Escuela Tecnologa Industrial

Transistores

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente,

dos funciones:
a) Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una
pequea seal de mando. Como Interruptor. Abre o
cierra para cortar o dejar pasar la corriente por el
circuito.
b) Funciona como un elemento Amplificador de seales.
Le llega una seal pequea que se convierte en una
grande.
Pero el Transistor tambin puede cumplir funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Resumen En este informe trataremos el tema sobre

un dispositivo, el cual ha revolucionado la vida de
todos nosotros, el transistor, que es sin duda uno de
los mejores inventos del hombre diseado para operar
en circuitos electrnicos como amplificador, oscilador
o conmutador, y a su vez estudiaremos las principales
caractersticas bsicas del transistor BJT y las
simbologa utilizada para este dispositivo.
Palabras claves transistor, emisor, base, colector,
dispositivo, seal, corriente

I.

Es importante saber los smbolos que corresponden a

este tipo de transistor que son los siguientes:
BJT NPN (ver fig a):

INTRODUCCIN

El transistor es un dispositivo que ha originado una

evolucin en el campo electrnico, son utilizados
ampliamente como drive o bien como amplificadores. Su
principal caracterstica es la amplificacin de seales de
corriente. Por ejemplo, los BJT son implementados
como etapa intermedia entre un micro-controlador y una
carga externa (luces, servomotor, etc.), logrando obtener
una corriente mayor de la que puede suministrar el
micro-controlador, adems de ser utilizados en
amplificadores de audio. Es por esto que en este
informe entregaremos las mediciones que obtuvimos en
la amplificacin de seales usando transistores BJT, y
describiremos el uso de estos.
II. CARACTERISTICAS GENERALES
Transistor
Qu es?
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de
corriente o de tensin actuando como un interruptor o
amplificador para seales electrnicas. Tambin se
llama Transistor Bipolar o Transistor Electrnico. Este
dispositivo es un componente electrnico formado por
materiales semiconductores, de uso muy habitual, pues
lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos
de uso cotidiano como las radios, alarmas, automviles,
ordenadores, etc. Los transistores son unos elementos
que han facilitado, en gran medida, el diseo de
circuitos electrnicos de reducido tamao, gran
versatilidad y facilidad de control.
Este dispositivo tiene 3 patillas y se llaman emisor, base
y colector. (Ver figura 1), el numero 1 sera el emisor, el
2 el colector y el 3 la base.

En donde:
Ib = Corriente de base
Ic= corriente de colector.
Ie = corriente de emisor.
Vb =Voltaje en la base.
Vce = voltaje colector emisor.

Transistor PNP:

En donde:
Ib = Corriente de base
Ic= corriente de colector.
Ie = corriente de emisor.
Vb =Voltaje en la base.

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Vce = voltaje colector emisor.
Funcionamiento del Transistor:
Este es un dispositivo de tres terminales gracias al cual
es posible controlar una gran potencia a partir de una
pequea. En la Figura a se puede ver un ejemplo
cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los
terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la
potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica
la seal de control gracias a la que controlamos la
potencia. Con pequeas variaciones de corriente a
travs del terminal de base, se consiguen grandes
variaciones a travs de los terminales de colector y
emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir
esta variacin de corriente en variaciones de tensin
segn sea necesario.

Recta de carga
Existe un punto de funcionamiento llamado punto Q, el
cual refiere a que el transistor est funcionando en un
punto ideal, en una regin activa, pero tambin este
punto Q, puede que est trabajando en una zona de
saturacin o de corte, todo depende del tipo del
transistor y de la funcin que queramos dar al circuito.
Para identificar ste punto y las zonas de trabajo, se
traza una recta, la cual se le denomina recta de carga,
que relaciona la tensin colector emisor (VCE) con la
intensidad de colector (IC).
A continuacin veremos una imagen de sta recta.

2
El punto Q, es el Punto en donde se tiene Icq y Vceq,
que se denomina zona activa, o ideal del transistor, la
zona de saturacin, ser el Icsat, en donde es el punto
mximo de IC, el cual se calcula con Vcc/Rc , y el punto
de corte es cuando IC=0 y el Voltaje Vce es igual a Vcc.
A continuacin explicaremos mejor estas zonas o
regiones operativas del transistor.
Regiones Operativas del transistor:

Regin de corte: Un transistor esta en corte

cuando: corriente de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje
entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (como no
hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est

saturado cuando: corriente de colector =
corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie
= I mxima). En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de los resistores conectados en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de
Ohm. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector veces ms grande.
(recordar que Ic = * Ib)

Regin activa: Cuando un transistor no est ni

en su regin de saturacin ni en la regin de
corte entonces est en una regin intermedia, la
regin activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan
conectadas en el colector y emisor). Esta regin
es la ms importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador.

