INSTITUTO MILITAR DE ENGENHARIA

Seo de Engenharia Eltrica SE/3

Engenharia Eletrnica 5 Ano

Sistemas pticos

Detectores e Receptores pticos

Semicondutores I
Maj Vtor Gouva Andrezo Carneiro
Prof. Dr. Engenheiro de Telecomunicaes

Sumrio
I. Fibras pticas

II. Fontes pticas Semicondutoras

III. Detectores e Receptores pticos Semicondutores
3.1. Fotodetectores
3.2. Receptores pticos
IV. Amplificadores pticos
V. Sistemas de Comunicaes pticas IM/DD e WDM

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

Fotodetectores
3.1.1. Introduo

3.1.2. Princpios de Deteco ptica

3.1.3. Absoro
3.1.4. Fotodiodos sem Ganho Interno
3.1.5. Fotodiodos com Ganho Interno

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

Leituras Recomendadas

Livro Texto:

Senior: Detectores pticos Cap 8.

Base principal destas notas de aula.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

1. Introduo

Detectores pticos ou Fotodetectores:

So dispositivos que convertem luz em sinal eltrico.

o elemento crucial no desempenho do sistema.

Quanto mais sensvel o detector:

Menor a quantidade de repetidores;

Menos dinheiro investido;

Menor o custo de manuteno.

Os principais tipos de fotodetectores usados em S.C.O. so

formados por junes pn reversamente polarizadas:

Utilizam o processo de absoro.

Se dividem em fotodiodos PIN e APD.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

1. Introduo

Critrios para os fotodetectores funcionarem adequadamente:

Alta sensibilidade no comprimento de onda de operao: define-se sensibilidade

de um fotodetetor como sendo a potncia mnima mdia necessria para manter
a BER 10-9.
Alta fidelidade: fundamental no caso de transmisso analgica onde o sinal
eltrico tem de ser uma rplica do sinal ptico. Para isto, o detector ptico tem
de ser linear numa larga faixa de operao.
Grande resposta eltrica ao sinal ptico recebido: o detector ptico deve produzir
um sinal eltrico mximo para uma dada quantidade de potncia ptica
incidente.
Curta resposta no tempo para gerar largura de banda adequada: os detectores
pticos tm de ser capazes de responder a larguras de banda to grandes quanto
centenas de GHz, sem inserir um grande retardo durante a converso da energia.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

1. Introduo

Critrios para os fotodetectores funcionarem adequadamente : (Cont.)

Mnimo rudo acrescentado ao sinal: todas as fontes de rudo do fotodetector

devem ser baixas para que a SNR ptica no seja demasiadamente degradada.
Caractersticas de desempenho estveis: as caractersticas como sensibilidade,
rudo e ganho ptico devem permanecer estveis durante o funcionamento. Para
isto, h a necessidade de compensao da temperatura.

Tamanho reduzido: devem ter tamanho reduzido para serem eficientemente

acoplados as fibras pticas e ao circuito eletrnico de polarizao.
Baixa tenso de polarizao: idealmente, o detector deveria necessitar de baixa
tenso ou corrente de polarizao.
Alta Confiabilidade: os detectores devem ser capazes de operar de forma
contnua e estvel temperatura ambiente por muitos anos.
Baixo custo: fundamental em sistemas de comunicaes de larga escala.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

2. Princpios de Deteco ptica

Para a deteco ptica, polariza-se reversamente a juno pn.

Assim, o campo eltrico gerado na juno empurra as cargas livres

(eltrons e lacunas) para seus lados majoritrios (material do tipo n e
do tipo p, respectivamente).
Uma regio de depleo formada na juno. Esta barreira impede
que os portadores majoritrios cruzem a juno.
Porm, o campo eltrico acelera os portadores minoritrios de cada
lado da juno, fazendo-os cruzar a juno e ir para o outro lado,
formando a corrente de fuga reversa.

Assim, condies intrnsecas so geradas na regio de depleo.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

2. Princpios de Deteco ptica

Um fton incidente na regio de depleo ou prximo dela, com

energia maior ou igual do bandgap (banda proibida), excitar um
eltron da banda de valncia para a banda de conduo.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

2. Princpios de Deteco ptica

Este processo deixa uma lacuna na banda de valncia e chamado de

fotogerao de par eltronlacuna. Os pares de portadores gerados so
separados e conduzidos sob a influncia do campo eltrico produzindo
uma corrente eltrica no circuito externo maior que a corrente de fuga.
A regio de depleo deve ser suficientemente espessa para permitir
que uma grande frao de luz seja absorvida e, consequentemente,
haja uma mxima gerao de pares de portadores.
Porm, como o tempo de drift (trnsito) dos portadores na regio de
depleo limita a velocidade de resposta dos fotodetectores,
necessrio se limitar a largura desta regio e, portanto, existe um
compromisso entre o nmero de ftons absorvidos e a velocidade de
resposta do dispositivo.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

10

3. Absoro

Coeficiente de Absoro:

A absoro de ftons em um fotodiodo para produzir a fotocorrente, depende do

coeficiente de absoro 0 da luz no semicondutor usado para o dispositivo.
A fotocorrente Ip gerada pela luz incidente de potncia ptica Po, em um
comprimento de onda especfico, dada por:

Poe(1 r )
1 exp( o d )
Ip
hf

Onde r o coeficiente de reflexo de Fresnel na interface semicondutor-ar, e a

carga do eltron, d a largura da regio de absoro e hf a energia do fton.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

11

3. Absoro

Coeficiente de Absoro:

O coeficiente de absoro extremamente dependente do comprimento de onda.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

12

3. Absoro

Absoro Direta e Indireta:

O silcio e o germnio possuem bandas de absoro direta ( menores) e indireta

( maiores). Estas ltimas precisam da gerao de um fnon e so mais difceis,
representando os baixos coeficientes de absoro da figura anterior.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

13

3. Absoro

Eficincia Quntica:

Nmero de eltrons coletados re

Nmero de ftons incidentes

rp

Onde re a taxa de eltrons coletados (eltrons/s) e rp = Po/h a taxa de ftons

incidentes (ftons/s). Logo:

Po
re rp
h

onde Po a potncia ptica incidente, h a constante de Planck e a

frequncia ptica.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

14

3. Absoro

Responsividade:

Ip
Po

A/ W

Onde Ip = re.e a fotocorrente gerada e e a carga do eltron. Como:

Po
Poe
re .rp
Ip
h
h

e e
R

h
hc

Temos que:

Onde, o comprimento de onda e c a velocidade da luz no vcuo.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

15

3. Absoro

Responsividade:

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

16

3. Absoro

Responsividade:

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

17

3. Absoro

Comprimento de Onda de Corte:

essencial para o processo de absoro que a energia do fton incidente seja

maior ou igual a energia da banda proibida, Eg, do material usado para fabricar o
fotodetetor. Assim, a energia do fton incidente deve ser:

hc

hc
E f h
Eg

Eg

Assim, o limiar para deteco, chamado de comprimento de onda de corte, c, :

hc
c
Eg

Esta expresso permite que se calcule o mais longo para a fotodeteco, para
os vrios materiais semicondutores usados na fabricao dos fotodiodos.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

18

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Regio de Depleo:

Quando as cargas livres so levadas para seu lados majoritrios sob polarizao
reversa, a regio de depleo formada. A largura da regio de depleo
depende da concentrao de dopantes para uma dada tenso reversa. Quanto
menor for a dopagem mais larga esta regio.

