Elecronica Aplicada

Electrnica aplicada
ELECTRNICA APLICADA
Electrnica aplicada
ELECTRNICA APLICADA 88 hrs.

Programa:
Unidad I
Conceptos electrnicos (10 hrs.)

Teora fsica electrnica
Funcionamiento de Diodos, transistores y tiristores
Unidad II
Fundamentos de Electrnica Integrada (10 hrs.)

Circuitos integrados monolticos
Armar circuitos integrados
Unidad III
Fundamentos de Electrnica Digital (10 hrs.)

Tecnologas TTL y CMOS
Circuitos de compuertas lgicas
Microprocesadores
Unidad IV
Tipos de sensores y actuadores utilizados en control electrnico (10

hrs.)
Sensores resistivos
Circuitos electrnicos
Unidad V
Sistemas de Encendido Electrnicos (12 hrs.)

Sistemas de encendido
Unidad VI
Sistemas de Inyeccin Electrnica (20 hrs.)

Inyeccin Monopunto y Multipunto
Unidad VII
Aplicaciones Electrnicas (10 hrs.)

Control electrnico en Maquinaria pesada y vehculos livianos
Circuitos de control electrnico
Electrnica aplicada
Bibliografa:
Electrnica Analgica
SCHAUM
Edicin, 1987
Ed. Mc Graw-Hill. Espaa.
Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados
SCHILING y BELOVE
Edicin, 1997
Editorial Marcombo
Principios de Electrnica
MALVINO, ALBERT PAUL
Edicin, 1997
Ed. Mc Graw-Hill. Espaa.
Dispositivos Electrnicos en el Automvil
GILLIERI, STEFANO
Edicin, 1997
Editorial Ceac
Electrnica Aplicada
Unidad I Componentes Electrnicos
UNIDAD 1: COMPONENTES ELECTRNICOS

Componentes prcticamente desconocidos hace treinta aos, surgen hoy, desplazando a
las vlvulas de vaco (tubos) de funciones que hasta hace poco se crean de su exclusiva propiedad.
Para el estudio y comprensin de los fenmenos que ocurren en dispositivos
semiconductores, es necesario conocer algunos detalles del mundo atmico, como por ejemplo:
Su estructura
Propiedades de las partculas que lo Integran
MODELO ATMICO DE BOHR:
La electricidad consiste en el movimiento
de electrones en un conductor. Para entender que es un
electrn y como se comporta, tendremos que estudiar la
composicin de la materia.
Materia es todo aquello que ocupa un
lugar en el espacio y tiene masa (ejemplo: hielo, agua, gas).
Toda la materia est compuesta de bloques qumicos los
cuales son llamados elementos.
La naturaleza ha proporcionado ms de
100 elementos, los cuales en combinacin forman los
diferentes tipos de materia que se encuentran en nuestro
planeta.
Sustancia
Elemento
tomo
El hierro es un elemento.
Cobre,
Hidrgeno, Oxgeno, Aluminio, Mercurio, Sodio y Cloro, son
ejemplos de otros elementos. Cuando el Hidrgeno y el
Oxgeno se combinan qumicamente, se forma el agua. La
Sal es el resultado cuando se combina qumicamente el
Cloro y el Sodio.
La materia se divide en molculas, las cuales a su vez se dividen en tomos. Estos tomos
se componen de dos partes: el ncleo y la periferia.
Si tomamos una gota de agua y la dividimos en dos tendremos dos partes, pero ambas
sern de agua. El agua es un compuesto qumico de dos elementos: Hidrgeno (H) y Oxgeno (O) cuya
frmula es H2O. Podemos imaginarnos otras divisiones de la gota de agua, hasta que llegue un momento en
el que tendremos dos tomos de Hidrgeno por uno de Oxgeno, y stos a su vez estn compuestos por
electrones, protones y neutrones
Molcula:
Es la parte ms pequea en que puede dividirse la materia y seguir conservando sus caractersticas de
compuesto. Por ejemplo una molcula de H2O.
tomo:
Es la parte ms pequea en la cual un elemento puede ser reducido y ser clasificado an. Por ejemplo un
tomo de Hidrgeno, un tomo de Oxgeno, un tomo de Cloro, etc., El tomo es similar a nuestro sistema
solar, en el cual el Sol es el ncleo y sus planetas las partculas que giran alrededor del ncleo
En el ncleo del tomo se encuentran:
Los protones con carga elctrica positiva
Los neutrones que como su nombre insina, no tienen carga elctrica o son neutros.
El la periferia se encuentran:
Los electrones con carga elctrica negativa.
Electrnica Aplicada
El fsico dans Niels Bohr, creo el modelo (despus llamado modelo de Bohr) donde se
nuestra la estructura del tomo.
El nmero de protones es igual al nmero de electrones
Hay algunos electrones que se encuentran en las rbitas ms alejadas del ncleo, por lo
que podran liberarse fcilmente. Estos electrones son los llamados electrones de valencia
Electrn
Electrones
Ncleo
+
+
+
Orbita
Protones
Neutrones
Ejemplo:
El tomo de cobre tiene 29 protones y 29 electrones. De estos 29 electrones, 28 viajan en rbitas cercanas al
ncleo y 1 viaja en una rbita lejana. A este electrn se le llama: electrn libre. (electrn de valencia)
Propiedades del tomo:
1) Los protones que poseen carga elctrica positiva de igual magnitud que la del electrn, son
aproximadamente 1800 veces ms pesado.
2) Un tomo normal, el nmero de electrones que giran alrededor del ncleo, es igual al nmero de
protones, y por ello se dice que un tomo es elctricamente neutro.
3) Debido al movimiento de rotacin de los electrones alrededor del ncleo a, acta sobre l una fuerza
centrfuga que trata de alejarlos del ncleo. Esta fuerza se equilibra con la fuerza de atraccin del ncleo
lo que mantiene al electrn en una rbita estable..
4) Todo lo que nos rodea, es decir, todos los materiales que forman nuestro mundo diario, estn formados
por aproximadamente 100 sustancias bsicas o elementos.
Ejemplo:
H , Ca , N , O , K , Cl , Cu, Na, etc
O bien una combinacin de dos o ms elementos bsicos
Ejemplo:
Agua, Sal, Acero, Bronce, etc.
5) Cada elemento bsico posee una cantidad diferente de electrones girando alrededor del ncleo, en
diferentes rbitas que se designan con las letras:
Electrnica Aplicada
El tomo
PRO
POSE
EL
POS
NEUT
POSEEN
ELCT
N
NUCLEO
8 Protones (+)
8 Neutrones
ELECTRONES: POSEEN
CARGA ELECTRICA
NEGATIVA (-), GIRAN
ALREDEDOR DEL NUCLEO
8 Electrones (-)
Nucleus
Anillos Orbitales
(K, L, M, N.)
K
L
tomo de Oxigeno
Para comprender cmo funcionan los diodos, transistores y los circuitos integrados es
necesario estudiar los materiales semiconductores: componentes que no se comportan ni como conductores
ni como aislantes. Los semiconductores poseen algunos electrones libres, pero lo que les confiere un carcter
especial es la presencia de huecos.
CONDUCTORES
El cobre es un buen conductor si se observa su estructura atmica. El ncleo o centro del
tomo contiene 29 protones (cargas positivas). Cuando un tomo de cobre tiene una carga neutra, 29
electrones (cargas negativas) se disponen alrededor del ncleo. Los electrones viajan en distintas rbitas
quedando slo un electrn en el orbital exterior.
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Electrnica Aplicada
Orbitales estables:
El ncleo atmico atrae a los electrones orbitales, estos no caen hacia el ncleo debido a la
fuerza centrfuga (hacia fuera) creada por su movimiento orbital. Cuando un electrn se haya en un orbital
estable, la fuerza centrfuga equilibra exactamente la atraccin elctrica ejercida por el ncleo. Los electrones
de un orbital ms alejado se mueven a una velocidad menor, produciendo menos fuerza centrfuga. El
electrn ms externo viaja muy lentamente y casi no se siente atrado hacia el ncleo.
La parte interna:
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior, el cual tambin se denomina
orbital de valencia. ste es el que determina las propiedades elctricas del tomo. Por lo anterior, se define la
parte interna del tomo como el ncleo ms todos los rbitales internos. Para un tomo de cobre, la parte
interna es el ncleo (+29) y los tres primeros orbitales (+28).
La parte interna del tomo de cobre tiene una carga resultante de +1, porque tiene 29
protones y 28 electrones internos. El electrn de valencia se encuentra en un orbital exterior alrededor de la
parte interna y tiene una carga resultante de +1. A causa de ello, la atraccin que sufre el electrn de valencia
es muy pequea.
Electrn libre:
El electrn de valencia al ser atrado muy dbilmente por la parte interna del tomo, una
fuerza externa puede arrancar fcilmente ese electrn con una muy pequea tensin, al que se le conoce
como electrn libre, por eso el cobre es un buen conductor. Los mejores conductores son la plata, el cobre y
el oro
Cuando el electrn de valencia se va, la carga resultante del tomo es +1. Si un tomo
neutro pierde un electrn se convierte en un tomo cargado positivamente que recibe el nombre de in
positivo.
Cuando un electrn exterior entra dentro del orbital de valencia, la carga resultante del
tomo es -1. Si un tomo tiene un electrn extra en el orbital de valencia llamamos al tomo cargado
negativamente in negativo.
Elctricamente Neutro
Ion Positivo
Ion negativo
Electrnica Aplicada
AISLANTES:
Los tomos que tengan 5, 6 7 electrones en la rbita perifrica, tienen la tendencia de completar esta rbita
a ocho electrones. Estos tomos se vuelven iones negativos pues, elctricamente se vuelven negativos.
Este es el caso de los Aislantes (Azufre, Cloro, etc.)
SEMICONDUCTORES:
Los mejores conductores tienen un electrn de valencia, mientras los mejores aislantes poseen ocho
electrones de valencia. Un semiconductor posee propiedades elctricas entre las de un conductor y un
aislante, por lo tanto, los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
Los semiconductores ms conocidos son el germanio y el silicio, ambos tienen 4 electrones
de valencia. El germanio fue el primero en utilizarse siendo luego reemplazado por el silicio pues el primero
presentaba demasiada corriente inversa.
Un tomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones y su distribucin, observada en la

figura, muestra una carga resultante de +4 porque contiene 14 protones en el ncleo y 10 electrones en los
dos primeros orbitales. Los 4 electrones de valencia nos indican que es un semiconductor.
Electrnica Aplicada
BANDAS DE ENERGA
Ac podemos destacar a la Banda de Valencia, que corresponde a la zona en que los
electrones se encuentran semi libre, la Banda de Conduccin, que corresponde a la zona donde los
electrones se encuentran con la suficiente energa para moverse libremente en una estructura cristalina, y la
Banda Prohibida que corresponde a la zona cerrada al paso libre de los electrones entre las bandas de
Conduccin y de Valencia.
Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores deben
pasar a la banda de conduccin, ello implica entregarles una cierta cantidad de energa, que puede tener la
forma de calor, luz, radiaciones, etc. La magnitud de dicha energa es igual a la altura de la banda prohibida.
Se mide en eV. (1 eV = 1,6 1019 Joules)
CRISTALES DE SILICIO
Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen en una estructura
ordenada llamada cristal. Cada tomo de silicio comparte sus electrones de valencia con los tomos de silicio
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en el orbital de valencia. Aunque el tomo tiene originalmente 4
electrones de valencia.
Enlace covalente:
Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo central. De esta forma el tomo
central parece tener 4 electrones adicionales, sumando un total de 8 electrones de valencia. Los electrones
dejan de pertenecer a un solo tomo, ya que cada tomo central y sus vecinos comparten electrones.
Los pares de electrones que se observan en la figura se atraen con fuerzas iguales y
opuestas (ya que pertenecen a tomos distintos). Este equilibrio entre fuerzas es el que mantiene unidos a los
tomos de silicio.
El electrn constituye un enlace entre ncleos opuestos llamado enlace covalente.
Electrnica Aplicada
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Saturacin de valencia:
El cristal de silicio contiene 8 electrones de valencia, esto produce una estabilidad qumica
que da como resultado un cuerpo compacto de material de silicio. No se est aseguro de por qu el orbital
exterior de todos los elementos tiene una predisposicin a tener 8 electrones. Cuando no existen ocho
electrones de forma natural en un elemento, este tiende a combinarse y a compartir electrones con otros
tomos para obtener 8 electrones en su orbital exterior. Matemticamente se puede explicar la estabilidad
lograda al tener valencia 8 pero no se sabe la razn del porqu. Se trata de una ley experimental
establecindose que:
Saturacin de valencia: n= 8
O sea, el orbital de valencia no puede soportar ms de 8 electrones. Debido a que los
electrones estn fuertemente ligados, un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente.
El hueco:
Cuando la temperatura es mayor que el cero absoluto (-273C), el calor hace que los
tomos en un cristal de silicio vibren. A mayor calor, ms intensas sern las vibraciones mecnicas de dichos
tomos. Si se toca un objeto, el calor que transmite proviene de la vibracin de sus tomos. Estas vibraciones
pueden hacer que se desligue un electrn del orbital de valencia. Cuando esto sucede, el electrn liberado
gana energa para situarse en un orbital de nivel energtico mayor, pasando a ser un electrn libre.
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Electrnica Aplicada
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Pero la salida del electrn deja un vaco, que se denomina hueco, en el orbital de valencia,
y se comporta como una carga positiva por la prdida de ese electrn (in positivo).
En un cristal se crean igual nmero de electrones libres que de huecos debido al calor. Los
electrones libres se mueven en forma aleatoria dentro del cristal. En ocasiones un electrn libre se aproximar
a un hueco, ser atrado y caer hacia l. Esta unin entre un electrn libre y un hueco se llama
recombinacin.
El tiempo que transcurre entre la creacin y la desaparicin de un electrn libre recibe el
nombre de tiempo de vida que vara de unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos dependiendo
por ejemplo de la perfeccin del cristal.
En todo instante lo que est sucediendo dentro de un cristal de silicio es:

Se estn creando electrones libres y huecos por accin del calor
Otros electrones libres y huecos se estn recombinando
Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando una recombinacin.
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS (PURO)

Es un semiconductor puro de silicio si cada tomo del cristal es un tomo de silicio. A
temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta casi como un aislante ya que producto del calor tiene
solo unos pocos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por la energa trmica de dicho
cristal.
Flujo de electrones libres:
En la figura se observa parte de
un cristal de silicio situado entre dos placas
metlicas cargadas. Supngase que la energa
trmica ha producido un electrn libre y un hueco.
El electrn libre se halla en un orbital de mayor
energa en el extremo derecho del cristal. Debido a
que el electrn est cerca de la placa cargada
negativamente, es repelido por esta, de forma que
se desplaza hacia la izquierda de un tomo a otro
hasta que alcanza la placa positiva.
El hueco de la izquierda atrae al electrn de valencia del punto A, lo que provoca que dicho
electrn se desplace hacia el hueco creando un nuevo hueco en este punto. El efecto es el mismo que si el
hueco original se desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco del punto A puede atraer y capturar otro
electrn de valencia. De esta forma, los electrones de valencia pueden moverse en la trayectoria indicada por
las flechas y el hueco, en sentido opuesto actuando de la misma forma que una carga positiva.
_
+ +
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En la figura anterior la tensin aplicada forzar a los electrones libres a circular hacia la
izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal
entran al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batera.
Por otro lado, los electrones libres en el terminal negativo de la batera circularn hacia el
extremo derecho del cristal, en ese punto, entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al
extremo derecho del mismo. As se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del
semiconductor. (no hay flujo por fuera del semiconductor).
Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominacin de portadores debido
a que transportan la carga elctrica de un lugar a otro.
DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR (SEMICONDUCTOR EXTRNSECO)
El dopaje supone que, deliberadamente se aaden tomos de impurezas a un cristal
intrnseco para modificar su conductividad elctrica.
El proceso de dopaje consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces
covalentes y cambiar de estado slido a lquido.
Aumento en el nmero de electrones libres:
Con el fin de aumentar el nmero de electrones libres se aaden tomos pentavalentes al
silicio fundido. (Arsnico, antimonio, fsforo). Como estos materiales donarn un electrn extra al cristal se les
conoce como impurezas donadoras.
Al enfriarse el cristal y volver a
su
estructura
cristalina,
queda en el centro el
S
tomo
pentavalente
rodeado
por 4 tomos de
i
Electrn silicio. Como antes, los tomos vecinos
comparten un electrn con el tomo central, pero
en este caso queda un electrn adicional al
poder solo 8 electrones situarse en el orbital de
valencia. El electrn adicional queda en un orbital
S
A
S
mayor y es un electrn libre.
i
s
i
Cada tomo pentavalente produce
un electrn libre controlando as la conductividad
de un semiconductor dopado. Uno dopado
ligeramente tiene una alta resistencia y uno
fuertemente dopado tiene una resistencia
S
pequea.
i
Cuando el silicio ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor
tipo n. Como los electrones superan a los huecos reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que
a los huecos se les denomina portadores minoritarios.
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Electrnica Aplicada
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Aumento del nmero de huecos:

Para lograrlo se utilizan impurezas trivalentes, es decir tomos con 3 electrones de valencia
(Aluminio, Boro, Galio). El tomo trivalente en el centro queda rodeado de 4 tomos de silicio, cada uno
compartiendo uno de sus electrones de valencia. Como el tomo trivalente tena al principio solo 3 electrones
de valencia, quedan solo 7 electrones en el orbital de valencia. Esto significa que aparece un hueco en el
orbital de valencia de cada tomo trivalente, por lo que recibe el nombre de tomo aceptor porque cada uno
de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin.
Si
Si
A
l
Si
Si
hueco
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p.
Como el nmero de huecos supera al nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios
y los electrones libres son los minoritarios.
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Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo inicialmente como un cristal
absolutamente puro. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, se puede determinar con
precisin las propiedades del semiconductor.
Que sea un semiconductor tipo p o tipo n, no significa que sea positivo o negativo, pues
ambos se realizan de la unin de elementos originalmente neutros. Por ejemplo un semiconductor tipo N
se realiza con la unin del silicio (posee 14 protones y 14 electrones) con, por ejemplo el arsnico (33
protones y 33 electrones). Si se suman la cantidad de electrones y protones del semiconductor sigue
siendo elctricamente neutro
EL DIODO NO POLARIZADO
Un Cristal semiconductor (tipo p n) tiene la misma utilidad que una resistencia de carbn,
pero no ocurre lo mismo se dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo n y la otra tipo p.
La frontera entre ambos se le conoce como unin pn y a propiciado inventos como por
ejemplo diodos, transistores y circuitos integrados.
El semiconductor tipo p se representa como se aprecia en el lado izquierdo de la figura
siguiente. Cada signo (-) encerrado en un crculo representa un tomo trivalente y cada signo (+) es un hueco
en su orbital de valencia.
Lo contrario ocurre al lado derecho donde se representa un semiconductor tipo n.
La unin es la frontera donde se juntan las regiones tipo n y tipo p, por lo que se le llama
tambin diodo de unin.
Zona de deplexin:
Al unirse un semiconductor tipo n con uno tipo p, se produce un xodo de electrones del
lado n hacia el lado p por la repulsin de cargas iguales. Poco despus de entrar a la regin p el electrn libre
cae en un hueco. Cuando eso sucede el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en un electrn de
valencia crendose en esa difusin un par de iones, un in positivo en el lado n (abandon un electrn), y un
in negativo en el lado p (acept un electrn).
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iones
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Zona de deplexin
En la figura el signo (+) encerrado en un circulo indica un in positivo, y el signo ()