Representacin grfica (Ver fig. A) de las zonas de

trabajo vistas anteriormente:

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B) Polarizacin estabilizada por emisor:
Anteriormente analizamos el comportamiento del
transistor en polarizacin fija. Para este tipo de
polarizacin hay que mencionar que el punto Q no es
muy estable y que a medida que el transistor este
trabajando, este punto tiende a desplazarse. Para
compensar las variaciones de tensin y corriente que se
producen en el transistor, podemos agregar una
resistencia en el emisor (RE)

Polarizacin del transistor BJT

Los transistores tienen como funcin principal la
amplificacin de seales, para lograr este cometido
deben ser polarizados adecuadamente mediante la
aplicacin de voltajes DC en sus uniones B-E y B-C.
Esto se consigue a travs de circuitos de polarizacin,
los cuales garantizan que el transistor se encuentre
ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y en su
zona activa.
Tipos de polarizacin
a) circuito de polarizacin fija (corriente de base
constante)
b) circuito de polarizacin estabilizada por emisor
c) circuito de polarizacin por divisor de voltaje (tipo H o
universal)
a) Polarizacin Fija: este circuito es el ms
sencillo de todos los circuitos de polarizacin. La
resistencia Rc limita la corriente mxima que circula por
el transistor cuando este se encuentra en saturacin,
mientras que la resistencia de base RB regula la
cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor
(IB), la cual determina en que zona se polarizar el
transistor (saturacin, activa o corte).

c)
Polarizacin divisor de voltaje: Este tipo de
polarizacin es la ms estable en comparacin con las
dos anteriores, esto es porque cuando el circuito est
bien diseado este casi no se ve afectado por el cambio
en el valor de .

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III. PROCEDIMIENTO EXPERIENCIA

Actividad 1
1) Implementar una red de polarizacin DC para un
amplificador con BJT en configuracin Emisor
Comn Fig.1(a) que cumpla con las siguientes
especificaciones: VCE = 3.2 [V] y IC = 2 [mA]. Utilice
un transistor npn TIP41C. Considere una tensin de
alimentacin VCC = 12 [V], RC = 2.2 [k], RE = 2.2
[k],
Adems obtenga (fabricante) y el valor de R1.

Recordemos que el hfe = beta en la informacin del

datasheet y tiene un valor en este caso de 34.

Ib =

Ic

Ib =

2 mA
34

Ib = 58,8A

Ahora tenemos todos los valores para calcular la

corriente que pasa por R1.

IR1 =

5.1[v ]
10 [k]

+ 58,8A IR1 = 568,8A

Ahora calculamos la resistencia en R1.

R1 =

vccvb
IR 1

R1 =

6,9 [V ]
568,8 A

R1 =

12[k]
2) Medir y tabular voltajes (VBE, VCE, VCB, VC, VE,
VB) y corrientes DC (IB, IC, IE).

Para esta primera parte de la actividad, el del

fabricante es de 34, esto se ve en el datasheet o
midiendo con un multitester, en el caso de R1, ste se
ocup un potencimetro el cual lo variamos hasta que el
voltaje en VCE, sea 3.2 Volt , es por esto que el valor
de R1, fue de 11,88 K
Ahora haremos el calculo terico de la resistencia R1:
Primero debemos ver que voltajes circulan por la base
del transistor hasta la tierra, el cual notamos que circula
un voltaje base-emisor y tambin un voltaje de emisor.
Entonces la suma de estos dos voltajes nos da el voltaje
en la base.
Para calcular Ve solo tenemos que ocupar ley de Ohm,
debemos recordar que la corriente del colector es similar
a la corriente del emisor, que es 2mA.
Ve = 2,2Kx 2mA Ve = 4,4[v]
En los transistores Bjt hay un diodo en l, por eso
conocemos la cada de tensin de este voltaje Vbe que
es igual a 0,7[v].
Vb = Vbe+Ve Vb = 0.7 [v] + 4,4[v].
Vb= 5,1[v].
Ahora con la siguiente formula calcularemos la corriente
que circula por R1.

IR1 =

Vb
R2

+ Ib.

Como vemos en la formula tambin necesitamos la

corriente que circula por la base, ocuparemos la relacin
de las corrientes con Beta, despejamos Ib.

Ic
Ib

Ib =

Ic

Tabulaciones de las mediciones, obtenidas por el

multitester:
Variables
Voltajes obtenidos
VBE
3,17 Volt
VCB
2,58 Volt
VC
7,65 Volt
VE
4,38 Volt
VB
5,07 Volt
Tabla 1. Voltajes obtenidos
Tabulaciones de las mediciones, obtenidas por el
multitester:
Variables
Corrientes obtenidas
IB
5 A
IC
1,94 mA
IE
2 mA
Actividad 2
Utilizando acoplamiento capacitivo de entrada y salida,
Fig.1 (b), (CC = 10[F] /50[V]), graficar la seal de
entrada y salida del amplificador si la seal de entrada
es sinusoidal con una frecuencia de operacin de 1
[kHz] con una amplitud de 1 [V]. Considere una carga
RL = 2.2 [k]. Adems mida la mxima excursin
simtrica Comente

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Para esta actividad conectamos un generador de

funciones al circuito con una frecuencia de 1 Khz, y
medimos la entrada con un osciloscopio, la cual nos
mostr la siguiente seal, (Ver figura a).

