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Tecnologa de los Materiales

Instituto Tcnico Santo Toms

2014

Gabriel Fernndez Prez

1
Capitulo 1 - Introduccin

NDICE
CAPTULO 1 ........................................................................................................... 4
1.1

Introduccin ............................................................................................................. 4

1.2

Tipos de Materiales ................................................................................................. 5

1.2.1
1.2.2
1.2.3
1.2.4
1.2.5

Materiales Metlicos ......................................................................................... 5


Materiales Cermicos ....................................................................................... 7
Materiales Polmeros ........................................................................................ 7
Materiales compuestos ..................................................................................... 7
Semiconductores .............................................................................................. 8

CAPTULO 2 ........................................................................................................... 9
2.1

El tomo .................................................................................................................. 9

2.1.1 Estructura Atmica............................................................................................ 9


2.1.2 Definiciones .................................................................................................... 10
2.2 Estructura Electrnica del tomo .......................................................................... 15
2.2.1 Modelo atmico de la mecnica ondulatoria ................................................... 16
2.2.2 Configuracin electrnica de los elementos: .................................................. 21
2.3 Enlaces Atmicos .................................................................................................. 26
2.3.1 FUERZAS Y ENERGAS DE ENLACE ........................................................... 26
2.4 EL ENLACE INICO ............................................................................................. 30
2.4.1 Fuerzas y energas interinicas para un par de iones ................................... 32
2.4.2 NMERO DE COORDINACIN ..................................................................... 34
2.5 Enlace Covalente .................................................................................................. 36
2.5.1 Enlace covalente en algunas molculas diatmicas ....................................... 37
2.5.2 Enlace covalente en el carbono ...................................................................... 38
2.6 Enlace Metlico ..................................................................................................... 40
2.7

ENLACE SECUNDARIO O ENLACE DE VAN DER WAALS ................................ 41

2.7.1
2.7.2

Enlace dipolo inducido fluctuante.................................................................... 43


Enlace dipolo inducido-molcula polar. ........................................................... 43

2
Capitulo 1 - Introduccin

2.7.3
2.7.4

Enlace con dipolos permanentes .................................................................... 44


Materiales: clasificacin en funcin del tipo de enlace.................................... 45

CAPTULO 3

Estructura Cristalina ................................................................. 47

3.1

Cristalino y No cristalino (amorfo).......................................................................... 48

3.2

Sistemas Cristalinos Siete sistemas y catorce redes .......................................... 49

3.3

Estructuras metlicas ............................................................................................ 58

3.4

Polimorfismo Y Alotropa ....................................................................................... 62

3.5

Direcciones y planos Cristalogrficos ................................................................... 63

3.5.1 DIRECCIONES CRISTALOGRFICAS .......................................................... 64


3.5.2 Planos cristalogrficos .................................................................................... 68
3.6 Monocristales ........................................................................................................ 73
3.7

Materiales policristalinos ....................................................................................... 73

3.8

Anisotropa ............................................................................................................ 75

CAPTULO 4
4.1

Imperfecciones de los Solidos ................................................. 78

Defectos de Puntos ............................................................................................... 78

4.1.1 Vacancias: ...................................................................................................... 79


4.1.2 Defectos Intersticiales: .................................................................................... 82
4.1.3 Defectos Sustituciones ................................................................................... 82
4.1.4 Otros defectos Puntuales ................................................................................ 83
4.2 Dislocaciones ........................................................................................................ 84
4.2.1 Dislocacin de tornillo o helicoidal .................................................................. 85
4.2.2 Dislocacin de borde o de arista ..................................................................... 86
4.2.3 Dislocaciones Mixtas ...................................................................................... 87
4.2.4 Esfuerzos ........................................................................................................ 88
4.2.5 Movimiento de Dislocaciones.......................................................................... 88
4.2.6 Deslizamiento ................................................................................................. 90
4.2.7 La importancia de las Dislocaciones ............................................................... 93
4.3 Ley de Schmid ....................................................................................................... 95
4.4

Defectos Superficiales ........................................................................................... 96

3
Capitulo 1 - Introduccin

4.4.1 Superficie del Material .................................................................................... 96


4.4.2 Lmites de grano ............................................................................................. 97
4.4.3 Lmites de Grano de Angulo Pequeo ............................................................ 97
4.4.4 Fallas de Apilamientos .................................................................................... 98
4.4.5 Lmites de Macla ............................................................................................. 98
4.5 Importancia de los defectos ................................................................................... 99
4.5.1 Efecto sobre las propiedades mecnicas a travs del control del proceso de
deslizamiento ............................................................................................................. 99
4.5.2 Endurecimiento por Deformacin.................................................................. 100
4.5.3 Endurecimiento por solucin Slida .............................................................. 101
4.5.4 Endurecimiento por Tamao de Grano ......................................................... 101
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS ................................................................... 103

4
Capitulo 1 - Introduccin

CAPTULO 1
INTRODUCCIN
1.1 Introduccin
El hombre, los materiales y la ingeniera han evolucionado en el transcurso del
tiempo y continan hacindolo. El mundo actual es de cambios dinmicos y los materiales
no son la excepcin. A travs de la historia, el progreso ha dependido de las mejoras de
los materiales con los que se trabaja. El trabajo del hombre prehistrico estaba limitado a
los materiales disponibles en la naturaleza como la piedra, madera, huesos y pieles. Con
el transcurso del tiempo, pasaron de la Edad de Piedra a las nuevas edades de cobre
(bronce) y de hierro. Debe mencionarse que este adelanto no sucedi de manera uniforme
ni simultnea en todas partes De acuerdo con el diccionario, los materiales son
sustancias con las que algo est compuesto o hecho. Aunque esta definicin es amplia,
cubre casi todas las situaciones de las que trata este curso.
Callister en su texto menciona la siguiente pregunta con su respuesta:
Por qu se estudian los materiales?
Muchos cientficos tcnicos o ingenieros, sean mecnicos, civiles, qumicos o
elctricos, en alguna ocasin se encontrarn con un problema de diseo en el cual
intervengan materiales. Los ejemplos pueden ser: El engranaje de una transmisin, la
superestructura de un edificio, el componente de una refinera de petrleo o el chip de
un circuito integrado.
A menudo el problema que se presenta es la eleccin del material ms idneo de
entre los muchos miles de materiales disponibles. Existen varios criterios en los cuales se
basa normalmente la decisin final. En primer lugar, deben caracterizarse las condiciones
en que el material prestar servicio, y se anotarn las propiedades requeridas por el
material para dicho servicio. En raras ocasiones un material rene una combinacin ideal
de propiedades, por lo que, muchas veces, habr que reducir una en beneficio de otra. El
ejemplo clsico lo constituyen la resistencia y la ductilidad (trminos tratados en clase);
generalmente, un material con alta resistencia tiene ductilidad limitada. En estas

5
Capitulo 1 - Introduccin

circunstancias habr que establecer un compromiso razonable entre dos o ms


propiedades.
La segunda consideracin se refiere a la degradacin que el material experimenta
en servicio. Ejemplo: Las elevadas temperaturas y los ambientes corrosivos disminuyen
considerablemente la resistencia mecnica.
Finalmente, la consideracin ms convincente es probablemente la econmica.
Cul es el costo del producto acabado? Un material puede que rena un conjunto idneo
de propiedades pero resulte caro. De nuevo se establece un inevitable compromiso. El
costo de la pieza acabada tambin incluye los gastos de los procedimientos de
conformacin para conseguir la forma final.
Cuanto ms familiarizados estn los ingenieros o los cientficos con las diferentes
caractersticas y relaciones propiedad-estructura de los materiales, as como con las
tcnicas de su procesado, mayor ser su habilidad y confianza para hacer elecciones
sensatas basadas en estos criterios.

1.2 Tipos de Materiales


Por comodidad, la mayora de los materiales utilizados en ingeniera se dividen en
tres grupos principales: materiales metlicos, polimricos y cermicos. En este captulo se
distinguir entre ellos con base en algunas de sus propiedades mecnicas, elctricas y
fsicas ms importantes. En captulos posteriores se estudiarn las diferencias en cuanto a
estructura interna entre estos tipos de materiales. Adems de estos tres grupos de
materiales, se tomarn en cuenta dos tipos ms, los materiales compuestos y los
materiales electrnicos, dada su gran importancia en la ingeniera.
1.2.1

Materiales Metlicos

Normalmente los materiales metlicos son combinaciones de elementos


metlicos. Tienen gran nmero de electrones deslocalizados, que no pertenecen a ningn
tomo en concreto. La mayora de las propiedades de los metales se atribuyen a estos
electrones. Los metales conducen perfecta mente el calor y la electricidad y son opacos a
la luz visible; la superficie metlica pulida tiene apariencia lustrosa. Adems, los metales
son resistentes, aunque deformables, lo que contribuye a su utilizacin en aplicaciones
estructurales.