encerrado en un circulo, un in negativo. Los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal debido a los
enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a otro como los electrones libres y los huecos.
Cada pareja de iones positivos y negativos en la unin se llama dipolo. A medida que
aumenta el nmero de dipolos, la regin cercana a la unin se vaca de portadores y a esa zona se le conoce
como zona de deplexin.
BARRERA DE POTENCIAL
Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivos y negativos que lo forman;
por lo tanto, si entran electrones adicionales en la zona de deplexin, son rechazados hacia la zona n. La
intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta que se alcanza el equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
barrera de potencial. A 25C la barrera de potencial es aproximadamente 0,3 V para diodos de germanio y
0,7 V para diodos de silicio.
POLARIZACIN DIRECTA
Consiste en conectar el terminal negativo de una fuente de corriente continua al material
tipo n, y el terminal positivo al material tipo p.
La batera empuja los electrones libres y los huecos hacia la unin. Si la tensin de la
batera es menor que la barrera de potencial, los electrones no tienen suficiente energa para atravesar la
barrera de potencial, por lo tanto, no circula corriente a travs del diodo.
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Cuando la fuente de tensin continua es mayor que la barrera de potencial, los electrones
libres tienen suficiente energa para pasar a travs de la zona de deplexin y recombinarse con los huecos.
Para hacerse una idea bsica, imaginemos todos los huecos en la zona p movindose hacia la derecha y
todos los electrones libres desplazndose hacia la izquierda. En algn lugar cercana a la unin estas cargas
opuestas se recombinan. Como los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y
continuamente se crean huecos en el extremo izquierdo, existe una corriente continua a travs del diodo.
En resumen, un diodo polarizado en forma directa permite el paso de la corriente elctrica.
POLARIZACIN INVERSA
El terminal negativo de la batera se encuentra conectado al lado p, y el terminal positivo de
la batera al lado n.
El terminal negativo de la batera trae los huecos y el terminal positivo, los electrones libres;
por ello, los huecos y electrones libres se alejan de la unin, como resultado la zona de deplexin se
ensancha. Los iones recin creados hacen que aumente la diferencia de potencial a travs de la zona de
deplexin. La zona de deplexin deja de aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a
la tensin inversa aplicada.
Corriente de portadores minoritarios:

Existe corriente despus de haberse estabilizado la zona de deplexin? S. Incluso con
polarizacin inversa hay una pequea corriente. Recuerde que la energa trmica crea continuamente pares
de electrones libres y huecos, lo que significa que a ambos lados de la unin existen pequeas
concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de estos se recombinan con los portadores
mayoritarios, pero los que se hayan dentro de la zona de deplexin pueden vivir lo suficiente para cruzar la
unin. Cuando esto sucede, por el circuito externo circula una pequea corriente.
La corriente inversa originada por los portadores minoritarios producidos trmicamente se
llama corriente inversa de saturacin (Is), pero se debe observar que al aumentar la tensin inversa no
har que crezca el nmero de portadores minoritarios creados trmicamente.
Corriente superficial de fugas:
Es una pequea corriente que circula por la superficie del cristal causada por impurezas en
su superficie e imperfecciones en su estructura interna.
La corriente inversa en un diodo de silicio es aproximadamente cero
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RUPTURA:
Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican. Por lo tanto,
existe un lmite para la tensin mxima en inversa con la que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo
de destruirlo.
Si se aumenta continuamente la tensin inversa, llegar un momento en que se alcance la
tensin de ruptura del diodo (generalmente 50V). sta se muestra en la hoja de caractersticas del diodo en
particular.
Una vez alcanzada la tensin de ruptura, una gran cantidad de portadores minoritarios
aparece repentinamente en la zona de deplexin y el diodo conduce descontroladamente por un efecto
llamado avalancha que aparece con tensiones inversas elevadas. Cuando la tensin inversa aumenta obliga a
los portadores minoritarios a moverse ms rpidamente, chocando contra los tomos del cristal. Si adquieren
la energa suficiente , pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos, es decir, produce electrones
libres. Estos dos electrones libres liberan, a su vez, a otros dos de valencia, y as sucesivamente, de forma
que el proceso contina hasta que la corriente inversa es muy grande.
La tensin de ruptura de un diodo depende del nivel de
dopaje del mismo. Con los diodos rectificadores (el tipo ms comn), la
tensin de ruptura suele ser de 50 V.
LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA:

La temperatura de unin es la temperatura dentro del diodo, exactamente en la unin pn.
La temperatura es diferente. Cuando el diodo est conduciendo, la temperatura de la unin es mas alta que la
temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinacin.
La barrera de potencial depende de la temperatura en la unin. Un incremento en la
temperatura de la unin crea ms electrones libres y huecos en las regiones dopadas, lo que significa que la
barrera de potencial disminuye al aumentar la temperatura de la unin.
La barrera de potencial de un diodo de silicio decrece 2 mV por cada incremento de 1 C..
V
mV
2
T
C
As se puede calcular la barrera de potencial a cualquier temperatura de la unin.
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NIVELES DE ENERGA:
Como el electrn es atrado por el ncleo, se requiere energa adicional para llevarlo a un
orbital mayor. Cuando un electrn salta del primero al segundo orbital, gana energa potencial con respecto al
ncleo. Algunos de los agentes externos que pueden hacer saltar a un electrn a un nivel de energa mayor,
son el calor, la luz y la tensin elctrica.
Despus de que un electrn ha saltado a un orbital mayor, puede regresar a su nivel de
energa inicial. Si lo hace devolver la energa sobrante en forma de luz, calor u otro tipo de radiacin.
El diodo LED es un ejemplo de ello (diodo emisor de luz). Dependiendo del material de
construccin del diodo, la luz es roja, verde, naranja o azul. Algunos diodos LED producen radiacin infrarroja
(invisible) que es til en sistemas de alarma antirrobo.
DIODOS:
Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal, porque
la grfica de su corriente en funcin de su tensin es una lnea recta. Un diodo
es un dispositivo no lineal porque la grfica de la corriente en funcin de la
tensin no es una lnea recta.
En la simbologa del diodo comn, el lado p se llama nodo y el lado n es el ctodo, y la
flecha va de nodo a ctodo.
Los diodos de unin pn y los
zener tienen caractersticas constructivas que
los diferencian de otros. Su tamao, en muchos
casos, no supera el de una resistencia de
carbn de W y aunque su cuerpo es
cilndrico, es de menor longitud y dimetro que
las resistencias. Aunque existe gran variedad
de tipos, slo algunos especiales difieren de su
aspecto.
No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es
caracterstico encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto
viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo,
prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal
ms prximo a la banda de color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el
nodo con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos
LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segn sea la longitud de onda con la que
emita. El nodo de estos diodos es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento
prxima al ctodo es plana.
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Electrnica Aplicada
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OA
Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente.
AB
Zona de Conduccin (a partir de los 0,6 [V] app.)
OC Corriente inversa de saturacin, a partir de C, zona de

avalancha.
El circuito de la figura puede montarse en el laboratorio y medir la tensin en el diodo y la

corriente que lo atraviesa. Tambin se puede invertir la polaridad de la fuente de tensin continua y medir la
corriente y tensin del diodo polarizado en forma inversa. Si se representa la corriente a travs del diodo en
funcin de la tensin se obtendr una grfica parecida.
Cuando el diodo est polarizado en directa no hay una corriente significativa hasta que la
tensin en el diodo sea superior a la barrera de potencial. Por otro lado, cuando el diodo est polarizado en
inversa, casi no hay corriente inversa hasta que la tensin del diodo alcanza la tensin de ruptura. Entonces la
avalancha produce una gran corriente inversa destruyendo el diodo.
En la polarizacin directa, a tensiones mayores que la umbral, la corriente en el diodo crece
rpidamente, lo que quiere decir que aumentos pequeos de la tensin del diodo originan grandes
incrementos en su corriente pues lo nico que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n las
que sumadas se les llama resistencia interna del diodo.
RB RP R N
El valor de la resistencia interna es funcin del nivel de dopado y del tamao de las zonas p
y n. siendo normalmente menor que 1 .
Mxima corriente continua con polarizacin directa:
Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor excesivo destruir el diodo; por
esta razn, la hoja caracterstica que proporcionan los fabricantes especifica la corriente mxima que un diodo
puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus propiedades. Por ejemplo un diodo 1N456 tiene
una corriente mxima (Imax ) de 135 mA.
Disipacin de potencia:
Se puede calcular la disipacin de potencia de un diodo de la misma forma que se hace
para una resistencia. Es igual al producto de la tensin del diodo y la corriente.
PD VD I D
19
Electrnica Aplicada
20
La limitacin de potencia indica cunta potencia puede disipar un diodo sin daarse.
Pmax Vmax I max
Por ejemplo si un diodo tiene una tensin y corriente mxima de 1V y 2A, su limitacin de
potencia es de 2W.
Tensin inversa de ruptura:
Un ejemplo es un diodo 1N4001, este tiene una tensin inversa de 50 V. Esto supone la
destruccin del diodo, lo que debe evitar el diseador para cualquier condicin de trabajo, por ese motivo se
incluye un factor de seguridad. No existe una regla absoluta acerca del valor que debe darse al factor
seguridad, ya que este depende de muchos elementos de diseo. Un diseo conservador empleara un factor
de 2, lo que significa que no se permite en ninguna circunstancia una tensin inversa superior a 25V.
CIRCUITO CON DIODOS
La mayora de los dispositivos electrnicos, televisores, equipo estreo y ordenadores
necesitan una tensin continua para funcionar correctamente. Como las lneas de tensin son alternas, la
primera cosa que necesitamos es convertir la tensin alterna en tensin continua. Dentro de las fuentes de
potencia hay circuitos que permiten que la corriente fluya en un solo sentido. Estos circuitos se llaman
rectificadores.
Rectificador de onda:
R = 1 [k Ohm]
La figura muestra una fuente de corriente alterna (transformador) que entrega una tensin
sinusoidal. La mitad positiva del ciclo de la tensin de fuente polarizar el diodo de manera directa. Esto
equivaldra a un interruptor cerrado por lo que aparecer tensin positiva en la resistencia de carga. En la
mitad negativa del ciclo, el diodo se polariza de manera inversa comportndose como un interruptor abierto y
no hay tensin en la resistencia de carga.
20
Electrnica Aplicada
21
1
Ciclos
( H Z )(
)
T
seg
VRMS
Vp
2
El valor del voltaje medio, es el valor de una tensin

continua que produce el mismo efecto calorfico que
una tensin alterna
Vm
Vp
Im
Ejercicio de ejemplo:
Se tiene una fuente alterna de 10 V (RMS) y 60 Hz
10 V RM S
Lo primero que hay que hacer es calcular el valor pico

de la fuente alterna
V p VRMS
V p 10V
Ip
Res istencia de carga
V p 14,1V
La tensin pico en la carga es

V p ( out ) V
0,7V
p ( in )
V p ( out ) 14,1V 0,7V
V p ( out ) 13,4V
La tensin continua en la carga es:
Vdc
Vp
Vdc
13,4V
Vdc 4,27V
21
Electrnica Aplicada
Rectificador de onda completa:

El puente rectificador es un
tipo de rectificador de onda completa. Los diodos
d1 y d3 conducen en la mitad positiva del ciclo, y
d2 y d4 conducen en la mitad negativa del ciclo.
Como resultado, la corriente circula por la carga
durante ambas mitades del ciclo.
22
Diodo 4
Diodo 1
10 V RM S
Diodo 3
Diodo 2
Diodo 1
10 V RM S
Diodo 3
Diodo 4
10 V RM S
Diodo 2
Valor de continua o valor medio en un rectificador de onda completa, esta seal tiene el
doble de ciclos positivos, como lo visto en la grafica, por lo tanto el valor del voltaje rectificado es (VD):
El valor de la corriente media en rectificador de onda completa es:
Vdc
2 Vp
Im
2 Ip
A la salida de un rectificador se obtiene una tensin continua pulsante, para mejorar esta
seal y dejarla lo ms cercano a una seal continua pura, se utilizan los filtros.
Existen diferentes tipos de filtros, como son:
Filtros capacitivos (condensadores)
Filtros inductivos (bobinas)
Filtros inductivos - capacitivos, ambos o una mezcla de ambos.
Uno de los ms usados es el filtro capacitivo, que a continuacin daremos a conocer brevemente:
22
Electrnica Aplicada
23
El filtro de condensador en la entrada:

Este filtro genera una tensin de salida continua igual al valor de pico de la tensin
rectificada. Este tipo de filtros es muy usado en fuentes de alimentacin y alternadores.
La siguiente figura nos muestra la forma de conectar el condensador:
En los filtros de onda completa el rizado de pico a pico se corta por la mitad, como se
observa en la figura. Cuando una tensin de onda completa se aplica a un circuito RC, el condensador solo
descarga la mitad del tiempo. Por lo tanto, el rizado de pico a pico tiene la mitad de tamao que tendra con
un rectificador de media onda, la seal con el condensador mejora notablemente. El funcionamiento del
condensador consiste en lo siguiente:
El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: Este se carga a travs de la
tensin continua pulsante que entrega el rectificador, una vez que el condensador almacena un valor mximo
de tensin, comienza su descarga hasta que nuevamente la tensin continua pulsante alcance el valor del
condensador, comenzando nuevamente su carga
23
Electrnica Aplicada
24
Se puede calcular el voltaje de rizado de pico a pico de cualquier filtro con condensador a la
entrada:
Vr
I
fC
Donde:
Vr
I
f
C
= Tensin de rizado pico a pico (V)

= Corriente por la carga en continua (A)
= Frecuencia de rizado (Hz)
= Capacidad (F)
Como observacin si se despeja en la frmula la capacidad del condensador para lograr un rizado igual a
cero, se darn cuenta que el resultado es infinito, por lo tanto no existe el condensador que nos permita
una corriente rectificada continua perfecta
El diodo adems de rectificar, se puede utilizar como elemento de proteccin, como por
ejemplo asegurar el paso de corriente en un solo sentido.
El diodo adems puede proteger de errores de polaridad.

OTROS TIPOS DE DIODOS:
Diodo Zener:
El diodo Zener es un tipo de diodo diseado
especialmente para conducir satisfactoriamente el flujo de corriente en
sentido inverso. La principal caracterstica de este tipo de diodo, es que se
le inyectan ms impurezas de lo normal durante su fabricacin, con lo cual
se obtiene un gran nmero de hoyos (huecos) y electrones, lo que permite
al diodo Zener conducir corriente en sentido inverso sin sufrir dao, si se
usa en un circuito de diseo adecuado.
24
Electrnica Aplicada
25
La nica caracterstica de operacin del diodo Zener es que no conducir la corriente en

direccin inversa por debajo de cierto valor predeterminado de voltaje inverso. Como por ejemplo, en un
diodo Zener no puede circular corriente si el voltaje de polarizacin inverso es bajo 6 [V], pero cuando este
voltaje llega a ser 6 [V] o ms, el diodo conducir repentinamente corriente en sentido inverso.
Este tipo de diodo es utilizado en circuitos de control.
El diodo Zener:
Estabiliza la tensin.
Para trabajar la corriente (I) tiene que ser mayor que la corriente (Iz) mnima.
Nunca debe pasar la Iz mxima.
El diodo Zener es un elemento estabilizador de tensin, que para pequeos mrgenes de

variacin de voltaje, trabaja con variaciones importantes de corriente, para asegurar que el diodo Zener
trabaje como estabilizador, debe cumplir las siguientes condiciones:
Este diodo debe ser atravesado como mnimo por una corriente igual a Iz mnimo (dato entregado
por el fabricante).
No debe sobrepasar por ningn caso, la corriente Zener mxima (Iz mx.), ya que puede producir
daos en el componente.
25
Electrnica Aplicada
26
Diodo LED (Emisor de luz):

Otro tipo de diodo utilizado son los diodos emisores de luz, que son conocidos
universalmente con el nombre de LED , abreviatura que corresponde a las iniciales de su nombre
anglosajn (Light Emitter Diode).
Estos diodos funcionan por un complicado proceso fsico, que en definitiva, concluye con la
particularidad que tienen determinados electrones de desprender fotones cuando vuelve a su rbita de
valencia.
La energa luminosa radiada puede ser
de color verde, si el material del
semiconductor ha sido tratado con
impurezas de Galio Fsforo.
Por otro lado, puede ser de color rojo si
el tratamiento se ha llevado a cabo por
medio de Galio Arsnico. Tambin
existen de color amarillo.
Por lo tanto hay varios tipos bsicos
diferentes de LEDs, cado uno de color
indicado segn su construccin.
Estos diodos consiguen una luz bastante viva,

con la muy importante particularidad de utilizar
una mnima cantidad de corriente (pues solo
gastan unas decenas de miliamperios por hora)
por lo que resultan ideales en los circuitos de
control de luces testigos.
Aplicaciones:
Indicador posicionado de luces (color verde)
Testigo de funcionamiento del alternador (color rojo)
Indicador de funcionamiento de las bujas incandescentes (color amarillo)
Testigo de funcionamiento de las luces altas de carretera
Instrumentos de control
Etc.
26
Electrnica Aplicada
27
Ejemplo: Determine el valor de la resistencia R del circuito que se muestra a continuacin.
V Vf VLED
12 1,8
0,56 k
I
ILED
18 10 3
Los Fotodiodos:
El fotodiodo funciona de una manera inversa a lo que se ha visto en los diodos emisores de
luz. Se trata de un diodo semiconductor, en el cual la corriente inversa vara con la iluminacin que incide
sobre su unin N P.
Estos diodos trabajan al recibir una radiacin
luminosa y se deben polarizar en forma inversa.
Se pueden utilizar en medir la velocidad
angular de un motor, en sistemas de encendido
transistorizado (reemplazando al platino).
TRANSISTORES:
El transistor es un dispositivo elctrico utilizado para controlar el flujo de corriente. En sta
seccin la operacin del transistor es descrita por observacin de las condiciones bajo las cuales el flujo de
corriente NO permite el paso de corriente.
En la seccin anterior se estudiaron los conceptos
fundamentales y la construccin de los diodos.
Adems se estudi que los diodos estn formados por
una unin N P. Cuando se forma una segunda
seccin de material TIPO P con la unin N P, se
forma un Transistor.
27
Electrnica Aplicada
28
El material P en el lado izquierdo es llamado emisor, el material tipo N en el centro es la

base y el material tipo P en el lado derecho es llamado colector. Este arreglo es conocido como un
transistor PNP
Tambin es posible formar un transistor NPN usando dos reas de material N y una de
material P. El transistor NPN es el tipo ms utilizado.
El emisor es la lnea con la flecha, la lnea gruesa es la base y la lnea sin flecha es el
colector. Note que la flecha va en la direccin de la teora convencional del flujo de corriente de positivo a
negativo en el circuito externo.
El transistor es de estructura simple, pero debe cumplir con ciertos requisitos de Dopado y
dimensiones especiales, que hacen que el dispositivo no se comporte como dos diodos.
Modo de Funcionamiento:
Unin Base Emisor
Unin Base Colector
Modos de Funcionmaiento
Directa
Directa
Saturacin
Interruptor On
Inversa
Inversa
Corte
Interruptor Off
Directa
Inversa
Activa
En saturacin: Cuando el transistor conduce el mximo de Ic que puede tolerar. Esta disposicin
se utiliza cuando queremos el transistor funcionando como interruptor.
28
Electrnica Aplicada
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Transistor en corte: En serie con la base se conecta una resistencia de polarizacin Rb. Si el
diodo emisor base est polarizado en inversa no puede circular corriente alguna.
En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor base, circula una pequea corriente que
depende del valor de Rb, la que hace que se establezca otra mucho mayor entre el emisor y el
colector (Ic) proporcional a la corriente de base. De esta forma tenemos una corriente en el circuito
emisor colector elevada que se puede controlar mediante otra mucho menor, el transistor funciona
como un amplificador de corriente.
Configuraciones de un transistor
Estas dependen del terminal que se elija comn a la entrada y a la salida.
Donde:
Vi = Voltaje de entrada
Vo = Voltaje de salida
29
Electrnica Aplicada
30
Funciones principales de un transistor:

En lo que respecta al automvil se destaca la importancia del transistor en la utilizacin
como Rel y amplificador.
a) Como Rel: Para que funcione de esta forma basta solo conseguir dar rdenes a la base del transistor, a
travs de una dbil polarizacin, para conseguir el paso de una gran corriente entre emisor colector. La
gran ventaje en este caso, con respecto a un Rel mecnico, es que el transistor no posee contactos ni
resortes o mecanismos que se deterioren con el tiempo y la temperatura y que fcilmente pierden sus
cualidades iniciales.
Basado en este principio, el transistor tiene un amplio campo de aplicacin en el automvil y
un ejemplo de ello es el sistema de encendido, como se muestra en la figura
La corriente principal proviene de la batera, chapa de contacto y emisor (E) del transistor. i
los contactos del ruptor se encuentran abiertos, interrumpiendo el paso de corriente de base (B), de modo
que el transistor queda bloqueado. Cuando los contactos del ruptor se unen polarizando a masa
(corriente negativa) la base (B) del transistor, entonces ste se vuelve conductor, dando paso a la
corriente de emisor (E) a colector (C), hasta el arrollamiento primario de la bobina de encendido. Este se
alimenta y cuando se produce una nueva separacin de los contactos del ruptor, el transistor se bloquea
y se induce una corriente de alta tensin en el arrollamiento secundario (no se muestra en la figura) de la
bobina de encendido, lo que produce el salto de la chispa en la buja.
En el caso de la figura, se observa que el transistor trabaja como un Rel, porque una
pequea corriente de base (B) permite el paso de una gran corriente entre emisor (E) y colector (C).
30
Electrnica Aplicada
31
El transistor permanece bloqueado hasta que se polarice la base del mismo y circule una
pequea corriente de base, la cual controla el transistor y lo vuelve conductor encendiendo la ampolleta.
b) Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir seales procedentes de sensores o
captadores, los cuales trabajan con seales muy bajas. Para que estas seales puedan ser incorporadas
a dispositivos electrnicos, tales como: mdulos de encendido, unidad de control electrnica de inyeccin
u otro microprocesador, deben amplificar las seales.
En resumen un amplificador es un dispositivo por medio del cual una dbil corriente
producida por una fuente, hace provocar una fuerte corriente en la salida.
En la fig se muestra un ejemplo simplificado de cmo un transistor puede realizar las
funciones de un amplificador.
31
Electrnica Aplicada
32
Canal N
Enriquecimiento
Canal P
Dispositivo de
Fuerza instalado
Canal N
(MOSFET)
Transistores de
Deflexin
Efecto de
Canal P
Campo
MESFET
Dispositivo de
TRANSISTOR
Puerta de Unin
JFET
NPN
Transistores
Bipolares
PNP
FORMA DE PROBAR UN TRANSISTOR BIPOLAR

1) Utilizando el libro ECG
2) Utilizando un multitester:
Por ejemplo si no se conoce nada del TRX, entonces se le asignan nuevos o letras a los pines del
TRX, luego se construye una tabla de la siguiente forma;
Sonda
positiva
0,172
inf
0,166
inf
inf
0,788
Sonda
negativa
realizadas las mediciones ( con el tester en escala de ohms), llenar los recuadros en blanco
En este caso la base se encuentra en el pin 2 ( ya que es comn para pin 1 y 2), el emisor es el pin
3, (ya que 0,788>0,172), considerando la siguiente relacin Resistencia base emisor resistencia
base colector
32
Electrnica Aplicada
33
TIRISTORES:
Son dispositivos semiconductores que tienen tres terminales (conectores), una corriente
dbil en una de sus terminales (compuerta) permite que una corriente mucho mayor fluya a travs de los otros
dos conductores. La corriente controlada est encendida o apagada; estos no amplifican seales como los
transistores, sino que actan como interruptores de estado slido.
Existen dos familias:
a) Rectificador controlado de Silicio (S.C.R.): ste es similar a un transistor bipolar con una cuarta capa,
como lo muestra el dibujo siguiente (configuracin interna)
Funcionamiento de un SCR:
Si el nodo se hace ms positivo que el ctodo en un tiristor, las uniones externas (dos) se
polarizan, sin embargo la unin P-N del centro se polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. Una
corriente pequea en la compuerta polariza la unin P-N del centro permitiendo que una corriente mucho
mayor fluya a travs del dispositivo.
La ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una pequea corriente,
que es limitada por esta resistencia,(R).
33
Electrnica Aplicada
34
La grfica siguiente nos muestra el comportamiento de un SCR, para profundizar el

funcionamiento del SCR es conveniente observar su curva caracterstica:
Puede conducir de - 1 [A] hasta ms de 2500 [A]

De acuerdo a la grfica y observando se ve que existe una caracterstica de bloqueo en el
momento que pasa la corriente (polarizacin directa), que viene presentado por la letra A, aqu existe un
crecimiento de la tensin directa sin que el SCR permita el paso de la corriente; pero cuando este alcanza un
punto determinado conocido con el nombre de tensin de operacin (VBo), el tiristor SCR permite el paso de
la corriente representado por la letra B, con una lnea ascendente.
Cuando la corriente directa desciende su valor bajo el punto C, llamado o conocido como
corriente de mantenimiento o de retencin (IH), el SCR se bloquea y por consiguiente deja de conducir.
En el sentido inverso el SCR se comporta como un diodo normal.
La forma ms efectiva para apagar un SCR es reducir la corriente de nodo bajo el valor de
(IH) o bajar el voltaje bajo el valor (VX), la primera con una resistencia y la segunda con una fuente variable.
34
Electrnica Aplicada
35
A continuacin se muestra un diagrama en bloque de un circuito SCR:
35
Electrnica Aplicada
36
Valores tpicos:
2N4441
Posee una corriente de mantenimiento
Una corriente de disparo de
Una tensin de bloqueo directa de
Una tensin de disparo tpica de
:
:
:
:
6 mA
10 mA
50 V
0.75 V
Estos valores indican que la fuente que alimenta al SCR tiene que ser capaz de suministrar
al menos 10 mA a 0,75 V. para que el SCR se mantenga cerrado. Con respecto a la corriente de
mantenimiento, si disminuye a menos de 6 mA el SCR se convertir en un circuito abierto.
La tensin de bloqueo de 50 V, nos indica que a menos de este valor el SCR no puede
cerrarse y la nica forma de hacerlo sera aplicando un pulso a la compuerta.
Aplicaciones del SCR :
Tiene variedad de aplicaciones entre ellas estn las siguientes:
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Cicloconversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefacctin.
Controles de fase.
En la figura se muestra un interruptor esttico es serie de medida de media onda. Si el
interruptor est cerrado, como se presenta en la figura (b), la corriente de compuerta fluir durante la parte
positiva de la seal de entrada, encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de
compuerta.
Cuando el SCR se enciende, el voltaje nodo a ctodo (VF) caer al valor de conduccin,
dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca prdida en el circuito de
compuerta. Para la regin negativa de la seal de entrada el SCR se apagar, debido a que el nodo es
negativo respecto al ctodo. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversin en la corriente de compuerta.
Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura
ste (b). El resultado es una seal rectificada de media onda a travs de la carga. Si se desea conduccin a
menos de 180, el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva
de la seal de entrada. El interruptor puede ser electrnico, electromagntico, dependiendo de la aplicacin.
36
Electrnica Aplicada
a)
37
b)
En la figura anterior (a) se muestra un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin

entre 90 y 180. El circuito es similar al de la figura anterior (a), con excepcin de la resistencia variable y la
eliminacin del interruptor. La combinacin de las resistencias R y R1 limitar la corriente de compuerta
durante la parte positiva de la seal de entrada. Si R1 est en su valor mximo, la corriente de compuerta
nunca llegar a alcanzar la magnitud de encendido. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de
compuerta se incrementar a partir del mismo voltaje de entrada.
De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido
en cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura sgte (b). Si R1es bajo, el SCR se disparar de
inmediato y resultar la misma accin que la obtenida del circuito de la figura anterior (b), el control no puede
extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90, debido a que la entrada est a su valor mximo en
este punto. Si falla para disparar a ste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de
la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la
seal. A esta operacin se le menciona normalmente en trminos tcnicos como control de fase de media
onda por resistencia variable. Es un mtodo efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la potencia se
dirige hacia la carga.
a)
b)
37
Electrnica Aplicada
38
b) TRIAC ( triode alternating current): Este dispositivo es equivalente a dos SCR conectados en paralelo
en oposicin como lo muestran las siguientes figuras:
Smbolo:
Estos dispositivos trabajan de forma bilateral tanto en el semiciclo positivo como en el

semiciclo negativo y pueden controlar tanto motores como otros dispositivos elctricos.
38
Electrnica Aplicada
Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada
UNIDAD II
39
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA INTEGRADA
INTRODUCCIN Y CARACTERSTICAS DEL TIMER 555

El temporizador 555 fue introducido al mercado en el ao 1971, (hace ms de 30
aos..), por la empresa Signetics Corporation con el nombre: SE555 / NE555 y fue llamado The IC
Time Machine (el circuito integrado mquina del tiempo), que en esos momentos era el nico
integrado de su tipo disponible. Este C.I. fue para los experimentados y aficionados un dispositivo
barato con el cual podan hacer muchos proyectos. Este C.I. es tan verstil que se puede utilizar
para modular una seal en frecuencia modulada (F.M.).
En estos das se fabrica una versin CMOS del 555 original, como el motorota
MC1455, que es muy popular. Pero la versin original sigue producindose con mejoras y algunas
variaciones a sus circuitos internos (claro est para hacerlo mejor).
El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable cuya funcin primordial es la
de producir pulsos de temporizacin con una gran precisin y que, adems, puede funcionar como
oscilador.
Sus caractersticas ms destacables son:
Temporizacin desde microsegundos hasta horas.

Modos de funcionamiento:
o Monoestable.
o Astable.
Aplicaciones:
o Temporizador.
o Oscilador.
o Divisor de frecuencia.
o Modulador de frecuencia.
o Generador de seales triangulares.
Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo):
Especificaciones generales del 555

Vcc
Frecuencia mxima (Astable)
Nivel de tensin Vc (medio)
Error de frecuencia (Astable)
Error de temporizacin
(Monoestable)
Mximo valor de Ra + Rb
Valor mnimo de Ra
Valor mnimo de Rb
Reset VH / VL (pin 4)
Corriente de salida (pin 3)
5 Volt
10 Volt
15 Volt
500 kHz a
2 MHz
3,3 V
~5%
~1%
6,6 V
~5%
~1%
10,0 V
~5%
~1%
3,4 Meg
5k
3k
0,4 / < 0,3
~200 ma
6,2 Meg
5k
3k
0,4 / < 0,3
~200 ma
10 Meg
5k
3k
0,4 / < 0,3
~200 ma
Notas
Vara con el Mfg y el
diseo
Nominal
Temperatura 25 C
Temperatura 25 C
A continuacin podemos ver la configuracin de pines o patillas. Se puede ver en la figura,

que independientemente del encapsulado la numeracin de los pines es la misma (en sentido antihorario).
El 556 es un C.I. con dos temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines y el
558 es un C.I. con 4 temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines.
39
Electrnica Aplicada
40
PIN
1
2
4
5
6
7
8
Descripcin y conexin de los pines del Timer 555:

Tierra o masa
Disparo: Es en este pin, donde se establece el inicio del tiempo de retardo, si el 555 esta
configurado como monostable. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por
debajo de 1/3 del voltaje de alimentacin. Este pulso debe ser de corta duracin, pues si
se mantiene bajo por mucho tiempo, la salida se quedar en alto hasta que la entrada de
disparo pase a alto otra vez.
Salida: Aqu veremos el resultado de la operacin del temporizador, ya sea que este
conectado como monostable, o astable u otro. Cuando la salida es alta, el voltaje ser el
voltaje de aplicacin (Vcc) menos 1,7 [V]. Esta salida se puede obligar a estar en casi 0
[V] con la ayuda del pin 4 (reset).
Reset: Si se pone a un nivel por debajo de 0,7 [V], pone el pin de salida 3 a nivel bajo. Si
por algn motivo este pin no se utiliza hay que conectarlo a Vcc para evitar que el 555 se
resetee.
Control de Voltaje: Cuando el temporizador se utiliza en el modo de controlador de
voltaje, el voltaje es este pin puede variar casi desde Vcc. (en la prctica Vcc menos 1
[V]) hasta casi 0 [V] (app. 2 [V]). El voltaje aplicado a este pin puede variar entre un 45 y
un 90% de Vcc en la configuracin monostable. Cuando se utiliza en la configuracin
astable, el voltaje puede variar desde 1,7 [V] hasta Vcc. Si este pin no se utiliza se
recomienda instalar un condensador de 0,01 F para evitar las interferencias.
Umbral: Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza para poner la
salida del (pin 3) a nivel bajo.
Descarga: Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo utilizado por
el temporizador para su funcionamiento.
V+ : Tambin llamado Vcc, es el pin donde se conecta el voltaje de alimentacin que va desde
4,5 [V] hasta 16 [V] (mximo). Hay versiones militares de este integrado que llegan a 18 [V].
A continuacin se mostrarn los modos de funcionamiento que posee este circuito

integrado. En los esquemas se hace referencia al patillaje del elemento, al igual que a las entradas y salidas
de cada montaje.
40
Electrnica Aplicada
41
FUNCIONAMIENTO MONOSTABLE DEL TIMER 555

En este caso el circuito entrega a su salida un pulso de un ancho establecido por el
diseador (tiempo de duracin). El esquema de conexin es el mostrado en la figura sgte
Cuando la seal de disparo est a nivel alto (Ej. 5 [V] con Vcc 5 [V]) la salida se mantiene a
nivel bajo (0 [V]), que es el estado de reposo.
Una vez se produce el flanco descendente de la seal de disparo y se pasa por el valor de
disparo, la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuacin:
T = 1.1 * Ra * C (en segundos)

Donde:
T = tiempo en [ms]
Ra = Resistencia [k]
C = Capacidad del condensador [F]
Por ejemplo: En un circuito en condicin monostable, se tiene una resistencia de 22 [k] y

la capacidad del condensador es de 0,068 [F]. Determinar el tiempo de ancho de pulso, que emite el timer
555.
T = 1,1 * (22 [k]) * (0,068 [F]) = 1,65 [ms]
Es recomendable, para no tener problemas de sincronizacin que el flanco de bajada de la
seal de disparo sea de una pendiente elevada, pasando lo ms rpidamente posible a un nivel bajo
(idealmente 0 [V]). Observe que es necesario que la seal de disparo, sea de nivel bajo y de muy corta
duracin en el pin 2 del C.I. para iniciar la seal de salida.
NOTA: en el modo monoestable, el disparo debera ser puesto nuevamente a nivel alto
antes que termine la temporizacin.
41
Electrnica Aplicada
42
OPERACION DEL TIMER 555 COMO MONOESTABLE
Funcionamiento:
Cuando la seal que pasa por trigger baja de 1/3 Vcc, el condensador comienza su proceso de carga
puesto que el transistor interno esta con su base desenergizada. Salida alta.
El condensador esta conectado al pin 6 (umbral) y cuando este alcanza un valor de 2/3 Vcc,
internamente se activa el comparador B, se descarga el condensador y la salida del timer es cero.
El tiempo en que la salida es alta depende del tiempo de carga del condensador.
T = 1,1RC
FUNCIONAMIENTO ASTABLE DEL TIMER 555
Este tipo de funcionamiento se caracteriza por una salida con forma de onda cuadrada (o
rectangular) continua de ancho predefinido por el diseador del circuito. La seal de salida tiene un nivel alto
por un tiempo T1 y en un nivel bajo un tiempo T2. Los tiempos de duracin dependen de los valores de Ra y
Rb.
La figura siguiente muestra el esquema y comportamiento grfico del timer 555 en funcin
Astable o Biestable.
42
Electrnica Aplicada
43
En este modo se genera una seal cuadrada oscilante de frecuencia:

f = 1/T = 1.44 / [C*(Ra+2*Rb)]
La seal cuadrada tendr como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0 [V].
Si se desea ajustar el tiempo que est a nivel alto y bajo se deben aplicar las frmulas:
Salida a nivel alto:

Salida a nivel bajo:
T1 = 0.693*(Ra+Rb)*C
T2 = 0.693*Rb*C
La salida es una onda rectangular, como la constante de tiempo de carga es mayor que la
de descarga, la salida no es simtrica.
Operacin del timer 555 como astable (biestable):
Posee 2 estados de estabilidad.
El objetivo es determinar los tiempos de cada estado de estabilidad en funcin de la carga y
descarga de un condensador.
El ejemplo de un 555 como astable es el funcionamiento de un reloj.
El funcionamiento interno del integrado sigue siendo el mismo, lo que cambia son las conexiones
externas.
La conexin de trigger y umbral estn unidas y dependen solo del voltaje y del condensador.
Cuando el condensador se esta cargando y llega a un voltaje 2/3 Vcc, la salida del integrado se hace
cero, la base del transistor interno se energiza y el condensador se descarga a travs de R B por el
pin 7.
Una vez que el voltaje del condensador llegue a 1/3 Vcc, se activa el comparador A pues la seal de
trigger baja de 1/3 Vcc. La base del transistor se desenergiza por lo que el condensador ahora
comienza a cargarse pero a travs de las resistencias RA y RB.
En este caso la salida del integrado es Vcc.
43
Electrnica Aplicada
44
CONDENSADORES
Un condensador est constituido por dos o ms placas, las cuales estn separadas entre si
por un material dielctrico (aislante). Cuando se aplica un voltaje a travs de las placas del condensador, la
corriente fluye de una placa hacia la otra, pasando a travs de la fuente de voltaje. En trminos ideales, no
existe un flujo de corriente a travs del dielctrico, que separa las placas del condensador.
La carga, en el condensador, se almacena en el campo elctrico que establecen las placas
cargadas opuestamente. Si el voltaje aplicado es de corriente continua DC, el condensador se carga con el
valor del voltaje aplicado. Si el voltaje aplicado es de corriente alterna AC, el condensador sigue
esencialmente los cambios de polaridad del voltaje aplicado, cargndose y descargndose alternativamente
en direcciones opuestas, cada medio ciclo (semiciclo), con ello se establece efectivamente el flujo de corriente
alterna.
Funcin y Clasificacin:
Los condensadores son dispositivos que tienen la propiedad de almacenar energa
elctrica, siendo de vital importancia en los circuitos electrnicos.
La energa elctrica almacenada por el condensador, es retenida en el material dielctrico.
Los materiales dielctricos, normalmente utilizados, son: aire, papel encerado, materiales plsticos, mica y
materiales cermicos.
Para el almacenamiento de la carga, las molculas dielctricas, pueden ser consideradas
en forma equivalente al electroesttico de barras imantadas, pero teniendo polos elctricos positivo y
negativo. Cuando el condensador esta descargado, los polos de las molculas se anulan unos con otros, de
manera tal que no existe energa almacenada. Cuando se aplica un voltaje estable, entre las placas del
condensador, la fuerza elctrica acta sobre las molculas, alinendose con el campo elctrico, apuntando en
la misma direccin de ste. En este instante, la placa que esta conectada al polo positivo de la fuente, tiene
deficiencia de electrones, mientras que la placa que esta conectada al polo negativo, se encuentra con un
exceso de stos. Cuando se desconecta la fuente, las molculas del dielctrico permanecen en un estado
tensin y, esta energa es almacenada dentro del condensador.
Despus de haber desconectado la fuente de alimentacin del condensador, puede medirse
una diferencia de potencial entre los terminales de ste. Dicho diferencial, se mantiene constante por un
determinado perodo de tiempo, el cual puede variar entre unos minutos y varios das. La permanencia de la
diferencial de potencial depende de la resistencia de fuga del dielctrico.
Los condensadores que poseen un valor capacitivo elevado, deben ser descargados al
momento de manipular, de otro modo el usuario se expone a sufrir una descarga elctrica. Adems, en el
caso de reemplazar un condensador, se debe tener en cuenta la capacidad de ste, ya que si funciona fuera
de su rgimen, existe el riesgo de que estalle, debido a la posibilidad de generacin de gas en su interior.
En el caso de condensadores, la propiedad de almacenar carga elctrica se conoce como
capacidad C. La unidad que permite cuantificar la capacidad de un condensador es el Faradio (F).
El Faradio es una unidad de capacidad muy grande y, en la prctica, se utilizan
submltiplos, tales como: microfaradio [F], nanofaradio [F] y picofaradio [F].
1 F = 10 -6 F = 0,000001
1 F = 10 -9 F = 0,000000001
1 F = 10 -12 F = 0,000000000001
44
Electrnica Aplicada
45
Matemticamente, la capacidad de un condensador, esta dada por la siguiente expresin:
C=Q/V
Donde :
C = Capacidad, se mide en Faradio (F)

Q = Carga almacenada, se mide en Coloumb (Q)
V = Diferencia de potencial, se mide en Volt (V)
Normalmente, los valores de la capacidad de un condensador vienen impresos en el propio

componente. Cuando la impresin es un nmero entero del 1 al 1000, la unidad de medida es el F, por el
contrario, si la impresin comprende nmeros decimales (0,001 0,047), la unidad de medida es el F. En
el caso de condensadores electrolticos, la capacidad del condensador viene impresa en faradio.
Carga y descarga de condensadores:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Se tiene un circuito con un conmutador que varia su posicin de a b

Se asume un condensador totalmente descargado
t1 = Tiempo inicial en que el switch se conecta al punto a
Al conectar el circuito la corriente es mxima y posteriormente decrece
El voltaje en el condensador comienza desde cero hasta que iguala el voltaje de la
fuente
Cuando el voltaje del condensador se iguala al voltaje de la fuente, el voltaje en la
resistencia se hace cero
En t2 se cambia al conectar a la posicin b
45
Electrnica Aplicada
46
Tiempo de carga y descarga de un condensador:

T = 4,6
=RC
= Constante de tiempo, tiempo que demora el condensador en cargarse a un 63% de su
valor mximo, se mide en segundos.
Ejemplo: Cunto demora un condensador de100 F en cargarse y que esta conectado a
una resistencia de 10 K?
Se puede observar prcticamente de dos formas:
Colocar un ampermetro en serie y observar el momento donde la corriente deja de circular. (segn el
grafico cuando la corriente deja de circular, es porque el condensador ya se cargo)
Se puede colocar un voltmetro en paralelo con la resistencia y observar cuando el voltaje llegue a
cero.
Al hacerlo de esa forma se observara que jams llegara a cero, pues siempre habr una pequea
corriente de fuga que pasa por el voltmetro.
Es recomendable hacerlo con un ampermetro y mas aun con un ampermetro anlogo.
Conclusin:
Podemos controlar el tiempo de carga y descarga de un condensador controlando el valor
de resistencia y capacidad del condensador.
46
Electrnica aplicada
UNIDAD III
FUNDAMENTOS DE LA ELECTRNICA DIGITAL
Existen dos familias que trabajan dentro de los circuitos integrados, dos tecnologas
ampliamente utilizadas:
TTL: Corresponde a la familia 7400, fue introducida por la Texas Instruments en el ao 1964. Estos
circuitos han ido evolucionando, conduciendo a nuevas subfamilias las cuales estn disponibles en la
National Semiconductor.
-
Lgica TTL standard

Lgica TTL baja potencia
Lgica TTL Schohky
Lgica TTL Schohky baja potencia
Lgica TTL Schohky avanzada
Lgica TTL Schohky avanzada baja potencia
7404
74L04
74504
74L504
74A504
74AL504
Las caractersticas de tensin en todas las subfamilias TTL son las mismas (Vcc + 5 [V]), sin
embargo, cambian sus caractersticas de velocidad y de potencia.
Las marcas en los circuitos integrados TTL varan segn el fabricante, a continuacin se
muestra una figura de ejemplo:
Una caracterstica importante de las entradas TTL es que si no se conectan (flotante), el

dispositivo asume un nivel alto designado con un 1.
Circuitos integrados CMOS (Metal xido complementario): Fue introducido por la RCA en el ao
1968, su popularidad deriva a que tienen un extremado bajo consumo de potencia, alta inmunidad al
ruido y pueden funcionar con una fuente econmica no regulada.
Los fabricantes producen 3 familias de circuitos integrados CMOS, que incluyen la antigua serie o
familia 4000, la familia 74C00 y la familia 74HC00.
Hctor Alejandro Del Pino Muoz; Enrique Pulgar Orellana

Ingenieros (E) Mec. Automotriz
47
Electrnica aplicada
A continuacin se muestra un ejemplo para un cdigo usado para un CMOS:
CD 4028 B E
Cdigo del fabricante
Disp. plstico
Funcin del
dispositivo
Cdigo del
Fabricante para CMOS digital
Los fabricantes sugieren que al trabajar con dispositivos CMOS, se consideren los
siguientes datos; para evitar daos provenientes de descargas estticas y tensiones transitorias, se debe
seguir el siguiente procedimiento:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Almacenar los circuitos integrados CMOS en espumas conductoras especiales.

Desconectar la alimentacin cuando se vayan a quitar los CI o se cambien las conexiones en
un circuito impreso.
Asegurar que las seales de entrada no excedan la tensiones de la fuente de alimentacin.
Desconectar las seales de entrada antes de desconectar la alimentacin del circuito
Conectar todas las entradas no utilizadas al polo positivo o tierra de la fuente de alimentacin
No manipular el dispositivo, slo usando los elementos correspondientes (guantes)
Circuitos integrados digital (compuertas lgicas)

La compuerta lgica es un elemento bsico en los sistemas digitales. Las compuertas
lgicas operan con nmeros binarios.
Todos los volts usados en las compuertas sern altos o bajos.
Un alto volt significara un 1 binario y un bajo volt significara un 0 binario.
No importa lo complicado que sean los circuitos integrados digitales todos ellos estn
hechos a partir de bloques de construccin sencillos, llamados compuertas. Todos los sistemas digitales se
construyen a partir de tres compuertas lgicas bsicas, que son:
1. La compuerta AND
2. La compuerta OR
3. La compuerta NOT

48
Electrnica aplicada
a)
Compuerta AND: La compuerta AND llamada Todo o nada en los esquemas se muestran su
smbolo y el circuito AND usando conmutadores:
Smbolo
Circuito Anlogo
Tabla de Verdad
La expresin Booleana que define una compuerta o condicin AND, es la siguiente:
S A B
b)
Compuerta OR: La compuerta OR llamada Cualquiera a todo en los esquemas se muestran

su smbolo y el circuito OR usando conmutadores:
Smbolo
Circuito Anlogo
Tabla de Verdad
La expresin Booleana que define una compuerta o condicin lgica OR, es la siguiente:
S A B
c)
Compuerta NOT: La compuerta NOT se conoce tambin como un inversor. La compuerta NOT
tiene solamente una entrada y una salida, en los esquemas se muestran su smbolo y el circuito
NOT usando conmutadores:
Smbolo
Circuito Anlogo

Tabla de Verdad
49
Electrnica aplicada
La expresin Booleana que define una compuerta o condicin lgica NOT es la siguiente:
A A
Las leyes que condicionan una compuerta lgica NOT son las que se definen:
0 1
Si A = 1, entonces A 0
Si A = 0, entonces A 1
Combinaciones de compuertas:
Circuito Integral Digital
Expresin Booleana
Tabla de Verdad
Circuito Integral Digital
Expresin Booleana
Tabla de Verdad

50
Electrnica aplicada
Dada las siguientes expresiones Booleanas:
S ABC ABC ABC
S A BC AB C ABC
S A BC AB ABC AB C
Realizar:
Los circuitos lgicos combinacionales

La tabla de verdad
Otras compuertas lgicas:

Se pueden hacer otras cuatro compuertas lgicas a partir de las fundamentales y son:
a)
b)
c)
d)
a)
Compuerta NAND
Compuerta NOR
Compuerta OR EXCLUSIVA
Compuerta NOR EXCLUSIVA
Compuerta NAND: Esta se puede alterar a travs de una compuerta AND y una compuerta
NOT, como se ve en el esquema:
Combinacin
Circuito Anlogo
Smbolo
Tabla de Verdad

Expresin Booleana
51
Electrnica aplicada
b)
Compuerta NOR: Dicha compuerta se obtiene a travs de una compuerta OR y una compuerta
NOT, como se ve en la siguiente figura:
Combinacin
Circuito Anlogo
Smbolo
Tabla de Verdad

Expresin Booleana
52
Electrnica aplicada
d)
Compuerta OR exclusiva: La compuerta OR exclusiva se conoce como la compuerta alguno

para no todos, el termino OR exclusivo se abrevia X OR.
La siguiente figura muestra el circuito lgico que realiza la funcin X OR:
Combinacin
Smbolo
Tabla de Verdad
Expresin Booleana

53
Electrnica aplicada
d)
Compuerta NOR Exclusiva: Tambin se llama X NOR la compuerta NOR produce la expresin
A B . Al invertir esta, se forma la expresin Booleana:
Combinacin
Smbolo
Tabla de Verdad
Expresin Booleana
Las compuertas que se han nombrado se denominan circuitos lgicos ya que toman
decisiones lgicas, las compuertas tienen con frecuencia mas de dos entradas; un aumento de ellas (N de
entradas) implica un mayor poder de toma de decisiones.
Las compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una red.
Circuitos lgicos combinacionales: Estos responden a los datos que entran y pueden ser (0
1)

54
Electrnica aplicada
SISTEMAS LGICOS SECUENCIALES

Un ejemplo de este sistema se muestra a travs del siguiente diagrama en bloques:
a)
Unidades Electrnicas de Control.

Estas tienen la funcin de ser el cerebro, para comandar los diferentes elementos en el
automvil. Estos elementos reciben informacin de sensores y luego pueden calcular y elegir en
el mnimo de tiempo, la decisin ms conveniente.
Esquema del principio de mando de una unidad electrnica de control: Todo aquello que
deba controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse alternativas puede ser regulado con
gran facilidad por una unidad electrnica de control.
El procedimiento externo se muestra a continuacin:
Con el tiempo se pretende llegar a construir un automvil capaz de conseguir una centralizacin
total de las rdenes cursadas al automvil. Dentro del campo de la electrnica existen los
dispositivos para lograr estos fines sin mayores problemas.
La pregunta o inquietud que resalta es Cmo una mquina con dispositivos electrnicos puede
tomar decisiones?, la respuesta no es simple, sin embargo se puede hacer una analoga con el
pensamiento humano:

55
Electrnica aplicada
APUNTES VARIOS ( PRACTICOS)

1. Medicion de voltaje en sensor de temperatura (NTC)
-
En frio = 3 Volts ( al hacer funcionar y dejar un rato , baja a 2,2 o 1,8 volts)
Si la resitencia delsensor de t es muy alta, el computador manda un mayor ancho de pulso,
por lo tanto la mezcla que manda es muy rica y el motor se ahoga ( tira humo negro)
En simulacin: el motor parte cada vez mejor en la medida que se varia la resistencia y por
ende la temperatura del motor.
Sensor t ntc; Temperatura alta resistencia baja
R aprox 3000 ohms a 20C y si la t varia a 90C resistencia = 250 ohms
( mide t del agua del motor, llamado ECT)
Motor frio 4,8 v
Motor a 20C 12 v
El ventilador funciona aproximadamente en los 98,87 C

2. Sensor CKP ( si no entrega seal, el motor no parte), entrega un VCA, es un sensor
inductivo, su rango de medicion aprox 0,29 vca
medicion de resistencia en la bobina = 1,6 ohms.
3. medicion en sensor TPS (v)
motor detenido, con contacto, entonces debe medir 5v -5,8v- 0.4v
( 0,28( aleta cerrada) 0,45(aleta abierta)) = voltaje en Valenti ( ohms)
4. Inyectores
Multipunto, trabaja con 12 volts
Monopunto, trabaja con otro voltaje ( 1 inyector)
Entrada de combustible aprox a 45 psi
Resistencia de inyector aprox 15 ohms, caso de multipunto puede ser de 13,7 ohms
Si al medir el inyector , por ejemplo marca 5 v y deberia marcar 9 0 10 volts, entonces el
inyector debe tener baja resistencia o sea esta defectuoso
Nota:
Un motor puede tener el IAT y el MAP juntos o no, en el segundo caso, los tienen separado, o
sea el IAT en la tapa filtro de aire y el MAF adosado a la garganta.
MAF: puede tener un hilo de alambre caliente, mide la cantidad de aire que entra al motor (actua
por enfriamiento) t =70 C
En los motores bencineros, el inyector se mantiene un tiempo accionado.
Sistema DIS entrega dos chispas
Sistema tandem= 2 inyectores al mismo tiempo
Sistema mixto = 4 inyectores al mismo tiempo
5. Sonda de oxigeno:
Motor en circuito cerrado = significa que el sensor de oxigeno esta trabajando bien
Tipos:
4 cables dos son para alimentacin a calefactor ( 12 volts), otros 2 son del sensor
3 cables 1 tierra comun
2 cables entrada y salida del sensor
1 cable seal sensor y masa
56
Electrnica aplicada
El voltaje en el sensor de Oxigeno, oscila entre 1000 mv y 0 mv

1000 mv ( mezcla rica)
500 mv ( si se mantiene a este rango, el sensor esta defectuoso)
0 mv ( mezcla pobre)
(La seal que entrega el sensor de oxigeno oscila entre 0 y 1 volt) tiene un rango de 2000 mv
Si se comprueba que la mezcla es pobre entonces la manguera del MAP puede estar rota
MAP: seal del sensor de presion absolutadel multiple de admisin
ECU: unidad de control electronica o ECM
Factor de trabajo = (V. ancho de pulso) / (V.onda completa)
Ancho de pulso
Ejs Inyector
100 v
12 v
Inyector
cerradao
Inyector
abierto
0v
OBD1: monitoreo sensores

OBD2 : mem ram o cam ( encienden las luces de fallas)
IAC = valvula de control de aire en valenti ( se mide con motor RUN) , solo entrega aire para el
Valenti, o sea No entra aire por la toma principal.
IAT : sensor de t termocupla
MAP : sensor de presion
TPS : sensor de posicin de la mariposa
CKP : sensor de posicin del cigeal
ECT: t refrigerante del motor ) sensor t motor
CANISTER: Acumula gases del estanque y luego los aprovecha el motor
Claves de falla tipicas: DTC = codigo falla almacenada, FSS1= sensor de oxigeno
En anlisis, siempre medir tensin de positivo a tierra de batera

57

Elecronica Aplicada

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Electrnica aplicada

ELECTRNICA APLICADA 88 hrs.

Conceptos electrnicos (10 hrs.)

Fundamentos de Electrnica Integrada (10 hrs.)

Fundamentos de Electrnica Digital (10 hrs.)

Tipos de sensores y actuadores utilizados en control electrnico (10

Sistemas de Encendido Electrnicos (12 hrs.)

Sistemas de Inyeccin Electrnica (20 hrs.)

Aplicaciones Electrnicas (10 hrs.)

Unidad I Componentes Electrnicos

UNIDAD 1: COMPONENTES ELECTRNICOS

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

Un tomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones y su distribucin, observada en la

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

En todo instante lo que est sucediendo dentro de un cristal de silicio es:

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS (PURO)

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

Aumento del nmero de huecos:

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

En la figura el signo (+) encerrado en un circulo indica un in positivo, y el signo ()

Unidad I Componentes Electrnicos

Corriente de portadores minoritarios:

Unidad I Componentes Electrnicos

LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA:

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente.

Zona de Conduccin (a partir de los 0,6 [V] app.)

OC Corriente inversa de saturacin, a partir de C, zona de

El circuito de la figura puede montarse en el laboratorio y medir la tensin en el diodo y la

Unidad I Componentes Electrnicos

Unidad I Componentes Electrnicos

El valor del voltaje medio, es el valor de una tensin

Lo primero que hay que hacer es calcular el valor pico

Res istencia de carga

La tensin pico en la carga es

V p ( out ) 14,1V 0,7V

La tensin continua en la carga es:

Unidad I Componentes Electrnicos

Rectificador de onda completa:

Unidad I Componentes Electrnicos

El filtro de condensador en la entrada:

Unidad I Componentes Electrnicos

= Tensin de rizado pico a pico (V)

El diodo adems puede proteger de errores de polaridad.

Unidad I Componentes Electrnicos

La nica caracterstica de operacin del diodo Zener es que no conducir la corriente en

El diodo Zener es un elemento estabilizador de tensin, que para pequeos mrgenes de

Unidad I Componentes Electrnicos

Diodo LED (Emisor de luz):

Estos diodos consiguen una luz bastante viva,

Unidad I Componentes Electrnicos

Ejemplo: Determine el valor de la resistencia R del circuito que se muestra a continuacin.

Unidad I Componentes Electrnicos

El material P en el lado izquierdo es llamado emisor, el material tipo N en el centro es la

Unin Base Emisor