Regio de Absoro:

Os ftons so absorvidos nas

regies de depleo e de difuso.
A largura e posio da regio de
absoro dependem da energia dos
ftons incidentes e do material em
que o detector fabricado.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

19

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Fotodiodo pn:

Assim, no caso de absoro fraca de ftons, a regio de absoro se estender

por todo o dispositivo. E os pares eltrons-lacunas sero gerados nas regies de
depleo e difuso.
Na regio de depleo os pares de portadores se separam e transitam sob a
influncia do campo eltrico e, fora desta regio, as lacunas se difundem para a
regio depleo para serem coletadas.
O processo de difuso muito lento comparado ao drift (na regio ativa). Assim
importante que os ftons sejam absorvidos na regio de depleo. Portanto,
esta deve ser feita a maior possvel diminuindo-se a dopagem do semicondutor
do tipo n. A largura da regio de depleo , tipicamente, W ~ 2 m. Estes
dispositivos so feitos de Si ( de 400 a 700 nm) ou Ge ( de 700 a 900 nm).

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

20

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Fotodiodo pn:

Valores tpicos para zero incidncia at alto nvel de luz.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

21

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Fotodiodo PIN:

Para se obter fotodetectores operando na faixa de = 900 nm, necessita-se de

uma regio de depleo mais larga. Isto conseguido dopando-se levemente o
lado n, que pode ser, ento, considerado intrnseco (I), e acrescentado uma
camada tipo n altamente dopada (n+) para diminuir a resistncia de contato.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

22

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Fotodiodo PIN:

A regio de depleo varia com o tipo de dispositivo:

Fotodiodos iluminados pela frente: W ~ 35 m.

Fotodiodos iluminados pelo lado: W ~ 500 m.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

23

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Velocidade de Resposta:

3 fatores principais limitam a velocidade de um fotodetetor:

Tempo de passagem dos portadores na regio de depleo (ou tempo de

trnsito ou drift time): se o campo eltrico na regio de depleo maior que
o valor de saturao, assume-se que os portadores passam por esta regio
com velocidade constante vd . O maior tempo de trnsito dado por:

W
tD
vd

que o tempo no qual, os portadores devem atravessar toda a regio de

depleo com largura W.
Valor tpico: tD ~ 0,1 ns.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

24

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Tempo de difuso de portadores gerados fora da regio de depleo:

2

tdiff

2 Dc

Onde d a distncia de difuso dos portadores e Dc o coeficiente de difuso

dos portadores minoritrios.
Valores tpicos: tdiff ~ 40 ns para lacunas e tdiff ~ 8 ns para eltrons.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

25

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Constante de tempo devido capacitncia do fotodiodo e sua carga:

um fotodiodo polarizado reversamente exibe uma capacitncia que
depende da tenso aplicada juno. Esta capacitncia causada pela
variao da carga armazenada na juno. A capacitncia de juno
dada por:

Cj

s A
W

Onde s a permissividade do material semicondutor e A a rea da juno do

diodo.
A capacitncia do fotodiodo a soma da capacitncia de juno + a capacitncia
dos contatos + a capacitncia do encapsulamento.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

26

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Largura de banda do fotodiodo: limitada pelo tempo de passagem

dos portadores pela regio de depleo. Logo:

1
vd
Bm

2t D 2W

Exemplo: Um fotodiodo PIN de Si com uma regio de depleo de 25

m possui velocidade dos portadores de 3104 m/s. Determine a
largura de banda do dispositivo e seu mximo tempo de resposta.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

27

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Exemplo: Um fotodiodo PIN de Si com uma regio de depleo de 25

m possui velocidade dos portadores de 3104 m/s. Determine a
largura de banda do dispositivo e seu mximo tempo de resposta.
Resposta:

vd
3 104
8
Bm

1,91 10 Hz 191MHz
6
2W 2 25 10

O mximo tempo de resposta = 1/Bm = 1/1,91 x 108 = 5,2 ns.

Este tempo de resposta no considera a difuso de portadores e as

capacitncias do dispositivo.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

28

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Rudo:

Sensibilidade e Corrente de Escuro:

A sensibilidade do fotodiodo resulta de flutuaes aleatrias na corrente e na

tenso que ocorrem nos terminais do dispositivo, tanto na presena, quanto
na ausncia de sinal ptico incidente.
Mesmo quando no existe sinal ptico, existe corrente nos terminais de sada
do fotodetector devido a polarizao reversa. Ela se chama corrente de
escuro do fotodiodo, considerada rudo, pois no carrega informao.

Rudo Trmico (receptor):

Presente na carga resistiva (RL) que recebe a fotocorrente.

Sendo Fn a figura de rudo e B a banda no receptor:

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

iT2

4kTBFn
RL
29

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Rudo:

Rudo Shot: so flutuaes aleatrias no valor mdio da corrente do

dispositivo devido natureza estatstica do processo quntico de
deteco. O valor rms da corrente de rudo shot dado por:

is2

2eBI

Onde e a carga do eltron, B a BW eltrica e a corrente mdia no fotodetector.

I I p Id

Onde Ip corrente gerada pela absoro de ftons no fotodetector (fotocorrente) e Id

a corrente de escuro. Sendo assim:

is2 2eB( I p I d )
2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

30

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Parmetros mais usados para avaliar o desempenho de rudo em

fotodetectores:

NEP: Noise Equivalent Power ou Potncia de Rudo Equivalente;

D: Detectividade;

D*: Detectividade especfica.

NEP: potncia ptica incidente, em um certo comprimento de onda ou

com um contedo espectral especfico, necessria para produzir uma
corrente eltrica no detector igual a corrente rms de rudo numa
largura de banda unitria (B = 1Hz).

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

31

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

NEP: (Cont.)

Fazendo-se a fotocorrente Ip igual ao valor rms da corrente de rudo shot e

assumindo-se Ip >> Id, pode-se escrever:

I p 2eBI p I p 2eB

Como:

Po

I p hf

I p hc

Fazendo B = 1Hz, tem-se:

2eBhc 2hc
NEP Po

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

32

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

NEP:

Quando Ip << Id, pode-se escrever:

I p 2eBI d

Assim, para um fotodetector que possui rudo dominante da corrente de escuro,

obtm-se:
1/ 2

hc(2eI d )
NEP Po
e

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

33

4. Fotodiodos sem Ganho Interno

Detectividade (D): definida como o inverso da NEP.

Assim:

D 1

Assumindo-se que Id a fonte de rudo dominante:

NEP

hc2eI d

1/ 2

Detectividade especfica (D*): incorpora a rea A do fotodetector para

considerar o efeito deste fator na amplitude da corrente de escuro.

D* DA

1/ 2

2 Sem 5 Ano Elo

hc2eI d A

SO - Maj Andrezo

1/ 2
34

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fotodiodos Avalanche (APD):

Alm da regio de depleo, onde a maior parte dos ftons so

absorvidos e os primeiros pares de portadores gerados (portadores
primrios), existe nestes dispositivos, uma regio de alto campo
eltrico, onde eltrons e lacunas podem adquirir energia suficiente
para gerar novos pares eltrons-lacunas (portadores secundrios).

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

35

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fotodiodos Avalanche (APD): (Cont.)

Este processo de portadores gerando outros novos chamado de

multiplicao por avalanche. Para que ele ocorra, necessita-se em
geral de altos nveis de tenso de polarizao reversa (50 a 400 V).

Atualmente, estes nveis de tenso reversa j caram para ~ 25 V.

Este dispositivos so construdos em Si, Ge ou InGaAs/InP.

Tempo de Resposta: limitado por:

Tempo de trnsito dos portadores atravs da regio de absoro (largura de

depleo);

Tempo necessrio para os portadores executarem o processo de

multiplicao por avalanche;
Constante de tempo RC da capacitncia de juno do diodo e sua carga.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

36

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fotodiodos Avalanche (APD): (Cont.)

Vantagens dos APDs:

Detectam baixssimos nveis de potncia ptica;

Possuem sensibilidade de 5 a 15 dB menor que os PIN.

Tipicamente: ~ - 40 dBm = 0,1 W.

Desvantagens dos APDs:

So difceis de fabricar apresentam maior custo;

Apresentam maior rudo;

Maior tenso de polarizao e que depende do comprimento de onda de

operao;
Necessitam de controle de temperatura.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

37

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fotodiodos Avalanche (APD): (Cont.)

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

38

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fotodiodos Avalanche (APD): (Cont.)

Fator de Multiplicao:

uma medida do ganho interno que o APD prov e dado por:

I
M
Ip

Onde I corrente de sada total, aps a multiplicao por avalanche e Ip a

fotocorrente gerada antes da multiplicao por avalanche.
Exemplo: A eficincia quntica de um APD de Si de 80% para uma
radiao com comprimento de onda de 900 nm. Quando a potncia ptica
incidente 0,5W, a corrente de sada do dispositivo, aps a multiplicao
por avalanche, de 11 A. Determine o fator de multiplicao do APD.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

39

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Exemplo: A eficincia quntica de um APD de Si de 80% para uma

radiao com comprimento de onda de 900 nm. Quando a potncia
ptica incidente 0,5W, a corrente de sada do dispositivo, aps a
multiplicao por avalanche, de 11 A. Determine o fator de
multiplicao do APD.
Resposta:

e 0,8 1,602 1019 0,9 106

R

0,58 A / W
hc

6,626 1034 3 108

I p Po R 0,5 106 0,58 0,29 A

I
11 106
M

37,8 38
6
I p 0,29 10
2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

40

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fototransistores:

Apresentam ganho interno devido ao do transistor.

A juno base-coletor fotossensvel e o elemento que absorve
luz. A luz absorvida afeta a corrente de base do transistor,
aumentando a fotocorrente atravs do dispositivo.

Difere do transistor bipolar convencional pois a base, em geral, no

conectada.
Geralmente operam na faixa de 900 a 1300 nm.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

41

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fototransistores: (Cont.)

Representao simblica do fototransistor npn .

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

42

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fototransistores: (Cont.)

Seo transversal de uma heterojuno npn InGaAsP/InP:

A luz passa pelo emissor sem ser atenuada (material com gap grande) e
absorvida na base, na regio de depleo base-coletor e no coletor.
Geralmente so utilizadas heterojunes para se diminuir as capacitncias de
juno base-coletor e base-emissor e a resistncia de base: com baixa
dopagem do emissor e do coletor e uma alta dopagem da base, permite alto
ganho de corrente.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

43

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Fototransistores: (Cont.)

Ganho ptico: dado, aproximadamente, por:

Go hFE

hfI c

ePo

Onde a eficincia quntica do fotodiodo base-coletor, hFE o ganho de

corrente de emissor comum, Ic a corrente de coletor e Po a potncia ptica
incidente.
Exemplo: Um fototransistor tem uma corrente de coletor de 15 mA quando a
potncia ptica incidente de 125 W e o comprimento de onda de 1,26
m. Calcule o ganho ptico do dispositivo e o ganho de corrente de emissor
comum se a eficincia quntica do fotodiodo de base-coletor de 40%.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

44

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Exemplo: Um fototransistor tem uma corrente de coletor de 15 mA

quando a potncia ptica incidente de 125 W e o comprimento de
onda de 1,26 m. Calcule o ganho ptico do dispositivo e o ganho de
corrente de emissor comum se a eficincia quntica do fotodiodo de
base-coletor de 40%.
Resposta:

Go hFE

hfI c hcI c

ePo ePo

6,63x10

3 108 15 103

118,1
6
19
6
1,26 10 1,6 x10 125 10

hFE
2 Sem 5 Ano Elo

34

Go

118,1

295,3

0,4
SO - Maj Andrezo

45

5. Fotodiodos com Ganho Interno

Clula solar:

um fotodiodo com uma grande rea de exposio radiao, cuja operao se

d em condies de fornecer energia a uma carga externa.
Opera ento no quarto quadrante da caracterstica IV: potncia absorvida pelo
dispositivo = VI < 0.

2 Sem 5 Ano Elo

SO - Maj Andrezo

46