal de conduccin de los llamados
MOSFET de enriquecimiento.

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135

Los smbolos son:

Figura : Transistores MOSFET


Adems de los MOSFET de enriquecimiento, existen los de
empobrecimiento o vaciamiento Los distintos smbolos se muestran en la
figura. Al utilizar estos dispositivos es importante prestar atencin a la
conexin del sustrato, ya que forma el segundo terminal del condensador de
la puerta.
En los dispositivos de vaciamiento, la cara secundaria del condensador es
una regin pequea de material de tipo n. Ahora, sin polarizacin en la
puerta, tenemos un canal de tipo n desde el drenador a la puerta y la
corriente circula. Esta zona de la puerta est muy dopada y el campo
elctrico del condensador de la puerta se utiliza para manipular las
concentraciones de portadores en la zona y poder, as, controlar la corriente
drenador-fuente.

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136

Una polarizacin negativa en el condensador del sustrato de la puerta atrae


a los huecos del material de tipo p hacia el canal de conduccin y
disminuye la corriente drenador-fuente
Con este funcionamiento, el dispositivo se comporta como un JFET, en el
que el potencial negativo de la puerta retarda la corriente de drenador.

Uno de los usos ms importantes de los MOSFET es la construccin de


circuitos lgicos que disipen muy poca energa.

Veamos un ejemplo sencillo:


El circuito siguiente muestra un inversor construido con MOSFET:

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137

Podemos realizar el mismo circuito utilizando lgica complementaria de


MOSFET (CMOS). La misma puerta se construye a partir de una
combinacin de dispositivos de canal p y n, de tal forma que no hay
circulacin de corriente en ninguno de los estados lgicos. Evidentemente,
la ausencia de corriente implica que no se disipa ninguna energa.

Configuraciones circuitales en general


Para los transistores MOS existen tres configuraciones bsicas de
amplificadores de una sola etapa: fuente comn, compuerta comn y
drenaje comn, y cada una de ellas ofrece ciertas ventajas en aplicaciones
especficas.
La disposicin de fuente comn es utilizada con suma frecuencia; presenta
elevada impedancia de salida entre mediana y alta, y ganancia de tensin
mayor que la unidad. La seal de entrada es aplicada entre compuerta y
fuente, y la seal de salida es tomada entre drenaje y fuente.
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138

La disposicin de drenaje comn, es conocida como seguidor de fuente; la


impedancia de entrada es mayor que en la configuracin de fuente comn,
la impedancia de salida es baja, no hay desfase entre la entrada y la salida,
la ganancia de tensin es siempre inferior a la unidad y la distorsin es baja.
El seguidor de fuente es utilizado en aplicaciones que requieren reducida
capacitancia de entrada; transformacin reductora de impedancias o mayor
capacidad para la admisin de seales de entrada. stas son inyectadas
entre compuerta y drenaje, y la salida es tomada entre fuente y drenaje.
El circuito de compuerta comn es utilizado para transformar una baja
impedancia de entrada en alta impedancia de salida. La impedancia de
entrada de esta configuracin tiene aproximadamente el mismo valor que la
impedancia de salida del circuito seguidor de fuente. El circuito de
compuerta comn es tambin una configuracin conveniente para
aplicaciones de alta frecuencia debido a que su ganancia de tensin
relativamente baja hace innecesaria la neutralizacin en la mayora de los
casos.

Caractersticas tcnicas
Los transistores MOS presentan ciertas caractersticas tcnicas con ventajas
nicas de funcionamiento en aplicaciones como mezcladores, detectores de
producto, circuitos de control remoto de ganancia, moduladores
balanceados, muestreadores, recortadores y amplificadores gatillados. Estas
caractersticas incluyen:
1.
Elevada resistencia de entrada y baja capacitancia de salida; como
resultado, los transistores MOS prcticamente no cargan la fuente de
corriente alterna, ya que no es requerida potencia de entrada, y
presentan un amplio rango de control de ganancia.
2.
Elevado rango dinmico, pues los transistores MOS pueden admitir
excursiones de seal positivas y negativas sin cargar el circuito de
entrada.
3.
La insignificante corriente de entrada hace que el factor de
amplificacin no sea muy elevado, refirindonos corrientemente por
esta razn a la transconductancia como caracterstica que mejor
diferencia el TEC, y que es el cociente entre el incremento de corriente
de drenaje y el incremento de la tensin de la compuerta. Tal
transconductancia directa es excepcionalmente elevada.
4.
El TEC es ms barato que un transistor bipolar, debido a que es de
menor de tamao, lo que permite obtener ms transistores de una oblea
de silicio. El proceso de fabricacin, en s slo, necesita una difusin
en lugar de las varias difusiones crticas necesarias a temperatura
elevada para la fabricacin de transistores bipolares. Todo esto reduce
el costo de fabricacin.

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139

5.

6.
7.

El transistor MOS tiene ganancia muy alta a temperaturas criognicas,


mientras que la ganancia de los dispositivos bipolares disminuye al
disminuir la temperatura.
Corriente de prdidas muy baja, y relativamente insensible a las
variaciones de temperatura.
Los transistores MOS de doble compuerta tienen buena ganancia de
amplificacin en fuente comn hasta el rango de FUE, sin
neutralizacin.

APLICACIONES DE LOS FETs


Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIN

PRINCIPAL
VENTAJA

USOS

Impedancia de entrada Uso general, equipo de


Aislador o
medida, receptores
separador (buffer) alta y de salida baja
Amplificador de
RF

Bajo ruido

Sintonizadores de FM,
equipo para comunicaciones

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Receptores de FM y TV,
equipos de comunicaciones

Amplificador con
CAG

Facilidad para
controlar ganancia

Receptores, generadores de
seales

Amplificador
cascodo

Baja capacidad de
entrada

Instrumentos de medicin,
equipos de prueba

Troceador

Ausencia de deriva

Amplific. de CC, sistemas


de control de direccin

Resistor variable
por voltaje

Amplific. operacionales,
Se controla por voltaje rganos electrnicos,
controles de tono

Amplificador de
baja frecuencia

Capacidad pequea de Audfonos para sordera,


acoplamiento
transductores inductivos

Oscilador

Mnima variacin de
frecuencia

Generadores de frecuencia
patrn, receptores

Circuito MOS
digital

Pequeo tamao

Integracin en gran escala,


computadores, memorias

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140

APNDICE: DESIGNACIN DE TRANSISTORES:


PRIMERA LETRA

SEGUNDA LETRA

NMERO DE
SERIE

Distingue entre
Indica la aplicacin principal y tambin la
dispositivos con uniones construccin en el caso de que se requiera una
y sin uniones e indica el
mayor diferenciacin.
material.

A. Dispositivos con
uniones Con una o
ms uniones, que
usan materiales con
un margen de banda
de 0,6 a 1.0 V, tales
como germanio.
B. Con una o ms
uniones, que usan
materiales con un
margen de banda de
1,0 a 1,3V, tales
como silicio.
C. Con una o ms
uniones, que usan
materiales con un
margen de banda de
1,3V en adelante,
tales como arseniuro
de galio.
D. Con una o ms
uniones, que usan
materiales con un
margen de banda de
menos de 0,6V, tales
como antimoniuro de
indio.
R. Dispositivos sin
uniones, que usan
materiales como los
empleados en
generadores Hall y
clulas
fotoconductoras.

A. Diodo, detector, alta velocidad, mezclador.


B. Diodo de capacidad variable
C. Transistor de BF (baja potencia).
D. Transistor de potencia para BF.
E. Diodo tnel.
F. Transistor de RF (baja potencia).
G. Mltiple de dispositivos no similares.
H. Sonda de campo.
K Generador Hall en un circuito magntico
abierto.
L. Transistor potencia para aplicaciones RF.
M. Generador Hall en un circuito magntico
cerrado.
P. Dispositivo sensible a radiaciones.
Q. Dispositivo generador de radiaciones.
R. Dispositivo de control y conmutacin
disparado elctricamente, con una
caracterstica de ruptura (baja potencia).
S. Transistor conmutacin (baja potencia).
T. Dispositivo de potencia para control y
conmutacin disparado elctricamente o por
medio de la luz, que tiene una caracterstica
de ruptura.
U. Transistor de potencia conmutacin.
X. Diodo multiplicador.
Y. Diodo rectificador, recuperador, de
eficiencia.
Z. Diodo de referencia de tensin o regulador
de tensin.

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Tres cifras para los


dispositivos
semiconductores
diseados para
empleo
principalmente en
aparatos
domsticos.
Una letra y dos
cifras para los
dispositivos
semiconductores
no diseados para
empleo
principalmente en
aparatos
domsticos.

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141

Normalmente el tipo de designacin de transistores son dos letras seguidas


de tres nmeros. Ej.: BA 145. La primera letra indica si los dispositivos son
con uniones o sin uniones y tambin indica el tipo de material de que est
hecho. La segunda letra indica de que clase de dispositivo se trata, si de un
diodo o de un transistor y de que tipo. Y los tres nmeros siguientes son
nmeros de serie que indica que son dispositivos semiconductores
diseados para empleo principalmente en aparatos domsticos.
Los que tienen una letra y dos cifras no son para empleo domsticos sino
para sistemas del ejercito o algo relacionado. Ahora se presentar una tabla
en el que indicar que significa cada nomentatura.
En muchos de los circuitos, los transistores y diodos estn sealados
solamente como "TUP", "TUN", "DUG" o "DUS". Esto indica que hay
muchos transistores que son equivalentes aunque tengan una designacin
diferente.
Estn estas familias de semiconductores representadas por las siguientes
abreviaturas:
TUP : Transistor Universal PNP ( de silicio ).
TUN : Transistor Universal NPN ( de silicio )
DUG : Diodo Universal de Germanio
DUS : Diodo Universal de Silicio.
TUP, TUN, DUG y DUS han de cumplir ciertas especificaciones mnimas
para ser considerados como tales. Las especificaciones mnimas pueden
verse en estas tablas.

TRANSISTORES
Tipo

Vceo max.

Ic. max

hFE
min.

Ptot max.

fT min.

TUN

NPN

20V

100mA

100

100mW

100MHz

TUP

PNP

20V

100mA

100

100mW

100MHz

DIODOS
Tipo

VR max.

IF max.

IR max.

Ptot max.

CD max

DUS

Si

25V

100mA

1 A

250 mW

5 pF

DUG

Ge

20V

35mA

100 A

250 mW

10 pF

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142

ENCAPSULADO DE TRANSISTORES
Se le llama encapsulado al soporte fsico, o mejor dicho a la estructura
donde se va a colocar el silicio, que adems sirve de proteccin a las
junturas del semiconductor para as no exponerlas ni daarlas con el medio
ambiente en el que van a trabajar. Como sabemos el transistor posee 3
terminales metlicos externos, los cuales les permiten a las junturas BASE
- COLECTOR - EMISOR ser conectadas al exterior. El encapsulado puede
estar hecho de metal o de una resina plstica de alta resistencia mecnica
y trmica, la cul permite al transistor disipar la temperatura de trabajo,
es decir la potencia. Disipa mejor si el encapsulado es colocado a un
radiador de temperatura que est hecho de aluminio. Existen algunos que
poseen ms de tres terminales, y la razn es la de poder suministrar ms
corriente o sencillamente para proteger al transistor de la electrosttica,
especialmente si el transistor es de alta ganancia de amplificacin.

TO-92

TO-18
TO-3P

Usado para amplificar


pequeas seales

TO-126
TO-220
TO-3
Usado en aplicaciones de
pequea y mediana

Usado en aplicaciones de
potencia

Usado en transistores de
potencia

potencia

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143

Los transistores son construidos por diferentes fabricantes de


semiconductores, los cuales se rigen por normas universales de diseos y
poder as compatibilizar sus productos.

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144