Figura c. Seal de entrada modificada

Luego de los 2,20 volt de Vmax, la seal de salida se
empez a saturar, como muestra a continuacin (Ver
figura d).

Figura a. Seal de entrada

Con una carga de 2,2 Ohm, la seal de salida fue la
siguiente, (Ver figura b):

Figura d. Seal entrada modificada y seal de salida

saturada.
Como vemos en la imagen anterior, a los 4.00 Volt de
Vmax, en la entrada, el circuito ya se encuentra
saturado en la parte inferior de la seal de salida, y la
parte superior de la seal de salida est en su punto
mximo, antes de saturarse.
Ahora cambiamos la carga RL de 2,2 ohm a una de
2,7 ohm.
Procedemos al igual que anteriormente, la seal de
entrada es la misma, con 1 Khz, ahora la seal de salida
con una carga de 2,7 ohm ser la siguiente, (Ver figura
e).

Figura b. Seal de entrada y seal de salida.

La excursin en este caso, fue al aumentar la amplitud
de la seal de entrada se empez a manifestar cuando
el Vmx estaba rondando los 2,20volt (Ver Figura c).

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continuacin

Figura e. Seal de entrada comparada con seal de

salida con una carga de 2,7 Ohm

(Ver

la

figura

g).

Figura G. Seal de entrada y seal de salida sin

modificar el generador de funcin.

La excursin en este caso, fue al aumentar la amplitud

de la seal de entrada, sta se empez a manifestar
cuando el Vmax de entrada estaba rondando los
2,08volt, como podemos ver en la siguiente figura. (Ver
figura f).

En este caso al aumentar la amplitud del generador de

funciones, la excursin se empez a manifestar cuando
el Vmax de la entrada lleg a los 1,76 volt, como
podemos ver en la siguiente figura (Ver figura H).

Figura f. Seal entrada modificada y seal de salida

saturada.

Figura H. Seal de entrada modificada por el

generador de funciones.

Luego de los 2,12 volt de Vmax, la seal de salida se

empez a saturar.

Actividad 3
Medir la ganancia de voltaje. Calcule y compare el
valor de ganancia terica con la experimental.

Ahora cambiamos la carga RL de 2,2 ohm a una de

10K
Como anteriormente, la seal de entrada sigue siendo la
misma de 1Khz, pero ahora con una carga de 10K, la
cual resulta una seal de salida, como muestra a

Para calcular tericamente la ganancia de voltaje

ocuparemos la siguiente formula:

En donde:

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RL tendr valores de 2,2 K; 2,7 K; 10 K.

Rc = 2,2 K
Re = 2,2 K
A continuacin mostraremos la tabla con los resultados
obtenidos.
Con RL
Av
2,2 K
-0,5[v]
2,7 K
-0,55[v]
10 K
-0,8[v]
Tabla 1. Ganancias obtenidas
tericamente.

A continuacin se mostrar una comparacin entre las

ganancias tericas versus las experienciales, para las
distintas cargas.
Carga RL
Ganancia
Ganancia
terica
experiencial
2,2 K
-0,5[v]
0,56[v]
2,7 K
-0,55[v]
0,64[v]
10 K
-0,8[v]
0,92[v]

IV. CONCLUSIN

Ahora calcularemos la ganancia de tensin, pero en

este caso en lo experimental, en donde es el cociente
entre el Vmax de salida y el Vmax de entrada de las
seales.
Av =

Vsalida
Ventrada

En donde en el Vmax para las 3 resistencias, ser de

1V.
Para el caso de la carga de 2,2 K:
Vmax salida = 560 mV
Para la carga de 2,7 K:
Vmax salida = 640 mV
Para la carga de 10 K:
Vmax salida = 920 mv
Con RL
Av
2,2 K
0,56[v]
2,7 K
0,64[v]
10 K
0,92[v]
Tabla 2. Ganancias calculadas
experimentales.

Se pudo apreciar en este informe las zonas de

trabajo del transistor, las cual hay una zona de
saturacin, activa y de corte, las cual pudimos
identificar en la practica.
Se aprendi a obtener las ganancias de voltaje,
ya sea terico o experimental, en donde se
asemejaban, por lo que se pudo comprobar que
el circuito y las medidas estuvieron en lo
correcto.
Se pudo apreciar el momento exacto cuando la
seal de salida se estaba apunto de saturar, ya
sea por la cresta inferior o superior, y con ello
ver la excursin de la seales, variando las
resistencias de carga.
REFERENCIAS

LIBRO, EQUIPOS ELECTRNICOS DE CONSUMO

GRADO MEDIO
con

datos

[1]
[2]

CEO ELECTRNICA APLICADA .GM

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/2N3904.pdf