6
Capitulo 1 - Introduccin

Adems los Materiales metlicos suelen tener dos sub-clasificaciones, esta son
Materiales metlicos Ferrosos (incluimos las aleaciones de este tipo) y materiales
metlicos no Ferrosas (igual que el caso anterior incluimos las aleaciones de este tipo)
A. Metales No Ferrosos: Fundamentalmente se usan aleaciones, que son
combinaciones de un metal base o matriz, que tienen en solucin slida
elementos de aleacin metlicos o no metlicos. Las ms comunes suelen
ser las siguientes:
A1) Aleaciones de cobre: Utilizadas en aplicaciones en que se requiere una moderada
resistencia a la corrosin. Por ejemplo:
- Latones
: Cu + Zn
- Bronces

: Cu + Sn

- Cupronqueles: Cu + Ni
A2) Aleaciones de aluminio: Utilizadas en aplicaciones en las que se requiere poco peso y
una moderada resistencia a la corrosin. Por ejemplo:
Al + Mg
Al + Si
Al + Cu (duraluminios): usadas ampliamente en la fabricacin de fuselajes y
estructuras de aviones.
A3) Aleaciones de Nquel: Usadas principalmente en aplicaciones en las que se requiere
de alta resistencia a la corrosin y/o a temperaturas elevadas. Ej.: Hastelloy.
B. Aleaciones Ferrosas: Fundamentalmente son aleaciones de hierro y
carbono, conteniendo, adems, alrededor de 1% de Mn.
B1) Fundiciones de Fe: Conocidas tambin como hierros fundidos, se usan ampliamente
en la Minera en tapas de molinos, corazas de chancadores, y una gran cantidad de
componentes. Tienen del orden de 4% de C, Mn, Si y otros elementos de aleacin en
menores cantidades. La mayora son extremadamente frgiles.
B2) Aceros: El metal base es el hierro, conteniendo hasta 2% de carbono, alrededor de
1% de Mn y otros elementos de aleacin tales como Cr, Ni, Mo, Ti, V, etc.

7
Capitulo 1 - Introduccin

Aceros de bajo carbono: Tienen hasta 0,25 % de C. Se usan ampliamente en la


fabricacin de estructuras metlicas, razn por la cual se les conoce tambin como aceros
estructurales. Ejemplos tpicos de estas aleaciones son los aceros A 37 24, A 42 27 y
A 52 34, producidos en Chile por CAP.

Aceros de medio carbono: Tienen entre 0,35 y 0,55 % de C. Se usan en la


fabricacin de componentes de mquinas, tales como pernos, ejes, engranajes, etc.

Aceros de alto carbono: Tienen ms de 0,6 % de carbono y, eventualmente, hasta 2


% de C. Se usan principalmente en la fabricacin de herramientas de corte.
1.2.2

Materiales Cermicos

Los compuestos qumicos constituidos por metales y no metales (xidos, nitruros y


carburos) pertenecen al grupo de las cermicas, que incluye minerales de arcilla, cemento
y vidrio. Por lo general se trata de materiales que son aislantes elctricos y trmicos y que
a elevada temperatura y en ambientes agresivos son ms resistentes que los metales y
los polmeros. Desde el punto de vista mecnico, las cermicas son duras y muy frgiles.
1.2.3

Materiales Polmeros

La mayora de los materiales polimricos constan de largas cadenas o redes


moleculares que frecuentemente se basan en compuestos orgnicos (precursores que
contienen carbono). La resistencia y ductilidad de los materiales polimricos vara
considerablemente. Dada la naturaleza de su estructura interna, la mayora de los
materiales polimricos son malos conductores de electricidad. Algunos de estos materiales
son buenos aislantes y se emplean como aislantes Una de las aplicaciones ms recientes
de materiales polimricos ha sido en la fabricacin de discos de video digitales (DVD) En
general, los materiales polimricos tienen bajas densidades y temperaturas de
ablandamiento o de descomposicin relativamente bajas.
1.2.4

Materiales compuestos

Se han diseado materiales compuestos formados por ms de un tipo de


materiales. La fibra de vidrio, que es vidrio en forma filamentosa embebido dentro de un
material polimrico, es un ejemplo familiar. Los materiales compuestos estn diseados
para alcanzar la mejor combinacin de las caractersticas de cada componente. La fibra de

8
Capitulo 1 - Introduccin

vidrio es mecnicamente resistente debido al vidrio, y flexible debido al polmero. La


mayora de los materiales desarrollados ltimamente son materiales compuestos.
1.2.5

Semiconductores

Los semiconductores tienen propiedades elctricas intermedias entre los


conductores y los aislantes elctricos. Las caractersticas elctricas de los
semiconductores son extremadamente sensibles a la presencia de diminutas
concentraciones de tomos de impurezas. Estas concentraciones se deben controlar en
regiones espaciales muy pequeas. Los semiconductores posibilitan la fabricacin de los
circuitos integrados que han revolucionado, en las ltimas dcadas, las industrias
electrnicas y de ordenadores.

9
Captulo 2

CAPTULO 2
Algunas de las propiedades ms importantes de los materiales slidos dependen
de disposicin geomtrica de los tomos y de las interacciones que existen entre los
tomos y las molculas constituyentes.
En este captulo se considerarn conceptos fundamentales tales como:

Estructura atmica

Configuracin electrnica en tomos

Tabla peridica

Tipos de enlaces primarios y secundarios que mantienen unidos a los tomos que
forman los slidos.

2.1 El tomo
2.1.1

Estructura Atmica

Los tomos constan principalmente de tres partculas subatmicas: protones,


neutrones y electrones. El actual modelo simple de un tomo considera un ncleo muy
pequeo de aproximadamente 10-14 metros (m) de dimetro, rodeado por una nube de
electrones relativamente poco dispersa y de densidad variable, de tal forma que el
dimetro del tomo es del orden de 10-10 m.

Figura 2.1 El tomo y sus partes.

El ncleo constituye casi toda la masa del tomo y contiene protones y neutrones.
Un protn tiene una masa de 1.673 10-24 gramos (g) y una carga unitaria de

10
Captulo 2

+1.60210-19 culombios (C). El neutrn es ligeramente ms pesado que el protn y tiene


una masa de 1.675 10-24 gramos (g), pero no tiene carga.
El electrn tiene una masa relativamente pequea de 9.109 1028 g (1/1836
veces la del protn) y una carga unitaria de 1.602 1019 C
Tabla 2.1 Masa y carga del Protn, Neutrn y Electrn

Se debe tener en cuenta que los electrones, en especial los ms externos,


determinan la mayora de las propiedades elctricas, mecnicas, qumicas y trmicas de
los tomos y, por consiguiente, es importante un conocimiento bsico de la estructura
atmica para el estudio de los materiales de ingeniera.
2.1.2

Definiciones

Numero Atmico (Z): El nmero atmico de un tomo indica el nmero de


protones (partculas cargadas positivamente) que estn en su ncleo y en
un tomo neutro, el nmero atmico es tambin igual al nmero de
electrones de su nube de carga. Cada elemento tiene su propio nmero
atmico caracterstico y, de este modo, el nmero atmico define al
elemento. Los nmeros atmicos se ubican encima de los smbolos
atmicos de los elementos en la tabla peridica. Ej.: Cr (cromo ) Z=24

Masa Atmica (A): La masa atmica (A) de un tomo especfico se puede


expresar como la suma de las masas de los protones y los neutrones del
ncleo. Aunque el nmero de protones es igual en todos los tomos de un
mismo elemento, el nmero de neutrones puede variar. As, los tomos de
un mismo elemento que tienen dos o ms masas atmicas se denominan
istopos.
Peso Atmico: El peso atmico corresponde al peso promedio ponderado
de las masas atmicas de los istopos, de acuerdo a la abundancia relativa
de cada istopo en la naturaleza.

11
Captulo 2

Para calcular el peso atmico se utiliza el concepto de unidad de masa


atmica (uma). Se ha establecido una escala, donde 1 uma se define como
1/12 de la masa atmica del istopo ms corriente y abundante del
carbono, el carbono 12 (12C) (A = 12,00000). De acuerdo con esta escala
las masas del protn y del neutrn son algo mayores que la unidad, y
+
Mol: La masa atmica relativa de un elemento es la masa en gramos de
6.023 1023 tomos (nmero de Avogadro NA) de ese elemento. Un molgramo de un elemento se define como el nmero en gramos de ese
elemento igual al nmero que expresa su masa atmica relativa molar. As,
por ejemplo, 1 mol-gramo de aluminio tiene una masa de 26.98 g y contiene
6.023 1023 tomos.

1
=1
( )

*Se debe tener en cuenta que esta definicin es bsica, pero de utilidad para este curso.

Ejemplos
Ejemplo 1:
A. Cul es la masa en gramos de un tomo de Cobre?
B. Cuantos tomos de cobre hay en 1 gramo de cobre?
Respuesta A:
De la tabla peridica tenemos que la masa atmica del cobre es 63,54 g/mol. Dado que en
63,54 g e cobre hay 6,02 E 23 tomos, el nmero de gramos de cobre es:
=

Utilizando la regla de 3 simples tenemos:

=
6,02 1023 /
1
63,54

Despejando y resolviendo:
=

63,54

6,021023 /

1 = 1,05 1022 Gramos de cobre

12
Captulo 2

Respuesta B
Procediendo en forma similar, tenemos que el nmero de tomos de cobre en 1 gramo de
cobre es:

Utilizando la definicin del NA

6,02 1023 /
=

1
63,54

Resolviendo

Ejemplo 2

6,02 1023 /

63,54

1gramo de Cu = 9,47 1021 tomos de Cu

A. Cul es la masa en gramos de un tomo de oro?


B. Cuntos tomos hay en un gramo de oro?
Respuesta A:
Nuestra variable es:

Y procediendo de igual forma que en ejemplo 1 tenemos:

=
23
6,02 10 /
1
196,96655

Respuesta B:

196,96655

6,02 1023 /

En este caso la variable es:

1 = 3,272 1022 Gramos de oro

Utilizando la definicin de NA tenemos:

6,02 1023 /
196,96655

13
Captulo 2

Por lo que X es: =


Ejemplo 3:

6,021023 /
196,96655

1gramo de Au = 3,056 1021 tomos de Au

El revestimiento (capa exterior) de la moneda de 50 pesos est formado por una aleacin2
de 75% en peso de cobre y 25% en peso de nquel. Cules son los porcentajes atmicos
de Cu y Ni que contiene este material?
Respuesta:
En este caso tomamos como base 100 g de la aleacin de 75% en peso de Cu y 25% en
peso de Ni, tiene 75 g de Cu y 25 g de Ni.
1ro calculamos el nmero de tomos en 75 gramos de cobre:
=

75

6.02 10
63,54

23

= 7.1 1023

2do calculamos el nmero de tomos en 25 gramos de nquel:


=

25

6.02 10
58,69

3ro Calculamos el nmero de tomos totales es:

23

= 2.56 1023

= 7.1 1023 + 2.56 1023 = 9.66 1023

Por tanto, los porcentajes atmicos de Cu y Ni son:


% atmico de Cu=
% atmico de Ni=

7.11023

9.661023

2.561023
9.661023

(100%) = 73,5%

(100%) = 26,5 %

Este mismo ejemplo fue desarrollado en clases de una forma ms breve.


Ejemplo 4:
Una soldadura contiene 52% en peso de estao y 48% en peso de plomo. Cules son los
porcentajes atmicos de estao y plomo en la soldadura?

14
Captulo 2

Al igual que el ejemplo 3 tomamos como base 100 g de la soldadura que contiene 52% en
peso de estao y 48% en peso de plomo, tiene 52 g de Sn y 42 g de Pb.:
1ro calculamos el nmero de tomos en 52 gramos de estao:
=

52

6.02 10
118.71

23

= 2.63 1023

2do calculamos el nmero de tomos en 48 gramos de plomo:


=

48

6.02 10
207.2

3ro Calculamos el nmero de tomos totales es:

23

= 1.39 1023

= 2.63 1023 + 1.39 1023 = 4.02 1023

Por tanto, los porcentajes atmicos de Sn y Pb son:


% atmico de Sn=
% atmico de Pb=
Ejemplo 5:

2.631023

4.021023

1.391023

4.021023

(100%) = 65,42%

(100%) = 34.58 %

Un alambre de oro tiene 0.70 mm de dimetro y 8.0 cm de largo. Cuntos tomos


contiene? La densidad del oro es 19.3 g/cm3.
Primero, calculamos el volumen del alambre, esto lo realizamos con la frmula del
volumen del Cilindro, que es igual al rea del circulo por su altura
(0.07)2
2
=
= 3.14
8 = 0.0303
4
4

Ahora utilizando la densidad (que es la masa dividido en el volumen) del material,


calculamos el peso en gramos total del alambre
=

= = (0.0303 ) 19.3
= 0.59

15
Captulo 2

Al igual que en ejemplos anteriores calculamos la cantidad de tomos en 0.59 gramos de


Au
6,02 1023 /
=
0.59gramos de Au = 1.81 1021

196,96655

2.2 Estructura Electrnica del tomo

A finales del siglo XIX se constat que muchos fenmenos que implicaban
electrones en los slidos no se podan explicar en trminos de la mecnica clsica. Por
este motivo, para explicar el comportamiento de entidades atmicas y subatmicas, se
estableci un conjunto de principios y leyes conocido como mecnica cuntica. La
comprensin del comportamiento de los electrones en tomos y slidos cristalinos implica
necesariamente la discusin de conceptos de la mecnica cuntica. Sin embargo este
para este curso los detalles de la mecnica cuntica escapan a los objetivos, por lo cual se
detalla en forma simplificada algunos conceptos necesarios y tiles.
Una primera consecuencia de la mecnica cuntica fue el modelo atmico de Bohr
simplificado, donde se supone que los electrones giran alrededor del ncleo atmico en
orbitales discretos, y la posicin de un electrn particular se define, con mayor o menor
precisin, en trminos de su orbital, tal como se muestra en la figura 2.2.

Figura 2.2.- Modelo de Bohr Simplificado

Otro importante principio de la mecnica cuntica estipula que las energas de los
electrones estn cuantizadas; es decir, los electrones slo pueden tener valores
especficos de energa. Un electrn puede cambiar de energa, pero al hacerlo deber

16
Captulo 2

realizar un salto cuntico a valores de energa permitidos, superiores (con absorcin de


energa), inferiores (con emisin de energa). Suele ser conveniente pensar que estas
energas permitidas al electrn estn asociadas con niveles o estados energticos. Estos
estados no varan continuamente con la energa, sino que los estados contiguos estn
separados por valores finitos de energa. De esta forma el modelo atmico de Bohr fue el
primer intento en describir los electrones de un tomo en trminos de su posicin. Se deja
al Estudiante investigar los modelos atmicos anteriores al aqu descrito, modelos de
(Dalton, Thomson, Rutherford).
2.2.1

Modelo atmico de la mecnica ondulatoria

El modelo atmico de Bohr presentaba algunas limitaciones significativas a causa


de su incapacidad para explicar varios fenmenos relacionados con los electrones. La
solucin a estas deficiencias apareci con el desarrollo de la mecnica ondulatoria (una
subdivisin de la mecnica cuntica) y un modelo ms adecuado del tomo. En el modelo
de la mecnica ondulatoria, se considera que el electrn presenta la dualidad ondacorpsculo, y el movimiento de un electrn se describe mediante los principios
matemticos que rigen el movimiento de las ondas.
Una consecuencia importante de la mecnica ondulatoria es que los electrones no
son tratados como partculas que se mueven en orbitales discretos, sino que la posicin
de un electrn se considera como la probabilidad de encontrarlo en una zona alrededor del
ncleo. En otras palabras, la posicin se describe como una distribucin de probabilidades
o nube electrnica. La Figura 2.3 compara el modelo de Bohr con el de la mecnica
ondulatoria referido al tomo de hidrgeno. Ambos modelos son suficientes para explicar
los conceptos de este curso.

17
Captulo 2

Figura 2.3.- Comparacin de los Modelos atmicos (a) segn Bohr (b) Mecanica Ondulatoria, en funcin de la
distribucin electrnica

Nmeros cunticos
Empleando la mecnica ondulatoria, cada electrn de un tomo se caracteriza por
cuatro parmetros, llamados nmeros cunticos.
El tamao, la forma y la orientacin espacial de la densidad de probabilidades de
un electrn estn determinados por tres de estos nmeros cunticos.
Adems, los nmeros cunticos separan los niveles energticos de Bohr en subniveles e indican el nmero de estados de cada subnivel.

18
Captulo 2

Figura 2.4.- Figura del tomo y sus niveles de energa, en donde se indican la cantidad de electrones que
soporta cada nivel.

Los niveles estn determinados por:


El nmero cuntico principal n: El nmero cuntico principal n corresponde a la
n de la ecuacin de Bohr. Representa los niveles energticos principales del electrn o las
rbitas. Cuanto mayor sea el valor de n, mayor ser la energa electrnica y la posibilidad
de que el electrn est ms alejado del ncleo. Los valores de n son nmeros enteros
positivos y varan entre 1 y 7 y se designan con las letras K,L, M, N , O, P y Q
respectivamente..

Figura 2.5.- Niveles de energa del tomo, donde se muestra el nmero cuntico principal

19
Captulo 2

El segundo nmero cuntico es el cuntico secundario l (nmero cuntico


azimutal).: Este nmero cuntico especifica los subniveles de energa dentro de los
niveles energticos principales (suborbital) donde la probabilidad de encontrar un electrn
es alta si ese nivel energtico est ocupado. Los nmeros y letras se emplean para
denominar los subniveles energticos l se presentan en la tabla 2.2, junto con los
electrones que soporta cada subnivel:
Tabla 2.2.- 2 Nmero cuntico y electrones que soporta cada subnivel

Nmero de

l=

l=

10

14

denominacin
Letra de denominacin

Cantidad mxima de
electrones

La tabla 2.3 muestra en forma resumida los niveles de energa (primer nmero
cuntico), el subnivel (segundo nmero cuntico) y el nmero de estados (tercer nmero
cuntico), adems de presentar el nmero de electrones mximo permitido por niveles y
subniveles.

Figura 2.6.- Nmero permitido de electrones en algunos niveles y subniveles electrnicos

20
Captulo 2

Tercer nmero cuntico ml El nmero de estados energticos para cada


subnivel est determinado por l. Para un subnivel s slo existe un estado energtico
mientras que para los subniveles p, d y f existen, respectivamente, tres, cinco y siete
estados (Tabla 2.2). En ausencia de un campo magntico exterior, los estados dentro
de cada subnivel son idnticos. Sin embargo, al aplicar un campo magntico los estados
de estos subniveles adquieren valores energticos algo diferentes.
Nmero cuntico de Giro ms: El cuarto nmero cuntico, el de spin ms, expresa
las dos direcciones de giro permitidas para el giro del electrn en torno a su propio eje.
Las direcciones son en el sentido de las manecillas del reloj y en sentido contrario y sus
valores permitidos son + y . El nmero cuntico de spin tiene un efecto menor en la
energa del electrn. Debe sealarse que dos electrones pueden ocupar el mismo orbital
y, si ocurre eso, deben tener los spines (giros) opuestos.
La figura 2.7 muestra los nmeros cunticos de los once primeros electrones.

Figura 2.7.-Ejemplo de los nmeros cunticos de los primeros once electrones.

21
Captulo 2

De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli, de la teora atmica, dos


electrones no pueden tener los cuatro nmeros cunticos iguales.
2.2.2

Configuracin electrnica de los elementos:

La configuracin electrnica de un tomo representa la distribucin de los


electrones en sus orbitales. Las configuraciones electrnicas estn escritas en una
notacin convencional que enumera en primer lugar al del nmero cuntico principal,
seguido de una letra que indica el orbital s, p, d o f. Una cifra escrita sobre la letra del
orbital indica el nmero de electrones que contiene. La regla en que se ocupan los niveles
y subniveles electrnicos se presenta en el esquema de la figura 2.8, mientras que la tabla
2.3 muestra las configuraciones electrnicas de 109 elementos qumicos.

Figura 2.8.-Regla en que los electrones ocupan los niveles y subniveles de energa

22
Captulo 2

Tabla 2.3.- Configuracin Electrnica de los elementos qumicos

Conviene hacer algunas consideraciones sobre las configuraciones electrnicas.


Primero, los electrones de valencia ocupan los niveles ms externos. Estos electrones
son extraordinariamente importantes, puesto que participan en el enlace entre tomos de
los agregados atmicos y moleculares. Adems, muchas de las propiedades fsicas y
qumicas de los slidos tienen su explicacin en los electrones de valencia.
Algunos tomos que tienen la denominada configuracin electrnica estable
presentan los estados de los niveles ms externos o de los electrones de valencia
completamente llenos. Normalmente, esto corresponde a la ocupacin de los estados s y
p de los niveles ms externos por ocho electrones, como en el nen, argn y criptn; el
helio es una excepcin ya que slo con tiene dos electrones (1s). