Transistores bipolares 'n este capitulo vamos a prestar atencién a dispo- itivos que pueden amplificar sefiales de entrada y actiian como interruptores en circuitos digitales, ‘specificamente, el BIT (Bipolar Junction Transis- tor, transistor de unién bipolar) o, simplemente, transistor bipolar. En el capitulo siguiente, estu- diaremos otro dispositivo muy importante, el MOS- FET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eifect Tran- sistor, transistor de efecto de campo metal-oxido- semiconductor) o, simplemente, transistor MOS. 44 4.2. 43. 4.4. 45. 46. 47. 48. 49. Funcionamiento basico del transistor bipolar npn Analisis de la linea de carga de un, amplificador en emisor comun El transistor bipolar pnp Modelos de cireuitos en gran sefial Analisis de circuitos con en gran senal polares Circuitos equivalentes en pequena senal El amplificador en emisor comin El sequidor de emisor El transistor bipolar como interruptor légico digital Resumen Problemas 220 230 236 238 241 255 258 265 218 285 287220 Electrica Eo Brnnbaeecol n activa, base wmisor ost en directo, y olsen on 2, Cuando se ado ja ents 4.1. FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR npn Un bipolar npn esti formado por una fina capa de material de tipo p entre dos capas de material de tipo n, como puede verse en la Figura 4.1(a) (la figura esti simplificada respecto al dispositivo real; no obstante, la configuracién que se muestra es una apro- ximacién a la parte activa de los transistores actuales dentro de un Cl). En el dispo- sitivo, se forman dos uniones pn: la unién colector-base y la unién emisor-base. Va- ‘mos a ver que la corriente que fluye por una unién afecta a la corriente en a otra unin, Es esta interaccién la que hace al bipolar muy itil como interruptor © como amplificador. Llamaremos a las diferentes capas emisor, base y colector, como se muestra en la Figura 4.1(a). En la Figura 4.1(b), se muestra el simbolo de circuito de un bipolar npn, como las direcciones de referencia que usaremos en los bipolar npn para las co- rrientes y las tensiones. Coletor Tipow Bas o—] Tipo Tipow Enisor ()Esquctua fica simpliicada—(b) Simboloesqpemdtco Figura 4.1. | wansistor bipolar npn. Funcionamiento basico en la region activa ‘Veamos cémo estin relacionadas las corrientes y tensiones de un bipolar. En la Figu- ra 4.2, se ve un transistor npn conectado a fuentes de tensién variables. Como el termi: nal emisor es comin a ambas fuentes de tensién, decimos que en este circuito el tran~ sistor esti en una configuracién de emisor comin, Una de las uniones pn se polariza directamente aplicando una tensién con la pola- ridad positiva en el lado p. Funcionando normalmente como amplificador, la unién base-emisor estd directamente polarizada y la unién base-colector esta inversamente polarizada. Llamamos a esto regién activa de funcionamiento, El funcionamiento en esta regién se consigue aplicando un valor rg, ~0,6 V para polarizar en directa la uunién base-emisor. Entonces, si tenemos tcp > My, la unin colector-base esta inver~ samente polarizada ya que la tensién que pasa por ella viene dada pot fy = tye ~ tg La corriente de emisor j, es la corriente que pasa por la unién base-emisor polati- zada en directa y depende de ryg, justo de la misma manera en que la corriente depen- de de la tensién en un diodo de unién pn. En otras palabras, se cumple la ecuacién deCapitule 4. Transistores as 4G . B ase vee ef : { |: © ® Figura 4.2, Transistor nancon fuentes de polarizacidin variables Shockley. Vimos la ecuacién de Shockley en el Capitulo 3; con los cambios apropia- ds, la ecuacién, se convierte en te=taleo(E)-1] y Hemos igualado a uno el coeficiente de emisién n, porque ése es el valor apropiado para la mayoria de transistores de unién. Los valores caracteristicos de la eorriente de saturacién Jj, se encuentran comprendidos entre 10 y 10-"” A, dependiendo del rea de la unién y de otros factores. Recordemos que, a una temperatura de 300°K, el valor Ves, aproximadamente, 26 mV. La regidn del emisor tiene un alto nivel de dopaje comparada con la base. A causa del elevado dopaje, la concentracién de electrones libres en el emisor es mucho ma~ yor que la concentracién de huecos en la base. Por tanto, la corriente i, que pasa por Ia lunién base-emisor consiste, sobre todo, en electrones que fluyen del emisor a la base. Los electrones que cruzan la unién se convierten en portadores minoritarios en la regién de la base y se dif unden alejandose de la unin del emisor y yendo hacia la unién del colector. Cuando los electrones llegan a la zona de carga espacial de la unién del colector, se ven arrastrados por el campo eléctrico a la regién del colector. Recuerde que el campo elctrico en la zona de carga espacial esta orientado del lado 7 hacia el lado p. La regién de la base es muy delgada y en ella se producen muy pocas recombina- ciones. Por tanto, la mayoria de eleetrones que entran en la base, acaban por verse empujados hacia el colector. ‘Una pequefia fraccién de la corriente que pasa por la unién base-emisor, proviene del terminal de la base. Existen varias razones para ello. En primer lugar, parte de la cortiente que cruza la unidn base-emisor consiste en huecos que cruzan de la base al emisor y estos huecos siguen legando a través del terminal de la base. Otra contribu- cién a la corriente de base proviene de electrones que se combinan con huecos en la regién de la base. En un transistor bipolar tipico, la corriente de la base es del orden del 1% de la corriente del emisor. EI flujo de portadores de carga en el transistor npn puede verse en la Figura 4.3 eunidn bipolar 221 Le covrionte £ que pase pr la urign Bago emis, eon toda en hes aie th igor ls base ‘la ‘ma ase, sesban par verse empuyados hac eteolector222 Electrica wae {ttt t Figura 4.3. Flujo ce corriente para un transistor npn en Ia regidn activa. La mayor parte de le costiente se debe a electrones que se desplazan del em'sor al colactot a tia vvés de la base, La corrierte de base asta compuesta por huecos que cruran de Te base al emisor y por huecos que se recombinan eon electtones en la base Resumiendo, al aplicar una polarizacién directa a la unién base-emisor, se produce un flujo de corriente a través de la unién. Sin embargo, la mayor parte de esta corrien- te la aporta i, mis que i,. Con un circuito adecuado, este efecto permite amplificar tuna sefial qué se aplique & la unién base-emisor. Curvas caracteristicas basicas en emisor comin La Figura 4.4 muestra las curvas caracteristicas de un bipolar tipico. Estas curvas es- tin idealizadas, de manera que sélo se muestran las caracteristicas principales. Mis adelante, veremos algunos efectos secundarios que provocan ligeros cambios en ellas. Observe que la curva caracteristica de la entrada (i, en funcién de jy.) es similar a la curva caracteristica en polarizacién directa de la unién pn. Era de esperar, ya que Ia ecuacién de Shockley describe la corriente de emisor y la corriente de base es una pequefia fraccién de la corriente de emisor. Como en un diodo, la tensién base-emisor para una corriente determinada disminuye con la temperatura unos 2 mV/K. Las curvas caracteristicas de salida muestran que la corriente de colector es inde- pendiente de la tensién colector-emisor rcs, mientras 1, sea mayor de unos 0,2 V. ‘Veamos por qué ocurre esto. En primer lugar, supongamos que fe, 8 mayor que fyg, de manera que la unién del colector esta polarizada en inversa. En estas condiciones, los electrones no pueden cruzar del colector a la base, a causa del campo en la zona de carga espacial colector- base. Asi, el nimero de electrones que fluyen hacia la base viene dado por la tensién que se aplica a la unién del emisor. Estos electrones se difunden hacia la zona de carga espacial colector-base, donde son impulsados hacia el colector a causa del campo eléctrico en la zona de carga espacial. Por tanto, en una primera aproximacién, el ni-Capitule 4. Transistores eunidn bipolar 223, ‘Gad fetwn) 109 7 a 1-300 40,0 a 20ja «i 204A a 101A | o aol te) i tee 003 0a 08 0 0 Pee (0) Curva casters de enna (by Curas carters de sida mero de electrones que entran en el colector depende sélo del grado de polarizacién oy uoasaipwe directa de la unidn del emisor, y es independiente del grado de polarizacién inversa de °P/0s4 ei ia unin del colector. aman leores Para 0.2 «fgg = ts ln unién del colector se hala polarizada en directa, pero silo iat capone slo ppor unas pocas décimas de voltio: no lo suficiente como para causar una corriente a/alo it | directa significativa. Por tanto, la corriente de colector es constante para una rey Supe- [4 unicn se! ctnisor yes rior a, aproximadamente, 0.2 V. inane Desde luego, si se va reduciendo el valor de rp, hasta cero, la unién de colector se polariza en directa (suponiendo que iy: 0.6 V). Cuando una unién pn se polariza en directa, es de esperar que la corriente fluya hacia fuera del lado n. Asi, a medida que rice Se reduce hasta cero, la corriente ic se hace mas pequetia y acabaria por invertir su direccién si rey se redujera por debajo de cero. Amy icacién con transistores bipolares \Viendo la Figura 4.4(a), observamos que un cambio muy pequefio en la tensién base- emisor rye puede provocar un cambio apreciable en la corriente de base jp, particular ‘mente si la unidn base-emisor esti inicialmente polarizada en directa, de manera que haya algo de corriente (digamos, 40 ,A) fluyendo antes de que 1, cambie. Siempre que rice Sea mayor que unas pocas décimas de voltio, este cambio en la corriente de base provoca un cambio mucho mayor en la corriente de colector ic. Con circuitos adecuados, el cambio en la corriente de colector se convierte en un cambio de tension mucho mayor que el cambio inicial en jg. Por tanto, el bipolar puede amplificar una sefial que se aplique a la unién base-emisor. Factores que afectan a la ganancia de corriente Normalmente, el buen funcionamiento de un amplificador con bipolares requicre que la corriente de base sea pequefia en comparacién con la corriente de colector. Definimos 42) 2 de a uni Ecuociin cave que dotne224 Electidnica Pra conseguir une cloves ohsnea do corrionte el b Ecuocisn clave que tine Por ello, queremos que j} tenga un valor alto. Cualquier transistor tipico tiene unos valores j} comprendidos entre 10 y 1000. Hay algunos puntos importantes que hemos de tener en cuenta al disefiar un tran- sistor bipolar para que tenga un elevado de ji. En primer lugar, el dispositivo deberia tener en el emisor un dopaje relativamente alto comparado con el de la base, Esto segura que la corriente que cruza la unién del emisor esté formada principalmente por electrones (suponiendo un dispositivo npn). En segundo lugar, casi todos los porta- dores minoritarios inyectados en la base deberian llegar al colector. Por ello, la regién de Ia base deberia ser delgada y la vida media de los portadores minoritarios deberia ser larga comparada con el tiempo medio que emplean los electrones en atravesar la base. Ademés, la geometria del dispositive deberia permitir que los electrones se di- fundicran répidamente hacia la unién del colector, en lugar de hacia una superficie externa en la que sea probable la recombinacién, Ecuaciones del dispositive La ley de Kirchhoff requiere que la corriente que sale de un bipolar sea igual a la suma de las corrientes que entran en él. Por tanto, a partir de la Figura 4.2, tenemos que 43) El parimetro :y del bipolar es el cociente entre la corriente de colector y la corrien- te de emisor: ay Los valores de 7 varian entre 0,9 y 0,999, siendo 0,99 el valor mas tipico. La Ecuacién (4.3) indica que la corriente de emisor proviene en parte del terminal de la base y en parte del terminal de colector. Sin embargo, como ¢es practicamente uno, es el colec~ tor el que proporciona la mayor parte de la corriente de emisor. Usando la Ecuacién (4.1) para sustituir i; en la Ecuacién (4.4), y reordenando, tenemos 1 | (4s) Para un valor ge superior a unas pocas décimas de voltio, la parte exponencial conte~ rida en el paréntesis es mucho mayor que Ia unidad. Luego el | contenido dentro del paréntesis puede despreciarse. Definimos también la corriente de escala como 1, = oes 46) con Io que la Ecuacién (4.5) se convierte en a7 Despejando i- en la Ecuacién (4.3), sustituyendo los resultados en la Ecua- cién (4.2), y resolviendo para la corriente de base, obtenemos ig =~ dig 48)Capitule 4. Transistores Como 7s ligeramente menor que la unidad, la base s6lo suministra una fraccién muy pequefia de la corriente de emisor. Usando la Ecuacién (4.1) para sustituir i,, tenemos ‘| 49) Anteriormente, hemos definido el pardmetro j} como la relacién entre la corriente de colector y la corriente de base. Usando las relaciones de las Ecuaciones (4.4) y (48) obtenemos p= val exo (4.10) Los valores de ji varian entre 10 y 1000, siendo un valor muy comin j= 100. Pode- mos escribir que fo = Big (4.1) Observe que, como el valor de j} es grande comparado con la unidad, la corriente de colector es una versién amplificada de la corriente de base. Determinar los valores de 4 y /} para un transistor usando las curvas caracteristi- cas de la Figura 4.4 Solucin: Se puede hallar el valor de ji calculando la relacién de la coriente de colector respecto a la corriente de base, siempre que el valor de rg, sea lo bastante alto como para que la unién colector-base esté polarizada en inversa, Por ejemplo, para vcr =4 V, € i, =30 HA, la curva caracterstica de salida nos da ig = 3 mA. Por tanto, Hay que resaltar que, para dispositivos reales, se obtienen valores de j!ligeramente diferentes a partir de diferentes puntos de las curvas caracteristicas de salida. Resolviendo la Ecuacién (4.10) para ¢ en términos de /i, obtenemos (4.12) Sustituyendo el valor que hemos obtenido para /), tenemos que % = 0,99. Efectos secundarios Hasta ahora, hemos estudiado el comportamiento basico del bipolar; sin embargo, hay varios efectos de segundo orden que pueden ser importantes en algunas aplicaciones La Figura 4.5 muestra las curvas caracteristicas del emisor comtin con unos rasgos cexagerados causados por algunos de estos efectos secundarios. eunidn bipolar 225 ew226 Electrica (2) Curvaseuractoristicas de entrada jor taco ye Tt " (0) Curas eaacteristicas de sada Figura 4. Curvas earacter'sticas del emisor comin que muestran de forma " ‘exagetada los efactos sacundatios, Modulacién de la anchura de la base Un rasgo distintivo de las curvas caracteristicas de entrada es que no existe una unica curva que relacione ip y Fg: para todos los valores de fies, sino toda una familia de curvas. A medida que rc, aumenta, la curva para i, se desplaza hacia abajo. Veamos las razones de esta relacién, A medida que ¢¢,,aumenta, la polarizacién inversa de la unién de colector se hace mayor y la zona de carga espacial se extiende hacia la base. En consecuencia, los clectrones inyectados desde el emisor no han de difundirse tan lejos antes de verse impulsados hacia el colector. El resultado es una menor recombinacién en la baseCapitule 4. Transistores ¥y menos corriente de base. La dependencia de la anchura de la base con respecto a ree Se denomina modulacién de Ia anchura de la base. Si fijamos nuestra atencién en las curvas caracteristicas de salida, vemos que, en lugar de ser horizontales, las curvas tienen una pendiente hacia arriba a medida que aumenta ,. Esto también es el resultado de la modulacién de la anchura de la base. A medida que la base se hace mas estrecha y que menos electrones se combinan con Ihuecos, la corriente de emisor debe inerementarse para mantener la corriente de base constante. Recuerde que las curvas de salida se dibujan para corrientes de base cons- tantes. Desde luego, el aumento de la corriente de emisor conduce a un aumento de corriente de colector. Suponiendo un dopaje constante en cada regién y una geometria plana, si se alar- gan las curvas caracteristicas de colector, como muestran las lineas discontinuas de la Figura 4.5(b), todas las lineas rectas convergen en un punto del eje negativo ry. El jén en esa interseccién se denomina tensién de Early, y se representa Ruptura de colector Otro efecto que puede verse en la Figura 4.5(b) es que la corriente de colector aumenta rapidamente cuando /'., se aproxima al valor de ruptura V. Hay dos posibles causas para este comportamiento. En primer lugar, la ruptura por avalancha, en la que el campo en la zona de carga espacial colector-base se hace lo suficientemente fuerte ‘como para que los electrones libres rompan enlaces covalentes al colisionar con la reticula cristalina. La segunda posibilidad es que la modulacién de la anchura de la base conti- nie hasta que la zona de carga espacial de la unién del colector se extienda hasta la unién del emisor. Entonces, incrementar jg, aumenta la polarizacién directa de la unién del emisor. Este fenémeno se denomina avalancha secundaria, Basta un pe- quefo instante de perforacién para destruir el dispositivo ya que una gran cantidad de corriente tiende a concentrarse en una pequefia regién de la unién del emisor, que se sobrecalienta con rapidez. Corriente de fugas Observe que en la Figura 4.5(a), para rye = 0, la cortiente de base es negaiva. Esto se dlebe ala corriente inversa de fugas /. de la unin del colector. Se puede determinar Jeo midiendo la corriente de colector con el emisor abierto y In unién del colector Polarizada en inversa. La corriente de fas fluye hacia el colector através de la union del colector, saliendo de Ia base, Como hemos referenciado i, como entrante en Ia base, tenemos jy =~ gata fy CErCAMA A ero. Otro efecto de Ig ¢s que puede haber una corriente de colector significativa para tna corriente de base cero. La corriente de fugas tiene el mismo efecto que la corriente inyectada en la base a través del terminal de la base. En otras palabras, se amplifica J, por la accién del transistor. Asi, la comriente de colector con i, — 0 es (B+ Deo ‘A temperatura ambiente, la corriente de fugas es a menudo relativamente pequeta, ss efectos apenas son observables, particularmente para dispositivos de silicio. Sin embargo, a medida que aumenta la temperatura, aumenta la corriente de fugas y esto puede resultar problemitico. e unidn bipolar 227228 Electrica Uso de SPICE para representar las curvas caracteristicas La Tabla 4.1 enumera los parémetros del bipolar que hemos estudiado hasta ahora, y su correspondiente nomenclatura en SPICE. Tabla 4,1, Pardmetras dal bipolar y sus nombres en SPICE. Simbolo Denominacion Nombre matemati en SPICE Ganancia de corriente en emisor comtin ii BF Corriente de escala 4, Is Tension de Early vu VAF En la Figura 4.6 se ve al circuito que podemos utilizar en una simulacién con SPI- CE para generar las curvas caracteristicas de un bipolar. Hemos usado el componente Qbreakn para el transistor npn; se trata de un componente de OrCAD que resulta itil cuando queremos especificar los parimetros del modelo de un transistor. Para especi- ficar estos parimetros, en primer lugar hacemos clic en el simbolo del transistor (se pone de color rojo), y luego usamos el comando edit/modeliedit instance model (edi- tar modelar‘editar modelo) para acceder a la ventana mostrada en la Figura 4.7. En este caso, hemos especificado f} = 100, I; = 10 “A, y V, = 50 V. Mas adelante, ve- remos cémo especificar parimetros adicionales para el transistor. te Figura 4.6. Circuito para vor los curves caractotisticas de un bipolar A continuacién, volvemos a la ventana principal de Schematics y usamos los comandos analysis/setup/de sweep (anilisis;configurar’ bartido en continua), para acceder a la ventana DC Sweep que muestra la Figura 4.8(a). Seleccione 1, como variable principal de barrido, y defina un barrido de 0 a 10 V en incrementos de 0.01 V. Haga clic en el botin Nested Sweep (barrido anidado) para acceder a la ventana DC Nested Sweep que se muestra en la Figura 4.8(b). Luego, elija i, como variable, y configirela con un valor inicial de 0, un valor final de 50 ,A, y un inere- mento de 10 A. ‘A continuacién, vuelva a la ventana principal de Schematics y use el comando analysis/simulate (anilisis’ simular) para comenzar la simulacidn, tras lo cual Probe se iniciara automticamente. Emplee el comando trace/add ({razar’afadir) para acce- der ala ventana en la que se elige la(s) variable(s) que se dibujarin, Seleccione dibujar la cortiente de colector 1C(Q1); la Figura 4,9 muestra las curvas earacteristicas de la corriente de colector resultantes.Capitule 4, Transistores de unidn bipolar 229 Com [ee Fre rs Figura 4.8 Ventanas de confiquracién del barride en continus (DC-Sweep) SET 4.1. Cierto transistor tiene fi = 50, Ipy = 10- A, toe = 5 V,€ ig = 10 mA. Suponer que V, = 0,026 V. Hallar rags in ieY 2 Respuesta rye = 0,718 V, rye = —4.28 V, ip =0,196 mA, ic = 9,80 mA, 1 = 0,980,ay 60 y= S08 4048 40 30 2048 20 toa Oya 8 bee (10 Figura 4.9, Curvas earacteristieas de eolector Eianclery 4.2. Caleular los valores correspondientes de f si 7 = 0.9; 0,99 y 0,999, Respuesta fi =9, ff = 99 y {i = 999, 4.3. Un determinado transistor que trabaja con polarizacién directa en la unién base- cemisor, y con polarizacién inversa en la unién base-colector (es decir, trabaja en la regidn activa), tiene ie =9,5 mA, e ip = 10 mA. Hallar los valores de jy, 1 yp Respuesta ig = 0,5 mA, 7 = 0.95, f= 19. Eiraer) 4.4, Despreciando los efectos de segundo orden, dibujar las curvas caracteristicas de salida en emisor comin de un transistor npn de silicio de sefial, siendo ji = 200. La corriente i, varia entre 0 y 50 1A en incrementos de 10 iA. Respuesta Las curvas caracteristicas de salida son idénticas a las mostradas en la Figura 4.4(b), excepto que los valores del eje ic deben duplicarse. 4.2. ANALISIS DE LA LINEA DE CARGA DE UN AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN En la Figura 4.10 se muestra el circuito de un amplificador simple. Las tensiones de las fuentes de alimentacién V,, y Vic polarizan el dispositive en un punto de trabajo para el que es posible la amplificacion de la seal de entrada 1,(1). En esta seccién, vveremos que entre el colector y masa aparece una version amplificada de la tensién de entradaCapitule 4. Transistores Figura 4.10. Ampiificador en emisor comin Anilisis del circuito de entrada Podemos analizar este circuito usando las técnicas de la linea de carga. Por ejemplo, si aplicamos la ley de Kirchoff al bucle que forman Vy, a(), Ry y la unién base-emisor, obtenemos, Vay + right) = Rui + ry (4.13) En la Figura 4.1 (a) se muestra una grifica de la Ecuacién (4.13) en forma de linea de carga para las curvas caracteristicas de entrada del transistor. Para dibujar la linea de carga, debemos localizar dos puntos. Si suponemos que i, = 0, la Ecuacién (4.13) nos da tgp = Vay + Ue Esto nos da el punto en el que la linea de carga corta al eje de la tensién. De igual forma, suponiendo que rg = 0, tenemos que iy = (Vay + tg)/Ry, 10 que nos da la interseccién de la linea de carga y el eje de la corrienie. La linea de carga es la recta mostrada en la Figura 4.11(a) (Linea continua). La Ecuacién (4.13) representa la restriccién impuesta a los valores de ig ¥ Pag Por el circuito extemo. Adicionalmente, iy y 1x. deben corresponderse con las curvas ca- racteristicas del dispositivo. Los valores que satisfacen ambas restricciones son los de la imterseccién de la linea de carga y las curvas caracteristicas del dispositive. Pendiste= e unidn bipolar (@) Entrada (a ins de carga pas so la ca dscontinaa (Salita para un valor mds poquet Figura 4.11. Analisis de la linea de carga del amplificadar de la Figura 4.10. 231232 Electrica La pendiente de la linea de carga es — 1/Ry. Asi, la linea de carga cambia de posi cién, pero mantiene una direccién constante, al cambiar de valor ,..Por ejemplo, la linea de carga discontinua en la Figura 4.11(a) es la que resulta para un valor més Pequeiio de ry que el de la linea de carga continua, El punto de trabajo en reposo (punto Q), corresponde a 1,() = 0. Asi, a medida que la sefal de entrada de alterna r,(0) cambia de valor con’el tiempo, el punto de trabajo instantineo oscila arriba y abajo del valor del punto Q. Los valores de i, pue- den encontrarse a partir de la interseccién de la linea de carga con las curvas caracte- risticas de entrada para cada valor de ry Analisis del circuito de salida Después de haber analizado el circuito de entrada para hallar valores de jp, ya es posi ble un andlisis de la linea de carga del circuito de salida. Remiti¢ndonos a la Figu- ra 4.10, podemos escribir una ecuacién de la tensién para el bucle formado por Vi, R y el transistor, desde colector a emisor. Por tanto, tenemos Veo=Rde+ tee (4.14) que esté dibujada sobre las curvas caracteristicas de salida del transistor de la Figu- ra 4.11(b) Ahora, con los valores de iy que ya hemos encontrado analizando el circuito de entrada, podemos localizar la interseccién de la curva de salida correspondiente con la linea de carga para hallar los valores de icy reg: Asi, a medida que 1, va pasando por tuna serie de valores, iy cambia, y el punto de trabajo instantineo oscila arriba y abajo de la linea de carga en las curvas caracteristicas de salida. Normalmente, el compo- nente de alterna de rg tiene una amplitud mucho mayor que r,(¢), mostrando la am- plificaci6n que ha tenido lugar. Examinando la Figura 4.1 (a) vemos que al cambiar ,(/) a positiva, el valor de i aumenta (es decir, la interseccién de la linea de carga con la curva caracteristica de entrada se desplaza hacia arriba). Esto, a su vez, provoca que el punto de trabajo ins- tantneo se desplace hacia arriba en la linea de carga de salida, con lo que el valor de ‘ice disminuye. Asi, un cambio de r, en la direccién positiva provoca un cambio (mu- cho mayor) de rg, en la direccién negativa . Por tanto, ademas de amplificarse, 1a sefial se invierte. En otras palabras, estamos ante un amplificador inversor. Supongamos que el circuito de la Figura 4.10 tiene Vee = 10 V, Vay = 1,6 V, Ry=40 KO, y Re=2 KO. La seftal de entrada es una senoide de | kHz y una ten- sion de pico de 0,4 V que viene dada por la expresién j,(1) = 0,4 sen 200077). Las curvas caracteristicas en emisor comiin del transistor se muestran en la Figura 4.12(a) y (b). Hallar los valores maximo y minimo, y el valor del punto Q para tc. Solucion: En primer lugar, debemos hallar valores de i. Las lineas de carga Para ry =0 (para halla el punto Q),r44~04 V (extremo positivo) y rg ~0.4 V (extremo negativo), pueden verse en la Figura 4.12(a). Los valores de la corriente de base se encuentran en la intrseccidn de las leas de carga con la curva carac- teristica de entrada. Los valores (aproximados) SOM [py "35 J1Ay y"=25 1A ¥Tipouin = 15 A.Capitule 4, Transistores de unidn bipolar fe) 0 0 20 nto @ Ngo t= lag 28h aw 2 Touay 1S NS in o ‘ae ©) 0 as asi (0) made lea) ‘ Yee 420A =s Re SA way 1 i Toma =35 UA R0yA 2 | “ 1 rio 25 A , t ' Oya - | \ ‘n= 15 t t 1 1 1 1 Lona | i i L 1 1 te 9 pf a fs ts me!) 1 veagusv | Vern 3 Yorn 1¥ (esata Figura 4.12. Anlisis de la linea de carga para e! Fjemplo 4.2 Después, se construye la linea de carga sobre la curva caracteristica de salida, como se ve en la Figura 4.12(b). La interseccién de la linea de carga de salida con Ja curva caracteristica para /y)~=25 jvA marca el punto Q en las curvas caracte- risticas de salida. Los valores Son: /,,=2,5 MA, ¥ Vgg=5 V. De igual forma, la 233234 Electdnica ea(v) «oo 00 Figura 4.13. En log amplifcadoras basodos transistore bipolas. se prover Une dstorsian dot Feng ineskdd Geortaday ia Elcorte se produce cusnele jbo acer, 108) 10 1s ze ry io is (2) Eade (0) Satan (0s) 0 Formas de onda de la tensién en el amplifcador de la Figura 4.10, Véase el Ejemplo 4.2 interseccién de la linea de carga con la curva caractristica para. jqa,35 1A nos da Ve,.,,=3 V. El extremo contrario es Jj... 15 A. lo que resulta en Vermax =7V. Sihhalamos més puntos a medida que ri, varia con el tiempo, podremos trazar la grifica de la onda de , en funcion del'tiempo. Se pueden ver las formas de onda de (0) y ret) en la Figura 4.13. Observe que la componente de alterna de fes( aparece invertida en comparacién con la sehal de entrada El valor pico a pico de la tensin de entrada es de 0,8 V y el valor pico a pico de la componente de alterna de i, es de 4 V. Por tanto, la ganancia de tensién tiene un valor igual a 5 (es decir la componente de altema de rc, es cinco veces mayor en amplitud que r,). Normalmente, driamos que la ganancia es de 5. para enfatizar el hecho de'que el amplificador invierte la seal de entrada, El archivo del cireuito PSpice para este ejemplo se puede encontrar en la pi- gina web (se llama Fig4_10). Se puede hacer Ia simulacién para verficar los r=- sultados del ejemplo y ver qué sucede cuando se cambian diversos parimetros. ‘Los parimetros del modelo del transistor son: j}=BF = 100, y I, =IS 10 BA. a Distorsion Aunque no lo parezea, en las formas de onda de la Figura 4.13, a diferencia de lo que ‘ocurre con la sefial de entrada, la sefal de salida no es exactamente una onda senoidal. E] amplificador es ligeramente no-lineal, a causa de la curvatura y la desigual distan- cia entre las curvas caracteristicas del transistor. Por tanto, ademas de ser amplificada e invertida, la sefal es distorsionada. Por supuesto, la distorsién es un fenémeno que normalmente no deseamos. La Figura 4.14 muestra la salida del amplificador del Ejemplo 4.2 si aumentamos la sefial de entrada a una amplitud de 1.2 V de pico. La distorsién resulta obvia, Observe en Ia Figura 4.14 que el pico positive de tic, se ha recortado para Vee = 10 V. Este recorte ocurre cuando i, ¢ i,.se reducen a cero, a causa de los picos negativos de la sefial de entrada, y el punto instantineo de trabajo de desplaza hacia abajo, hacia el corte del eje de la tensidn y la linea de carga de salida. Cuando esto sucede, decimos que el transistor se ha llevado al corte.Capitule 4. Transistores eunidn bipolar 235 ree) 05 To 15 Figure 4.14, Salida del amplificador del Ejemplo 4.2 para y, (= 1,2sen (2000-1 mostrando ure gtan dstors.én. El pico negativo de la onda de salida de la Figura 4.14 se recorta para fp =0,2 V. Ls ssturscion Esto sucede porque i, se hace lo suficientemente grande como para que el funciona- pect cusn miento del circuito sea conducido a la regién en el extremo superior de la linea de. sa sament los carga de salida, donde las curvas earacteristicas estn pricticamente juntas. A esta z0- 17° na Ia llamamos regién de saturacién, Tendremos una amplificacién razonablemente lineal, sila oscilacién de la seal se Tend-srvs wna ciiic a la regién activa, situada entre saturacién y corte en la linea de carga. En la 21iti-asin Figura 4.15 se muestra una linea de carga de salida, sefialando las regiones activa, de {20ers silo osilanian de le corte y de saturacién, Seal ae cine ala region Seti, sitmods enter so cae Regidn activa ‘come ree) 02 Figu 4.15. La amplifcacion ocurre en la req)dn activa, Existe recorte cuando 1 punto instanisneo de fureionamients entra en saturacién pen conte. En saturacién, ¥$0,2 V 45. Repetir el Ejemplo 4.2 para 1,(2) = 0.8sen (200071). Hallar los valores de Verne Veoo ¥ Venue Comprobar las respuestas usando DesignLab, Los pari metros del modelo del transistor son: f/= BF = 100,¢ /,=2 10" A236 term nal Electrica Respuesta Vern = 88 V; Vea 5.0 V.¥ Vermin 1,0 V. La simulacién esti almacenada en el archivo Fig4_10, que puede encontrarse en la pagina web Para este ejervicio, se tendré que cambiar la amplitud de la fuente. sen (200051) y Vg = 1,2 V. Hallar los 4.6. Repetir el Ejemplo 4.2 para n,(0) = valores de Verna Meu ¥ Vetinix Respuesta Vina 98 Vs Veg =7.0 Vs ¥ Verna =3.0 V. 4.3. EL TRANSISTOR BIPOLAR pnp Hasta ahora nos hemos centrado en el transistor mpm, pero se puede obtener otro itil dispositivo si la base es una capa de material de tipo n entre dos regiones de colector y emisor de tipo p. Para un funcionamiento correcto como amplificador, las polaridades de las tensiones de continua que se apliquen al dispositive pnp deben ser opuestas a las del npn. Ademis, las corrientes fluyen en sentidos opuestos. Aparte de las diferencias cn la polaridad de las tensiones y del sentido de la corriente, los dos tipos de dispositi- vos son muy similares, En la Figura 4.16 se muestra un diagrama de la estructura de un transistor pnp y su simbolo esquematico. Observe que la flecha del emisor en el simbolo del transis- tor pnp apunta hacia el dispositivo, lo que es la direccién normal de la corriente de cemisor. Hemos elegido los sentidos de referencia de las corrientes de manera que coincidan con el sentido real del flujo de corriente en el pnp en la region activa. Por ejemplo, en un pnp la cortiente sale del colector. Recuerde, sin embargo, que en un transistor npn la corriente entra en el colector. Como regla, SPICE referencia las co- rrientes como entrantes en los terminales del transistor. Hay que recordar esto cuando hallemos en SPICE un signo algebraico para una corriente que sea el contrario al que cesperabamos. Enisar ° Ensue Buse of | > ase Coletor Colector (0) Esametua sea (ty Simbotoesquemitico con as diseciones de eferencia de as comintes Figura 4.16, El vensistor pa.Capitule 4. Transistores Normalmente, en los esquemas orientamos los transistores pnp con el emisor en la parte superior, y los transistores npn con el emisor en la parte inferior. De esta forma, la corriente fluye de arriba a abajo en ambos dispositivos. Para el transistor pnp, podemos escribir las siguientes ecuaciones, que son exacta- ‘mente las mismas que para el transistor npm ic= dig (4.15) ig =~ Dig (4.16) c= Bly (47) ip = ic + iy (4.18) Las Ecuaciones (4.15) a (4.17) son validas s6lo si la unién base-emisor esta directa- mente polarizada (es decir, sir, es negativa para un pnp) y la unién colector-base esti polarizada en inversa (si ry: es positiva para un pnp). Como en el transistor npn, los valores normales son: 7= 0.99 y / Para el transistor pnp en la regién activa, tenemos (4.19) i= “tae ae) | (420) v, } Estas ecuaciones son idénticas a las Ecuaciones (4.1) y (4.9) del transistor npn, excep- to que rgg ha sustituido a Py, (Porque rpg toma valores negativos en el transistor pnp). ‘Al igual que en el npn, los valores usuales de Jj, se encuentran entre 10~" y 10~! y, 2.300" K, tenemos que V, = 0,026 V. Las curvas caracteristicas en emisor comin de un transistor pnp son exactamente las mismas que en el npn, excepto que los valores en los ejes de tensidn son negativos. Un conjunto tipico de curvas caracteristicas puede verse en la Figura 4.17. SET 4.7. Hallar los valores de sy j para un transistor con las curvas caracteristicas de la Figura 4.17. Respuesta = 0,980, y j= 50. 4.8. Usar el andlisis de la linea de carga para hallar los valores maximo y minimo, y cl valor del punto @ de i, y 1?) para el circuito amplificador de la Figura 4.18. Usar las curvas caracteristicas de Ia Figura 4.17. cInvierte la sefial este amplifi- cador pnp en emisor comin? Comprobar las respuestas simulando el circuito en 1 = Oy ens =2 ms mediante un andlisis de régimen transitorio en SPICE. Los parimetros del transistor son: ji = BF = 50, e/,= 1S = 10" A. e unidn bipolar 237 eusciones clave tanto para tamsistores np Excgato por las polar sedos do ronson Was dieccianes de Comtente low ansctores ne anise238 Electdrica eta) fe @ay 50 20 «0 as so waa x 1s 2»| 10 10 os ol se (V) ee (V) 23 0 ae eo (oye (saa Figura 4.17, Curvas eatscteristicas en emisor comin para un transistor pnp. Figura 4.18 Amplficador en emisor comin para el Ejercicio 48 Respuesta Ty =48 JA Ip =24 JA, Lng =5 He Vong =12 Vs Vg = 36 V. Vomus=0,78'V. El atchivo del circuto es el Figd_18, La simulacion propor- ciona valores negativos para la corriente de base porque SPICE referencia la cortiente como positiva si entra en el transistor. La sefal de salida, por supuesto, esti invertda, Si tiene dudas sobre esto, dibuje las grificas de las formas de onda correspondientes 1,(0), i() ¥ r,() en funcién del tiempo w observe las formas de onda en la simulacign. 4.4. MODELOS DE CIRCUITOS EN GRAN SENAL En el anilisis o disefto de circuitos amplificadores con bipolares, a menudo se conside- ra el punto de trabajo de continua separadamente del anilisis de las sefiales. Este mé- todo se ha visto en el caso de un circuito con diodos en la Seccién 3.8. Normalmente, cstudiaremos en primer lugar el punto de trabajo en continua, Luego volveremos nues- tra atencién a la seftal que se va a amplificar. En esta seccién, veremos modelos para el anilisis de continua (en gran seftal) para circuitos con bipolares. En la siguiente seccién, veremos cémo utilizar esos modelos para disefiar y analizar circuitos de pola-Capitule 4. Transistores rizacién para amplificadores con bipolares. Después, estudiaremos los modelos en pe~ uefa seial utilizados al analizar el circuito para las sefales que se quieren amplificar. Es costumbre usar mayiisculas con subindices en maylisculas para representar co- rrientes y tensiones continuas de gran sefial en circuitos con transistores. Asi, [cy Vcg representan la corriente de colector y la tensién colector-emisor, respectivamente. Se utiliza una notacién parecida para otras corrientes y tensiones, Como hemos visto, los bipolares pueden trabajar en la regién activa, en saturacién © en corte. En la region activa, la unin base-emisor esti polarizada en directa, y la unién base-colector en inversa. De hecho, la regién activa exhibe una polarizacién directa de la unin del colector por unas pocas décimas de voltio. Modelo de Ia regién activa En la Figura 4.19(a) se muestran modelos de circuitos para transistores bipolares en la regién activa, La fuente de corriente controlada por corriente modela la dependencia de la corriente de colector con respecto a la corriente de base. Las restricciones indica- das en la figura para J, y Vz, deben cumplirse para asegurar la validez del modelo de regién activa, Relacionemos el modelo de la regién activa con las curvas caracteristicas del dis- positive, La Figura 4.20 muestra las curvas caracteristicas de un transistor npn. La corriente de base J, es positiva, y Vj.=0.7 V para una polarizacién directa de la unién base-emisor, como se muestra en la Figura 4.20(b). Observe en la Figura 4.20(a) que Vg debe ser superior a 0,2 V para asegurar que el transistor trabaje en la region activa (es decir, por encima de los codos de las curvas caracteristicas). Del mismo modo, para el transitor pnp debemos tener I, > Oy Vox < 0,2 V para que sea vilido el modelo de regién activa. Como siempre, suponemos que J, es positi- va cuando sale de la base, en el transistor pnp. ee anv 2 HH ' av | eunidn bipolar 239 Es costumbre veer Saye can avlsclos para Foptesentar coreatea y twrsiones sontinuas de gran sehel on cteuitos Eon transistors yoo naa Ie>0 Ver <-02V Ie>0 fle le0 M20 flp>te>0 (@)Repidn activa (Region de saan c E — — E ¢ Vye<0SV Vac 05 (o)Repiin de cone Figura 4.19, Modelos en gran sefal para transistores bipalares,240 Electrica Modelo de la regién de saturacion En Ia Figura 4.19(b) se pueden ver los modelos de los transistores bipolares para Ia rogidn de saturacion. En la regién de saturacién, ambas uniones estin polarizadas en directa. Al examinar las curvas caracteristicas de colector de la Figura 4.20(a), vemos que Vo, =0.2 V para que el transistor npn esté en saturacién. Asi, el modelo para la regidn de saturacién incluye una fuente de 0,2 V entre colector y emisor. Al igual que cn la regién activa, /, es positiva. También podemos ver en la Figura 4.20(a) que, para trabajar por debajo del codo de la curva caracteristica de colector, la condicién es Ply > [o> 0. [rove cimie Repo activa joa Region activa de sauacin SS Resin de cone Teal Cone 4 ver) ae ) ov I tee (2) Curvascaractersoas de salida (0) Cursas carateristicas de entada Figure 4.20. Regiories de trabajo on las eurvas catacteristicas de un trarsistor npn Modelo de la regién de corte En el corte, ambas uniones estin polarizadas en inversa y no entra comriente en el dis- positivo. Por tanto, el modelo esti compuesto por circuitos abiertos entre los tres ter- minales, como se muestra en la Figura 4.19(c). De hecho, si se aplican pequefias ten- siones de polarizacién directa de hasta 0,5 V, las corrientes suelen ser despreciables y seguiremos utilizando el modelo de regin de corte. Las restricciones de las tensiones para que el transistor esté en la regién de corte se pueden ver en la figura. Modo inverso Cuando la unién base-colector esti polarizada en inversa y la unién base-emisor esti polarizada en directa, decimos que el transistor trabaja en modo directo, 0 modo nor~ ‘mal, En algunas ocasiones, podemos encontrarnos con que la unién base-colector est polarizada en directa y la unién base-emisor esta polarizada en inversa. Es lo contrario de lo habitual y decimos entonces que el transistor trabaja en modo inverso. En prin- cipio, el funcionamiento en modo inverso deberia ser igual que en modo normal, pero con el emisor y colector intercambiados. Pero la mayoria de dispositivos no son simé- tricos por lo que 7 y fi tendrin unos valores diferentes en modo normal y en modoCapitule 4. Transistores inverso. Por ahora, centraremos nuestra atencidn en el funcionamiento del circuito en las regiones activa, de saturacién y de corte en modo normal. Un transistor npn tiene un valor de j= 100. Determinar la regin de funciona- miento si (a) [, = 50 A © 1p = 3 mA; (b) [y= pA y Veg =5Vs(0 Vyg = 2V yVor= -1V. Solve’ (2) Como J, ¢ Ic son positivas, el transistor se halla en la regién activa o en la de saturacién, La condicién para saturacin, jil, ~ Jc, se cumple, por lo que el dispositive se halla en la regién de saturacion, (©) Dado que Jy > 0 y Voy > 0.2 el transistor esté en la regién activa (6) Tenemos Vac <0 y Vc = Vaz ~ Vog = ~1 <0. Por tanto, ambas uniones estin polarizadas en inversa ¥ el transistor trabaja en la regin de corte a 4.9. Un transistor npn tiene un valor de ff = 100. Determinar la regin de funciona mento si (a) Vp = 0.2 Vy Vog=5 Vs (6) [y= 50 1A Je=2 mA; (0) Vop= SV y ly = 50 ph Respuesta (a) Corte: (b) Saturacién; (c) Activa 4.5. ANALISIS DE CIRCUITOS CON BIPOLARES. EN GRAN SENAL En la Seccién 4.4, hemos visto los modelos en gran sefal para los bipolares. En esta seccién, usaremos esos modelos para el anilisis de circuitos. En el andlisis de continua de circuitos con bipolares, supondremos en primer lugar que el funcionamiento del transistor se produce en una regién en particular (es decir, activa, de corte o de saturacién). Luego usaremos el modelo adecuado para el tran: tor y resolveremos el circuito. A continuacién comprobaremos si la solucién satisface las condiciones de la regién que hemos supuesto. Si es asi, se ha completado el andili- sis. Si no, supondremos que el funcionamiento se produce en otra regién, repitiendo esto hasta hallar una solucién valida (esto es parecido al andlisis de los circuitos con diodos usando el modelo del diodo ideal) Este método es particularmente iitil en el analisis y disefio de circuitos de polariza- cién para amplificadores con bipolares. El objetivo de un circuito de polarizacién es situar el punto de trabajo en la regién activa, de manera que se puedan amplificar las sefiales. Como los bipolares presentan una considerable variacién de sus parémetros (particularmente j}) de unidad a unidad y con la temperatura, es importante que el punto de polarizacién resulte independiente de estas variaciones. Los siguientes ejemplos muestran las técnicas existentes para el analisis de gran sefial de circuitos con bipolares, y proporcionan algunas observaciones ttiles en el di sefio de circuitos de polarizacion, eunidn bipolar 241 Paso 15 Fogion funciosamento paa bipolar Paso 2 Resolver el fetevito para hal ff vv Paso" Comprober i los valores hallados en tiv a a sepusien once isseota242 Elecusnie: Re Ry (2) Cicuito real Wee Hee Yee Re te By | © co4 8+ Ay 2 Vee 8 Yer kK tog ts Te E (0) Cecio equivalent (©) Ciena equvatente (6 Ciruito euivatene suponindo funionamienta suponiendo fucionamieno Suponicndofuncionaminto calla egicn de cone tala vein desaturacicn nla tegin activa Figura 4.21. Citcurtos de polarize én de los Ejomplos 44y 46 En el circuito de polarizacién de continua de la Figura 4.21(a) se tiene R, = 200 KO, Re = EKO, y Voc = 15 V. El transistor tiene una j} = 100. Caleular I y Vg Comprobar el anilisis con SPICE, usando un modelo de transistor que tenga BF = 100, e 1S = 107" A Solucidn: Veremos con el tiempo que el transistor trabaja en la regién activa, pero comenzaremos suponiendo que el transistor estéal corte, para mostrar cdmo comprobar la suposicién inicial de la regién de funcionamienio, Como hemos su puesto que el circuito trabaja en la regién de corte, el modelo para el transistor se muestra en la Figura 4.19(c), y el circuito equivalente, en la Figura 4.21(b). De- ducimos que J, =0, y que hay una caida de tensién cero on Ry. Por tanto, Vyg = 15 V. Sin embargo, en un transistor npn al corte hemos de tenet Ve < 0.5. En consecuencia, la suposicién de que esti al corte no es valida A continuacidn, supongamos que el transistor est en saturacién. En la Figu- +2 4.19(b) se muestra ol modelo de transistor, y en la Figura 4.21(c) su cireuito equivalente, del que obtenemos Veg = 02 Te = 148 mA, 71S pA Comprobando las condiciones que se piden para la saturacién, vemos que se cumple J, = 0, pero no se cumple il, > Ic. Por tanto, concluimos que el transis- tor no esta en saturacién, Finalmente, si suponemos que el transistor trabaja en la regién activa, usare-Capitule 4. Transistores ‘mos el modelo del transistor de la Figura 4.19(a) y el circuit equivalente de la Figura 4.21(d), obteniendo To = filly =7,15 mA Finalmente, Veg = Veo Re = 7.85 V Para la region activ: se requiere que Vice 0,2 V, ¢ I~ 0, cumpligndose ambas. Asi, el transistor trabaja en la region activa con J.= 7,15 mA, y Ver = 7.85 V. Para comprobar nuestro andlisis con PSpice, en primer lugar iniciamos Sche- matics y dibujamos el circuito usando el componente Qbreakn para el bipolar. Luego hacemos clic con el ratén en el bipolar para seleccionarlo, y usamos el comando edit/modeVedit instance model para acceder a la ventana, en la que cambiamos el nombre del modelo a Qath y afiadimos las especificaciones BF = 100 IS = 10-" A. El circuito se muestra en la Figura 4.22, y el archivo del modelo en la Figura 4.23. A continuacién, volvemos a la ventana Schematics y, con el comando analysis/simulate, iniciamos la simulacién. El andlisis del Punto de trabajo se hace por defecto, por lo que no es necesario configurar la simulacién, Tras la simulacién, usamos el comando analysis/examine output (anilisis/examinar salida) para acceder a una ventana que contiene el archivo de salida. Desplazandonos hacia abajo por el archivo, podemos ver la informacion mostrada en la Figura 4.24. Vemos que la simulacién da como resultado Jo= 7,18 mA, y Veg = 7.82, valores muy préximos a los obtenidos anterior- mente. La ligera diferencia se debe al hecho de haber supuesto que Vg, = 0.7 V, Jo cual no es exacto para este transistor en este circuito. Como las resistencias tienen normalmente tolerancias de +5 %, las diferencias en los valores no debe- rfan preocuparnos a la hora de disefiar. % 20007 Figura 4.22. Circuito para el Ejernplo & Repetir el Ejemplo 4.4 para j}= 300. e unidn bipolar 243Cos I Fig 4.22 Wim Tent Eon teu tes Figura 4.24, Resultados de SPICE pata ol circuito de Is Figura 4.22 Solucidin: En primer luger, supongamos que el circuito trabaja en la region activa, Esta suposicién nos lleva a Te = lly = 21,45 mA Veg = Vee Rle= 64S VCapitule 4. Transistores Uno de los requisitos para la regién activa es que Voz 0.2 V, lo cual no se cumple. Por ello, el transistor no esti trabajando en la regién activa, A continuacién, suponemos que el transistor esti en saturacién. Esta suposi- cién lleva a —Vec= 02 Ia = 148 mA, Vemos ahora que las condiciones para la saturacion (Iy > 0 y fil J.) se cum= plen. Por tanto, ya hemos resuelto el citcuito, y Vo, = 0,2 V. Usando PSpice para comprobar estas respuestas, abrimos el circuito en Sche- matics (el nombre del archivo es Fig4 22), hacemos clic en el bipolar para selec- cionarlo, y usamos el comando editimodel/edit instance model para visualizar el archivo del modelo, en el que cambiaremos las especificaciones para ji a BF = 300. Tras la simulacién, puede comprobarse que el archivo de salida con- tiene resultados muy similares a los que hemos obtenido realizando los célculos manualmente u Consecuencias sobre el disefio de circuitos de polarizacién Es instructivo estudiar las lineas de carga mostradas en la Figura 4.25 para los dos liltimos ejemplos. Para / = 100, el punto de trabajo se encuentra, aproximadamente, nel centro de la linea de carga. Por otra parte, para {} = 300, el punto de trabajo se ha desplazado hacia arriba, a la regién de saturacién. Para que se pueda utilizar este circuito como amplificador, necesitamos un punto Q en la regi6n activa, en la que los cambios en la corriente de base causan que el l y= 2145.08, Vee Vee Punto 0 “= ismah Fe sma ee? Bip = 7.15 mab Ip=TLS uA eunidn bipolar 245 Ip=T15 wd Yer ) S (p= 100 (op=300 Figura 4.25. Lineas de carga para los Fjemplos 4A y 4.5.246 Electrica punto de trabajo instantaneo se desplace hacia arriba y hacia abajo de la linea de car- ga. En saturacién, el punto de trabajo no se mueve de una manera significativa cuando la corriente de base cambia poco, y no hay amplificacién. Asi, tenemos un punto Q apropiado para j!= 100, pero no para {i= 300. Como las variaciones de j? entre positivos similares son de esta magnitud, el circuito que estamos examinando no es adecuado como circuito polarizador de un amplificador para fabricacién en serie. Po- driamos estudiar ajustar R,, para compensar la variacién de j entre una unidad y otra, pero esto no suele resultar prictico. A estos circuitos (Figura 4.21(a)) se les denomina cireuitos de polarizacion de base fija, porque la corriente de base esta fijada por Voc y Ry. Por ello, la corriente de base no se ajusta cuando se producen cambios en el valor de /}. Observe que, si necesi- ta un circuito que tenga un punto de trabajo en particular en la linea de carga de colec- tor, la comriente de base debe cambiar cuando lo haga {i Eiraer) 4.10. Repetir el Ejemplo 4.4 para (a) f= 50; (b) fs = 250. Respuesta (a) [o= 3575 mA, Vop= 1143 Vs (b) Io= 14.8 mA, Veg = 0.2 V. 4.11, Suponer que Re =5 KO, Vay =0,7 V, y Voc = 20 V en el circuito de la Figu- ra 4.21(a). Averiguar el valor de Ry necesario para que el punto de trabajo se sitiie exactamente en el punto central de la linea de carga de salida para (a) P= 100; (b) = 300. Respuesta (a) Ry = 965 KQ; (b) Ry =2,90 MO. Eancer 4.12, Resolver el circuit de la Figura 4.26 hallando Ie y Voys si Vgp = 0.7 V y (2) P= 50; (b) f= 150. % ima Figura 4.26, Circuito para e! Eercicio 4.12, Respuesta (2) Jo = 0,965 mA, Veg=—10,35 V; (b) fo= 1,98 mA, Veg =~ 0,2 V. (El trans tor esta en Saturacién,)Capitule 4. Transistores En el siguiente ejemplo, veremos un circuito que tiene una corriente de emisor relativamente independiente de f. Hallar Jo y Veg en el circuito de la Figura 4.27(a) para Veo = 15, Vig =5 V, Ro=2KQ, y fi = 100. Repetir el ejemplo para fi = 300, Solucién: Vamos a suponer que el transistor estéen la regién activa y utliza- remos el circuit equivalente de la Figura 4.27(b). Escribiendo una ecuacion de tension para Vln unin base-emisor y Ry, tenemos Vyp=0.7 + he Podemos resolver esta ecuacién para la corriente de emisor de la siguiente forma Vgy — 0.7 = 215s mA Observe que la corriente de emisor no depende del valor de f. Sustituyendo /.-= fil, en la ecuacién Ip= lyk tenemos = 4 Dy (re Re L (4) Circuito orginal (0) Circuito equivalent suposiendo que se abaja ena rgicn activa Figura 4.27. Circuito para el Fjemplo 4.6 union bipolar 247248 Electrica Resolviendo la ecuacién para la corriente de base, obtenemos Je PD 1, Una vez conocida la corriente de base, podemos calcular la cortiente de colector usando /. = jil,. Luego podemos escribir una ecuacién de late de colector para hallar Ve, Veo = Rele+ Vex + Ree Sustituyendo, obtendremos los valores de la Tabla 4.1. Observe que J, es menor para el transistor que tiene una jf mayor, y que I. es casi constante. Tabla 4.2, Resultados para el ;cuito del Ejemplo 46. Ie 1 3A 2.13 mA Ti4pA 214m El punto Q(/cy Vcg) en el cireuito de la Figura 4.27(a) es casi independiente de f. Sin embargo, este circuito no sucle uilzarse para construir amplificadores. En primer lugar, necesita dos fuentes de tension, Vc ¥ Vay pero a menudo sélo hay una Fuente disponible, En segundo lugar, puede que queramos inyectar la sefal en la base (a ta- vés de un condensador de acoplo), pero la tensién de la base esti fijada respecto a masa por la fuente de Vy. Como esta fuente Py, ¢s constante, actia como un cortcit= cuito a masa para las cottientes de sefil altema (es deci, la fuente V, no permite que aparezea en Ia base una tensién de alterna) Analisis del circuito de polarizacién automatica de cuatro resistencias En la Figura 4.28(a) se muestra un circuito polarizador mejor para el diseito con com- ponentes discretos. Le llamamos eireuito de polarizacién automatica de cuatro re~ sistencias. Las resistencias R, y R, forman un divisor de tensidn que tiene como obje~ tivo proporcionar una tensién casi constante en la base del transistor (independiente de la fi del transistor). Esto se consigue eligiendo unos valores de R, y Rz tales que las corrientes que pasen por ellos sean grandes comparadas con la corriente de base espe~ rada. Como vimos en el Ejemplo 4.6, una tensidn de base constante Hleva a unos valo- res casi constantes de Jc y Veg Como la base no esta conectada directamente a la alimentacién 0 a masa en este circuito de cuatro resistencias, es posible acoplar a la base una sefial de alterna a través de un condensador de acoplo. Se puede analizar el circuito de la siguiente manera. En primer lugar, redibujamos el circuito, como se ve en la Figura 4.28(b). En el analisis que sigue, se muestran, para simplificar, dos fuentes de tensién separadas pero, por lo demas, los circuitos de las partes (a) y (b) de la figura son idénticos. Luego hallamos el equivalente de Thévenin del circuito situado a la izquierda de la linea discontinua de la Figura 4.28(b). La resis- tencia de Thévenin R, es la combinacién en paralelo de R, y R,, dada por = RyRy (421)Capitule 4. Transistores a Re a (0) Cieuito original (6) Citeit equivalonte que mucsta nts de tension separadas pr los cruitos de base ycolecor Re % Yee Re (6) Cieuito que ustiza el guivaleate (4) Eguvalete a) con el modelo de tasitor de Théveni pata Vers Ryo 9 Ry devepin activa Figure 428. Circuito de polarizaciin autorvatica de cuatro rasistane’ as, donde R, ||; indica R, en paralelo con Rj, La tensién de Thévenin Ves "=ae EI circuito en el que se ha sustituido el equivalente de Thévenin puede vers Figura 4.28(c). Por iltimo, se reemplaza el transistor por su modelo de regién activa, como muestra la Figura 4.28(¢), Ahora podemos escribir una ecuacién de la tensin para el bucle de la base en la Figura 4.28(d), que es Va = Roly + Vie + Role (4.23) Desde luego, para transistores de silicio de pequefta seftal a temperatura ambiente, se cumple que V,,=0,7 V. Ahora, podemos sustituir [p= (f+ Diy eunidn bipolar 249250 Electrica y resolver para obtener = te Nw (4.24) Ret G+ DR, Una vez conocida la corriente/,, se pueden hallar ficilmente /, /p. Luego podemos escribir una ecuacién para la tension en el bucle de colector de fa Figura 4.28(d) y ob tener Pos Veg = Veo Rdle~ Rule (425) Hallar los valores de Jc y Vg en el circuito de la Figura 4.29 para f}= 100 y f= 300. Suponer que Vg. = 0,7 V. Figura 4.28. Circvito para ol Ejomplo & Solucién: Sustitayendo en las Eeuaciones (421) y (4.22), hallamos que Ry = = 333k TReiR Ke R, y= Veer ts te Veo TR ON Entonces, sustituyendo en la Ecuacién (4.24) y usando j} = 100, tenemos. 1s Ge, S412 pA Para {} = 300, tenemos que [y= 14,1 1A. Observe que la corriente de base es significativamente més pequea para un valor ! mas alto. Ahora podemos calcular la corriente de colector usando Jc-= fil, Para fi = 100, se obtiene que J, = 4,12 mA, y para fi = 300, tenemos [= 4.24 mA, Asi, para un cambio 3:1 en fi, la corriente de colector cambia menos de un 3%. La corriente de emisor viene dada por I, = Ic + Ip. Los resultados son: I, = 4,16 mA para j= 100, ¢ J,= 4,25 mA para j)=Capitule 4. Transistores Por tiltimo, podemos usar la Ecuacién (4.25) para hallar Vp. Los resultados son: Vig = 6,72 para fi = 100, y Voq = 6,51 para ji = 300, 4.13. Repetir el Ejemplo 4.7 para R, = 100 kQ.y Ry = 50 QQ. Calcular la relacién centre los valores de [, para {3 = 300 y para j?= 100 y compararlo con la rela- cién de las cortientes calculadas en el Ejemplo 4.7. Comentar. Usar una simu- lacién en SPICE para comprobar los resultados. Suponer que J, = 10" A. Respuesta Para j) = 100, fo = 3,20 mA y Vo, =8,57 V; para ji =300, Ic = 3,86 mA y Vex = 7.27 V. La relacién de las corrientes de colector es de 1,21. Por otra parte, en el ejemplo, la relacién entre las corrientes de colector cs de sélo 1,029. Valores mayores de R, y R, provocan cambios mayores en al cambiar f, Disefio de circuitos de polarizacién discretos El circuito de cuatro resistencias de la Figura 4.28(a) se suele utilizar para polarizar transistores bipolares en amplificadores diseretos. Vamos a estudiar brevemente el di seito de este tipo de circuitos de polarizacién. El principal objetivo en el diseio de circuitos de polarizacién es conseguir puntos de trabajo casi idénticos para los bipola- res, incluso aunque sus parimetros puedan variarsignificativamente de uno a otro dis- positivo. Por ejemplo, j puede variar en un factor de 3 6 més entre una unidad y ora ‘Ademis, algunos circuitos han de funcionar en un amplio margen de temperaturas, lo que puede causar variaciones significativas en fy Vpy. En el circuito del Ejemplo 4.7, comprobamos que /--y Vg son précticamente inde- pendientes de, 1o que se consigue eligiendo valores de R, y R. que proporcionen una tensién casi constante en la base. A medida que aumentan los valores de Ry y Ry, el punto Q muestra cambios mayores con jj. Se puede ver esto comparando los resulta- dos del Ejercicio 4.13 con los del Ejemplo 4.7 Para que el divisor de tensién proporcione una tensién a la base casi constante para diferentes valores de corriente de base, las resistencias R, y R, deberian ser pequefas. Sin embargo, esto lleva a cortientes elevadas, a un posible sobrecalentamiento y a la necesidad de una fuente de alimentacién mis potente y cara. Como regla general, una solucién de compromiso es elegir R, para que la corriente que pase por ella sea de 10 a 20 veces mayor que la maxima corriente de base esperada, La Ecuacién (4.24) indica que la cortiente de base es proporcional a la diferencia centre Vp y Vyg- Recordemos que V,, disminuye unos 2 mV K a medida que la tempe- ratura desciende. Ademés, las tolerancias de las resistencias hacen que V, varie. Si disediamos de manera que la diferencia entre Vy Vgp Sea muy pequetia, estas varia- ciones pueden dar lugar a cambios problematicos en el punto Q. Por tanto, deberiamos hacer un disefo en el que V, sea mucho mayor que los cambios esperados de Vgey Va, debidos a la temperatura o a las tolerancias de las resistencias. Se suele seleccionar V,, para que sea aproximadamente un tercio de la tensién de fuente, que suele ser lo bastante grande como para asegurar un punto Q lo suficiente- mente stable. Normalmente, Vy es mucho mayor que Vy:, por 10 que la caida de tensidn en R, es aproximadamente igual a V;, Una costumbre bastante habitual es e unién bipolar 251 E! prineips objetivo en el diseno de ereutos| fe po eonseguit aut trabajo cast para los bipolares, puedan varae Signifestivaronte Como reals general, un buon compromise es ‘logir para que la Carnonte ae pase por ‘lla soa do 105-20 woeus mayor que le maxima rorniente se base esperade Deberiamas hacer un sano an el. que V S00 ‘mucho mayor que ls neios papotadas de Vary, sebidos alo winger ture alas Tolotaneise do ias Disefer ce manera que en caiga Spreximadsmente un Ta tonsian de slimentacisn, pita Turco snl transistor Aesyotrotetca OR252 Electidnica ve soca so Uifzae hebruaimonte pare pola zar Smplieacores imogtades diseftar de manera que caiga aproximadamente un tercio de la tensién de alimentacién en Rg oto tercio en el transistor (V/,.) y otro tercio en Ry Eianclery 4.14, En una red de polarizacién de cuatro resistencias, (Jy aumenta, disminuye © apenas varia para un aumento (pequeiio) del valor de (a) Re; (b) Rys (c) Ris @ REO) RK Respuesta (2) pemanes igual (b) disminiye; (6) sminuye; (2) uments (e) aumenta. 4.18, En la red de polarizacién de cuatro resistencias, {Vey aumenta, disminuye © apenas varia para un aumento (pequeiio) del valor de (a) R.; (b) Ry: (c) Ry wp Respuesta (a) disminuye; (b) aumenta; (c) disminuye; (d) disminuye. Fuentes de corriente en la polarizacién de circuitos integrados El circuito de polarizacién de cuatro resistencias es adecuado para circuitos discretos en los que las resistencias son componentes discretos. Sin embargo, en los circuitos integrados, las resistencias consumen un rea excesiva del chip por lo que deben bus- ccarse otros métodos de polarizacién después, Veremos que se pueden utilizar trans tores y unas pocas resistencias para formar fuentes de corriente que serin iitiles para polarizar amplificadores integrados. Vamos a ver esta idea en un ejemplo que conten- ga fuentes de corriente Estudiemos el circuito de la Figura 4.30. Supongamos que los transistores Q, y Q, tienen idénticas caracteristicas (es una suposicién razonable para circuitos in- tegrados correctamente disefiados, pero no para circuitos discretos). Todos los transistores trabajan en la regién activa, y tienen J, = 107! A, y {= 100. Averi- guar las corrientes de colector y V, Solucidin: Los transistores Q, y Q, tienen idénticas tensiones base-emi (porque sus emisores estin conectados y sus bases estin puesias & masa), tanto, tenemos In = Ademis, la suma de las corrientes de emisor debe ser igual a 2 mA: Ip + Igy = 2ACapitule 4. Transistores eunién bipolar 253 usvuisy usv Figura 4.30. Las fuentes de con ainplificadores integradis sultan titles para polatizar Por tanto, tenemos que Jy = de base y de colector: 2 = | mA. Ahora podemos calcular las corrientes S99 WA In IE Tey = Hea = Bley = 0,99 mA A continuacién, vemos que la corriente de emisor de Q, es igual aS mA. Por tanto, tenemos que ey pe 49,5 nA, des Tey = filyy = 4,95 mA Después, hallamos la corriente que atraviesa Ry Jp = 0,941 mA, Por iiltimo, podemos escribir una ecuacién para el bucle formado por la fuente de 15 V, R, Q, entre emisor y base, y V., El resultado es V,=07 — Re +15 = 103 V Este es un circuito representativo de lo cieuitos de polarizacion usados en los circuitos integrados. u254 Electrica pensemos eves Fesuitad their Por supuesto, podemos analizar facilmente un circuito como el de la Figura 4.30 usando SPICE. Sin embargo, solemos reflexionar mas sobre el circuito cuando lo ana- lizamos manualmente y, por tanto, adquirimos una mejor comprensién de su funciona~ miento. Para optimizar nuestro estudio usando SPICE, pensemos cuales deberian ser los resultados, simulemos el circuito, y luego comparemos los resultados con los que esperabamos. 4.16. Determinar la tensién en la parte superior de la fuente de corriente de 2 mA que se muestra en la Figura 4.30. =-07V, Respuesta Vh.. 4.17, Analizar el circuito de la Figura 4.30, suponiendo que el drea de la unién de Q, cs dos veces mayor que la de Q,, por lo que tenemos I, = 2p. Los transisto- res tienen j} = 100, y |VBE| = 0.7 V. Respuesta Je, = 0,660 mA, Je. = 132 mA, y V,= 9,35 V. 4.18. Suponiendo que ambos transistores tienen {= 100, y [Vyg| = 0,7 V, determi nar el valor de V,en el circuito de la Figura 4.31 aisy ssy i Figure 421. Cho por ol Eero 418 Respuesta. V/, = — 2,68 V.Capitule 4. Transistores 4.6. CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUENA SENAL Notacién de sefiales ‘Ahora vamos a prestar atencién a las corrientes y tensiones de la sefial en los circuitos amplificadores con bipolares. En primer lugar, estableceremos una notacién para ten- siones y corrientes. Escribiremos las corrientes y tensiones totales con sus simbolos en mindsculas y subindices en maytisculas. Asi, (0) es la corriente de base total en fun- cién del tiempo. Las corrientes y tensiones del punto Q se denotan con simbolos en maytisculas y subindices en maytisculas. En consecuencia, /,. es la corriente continua de base cuan- do la sefal de entrada es cero. Por tiltimo, escribiremos los cambios en las corrientes y tensiones a partir del pun- to Q (debido a la sefial de entrada que se esti amplificando) con los simbolos en mi: niisculas y los subindices en minisculas. Asi, i,(2) es el componente de pequefia sefial cn la corriente de base. Como la corriente total de base es la suma del valor en el punto Q y del componente de sefial, podemos escribir inl) = Ing + 10) (426) Estas magnitudes se ilustran en la Figura 4.32. De igual forma, podemos escribir ful) = Varo * Fold 427) Coniene Figura 4.32, tlustracion de a coriente de base eel punto O, fy, Is corrente dala sonal {40 y [a corinte total 0 Relaciones tensién-corriente en pequefia sefial Los circuitos de polarizacién establecen el punto Q, como hemos visto en la seccién anterior. Ahora vamos a ver cémo estin relacionadas las componentes de pequefia se- fal en el transistor. La corriente de base viene dada en términos de la tensién base- emisor por la Ecuacién (4.9), que repetimos aqui: i= cal sx ‘| (4.28) e unidn bipolar 255256 Electrica ‘Vamos a ocuparnos del funcionamiento del circuito en la regién activa, con lo que eI de dentro de los paréntesis es despreciable y se puede eliminar. Entonces, usando Jas Ecuaciones (4.26) y (4.27) para sustitur jy yy: en la Ecuacién (4.28), obtenemos zo + tall) Ing + MO = (1 ~ oMlasexe| (429) que puede escribirse asi (Veco (Prd) iat MO = - oMisexn (“#2 exo) (430) La Ecuacién (4.28) también relaciona los valores del punto Q, por lo que podemos escribir Ing = (1 ~ Dlesexp{ (431) Sustituyendo en la Ecuacién (4.30), tenemos Ing + gf) = lage | (432) Estamos interesados en las pequeftas seflales para las cuales el valor de 1),(¢) es mucho mis pequefio que el de V;,en cualquier momento. Por tanto, r,(0) estd relegado a un valor de unos pocos milivoltios. ara [x << 1, se cumple la siguiente aproximacién: expel tx (433) En consecuencia, la Ecuacién (4.32) se puede expresar como: Ig + = yg 1+ 22) (as) Si restamos /,,, en ambos lados de la ecuacién, y definimos r, = V;/Iyo, tenemos ta) i= (435) Por tanto, para variaciones de pequeiia seftal alrededor del punto Q, ta unién base~ cemisor del transistor se comporta como una resistencia que viene dada por la relacién (436) fi, tenemos la siguiente formula altemativa: Sustituyendo Lg = Ico} (437)Capitule 4. Transistores A temperatura ambiente, /,=0,026 V. Un valor tipico de /} es 100, y una corrien- te tipica de polarizacién en un amplificador en pequeiia seftal es [zg = 1 mA. Con estos valores, se obtiene r, = 2.600 (2. La corriente de colector es {3 veces la corriente de base, id) = pik) (438) Pero cada corriente es la suma del valor del punto Q y la componente de la sefal, por lo que tenemos Teg + iO = fi lag + Pinlt) (439) En consecuencia, las corrientes de sefal estn relacionados por: Oa LAG) (4.40) Circuitos equivalentes en pequefia sefial para el transistor bipolar Las Ecuaciones (4.35) y (4.40) relacionan las corrientes y tensiones de pequefia sefial cn un bipolar. Es conveniente representar el transistor por medio del cireuito equiva- Tente en pequetia seftal, que se muestra en la Figura 4.33(a), Observemos que el cit cuito equivalente incompora las relaciones que hemos calculado anteriormente: HOD = euro ¥ 1 = Pid ‘Si usamos la primera relacién para susttuir i(?) en la segunda, obtenemos B i= oa) Definimos la transconductancia del bipolar como, ‘Si usamos la Ecuaci6n (4.37) para sustituir »_, obtenemos I bua (4.42) En términos de ry g,» las relaciones entre las corrientes y las tensiones de pequefla sefial en el bipolar son rl) =P. © 10 = Bul AD Estas relaciones se representan en el cireuito equivalente de la Figura 4.33(b). Resulta que el transistor pnp tiene exactamente el mismo circuito equivalente en pe- uefa seal que el npn; incluso las direcciones de referencia de las corrientes dela sehal son las mismas. La resistencia r. viene dada por la Ecuacién (4.37), y a transconductan- cia g,, por Ia Ecuacién (4.42), para ambos tipos de transistores. Suponemos que Jey se referencia como saliente del colector en el pnp, por lo que tiene un valor positivo. En las siguientes secciones, comprobaremos que estos circuites equivalentes en pequeta seal son muy iitiles en el analisis de circuitos amplificadores con bipolares. e unién bipolar 257 loteuito equivstente fenupequeti sonal de un Dada Is comrionte co faleetor dal punto. Fy povenios la oe persmotas le peguefia seta newly258 Electrica a oc ° : en oc ® e Figura 4.33. Cicuitos equivalences de pequetia seal para el bipolar 4.19. A temperatura ambiente, un trans valores de g,,¥ de 7. para ley = tor tiene un valor de jf} = 100. Calcular los ‘mA. Repetir el ejereicio para J, = 1 mA. Respuesta Para J; = 10 mA, tenemos un valor de g,, = 385 mS, yr. = 260 Para gg = | mA, tenemos un valor de g,, = 3,85 mS, yr. = 2.600 0. 4.7. EL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN En esta seecién y en la siguiente, estudiaremos algunos circuitos importantes de am- plificadores con un solo transistor. Nuestro objetivo es comprender estos circuitos para poder disefiar y utilizar amplificadores integrados multietapa, Sin embargo, la interac cién entre etapas de los amplificadores integrados con acoplamiento directo complica su andlisis y disefio. Por tanto, para simplificar nuestro estudio en este punto, vamos a cexaminar los amplificadores con un solo transistor en el contexto de los circuitos cretos. Aprenderemos a analizar circuitos amplificadores para hallar su ganancia, resisten- cia de entrada y resistencia de salida, por medio del circuito equivalente en pequeia seflal, En esta Seccién, veremos este procedimiento para el amplificador en emisor comin, que se muestra en la Figura 4.34(a). ‘Vamos a ver la funcién de cada uno de los componentes mostrados en la figura. Observe que, para corrientes continuas, los condensadores se comportan como circui-~ tos abiertos, y las resistencias Ry y Ry estin en serie. Denominaremos Ry = Ru, + Rez a la resistencia equivalente en serie. Las resistencias R,, Ry, Ry y Re forman la red de polarizacién de cuatro resistencias. El condensador C, acopla la fuente de seftal a la base del transistor, y el C, acopla la seiial amplificada en el colector a la carga Ry. El condensador C, se denomina condensador de desacoplo; proporciona un camino de baja impedancia para la corriente alterna del emisor que va a masa.bipolar 259260 Electsnica En un anliss en freouonsiss meas, las La tune de states ae ios eiouitos mpitieadores eon iransstoves condo lehcuito equivalent “ngaens sehely ekctos, Las saracten iti Smpertantos de mls sre la SGanencia de cor Istimpedoncn de ds ia mpedancia ansaid Los condensadores de acoplo y de desacoplo se eligen lo bastante grandes como para que tengan impedancias en alterna muy bajas a las frecuencias de la sefial. Para simplificar nuestro analisis inicial de pequefia sefal en alterna, consideraremos los condensadores como cortocircuitos. Sin embargo, a frecuencias lo suficientemente ba~ jas, los condensadores reducen la ganancia del amplificador. A veces usaremos este circuito con Ry, = 0 para que el emisor esté conectado di- rectamente a masa para las sefiales de alterna. Como el condensador de desacoplo co- necta a masa el emisor para las seftales de altema, el terminal del emisor es comin a la fuente de entrada y a la carga. Ese es el origen de su nombre: amplificador en emisor comiin. Veremos que, al elegir un valor distinto de cero para R,,, se reduce la ganancia de tensién, se hace a la ganancia menos dependiente de los parimetros del transistor y aumenta la impedancia de entrada, Este anilisis es vilido para las frecuencias de la regién de frecuencias medias. En la regién de baja frecuencia, deben tenerse en cuenta los efectos de los condensado- res de acoplo y de desacoplo. En la regién de alta frecuencia, se debe utilizar un modelo de transistor més complejo, que incluya sus limitaciones en frecuencia. Vere~ ‘mos la respuesta en alta frecuencia en el Capitulo 8. Circuito equivalente en pequefia sefial Antes de analizar el amplificador, es muy itil dibujar su circuit equivalent en alter na (en pequefa seal). Esto se ilusra en la Figura 4.34(b). Los condensadores de aco- plo se han sustituido por cortciruits, y el transistor por si equivalente de pequeta Seflal, que hemos visto en la secein anterior. La fuente de alimentacién de continua es reemplazada por un cortocituito Esto resulta apropiado, porque no puede haber ninguna tension de altema en una fuente ideal de tensiin continua, que se supone que tiene impedancia interna igual a Comparemos cuidadosamente el circuito real de la Figura 4.34(a) con el equiva: lente en pequetia seal de la Figura 4.34(b). Observe que la fuente de seal esté conec- tada direcamente al terminal dela base, ya que Cy se considera un cortcireuito. De igual manera, clextromo inferior de Ry esté conectado drectamente a masa, y la car g2 estd conectada al colector. Observe que el exiremo superior de R, esti conectado a la fuente en el circuito original, pero R, esti conectado entre la base y mas en el ciruito equivalent, ya que Ia tensién de la fuente de alimentacin se considera un cortocircuito a masa para seha- les de aliera, Observe tambicn que R, esti en paralelo con R,. De igual forma, Rc y R, esti en paralelo. Es conveniente definr R, como la combinacion en paralelo de‘, ye 1 Ry = RyRy =—— 4.43) WRI ae (4.43) De igual manera, Res la combinacién en paralelo de Rey R, R= Ri|Re (4.44) “UR, = UR Estas combinaciones en paralelo se indican en la Figura 4.34(b).Capitulo 4. Transistores Ganancia de tensién Ahora analizaremos el circuito equivalente para halla una expresion para la ganancia de tensién del amplificador. Observe que la corriente que pasa por Rm, es igual a i. = (i+ Diy La tension de entrada es Tia =the = is + Ralf + Dip (443) La tensién de salida viene dada por Ia corriente de colector que fluye a través de Ri i= Rip (446) Es necesari el signo menos a causa de las irecciones de referencia de la corriente y Ia tension: Ia corriente sale de la tensién de referencia positiva. Dividiendo los dos lados de la Ecuacién (4.46) por los respectivos de la Ecuacién (4.45), obtenemos la ganancia de tens te PU DR ~ Observe que la ganancia es negativa, lo cual muestra que el amplificador en emisor comin es un inversor. El valor de la ganancia de tensién puede ser bastante grande (no es raro que sea de algunos centenares). ‘A veces queremos disefiar circuitos para los que la ganancia sea casi independiente de los parametros del transistor. Si elegimos un valor de Ry; lo bastante grande como para que (ji + I)R,, > r., la Ecuacién (4.47) se transforma en BR GA DRe, Como normalmente tenemos j}>1, la expresién de la ganancia se re- duce a Ri Ra Asi, sitenemos (ji + Ry > ry fh de los parimetros del transistor La expresién de la ganancia dada en la Ecuacién (4.47) es con la g, conectada. En cl Capitulo 1 ya vimos que la ganancia de tensién en circuito abierto resulta itil para caracterizar los amplificadores. Reemplazando R, por un circuito abierto, la ganancia de tensién se convierte en la ganancia de tensién es casi independiente BRe FV DRa (4.48) Impedancia de entrada tra especificacién importante de los amplificadores es la impedancia de entrada, que cs la impedancia que se ve mirando desde los terminales de entrada. En primer lugar, eunidn bipolar 261 La gananeia do wension ddelem sor comin es asi ndependionte de sii Dyce much rayor que)262 Elecdrica La impedaneia de Taimpsetancia generar ypuesta a partir de 1a Ecuacién (4.45), podemos hallar la impedancia de entrada mirando desde cl terminal de la base del transistor. Tenemos 2a fr HD (assy Entonces, la impedancia vista por la fuente es la combinacién en paralelo de Ry y Z,; fa L 40-7. T Re, TZ, (4.50) (En este caso, la impedancia de entrada es una resistencia pura. Por tanto, podemos hallar la impedancia de entrada dividiendo la tensién instantdnea ¥, por la comriente instanténea i. Desde luego, si en el circuito equivalente hubiera capacidades o induc tancias, seria necesario obtener la impedancia como el cociente del fasor de tension y el fasor de corriente.) Ganancia de corriente y ganancia de potencia La ganancia de corriente A, se puede hallar mediante la Ecuacién (2.3). Con los cam- bios adecuados en Ia notacién, la ecuacién es (asi) La ganancia de potencia G del amplificador es el producto de la ganancia de co- rriente por la ganancia de tensién (suponiendo que las impedancias de entrada y de ccarga son puramente resistivas) G=4A, (4.52) Impedancia de salida La impedancia de salida es la impedancia que se ve mirando desde los terminales de la carga con la tensién del generador V, puesta a cero. Se puede ver esta situacién en la Figura 4.34(c). Con r, puesta a cero, no hay ninguna fuente de excitacidn en el circuito de la base, con lo que , es cero. Por tanto, Ia fuente controlada ji, genera una corrien- te nula, y se comporta como un circuito abierto. Como consecuencia, la impedancia vista desde los terminales de salida es simplemente Re: (4.53) (a) Hallar A,, Aj, Zs Ay G y Z,, para el amplificador de la Figura 4.35. (b) Después, si'-(0) = 0.001 sen (#) V, hallar una expresion de r,(. (©) Por ailtimo, repetir Ia parte (a) si la resistencia de emisor R, se divide en Re, = 100 Qy Rey = 900 (2, con el condensador de desacoplo en parale- To con Ry».Capitule 4. Transistores eunidn bipolar 263 Figura 438, Amplificadar an emisor comin del Ejenplo 49) Solucién: En primer lugar, necesitamos hallar J.» para poder calcular el valor de r.. Asi, empezamos analizando las condiciones de continua en el circuito. Para el anilisis del punto de polarizacién sélo han de tenerse en cuenta la fuente de continua, el transistor, y las resistencias R,, Ry, Re y Ry. Los condensadores, Ia fuente de sefal y la resistencia de carga, no tienen efecto sobre el punto 0. El circuito de continua se vio anteriormente en la Figura 4.29, y se anali- 26 en el Ejemplo 4.7. Para j) = 100, el punto Q resultante que se calculé fue Jeg = 4,12 MA y Vey = 6,72 V. Asi, tenemos. B¥r r= Pee co Usando las Ecuaciones (4.43) y (4.44), hallamos que 333k = 667.9 TR+ UR (a) Ahora ya estamos preparados para determinar las impedancias y las ganan- cias. Las Ecuaciones (4.47)-(4.53) nos dan264 —Electidnica G= AA, = 2980 Z,=Re= 1K. Observe que el parimetro A, es algo menor que A,,. Esto se debe a que cl amplificador esta cargado por R, como se vio en el Capitulo 1, La ganan- cia de potencia es bastante grande en un amplificador en emisor comin, por lo que ésta, principalmente por esta razén, es una configuracién usada habi- tualmente. (b) La tensién de la fuente se divide entre la resistencia interna de la fuente y la impedancia de entrada del amplificador. Por tanto, podemos escribir Ze = = 00515 eT r Ahora, con la carga conectada, tenemos Te Ait = 54.60, Pero tenemos que 1(t) = sen (cx) mV, por lo que se obtiene 1,0) = —54,6sen (ext) mV Observe que la fase de 1,(1) esta invertida con respecto a la de 10). (©) Cuando Rj se divide en dos partes, el punto de polarizacién y r, permanecen igual que antes, y tenemos PR secon re inversor. Sus ganancias he B+ DR scene” : apntta— =-90 ce nee The EUR fe los Inpacancias de ‘entrada y sald r+ BE DRy = 10,7 1 Tay, 254kCapitule 4. Transistores Observe que el hecho de tener parte de la resistencia de polarizacién del emisor sin cortocircuitar, reduce la ganancia e incrementa considerable- ‘mente la impedancia de entrada, u 4.20. Repetir las partes (a) y (b) del Ejemplo 4.9 para {3 = 300. (Pista: No olvidar que el punto Q cambia (ligeramente) cuando cambia ji.) Respuesta 4, = — 109, 4, = — 164, Z, = 1185 Q, 4, = —645, G = 7.030, Z,=1KQL y 10) = ~76,7 sen (ost) mV. 4.8. EL SEGUIDOR DE EMISOR En la Figura 4.36(a) se muestra el circuito de otro importante amplificador con transis- tores bipolares, llamado seguidor de emisor. Las resistencias R,, R, y R, forman el circuito de polarizacién. La resistencia de colector Re (usada en el amplificador en emisor comiin) no es necesaria en este circuito. Asi, lo que tenemos es una versin del circuito polarizador de cuatro resistencias con R,.~0. El analisis de este circuito de polarizacién es muy similar al ilustrado en los ejemplos que vimos en la Seccién 4.5. La sefal de entrada se aplica a la base a través del condensador de acoplo C, La seftal de salida se acopla desde el emisor a Ia carga mediante el condensador de acoplo C; Circuito equivalente en pequefia sefial El ciruito equivalent en pose seal se muestra en la Figura 436(8). Como antes, susttumos los condenaadares y lap fuentes de atimentacion por corocietos, Bl transistor se suse por su aquvaleso en poquetia sei, Observe que el colector ets coneciade drecamento a tasa eno cto equiva Leno, circato equvalate del transistor esta rietado con el colecoren la parte ds abajo de la Figura 4.36(), pero elgtricamente es el mismo que el cieutoequivaente de trie que uilieamos antercrment, Convo of colecor ext conectado 8 tase, 2 tstecieito sel lana a veces ampliicador en eoleefor comin, 1s instante, en ol todlisisy disefo de culos slecronids, la capacided de Aijas los equivalentes en pes sei de circutioe con biplares- Compare cuidae douamente el eguivalente en pequcha seal de la Figura 43(0) con ol crit oF nal. Ain mejor, ibuje por st cuenta el equivalents en pequefa seal, partendo del Observe que Ry esti on purallo en el crcito equivalent, Llamas cambinacion ty, Las reistentas fey , tambien estan ea parle, y asia combina- ion la amaremos R, Matemicamente, tenemos Ba Ris, (4.s4y 1 Ri Rilke TR TR, (4.85) eunién bipolar 265 Es importante, en el asi ydisen de a capacidad de dibuyar los equvalertes de pe ai hevitos con bipoares.266 Electdnica Wee ) Fuente de proca (6) Cireuito equivalent uilizado par halla a impodancia de salida 2, Figure 4.36. Seguidor de enisor Ganancia de tension A continuacién, hallaremos la ganancia de tensién del seguidor de emisor. La corrien- te que pasa por R} es i, = i, + iy, Por tanto, la tensién de salida viene dada por P= (14+ Ri, (456) La ecuacién de la tensién que va desde los terminales de entrada, a través de ry luego, a través de la carga, a masa, seria rr, (+ AR, snCapitule 4. Transistores Dividiendo los dos lados de la Ecuacién (4.56) por los correspondientes de la Ecua- cién (4.57) tenemos (+ PR, ORE (458) La ganancia de tensin del seguidor de emisor es menor que uno, ya que el deno- minador dela expresin es mayor que el mumerador, Sin embargo, la ganancia de ten- sidn suele ser slo igeramente inferior a la unidad. Un amplifcador con una ganancia de tensi6n inferior ala unidad puede resultar itil si ene una ganancia de corrente grande Observe que la ganancia de tensin de este circuito es postiva, En otras palabras, el seguidor de emisor no es inversor. Asi, sila tensién de entrada eambia, la de salida en el emisor cambia prictamente en la misma cantidad y en el mismo sentido que la de entrada. En consceuencia, Ia tension de salida sigue a ia tensin de entrada Esta es la razén para el nombre: seguidor de emisor. Impedancia de entrada La impedancia de entrada Z, puede calcularse como la combinacién en paralelo de Ry y de la impedancia de entrada vista mirando a la base del transistor, la cual se indica como Z, en la Figura 4.36(b). Asi, podemos escribir L Zz Ry + V2, (4.59) La impedancia de entrada que se ve mirando a la base, se puede hallardividiendo por ji, ambos lados de la EcuaciSn (4.57) on $+ (ORI (4.60) La impedancia de entrada del seguidor de emisor es relativamente alta comparada con la de otras configuraciones de amplificadores con transistores. Sin embargo, si se necesita una impedancia de entrada muy alta, hemos de recurrir a menudo a amplifica~ dores més complejos que utilicen realimentacién. Analizaremos este método mas ade- lante. En el préximo capitulo, veremos que los transistores de efecto de campo son capaces de proporcionar una impedancia de entrada mucho mayor que los bipolares. Una vez hallada la ganancia de tensién y la impedancia de entrada del seguidor de cemisor, la ganancia de corriente y la ganancia de potencia se pueden hallar mediante las Ecuaciones (1.4) y (1.6), Impedancia de salida La impedancia de salida de un amplificador es la impedancia de Thévenin vista desde los terminales de salida. Para hallar la impedancia de salida del seguidor de emisor, quitamos la resistencia de la carga, ponemos a cero la fuente de seal, y miramos atris desde los terminales de salida del circuito equivalente. Puede verse esto en la Figura 436(c). Hemos agregado una fuente de prucba y, que entrega una corriente i, a la impedancia que queremos hallar. La impedancia de salida es z= (461) e unidn bipolar 267 Le ganoneis dol rormalmente un poe tenor que Tawa parade nfigurad Je amgliicadores con bipelates268 Electidnica La impadon Salida do 8 contiguraciones| bipolares. En primer igor hella polatzacién, ara postr calevlor a Walon dee (Aqui, de nuevo, la impedancia se puede calcular como una relacién entre valores ins- tantineos variables en el tiempo, porque el circuito es resistivo puro. De otra manera, usarfamos fasores.) Para hallar esta relacién, escribiremos ecuaciones que contengan 1 /,. Por ejem- plo, sumando las corrientes en el extremo superior de R,, tenemos it Bae (4.62) Debemos climinar j, de esta ecuacién antes de poder hallar la expresién que deseamos para la impedancia de salida. No queremos ninguna variable del circuito (como i,), en el resultado; sélo debe haber parimetros del transistor y valores de resistencias. Por tanto, necesitamos escribir otra ecuacién para el circuito. En primer lugar, escribiremos la combinacién en paralelo de R,, R, y R; como 1 BTR STR TUR, 463) La ecuacién adicional que necesitamos podemos obtenerla aplicando la ley de Kirchhoff al bucle que forman 1, 7, y RY bt rd, + Ri, (4.64) Si resolvemos j, en la Ecuacién (4.64), sustituimos en la Ecuacién (4.62), y reorde- ramos el resultado, obtenemos la impedancia de salida: & 1 ~ OF PR) + ORD (4.65) Esta ecuacién puede reconocerse como la combinacién en paralelo de Ry y la impe- dancia Rite 40 0B (4.66) Z,, ¢8 la impedancia que se ve mirando al emisor del transistor, tal y como se indica en la Figura 4.36(c). La impedancia de salida del seguidor de emisor tiende a ser mis pequefia que la de otras configuraciones de amplificador con bipolares. Calcular la ganancia de tensién, la impedancia de entrada, la ganancia de corrien- te y la impedancia de sada, del amplificador seguidor de emisor mostrado en la Figura 4.37(). Solucidn: En primer lugar, hay que hallar el punto de polarizacion para poder calcular el valor de r.. El circuito de continua se muestra en la Figura 4.37(b). Como los condensadores de acoplo actiian como circuitos abiertos para la conti nua, R, y R, no aparecen en el circuito de polarizacién de continua. Sustituyendo el circuito de polarizacién de base por su equivalente de Théve- nin, obienemos el circuito equivalente que se ve en la Figura 4.37(c). Ahora, siCapitule 4. Transistores eunidn bipolar 269 0K sy (8) Circuito de polarizacién de continua (6) Cireuito de polasizacién equvabnte Figura 4.37, Soguidor do emisor del Ejomplo 4.10 suponemos que el circuito trabaja en Ia regién activa, podemos escribir las si- guientes ecuaciones de tensién para el bucle de la base: Va =Ralug + Varo + Ral ~ Mug Sustituyendo valores, hallamos que Iyg = 20,6 A. Por tanto, obtenemos Tog = filgg = 4,12 mA, Vea = Veo — leg Re=1LTV Como Vegg es mayor que 0,2 V, € Jag es positiva, el transistor funciona en la rogiGn activa y tenemos Br = 1260.0 Ahora que hemos establecido que el transistor trabaja en Ia regién activa y hemos hallado el valor de r., podemos pasar a determinar las ganancias ©270 Electidnica impedancias del ampli amos que -ador. Sustituyendo en las Ecuaciones (4.54) y (4.55), ha R = 667.2 “TRF UR; La Eeuacién (4.58) nos da la ganancia de tensién: (+ PR = Lo 991 ++ DR, Las Ecuaciones (4.59) y (4.60) nos dan la impedancia de entrada: 2a 04 pom = 15K 2 Terre, ~ 35H Las Eeuaciones (4.63) y (4.65) nos dan 1 TRYOUR TOUR =83.0 fy 1 =42 ge i+ PAR Sr) + RD La ganancia de corriente es La ganancia de potencia es G=AA, = BS Observe que, aunque la ganancia de tensién es inferior a uno, la ganancia de co- rriente es grande (comparada con la unidad). Asi, la potencia de salida es mayor que la potencia de entrada y el circuito es efectivo como amplificador. a ‘Insakcaliewitads En general, la impedancia de salida del seguidor de emisor es mucho mas baja, y elevads 0 una la de entrada mas alta, que las impedancias correspondientes en otros amplificadores, inmesdenes “esol con un solo transistor. En consecuencia, si necesitamos una impedancia de entrada clevada o una impedancia de salida baja, utilizaremos un seguidor de emisor.Capitule 4. Transistores Si situamos al seguidor de emisor en cascada con etapas de emisor comin, son posibles amplificadores con muchas combinaciones iitiles de parimetros. Ademas, existen otras configuraciones iitiles de amplificadores que utilizan el bipolar. En el Capitulo 7, estudiaremos otras configuraciones adicionales, y veremos el disefio de amplificadores multictapa, 4.21, Repetir el Ejemplo 4.10 para /! = 300. Comparar los resultados con los del ejemplo. Respuesta 4, = 0,991, Z,= 40,1 KO, Z, = 33.2.0, 4, = 39,7, G = 39.4, Antes de acabar con el importante tema del analisis del circuito equivalente en pequefia sefial, repasaremos la técnica y aportaremos unas observaciones que pueden resultar ities. Dibujo del circuito equivalente en pequefia sefial ‘Nuestro primer paso sera dibujar el circuito equivalente en pequetia sefial haciendo los siguientes cambios respecto al circuito original: 1. Sustituir las fuentes de tensién por cortocircuitos. 2. Sustituir cualquier fuente de corriente continua que haya por circuitos abier- tos. Esto puede hacerse porque las fuentes de corriente continua fuerzan el flujo de una corriente constante, sin componente de sefal alterna. 3. Sustituir los condensadores de acoplo y de desacoplo por cortocircuitos cuan- do se desee un analisis a frecuencias medias. Sin embargo, si queremos hallar cexpresiones para la ganancia o la impedancia en funcién de la frecuencia, o si ‘queremos hacer un analisis en régimen transitorio, deberian incluirse los con- densadores en el circuito equivalente (y deberiamos usar fasores para repre- sentar las corrientes y tensiones en el anélisis en alterna), 4. Sustituir las inductancias que tengan una impedancia de sefial alterna muy alta por circuitos abiertos en el circuito equivalente de pequefia sefal. (A veces, al suministrar una conexién de continua, se eligen bobinas con una inductancia lo suficientemente grande como para producir una impedancia muy alta para la sefal de alterna. Normalmente, esta técnica s6lo resulta prictica en circuitos que vayan a operar en alta frecuencia.) 5. Sustituir el transistor por su circuit equivalente. Si el circuito tiene varios transistores, se utilizan subindices para distinguir las corrientes y los parime- tos de los diferentes transistores. Puede que resulte conveniente dividir en varios pasos el dibujo de los circuitos equiva- lentes en pequefia sefial. En primer lugar, se hacen los cambios necesarios y después, si se quiere, se vuelve a dibujar el circuito para simplificar el trazado. Vale la pena prestar atencién al dibujar el circuito equivalente: analizar un circuito equivalente in- correcto es una pérdida de tiempo y de esfuerzo. Compruebe bien el circuito equiva- lente antes de escribir las ecuaciones. eunidn bipolar 271272 Electonics Las fuentes Jeperdlontes, como la ponen a cero: Is fuente Eontrotads me Identificacién de las variables de interés del circuito Una ver finalizado el circuito equivalente en pequefia sefal, trataremos de hallar ex- presiones para las ganancias e impedancias que sean de interés. En primer lugar, iden- tificaremos las corrientes y tensiones pertinentes y las seftalaremos en el circuito equi valente. Por ejemplo, para hallar la ganancia de tensién, las variables pertinentes son la tensién de entrada yy la tensién de salida 1, Por otra parte, para la impedancia de entrada, lo que nos interesa son ¥,, y la corriente de entrada i, Calculo de la resistencia de sal La resistencia de salida es Ia resistencia de Thévenin del amplificador. Para hallar Ia resistencia de salida, quitamos la carga, ponemos a cero el valor de las fuentes de sefial independientes, y miramos desde los terminales de salida para hallar la resisten- cia, Poner a cero las fuentes de sefial independientes equivale a sustituir las fuentes de tensién por cortocircuitos, y las fuentes de corriente por circuitos abiertos. Las fuen- tes dependientes, como la fuente controlada de corriente del transistor equivalente, no se ponen a cero: la fuente controlada modela el efecto del transistor. ‘A menudo es conveniente agregar una fuente de tensién de prueba 1, a los termina- les de salida, como hicimos en la Figura 4.36(c), para hallar la resistencia de salida del seguidor de emisor. La resistencia de salida viene dada por la relacién entre 1, ¢ i, Escritura de las ecuaciones del circuito ‘Tras dibujar el circuito equivalente en pequefta sefal e identificar las variables de ten- sin o corriente pertinentes, usamos el anilisis de circuitos para escribir las ecuacio- nes. A menudo es necesario incluir corrientes 0 tensiones adicionales en las ecuacio- nes. Por ejemplo, para hallar la resistencia de salida del seguidor de emisor, queriamos calcular la relacién entre 1’, € ,, pero al escribir las Ecuaciones (4.62) y (4.64), inclui- ‘mos una corriente adicional i, Tras escribir el conjunto de ecuaciones de circuito adecuadas, despejaremos para climinar las corrientes y tensiones no deseadas, hasta que tengamos una ecuacién que relacione las dos variables de interés. Por ejemplo, resolvemos la Ecuacién (4.64) para ii, y luego sustituimos el resultado en la Ecuacién (4.62) para obtener una sola ecua~ cién que relacione re i,, a partir de la cual hallamos la resistencia de salida. Si el circuito es bastante complejo, es una buena idea asegurarse de que se ha es- crito un conjunto de ecuaciones correcto antes de eliminar las variables que no se de- sean. Supongamos que contamos las variables no deseadas, y amamos a ese numero LN. Como necesitamos una ecuacién para eliminar cada una de las variables no desea- das, y como necesitamos dar con una ecuacién que relacione las dos variables de interés, necesitaremos un total de N + 1 ecuaciones independientes. Hemos de asegu- ramos de que las ecuaciones no son dependientes: a veces puede que escribamos la misma ecuacién de diferente manera sin darnos cuenta. CAlculo y comprobacién de la expresién buscada Una vez que hemos escrito un mimero suficiente de ecuaciones independientes, se uti lizan técnicas algebraicas simples para eliminar las variables de circuito no deseadas y hallar la expresién buscada. Si, en este proceso, la sustitucién da lugar a la cancelacién de todos los términos (con lo que nos quedaria 0 = 0), es que hemos escrito ecuacio- nes dependientes y hemos de volver a escribir ecuaciones adicionales.Capitule 4. Transistores Comprobacién de las unidades ‘Tras haber hallado una expresién para la ganancia o la impedancia, es buena idea comprobar si las unidades de la expresién hallada son las correctas. La ganancia de tensién o corriente no deberia tener unidades. La impedancia de entrada o salida deberia estar en ohmios. En el caso de que las unidades no fueran las que esperiba- ‘mos, deberiamos buscar algiin error al escribir la ecuacién original o algin error alge braico. EL anilisis del circuito equivalente de pequefia sefial no es tan problematico como parece en esta explicacién, Hemos intentado mencionar todos los problemas que halla- emos comuinmente con esta técnica, para que no desperdicie mucho tiempo si tropic~ za con ellos. El amplificador en base comin La Figura 4.38 nos muestra otro amplificador conocido como amy comin. El amplificador en base comin no es inversor y potencialmente tiene una ele- vada ganancia de tensién. La ganancia de corriente es menor que uno. La impedancia de entrada es baja y la impedancia de salida es moderada en comparacién con las impedancias correspondientes de otros amplificadores. Hee Wee Figura 4.38. Amplificsdor en base comin. EJERCICIO 4.22, Tenemos el amplificador en base comin de la Figura 4.38, Obtener las expre- siones para la ganancia de tensién, la resistencia de entrada y la resistencia de salida en términos de (i, r, y los valores de las resistenci Respuesta A, = /iRj)r., donde Rj = R,| Res Ry = Rell (+ DIR, = Re eunidn bipolar 273 El amplitissder eo beso ¥ potene'simente ene le tension. La ga de comienle es we ano. La impedancias ‘conespondhentes de ‘rrog amplfieaores,274 Electidnica 4.23. Evaluar las expresiones halladas en el Ejercicio 4.22, si R, = 100 0. Ry = 5 kO. Ry = 50 KO, Ry = 100 KO, Ro = 5 KO. Ry = EKO. Veo = 15 V, Vag = 0,7 Vy y f= 100. Hallar la tensidn de salida si r, = sen (ct) mV. Calcular también la ganancia de corriente y la ganancia de potencia. (Pista: En primer lugar, se debe hallar el punto Q, para poder calcular r..) Respuesta Jey = 0,799 mA, r_ = 32540, A, = 25,6, R, = 32,00, R, = 5 KO, £0) = 6.21 sen (es) mV, A, = 0819 y G = 31,0. 4.24, En la Figura 4.39, se muestra una variante del amplificador en emisor comin Dibujar el circuito equivalente en pequefia sefal, y obtener una expresién para la ganancia de tensién, Figura 4.39. Verisnte del amplificador en emisor coman. Respuesta El circuito equivalente en pequefia sefal se muestra en la Figu- ra 4.40. Su ganancia de tensién es [a lastolloitey 4.25, Dedicir la expresiones para la resistencia de entrada y la resistencia de salida en el cireuito de la Figura 4.39, Respuesta (Ry = Ror Ry + (B+ DR R= RellCapitule 4. Transistores Figura 4.40, Circuito equivalente en pecuena senal del amplificadar de la Figura 4 donde RyR, + Ry +R, (EDR Fr 4.9. EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INTERRUPTOR LOGICO DIGITAL En esta seccidn, veremos el funcionamiento de los bipolares como conmutadores en cit- ccuitos logicos. Estudiaremos una familia l6gica simple conocida como légica resistencia- transistor (RTL: Transistor-Resistor Logic). Aunque la RTL esté obsoleta, estudiarla es ‘una buena manera de adquirir una comprensin de las caracter conmutacién de los bipolares y de los fundamentos de los circuitos l El componente basico de los circuitos légicos es el inversor légico, En la Figura 441 se ve un inversor RTL. Si la tensién de entrada J, es cero, el bipolar trabaja al corte. Entonces, si la corriente de la carga i, también es cero, no pasa ninguna corriente por la resistencia de pull-up 2, y la tensién de salida V, es igual a la tensién de alimentacién Vc. Asi, sila entrada es baja, la salida es alta, como se esperaria de un inversor l6gico. Si se conecta una serie de puertas de carga que consuman corriente, hay una caida de tensidn en la resistencia de pull-up, y se reduce la tensidn de salida. Sin embargo, siempre que el nivel de carga no sea demasiado grande, la tensién de salida ain sera reconocida como un nivel logico alto por las puertas de carga, El funcionamiento deseado del circuito consiste en que el transistor opere en la regién de saturacién cuando la tensién de entrada se encuentre en el margen admisible Re + Carga consti por varias pues Figura 4.41. Inversor RTL. e unidn bipolar 27182716 Electrica para el nivel légico alto. Entonces, la tensién de salida es la tensién de saturacién del transistor, que suele ser de 0,1 a 0,2 V. Esta tensién se acepta como un nivel logico bajo cn las puertas de carga. Asi, el circuito funciona como inversor légico, siempre que se clijan correctamente los valores del circuito y la carga no sea demasiado grande. En la Figura 4.42, se muestra un anilisis de la linea de carga en ausencia de carga (i, =0). Se han idealizado las condiciones de entrada (Ia curva caracteristica ideal de entrada tiene una corriente de base igual a cero para 4, menor que 0,7 V y es vertical cn la regién de polarizacién directa). También se muestra la linea de carga del circuito de entrada. Mientras V, sea menor que 0,7 V, la corriente de base seri cero. Si V, es ‘mayor que cero, la cortiente de base viene dada por Vy 07 i (467) que es el valor que se indica en el punto de trabajo, en la Figura 4.42(a) Curva caractrisin ideal (7 Gente del bipolar ie 8 (Eada Setuacién (b)alida Figura 4.42. Analisis de la linea de carga de un inversor RTL en ausencia de carga,Capitule 4. Transistores La linea de carga de la salida puede verse en la Figura 4.42(b). Si la corriente de base es cero, el punto de trabajo esta en el extremo inferior derecho de la linea de carga. A medida que aumenta la corriente de base, el punto de trabajo se desplaza hacia arriba por la linea de carga. Para valores lo suficientemente altos de corriente de base, el punto de trabajo se encontrari en la regién de saturacién. El inversor lgico RTL debe conmutar entre saturacién y corte. Por el contrario, los amplificadores tra- bajan en la regién activa. ‘A continuacién, construiremos las curvas caracteristicas de entrada-salida del in- versor RTL en ausencia de carga. La tensién de salida sera: Rec (468) En la regién activa, tenemos ie= ly (4.69) Usando la Ecuacién (4.67) para susttuir i, en la Ecuacién (4.69), obtenemos V0.7 i= po (420) Usando la Ecuacién (4.70) para sustituir i, en la Ecuacién (4.68), tenemos amy HO) Transistor conte c ee Tar ain activa [Eevaibn (4.71) Transistor en Figura 4.43. Curvas caracteristicas de transfereneia del in fen ausencia de catga e unidn bipolar 2n7278 Electrica Esta formula es vilida en la regién activa, Si la Ecuacién (4.71) nos da un valor infe- rior a 0,2 V, el transistor esta en saturacién, y tenemos. v,=02 a2 Por tltimo, si V,, es inferior a 0,7 V, el funcionamiento es en corte y tenemos 0 = Vee (4.73) Las gratficas de las Ecuaciones (4.71), (4.72) y (4.73) estin trazadas en la Figura 4.43, 4.26. Dibujar a escala la curva caracteristica de entrada-salida de un inversor RTL con Veo =3 V, Re=2 KO, Ry =5 KO. y fi = 100. Repetir el ejercicio para {= 10. Comprobar las respuestas usando un barrido de continua en SPICE Para la simulacién, suponer que 1, = 10" A. Respuesta Véase la Figura 4.44, Figura 4.44. Graticas del Ejercicio 4.26, 4.27. Suponer que un inversor RTL tiene Ry. = 2 kQ, Vec= 10 V, y fi = 50. Si se desea que el transi cen saturacién siempre que V, sea mayor que 1,5 V, cual es el maximo valor que puede tener R,? Suponer que Vigg= 0.7 V. Respuesta Ryu = 8,16 KO.Capitule 4. Transistores Puerta NOR RTL La puerta NOR RTL consta de varios bipolares que comparten una resistencia de pull-up, como puede verse en la Figura 4.45. Si cualquiera de las tensiones de entrada i a nivel alto, los transistores correspondientes conduciran (en saturacién), y la ten- sidn de salida estara a un nivel bajo. Por el contrario, si todas las entradas estan a nivel bajo, los transistores no conduciran (estaran al corte), y la salida estar a un nivel alto. Wee — Terminales decntada NN Figura 4.45, Puerta NOR RTL de tes anvradas Las puertas NOR pueden utilizarse para implementar cualquier funcién légica booleana, Por tanto, en principio pueden construirse complejos sistemas digitales sim- plemente combinando estos circuitos Comportamiento del bipolar en conmutacién ‘A continuacién, estudiaremos brevemente el comportamiento en conmutacién del transistor bipolar. Nuestro objetivo principal es relacionar el comportamiento en con- mutacién del inversor RTL con la fisica interna del bipolar. Idealmente, nos gustaria que el bipolar conmutara instanténeamente de saturacién a corte y viceversa. Sin em- bargo, las capacidades de transicién de las uniones y el almacenamiento de portadores ‘minoritarios en la base, ralentizan las transiciones, Consideremos el inversor RTL de la Figura 4.46, El transistor es un 2N2222, un viejo favorito de los disefiadores de circuitos electrénicos. Muchas de las versiones educacionales de SPICE incluyen el modelo completo del 2N2222. Este modelo con- tiene parimetros que tienen en cuenta las capacidades parasitas del dispositive y los efectos del almacenamiento de carga. No nos extenderemos en esto; simplemente que- remos mostrar los efectos de la conmutacién en un circuito tipico. Hemos elegido un pulso (el nombre del componente es VPULSE) para la sefial de entrada y;, Hacemos doble clic en la fuente de entrada para que aparezca la ventana de la Figura 4.47, en la que especificamos los parimetros indicados. Esto nos da un pulso de entrada rectangular de 3 V. A continuacién, usamos el comando analysis/ setup/transient para acceder a la ventana mostrada en la Figura 4.48, y establecemos union bipolar 279 Puoden ¢ ° Reon ttsnsistores 307 y2n222 Figura 446. Inversor RTL los parimetros del anilisis como se indica. Por dltimo, usando el comando analysis! simulate, se lleva a cabo la simulacién, tras la cual arranca Probe y presenta las for- mas de onda de la Figura 4.49(a). Con el comando traceladd, podemos obtener las agtificeas de iy y 1, mostradas en la Figura 4.49(b). Como se ha dicho, la sefial de entrada es un impulso rectangular de 3 V. Inicial- ‘mente, la tensién de entrada es cero y el transistor esta en la region de corte. Por tanto, la corriente de base es cero, la corriente de colector es cero y la tensién de salida 1, es igual a 3 V. En ¢ = 100 ns, +, aumenta con rapidez hasta los 3 V. El efecto mis inme- diato es que i, se incrementa rapidamente. Esto puede verse en la Figura 4.49(b). La corriente que entra en la base carga la capacidad de transicién de la unién, elevando la tensién base-emisor. es View V2uv TD=10008 TReins TFetne PW=200ne Fel Figura 4.47. Yentsna do configurseién do V. Parte de la corriente de base fluye a través de la capacidad de la unién del colector, y sale del terminal del colector (Io contrario del sentido normal de la corriente de co- lector para un transistor npn en la regién activa). Esta corriente hace que aumente Ia tensidn de salida. Asi, la tensién de salida es, de hecho, ligeramente mayor que la tensién de alimentacién de 3 V. Poco después del comienzo del pulso de entrada, la tensin de la base se hace lo suficientemente alta como para polarizar en directa la unién del emisor. Entonces, losCapitule 4, Transistores de unidn bipolar 281 fo Figura 4.48. Ventana de configutscion Transient anslysis, clectrones cruzan desde el emisor hacia a la base. Estos electrones se difunden hacia la unién del colector. As empieza a fluir corriente hacia el colector y la tensién del colector comienza a caer. Aproximadamente en ¢ = 190 ns, el transistor entra en la regién de saturaci6n. En- tonces, Ia tensién de colector se hace (aproximadamente) constante, con un valor de unas pocas décimas de voltio. La tensién de entrada 1, vuelve a cero ent salida permanece baja hasta aproximadamente # Tensisa V) 4 100 ns. Sin embargo, la tensién de 520 ns, debido al exceso de porta- os nef [| % 06 \ info’) os a 0 _— Hos) 02 108) © 100300300 a0 S09 vd 700 we 10) 200 30) ad 50060070080 © o Figura 4.49. Formas de onda del inversor BTL,282 Electrica dores minoritarios (electrones) almacenados en la regién de la base. Cuando el trans tor es levado a saturacién, ambas uniones estin polarizadas en directa por lo que se va acumulando una alta concentracién de electrones en la base. Hasta que estos electro- rnes no han sido quitados de la base, sigue fluyendo corriente directa a través de las uniones. Observe que la corriente de base cambia de direccién al final del pulso de entrada. Esto se debe a la carga almacenada que sale del terminal de la base. ‘Aproximadamente en = 530 ns, la mayor parte del exceso de carga contenido en la base ha sido extraido y la corriente de colector comienza a caer, haciendo que crezca la tensién de salida. Sin embargo, la tensidn de salida erece paulatinamente a causa de las capacidades pardsitas de la unién. Al final, el transistor vuelve al estado de corte. Como era de esperar, el circuito acta como inversor légico. Cuando la entrada es baja, la salida, con el tiempo, se hace alta. De igual manera, cuando la entrada es alta, la salida, al final, se hace baja. A causa de los efectos del almacenamiento de cargas, los cambios en Ia salida no tienen lugar inmediatamente al cambiar la entrada, Desde luego, en muchas aplicaciones se desea que los retardos de la conmutacién sean lo mis breves que sea posible. A menudo, las hojas de datos de los transistores offecen especificaciones de los inter- valos de tiempo de conmutacién para circuitos de prueba similares al inversor RTL. Definimos el inicio de una transicién lgica como el punto en el que ya ha ocurrido el 10% del cambio de tensién. Por ejemplo, el inicio del flanco de subida del impulso de entrada de 3 voltios, es el punto en el que el impulso de entrada aleanza los 0,3 V. De igual manera, el inicio del flanco de bajada del impulso de salida es el punto en el que 1s, eae a 2,7 V. Estos puntos de inicio se indican en la Figura 4.50. ‘Tension (V) 40 Inilo de anc deta dy fence desided | ! ' aL t t (+: tN pinata deta de isi dl lanco d subida de fy tole) oo 20 30 aS TO Figura 450. Formas de onds que muestran los tiempos de activacén y desactivacién,Capitule 4. Transistores De igual forma, definimos el final de una transicidn légica como el punto en el que ya ha tenido lugar el 90% del cambio de tensién. Las hojas de datos de los transistores utilizados en aplicaciones de conmutacién, especifican a menudo los siguientes inter- valos de conmutacién: « 1,es el tiempo de retardo, medido desde el comienzo del flanco de subida de la entrada hasta el comienzo del flanco de bajada de la salida. Véase la Figura 4.50. #4, es el tiempo de subida, medido desde el punto de inicio hasta el punto final del flanco de subida del impulso de salida, Por ejemplo, en la Figura 4.50, 1, es el intervalo entre el punto de 2,7 Vy el punto de 0,3 V del flanco de subida del impulso de salida «1, €s el tiempo de almacenamiento, medido desde el punto de inicio del flanco de bajada del impulso de entrada hasta el punto inicial del flanco posterior del impulso de salida + 1,¢s el tiempo de caida, medido entre los puntos inicial y final del flanco de Bajada del impulso de salida. Si examinamos la hoja de datos del fabricante para el 2N2222 0 el 2N2222A, que es ‘muy similar, encontraremos que se ofrecen valores tipicos de tf, , yf, para determi nadas condiciones de prucba. Los circuitos con los que se han hecho pruebas se suelen facilitar en las hojas de datos. Disefio del dispositivo En la velocidad de conmutacién del cicuito, influyen varios aspectos de la construc- cién del dispositive. Por ejemplo, las capacidades parisitas del dispositivo se pueden disminuir reduciendo las areas de unin. Los niveles de dopaje y la gradacién de la unién también afectan a las capacidades pardsitas de unién, Una region de base més delgada lleva a una difusién mas ripida de los portadores minoritarios hacia fuera de la base. Se pueden utilizar impurezas seleccionadas para reducir el tiempo de vida de los portadores minoritarios. Los disefiadores de dispositives pueden realizar importan- tes contribuciones en la obtencién de circuitos de conmutacién mas ripidos. Técnicas de aceleracién En la Figura 4.51, se muestran dos técnicas adicionales de aceleracién de las transicio- sn el inversor RTL. En primer lugar, se ha afiadido un condensador de acelera~ in en paralelo con la resistencia de base R,. En segundo lugar, se ha afadido un jado Schottky entre la base y el terminal del colector. Los diodos Schottky conducen con polarizaciones més bajas que las normales de las uniones pn. Ademés, los diodos Schottky no muestran efectos de almacenamiento de carga. En primer lugar, se usa Schematics para dibujar el circuito, empleando inicial- ‘mente el componente Dbreak para el diodo. Luego, se hace clic con el ratén en el diodo para seleccionarlo, y se usa el comando edit/model/edit instance model para acceder a la ventana mostrada en la Figura 4.52, en la que se cambia el nombre del modelo a Darh, y se especifican los parimetros para el modelo de diodo correspon- dientes a un diodo Schottky tipico. A continuacién, se simula el circuito y se inicia Probe, mostrando las formas de onda ilustradas en la Figura 4.53. Observe que los tiempos de conmutacién de este circuito son mucho menores que los del seneillo inversor RTL de la Figura 4.46, Una e unidn bipolar 283284 Las capacidades de Uinta seul ‘deeargas minovitaiae ‘en oxcoso ot To bas, Falontzen Ia anmutation on los ‘reuilos con b poles, Pars una eonmiraesn ae rapido, eben ligonaten eveutos on los que el transistor no enite en satura Figura 4.51. El condensador de aceleracion CS y el diode Schattky fijador DY Feducan considarabiemente las tempos de conmuracton del nversor RTL de las razones de esto, es que el condensador de aceleracién incrementa el flanco de las corrientes de base del impulso de entrada. Como quiera que la tensién no puede cambiar bruscamente en el condensador, el pulso inicial de corriente lo atraviesa, haciendo que entren mas portadores en la base. Pero, lo mas importante es que —con el transistor en conduccién— la corriente que recorre Ry produce una carga sobre Cy que ayuda a liberar los portadores de la base en el momento en que se pretenda sacar de conduccién el transistor. tra razén por la que el circuito es més rpido, es que el diodo Schottky impide que el transistor entre en a regién de saturacién, Cuando la tensién de colector llega aproximadamente a 0,4 V, el diodo conduce, y reduce la corriente de base disponible para el transistor. Asi, a la tensién de salida no se la deja caer mis abajo de unos 0,3, V, y el transistor permanece en la regién activa, lo que disminuye en gran medida la concentraci6n de electrones en la base. En consecuencia, el tiempo de almacenamien- to se reduce. Figura 452. Ventana Model-ecitorCapitule 4. Transistores eunién bipolar 285 Tensisa (V) aL as 0100200300 ad -S00 D008 Figura 4.83. Formas de anda do! inversor RTL con dieda Sehortey Un punto que debe tener en cuenta el disefiador de circuitos es que, si es importan- te conseguir una conmutacién ripida, deben disefiarse circuitos légicos en los que el transistor bipolar no entre en saturacién, RESUMEN ‘ Un transistor npn est formado por una capa de material de tipo p (base) entre dos capas de material de tipo n (emisor y colector). « Un transistor bipolar puede trabajar en las regiones activa, de corte o de satura- cién, dependiendo de si se aplica a sus uniones una polarizacién directa o inver- sa. Para trabajar en la regién activa, la unién base-emisor debe estar polarizada en directa, y la unién base-colector en inversa. Actuando como amplificador, el bipolar trabaja en la regién activa. Como conmutador, suele trabajar en satura- cin 0 en corte, « En la regién activa, tenemos ic=1,exp (Pye'V,) para un npn, ¢ ic=1,exp(—rggV) para un pnp. Ademis, ic. = flip ip = li 1 = PAf+ Dey B= CML — oD. ‘© Para conseguir una alta ganancia de cortiente f, el emisor debe tener un alto nivel de dopaje comparado con la base, la base debe ser delgada, y debe minimi. zarse la recombinacién en la base. # Para una determinada corriente de colector, la tensién base-emisor disminuye unos 2 mV K. + Lacorriente de fugas inversa, que puede ser importante para altas temperaturas, la modulacién de la anchura de la base, que es la responsable de la pendiente ascendente de las curvas caracteristicas de colector, y la disrupcidn de colector, que puede ser causada por avalancha o por avalancha secundaria, son efectos secundarios importantes en los bipolares. + Los circuitos amplificadores con bipolares pueden analizarse mediante las técni- cas de linea de carga,286 Electrica Existe una distorsién en los amplificadores a transistores, debida a la no lineali- dad de las curvas caracteristicas de entrada y a la desigual separacién de las curvas caracteristicas de salida, Habré un recorte si las curvas del transistor Ile- gan a saturacién o al corte. Exceptuando las polaridades de las tensiones y las direcciones de la corriente, los transistores pnp son muy similares a los transistores npn. Los modelos del bipolar de gran sefal se muestran en la Figura 4.19. En el anilisis de continua (gran seftal) de un circuito con bipolares, suponemos que el circuito trabaja en las regiones de saturacién, corte o activa. Después, analizamos el circuito utilizando el modelo de transistor apropiado. A continua cin, nos aseguramos de que se satisfacen las restricciones del dispositive en la region supuesta. Si no es asi, suponemos una regién de funcionamiento distinta y Fepetimos el proceso. El circuito de polarizacién de cuatro resistencias de la Figura 4.28(a) (pigi- nna 242) se utiliza habitualmente en el disefio con componentes diseretos. Una regla importante en el disefio de este circuito es hacer que la corriente que pase por R, y R, sea de 10 a 20 veces mayor que la maxima corriente de base espera- da y hacer que las tensiones en R.y R,,sean iguales a un tercio del valor de Ve. Se suelen utilizar habitualmente las fuentes de corriente y el acoplo directo para polarizar amplificadores integrados. El circuito equivalente en pequefia sefial de un bipolar esti compuesto por una resistencia ry una fuente de corriente jy (0 g,1,)- Dada la corriente de colec- tor del punto Q, Jey, y ji, podemos calcular los parametros en pequeiia sefial 1 = [Wr leg ¥ 8m = log Vr Un circuito amplificador se puede analizar dibujando el circuito equivalente en pequefia sefial y aplicando las leyes de circuitos. Las caracteristicas més impor- tantes del amplificador son: la ganancia de tensién, la ganancia de corriente, la impedancia de entrada y la impedancia de salida, El amplificador de emisor comiin es inversor. Sus ganancias de corriente y de tensién son potencialmente mayores que la unidad (100 es un valor normal). Los valores de las impedancias de entrada y salida son moderados en comparacion con los de otras configuraciones de amplificadores, El seguidor de emisor no es inversor, y tiene una ganancia de tensién ligera- mente menor que la unidad. Las ganancias de corriente y potencia son potencial- mente mayores que la unidad. En general, la impedancia de salida del seguidor de emisor es mucho menor, y la impedancia de entrada mucho mayor, que las impedancias correspondientes de otros amplificadores de un solo transistor. EL amplificador de base comiin no es inversor y puede tener una elevada ganan- cia de tensién. La ganancia de corriente es inferior a uno. La impedancia de entrada es baja, y la de salida es moderada, en comparacién con las impedancias correspondientes de otros amplificadores. ‘Se pueden construir inversores légicos y puertas NOR con transistores bipolares y resistencias. Las capacidades pardsitas de la unién y la acumulacién de cargas minoritarias en exceso en la base, ralentizan la conmutacién en los citcuitos bipolares. Para una conmutacién mas répida, los circuitos deben disefarse de modo que los bipola- res no entren en saturacién,Capitule 4, Transistores de unidn bipolar 287 Problemas SS Seccién 4.1: Funcionamiento basico del transistor bipolar npn 41. Dibujar los simbolos esquemiticas de un transistor npn. Indiear los terminales y las corrientes. Elegir senti- dos de referencia que coincidan con el sentido verdadero de la corriente para funcionamiento en la regin activa. 42. Para polarizar en directa una unién pm, ,qué lado de la unin deberia conectarse a la tension positiva? En la regidn activa, ;que tipo de polarizacion (directa 0 inver- sa) se aplica a la unign emisor-base? ;Y a la unign colec- tor-base? 423. Dibujar Ja curva caracteristiea de entrada de un transistor npr de silicio normal de sefal, a temperatura ambiente. Dibujar las curvas caracteristicas si! = 250, 44. Cietto transistor de silicio npn tiene un valor de’ ge = 0,7 V para fy = 0,1 mA a una temperatura de 30°C. Dibujar a escala la curva caracterstica de entrada a 30°C. {Cul es el valor aproximado de ry, si jp = 0,1 mA a TS0°C? (Usar la repla que dice que ty, Se reduce unos 2 mV por cada grado que aumenta la temperatura. Dibujar ‘a escala la curva caracteristica de entrada a 180°C. 45. Cietto transistor de silicio npn tiene fi = 100, & i, = 0,1 mA. Dibujar jg en funcidn de ry para un rango de tzz de 0.4 5 V. Repetr el problema para /!= 300. Ig- nora los efectos de segundo orden. 4.6. Dibujar las curvas caracteristicas de salida de un bipolar, mostrando Ia tensi6n de Early y la zona de ruptu- a de colector. 4.7. Un transistor npm tiene ji =200, ¢ jy = 0,1 mA. Lal tensidn de disrupeién colector- emisor es de 20 V, y la tensidn de Early es V,= 100 V. Dibujar a escala ic en funcidn de rc, para un rango de tensién de 0 a 25 V. 48. Un transistor npm esta trabajando con la unién base- temisor polarizada en directa, y la union base-colector po- larizada en inversa. Si ic = 9 mA para jy = 0,3 mA, ha- lar ig, 29 f 4.9. Un transistor tiene un valor de f= 0. «Cul es el valor de 0? 4.10. Consideremos un transistor npn a temperatura ambiente, con Igy =10-" A, f= 100, top =10 V, € ig= 10 mA. Hallar tyes rac fe ¥ 7 (Suponer que V, =26 nV a temperatura ambiente. 4.11, Considerar el circuito de la Figura P4.11. Los transistores Q, y Q, son iéntieos, con fj;=10 (A=10" A, y f= 100, Talla Vg e fey. Suponer una temperatura de 300° K para ambos transistores. (Pista: Ambos transis- tones estin trabajando en la regidn activa; como los tran- sistores son idénticos y tienen el mismo valor de Vj. sus corrientes de coleetor son iguales.) Figura P4.11 4.12. Repetirel Problema 4.11 si, tiene Jeg, = 1OfA = O-"-A, y jf, = 100, mientras que Q, tiene Ie 00 f= 10" A, y f, = 100, 4.13. Dos transistores Q, y Qs conectados en paralelo son equivalentes a un solo transistor, tay eomo se ve en la Figura P4.13. Si los transistores tienen cada uno Jes = Iosa = 10" Ay fh, = f= 100, hallat [yey fi par el transistor equivalente. Suponer la misma temperatue 1 para todos los transistores rd. dt Jia LT Figura P4.13 4.14, Hallar los valores de {para los tansistores de la Figura 4.14, 4.5. Un transistor mpm tiene Vgg = 0,7 V para Ip = 10) MA. Hallar Vy, Si Jy = 1 A. Suponer una temperatura de 300° K. 4.16, Medidor de beta, Diseiar un «amedidor-{» para medir el parimetro {! en un transistor de silicio npn de sefal a temperatura ambiente. Suponer que ig, = 0.7 para288 Electidnica Figure P4.14 cl transistor que hay que a medir. Tenemos los siguientes componente: 1. Unamperimetro con I mA a fondo de eseala, que tiene una resistencia de 150 0, 2. Resistencias de tolerancia estindar del 5% (véase el Apéndice A), 3. Potenciémetros de 100 0, 1 KO, 10 KO, 100 ky TMQ. 4. Un diodo 2éner de 4,7 V. 5. Los interruptores y componentes mecinicas que se necesiten 6. Una bateria de 9 V. EI medidor debe tener valores a fondo de escala de rs = 10, 100 y 1000, seleccionables mediante inte- ‘uplores, Se han de incluirajustes para permits su cali traci, que ha de proporcionarlecturas exacias para te siones de bateria de 7.9 V. En condiciones de trabajo razonables(incluyendo terminates de prueba cortociteui- {ados), el consumo de corrente de la baeria no deberia exceder de 5 mA. Sugerencias: 1. Usar un regulador con diode 2éner para abtener una tensin de fuente constane con la que proporcionar una ‘orriente de base al transistor 2. Usar un interuptor yuna red de resistencias para apli- ‘car una coniente de base adecuada a transistor que hay {que probar, para cada rango de frque se ea a medi. Usar ef medidor para medir la corvieme de colector a Jondo de escala corespondhente a f= 10, 100 y 1000, 4.17. _Usar SPICE para obtener las curvas caracteristicas de salida de un transistor npn que tenga [,= 10™" A, 0, y V,=25 V. Permit que rz, varie deO a 10 V, 10, 20,30, 40, y 50 pA 4.18, _Usar SPICE para obtener las curvas caracteristicas de salida de un transistor npn que tenga /;= 10—"" A, f= 200, y V,=25 V. Establecer sz» = 10 V, y hacer Aue ig Varie entre 0 y 7 V. Seccién 4.2: Analisis de la linea de carga de un amplificador en emisor comin 4.19. ,Qué puede causar distorsiGn en un amplificador con bipolares? 4.20. Considerar el citeuito de la Figura 4.10, Suponer| gue Vgc = 20 V, Vag = 08 V, Ry = 40 KO. y R= 2 KO La sefial de entrada es senoidal, con un pico de 0.2 V y tuna frecuencia de 1 KHz, y viene dada por 1,(0) = .2sen (2000.4). Las curvas earacteristicas de émisor ccomiin del transistor se muestran en la Figura P4.20. Hae Ilar los valores miximo, minimo y del punto Q para Vc. {Cual es la ganancia de tension aproximada de este cit cuito? nua a x 1s 0 tn a a ‘eye teal aa tea sai Figura P4.20 4.21. Repetr ef Problema 4.20 para Re= 10 KO. {Qué podemos decide la Forma de onda de (0 4.22. Repetr el Problema 420 para Vqp = 0.3 V. (Por ue tiene tan poco valor la ganancia? Seccién 4.3: El transistor bipolar pnp 4.23. Dibujar el simbolo esquemitico de un transistor pnp. Indicar los terminales y las correntes. Elegit sentidos te referencia que coincidan con el sentido verdadero de la cortiente para Funcionamiento en la regiGn activa,424, Cierto transistor de silicio pnp tiene {= 100, & iy = 0,1 mA. Dibujar jc en funcidn de rey para un rango dec, comprendido entre 0 y —S V. Repetir el problema para j) = 300. Ignorar los efectos de segundo orden. 4.25. A.una temperatura de 30°C, un transistor pnp te ne Vag = 0,7 V para J,=2 mA. Caleular Vy, para 1,= 0:1 mA a una temperatura de 180°C Seccién agran sefial Modelos de circuitos 4.26. Dibujar el modelo de circuito en gran setial para lun transistor de silicio npn que teabaja en la regién activa 4 temperatura ambiente, Ineluir las resticciones de co- sriente o tensién que garanticen el funcionamiento en la regidn activa, Repetir el problema para la regidn de satu- racién y para la region de corte 427. Repetir el Problema 4.26 para un transistor pnp. 4.28, Determinar la regién de trabajo a temperatura am- Diente de un transistor de silicio npn que tiene fi = 100, sis (@) Veg = 10 V, ¢ Jy = 20 tA: (b) J. 0: (6) Fee =3 Vi y Vag =OAVs (D)[o= 1 mA, € Fy = 50 A 4.29, Determinat la region de trabajo a temperatura am- Diente de un transistor de silicio pnp que tiene j= 100, sis (@) Veg SV, y Vap = 03 V: (6) {, = 10 mA y T,= 1 mA; (€) fy = 005 MA, y Veg = —3V. Seccién 4.5: Analisis de circuitos con bipolares en gran sefial 4.30. Comentar brevemente el procedimiento para reali 2ar tin anilisis de continua de un eireuito con bipolares| usando los modelos de circuito de gran seal 431, Dibujar el circuito de polarizacin de base fia {Cuil es la razén principal por la que este eircuito no es ‘adecuado para fabricacidn en serie de citeuitos amplifiea- dores? 432. Dibujar el citeuito polarizador de cuatro resists cias para el transistor bipolar. Enunciar las reglas pricti- cas para el diseilo de este citcuito, 4.33, _Usar los modelos en gran sefial en los transistores| ilustrados en la Figura 4.19 para hallar I. y Voe en los circuitos de la Figura P4.33. Suponer que j= 100. Repe- tir el problema para /J= 300, y comparar los resultados: para ambos valores 434, Hallar Jy V en los eieuitos de la Figura PAM. Para todos los transistores, suponer que {i= 100, y [se] =0.7, tanto en la regién activa como en la de satus ration, Repetir el problema para f/= 300, Capitule 4, Transistores de unidn bipolar 289 ee | Mo 470 KS | “sy © 220402 2 ke o = Figura P4.33 nov Figura P34 4.35. Considerar el citouito de la Figura P4.35, Se nece- siia un valor del punto Q para J; comprendido entre un ‘minimo de 4 mA y un maximo de 5 mA. Suponer valores de resistencia constantes, y suponer que (i oscila en 100 y 300, Se desea que 2, tenga el mayor valor posible ccumpliendo las otras restricciones. Hallar los valores de290 Electidnica Ray Re. En este problema no se exige que la resistencias tengan valores nominales ais Figura P4.35 436. Considerar la ed de polarizacin de cuatro resis tencias de la Figura 4.28(a) con Fae = 15 V, Ry = 100k, AT KO, Ro= 4.7 KO y Ry 4,77 KO, Suponer que {ivaria entre 50 y 200, Fae = 0.7 V, y las resistencias tie- nen una tolerancia del 4°5% Hallat los valores méximo y minimo de J. 437. Considerar el circuito de la Figura P4.37. Hallar Ry Re, si se necesita un punto de polarizacion de Veg = SV e 1-2 mA. {Cuiles son los Valores nomina- cS mis cereatios con tolerancia del 5% para R, y Re? usv asy Figura P4.37 4.38, Hallar J. y Voy en el citeuito de la Figura P4.38 sv. asy Figura P4.38 4.39. Diseilo de un circulto polarizador de cuatro resistencias. Suponer que Vi. = 20 V, Ro=1 OL y se necesita un punto Q de Jey =5 mA. El transistor tiene un valor de j! que oscila entre 50 y 150, Disetiar un circuito polarizador de cuatro resistencias. Utilizar resistencias de valores estindar con tolerancia del 5%, si» mivhas rs puesta correctas para este problema. Disehar para que en RC ‘aga aprasimadamente un trcio de a tensiin de alimentaciin, fenel transistor (V,.) 00 tercio,y en otro terco. Seccién 4.6: Circuitos equivalentes en pequefia sefial 4.40. Dibujar dos circuitos equivalen fal para el transistor bipolar 4.41. Dar las formulas para calcular r_y g., suponiendo gue Se conocen jy el punto Q. 442. Cierto transistor de si biente, tiene un valor de {= 100. Hallar los valores co- rrespondientes de gm yr. Sifay= 1 mA, 0,1 mA, ¥ 1 yA. Suponer que el dispositive trabaja en la regidn activa sen pequetia se- cio npn a temperatura am- Secci6n 4.7: El amplificador en emisor comun 443. :Por qué se utilizan a menudo condensadores de acoplo para conectar Ia fuente de sedal y la carga en los circuitos de amplificadores diseretos? ;Deberian utilizar- se condensadores de acoplo si es necesario amplificar se- sales de cortiente continua? Explica. 4.44. Dibujar el diagrama de eircuito de un amplifiea- dor en emisor comiin que usa una red de polarizacidn de ‘cuatro resistencias, Incluir una fuente de seal y una re- sistencia de carga 4.45. Considerar el amplificador en emisor comin de la Figura P4.45. Dibujar el cireuito de continua y hallar Jy Hallar el valor der Luego ealeular valores para 4,, 4. Zo dy GY Z,, Suponer que el crcuito esta trabajando en la" banda media, donde los condensadores de acoplo y de ddesacoplo son cortocircuitos SV 4isy Vaso Re RB Figura P4.45446. Repetir el Problema 4.45 si todos los valores de resistencias, incluyendo R, y R,, aumentan en un factor de 100. Si ya se ha resuelto el Problema 4.45, confeecionar tuna tabla comparando los resultados del amplifieador de baja impedancia con los del amplifieador de alta impe- dancia. (Comentario: Cuando consideremos la respuesta cen alta frecuencia de estos eircuitos, veremos que la ga- nancia del circuito de alta impedancia eae a frecuencias| menores que las de la ganancia de los circuitos de baja asi, si queremos que se extienda la ganancia ee Hee (@) Amplicadr en omisor comin con resistoncia de emisor sia (©) Variant del sepuidr de emisoe que utiliza una fuente de coeionte continua para It polaizacin Wee (6) Vai del ampliicadr de base comin suponer quel bobina (REC, Radio Frequency Choke) es un iret abierto pa las sels de alters) Figura Pé.49. Citcultos amplificadores. 291 Capitule 4, Transistores de unidn bipolar Constante hasta frecuencias muy altas, deberiamos utilizar el circuito de baja impedancia). Secci6n 4.8: El seguidor de emisor 4.47. Dibujar el diggrama de cireuito de un seguidor de emisor con componentes diseretos 4.48, Para realizar el anélisis de un amplificador de pe- uefa sefal a frecuencias medias, con qué sustituimos: los condensadores de acoplo? ,Y las fuentes de tension continua? 2Y las fuentes de cortiente continua? ;Y las in- dductancias muy elevadas? 4.49. Dibujar los cireuitos equivalentes fal para los cireuitos de la Figura P4.49. pequeda se- 4.50. Deseribir brevemente el procedimiento de anlisis| en pequeda seta para hallar Ia resistencia de salida de un amplificador. 451. Considerar el amplificador en emisor comiin de la Figura Pa.51, Dibujar el circuit y hallat J, Hallar el va- lor der. Luego, ealcular los valores para fa banda media Weds Ay Zur 4, GY Z, usv sv Figura P4.51 452. Repetir el Problema 4.51 si todos los valores de las resistencias, incluyendo R, y R, se aumentan en un factor de 100. Confeccionar una tabla comparando los re- sultados del amplificador de baja impedancia con los del amplificador de alta impedanci. 453. Dibujar el eircuito equivalente en pequefa seftal para el amplificador que se muestra en la Figura P4.53. Derivar las expresiones de la ganancia de tensién y la im- ppedancia de entrada en términos de los valores de las re- sistencias, ry {i Suponer que los condensadores son cor- tocircuitos para las sefales de alterna 4.54, Hallar los valores de Tog. 15 Ay Y Zoe cuit del Problema 4.53, si V2. 15 ‘V, Vaag = 0.7, y= 270 KO, Ro=1 KO, Re 10 0, y R,= 1 kQ) Repetr el problema para R, = 0, y confeecion una tabla comparando los resultados292 Electsnica Figura P4.53 435. Hallar una expresién para la impedancia de salida del amplificador mostrado en el cicuito P4.S3. 4.56. Dibujar el cireuito equivalente en pequeda sefal del circuito de la Figura P4.56, y obtener las expresiones de la impedancia de entrada y ia ganancia de tensién. Su- poner que los condensadores son cortocitcuitos para las sefales de alterna Foo ec g Figure P4.56 457. Considerar el circuito de la Figura P4.56 con 5 V, R,= 10 KO. R= 10 kO, Ry= 100 ko, 4.7 KO. Suponer un transistor con ‘970.7 . Evaluar las expresiones halladas fen el Problema 4.56 para la impedancia de entrada y la ‘ganancia de tensién, 458. Considerar los cireuitos de amplificador en emisor comin de la Figura P4.58. Las fuentes de alterna que se ven en serie con las fuentes de alimentacién de continua representan el ruido de las fuentes de alimentacién. Dibu- {at los circuitos equivalentes en pequetia seftal. Asegurar- se de ineluir en el modelo la fuente de ruido, Observar QUE Si yuu, = 0, los dos circuitos equivalentes son igua- les, Hallar una expresién para la gananeia de tension 0. Luego, hacer ry —0 y caleular para dace ara cada citeuito, Caleulat los valores de las ganancias para Voce = 1S V, Vauy = 0.7 V, {= 100, Ry= 1 MO, y Re = 4,7 KO. {Cua de estos circuits es preferible? (Por qué? 459. Considerar el amplificador en emisor comin de la Figura 4.59. La fuente de alterna en serie con la fuente = de alimentacién de continua presentan un ruido en la ali ‘mentacién. (a) Suponer que se conecta un condensador de ppaso de gran valor entre los puntos y E. Dibujar el cit uito equivalente de pequefa sefal, incluyendo la fuente de ruido. Calcular 4jys, = aur Suponiendo que r, = 0. (b) Ahora, considerar el circuito conectando un con- densador de paso del emisor entre el punto £ y masa, y hallar de nuevo 4... Observar que $1 ryass = 0, los dos: circuitos equivalentes son idénticos, por io que funcionan de igual manera en lo que respecta a la sedal de la fuente +. {Qué opcién es la mejor para la eonexién del conden- sador de desacoplo? ;Por qué? o Figura P4568 Figura P4569 ial 4.60. Halla el valor de Vgp para el eireuito de la Figu- +4 P4.60. Dibujar el eircuito equivalente en pequefia sefial y hallar una expresion para la impedancia de salida de pe- {uefa seal Z, en términos de jr, R, y R,. Caleular Z, para los valores que se muestran en la figuraais Figura P4.60 461. Considerar los citeuitos de referencia de tensi de la Figura P4.61. La resistencia dinimica en pequetia sefal de eada diodo zéner esr, = 100 Halla la tensién de salida de continua de cada eireuito. Dibujar el circuito cequivalente en pequeia seial, y obtener una expresi para la impedancia de salida de cada eircuito. Evaluar las texpresiones para las resistencias y los pardmetros de tran- sistor que se indican, HSV sv. aZoia | yyg-07V rSow y 2% s6v say 4 Figura P4.61 Seccién 4.9: El bipolar como interruptor légico digital 4.62. Dibujar el diagrama del circuito de un inversor RTL. En qué regidn se desea que trabaje el transistor si a entfada esti a nivel alto? ;Y a nivel bajo? Capitule 4, Transistores de unidn bipolar 293. 4.63. Dibujar el diagrama de citeuito de una puerta NOR RTL. 4.64. Considerar las curvas caracteristicas de transfe- rencia del inversor RTL de la Figura 4.43. Dibujar a esca- Ja la tension de salida 1,(0) en funcién del tiempo si: (a) 2.7 sen (200071). (b)- (0) = 2.7 » sen(200072; 2,7 + Ssen (20007). (d) {Para cuil de las op- ciones anteriores se comporta el inversor RTL como am- plificador lineal si tuvigsemos una seal de alterna? Figura P4684 4.65. Considerar el inversor RTL de la Figura P64 Suponiendo que pedimos que la tension de salida minima con el transistor en corte sea Vy, = 6 V, {cual es el maxi- ‘mo nimero de puertas (es detit, el fan-out) que pueden conectarse? Suponer que las puertas tienen cireuitos de entrada idénticos a los del inversor RTL. 4.66. Si T., = 6 Ven el cireuito de la Figura P4.64, ha- Ilar el valor minimo de que asegure que el transistor esté en saturaci 4.67. Si se pide que Vp, (es decir, la tensién de salida para el estado Iogico bajo) sea menor que 0,5 V en el ci euito de la Figura P4.64, ,cudl es el miximo fan-out per- ritido (es decir, el nimero maximo de entradas que pue- wectarse), si las puestas son también circuitos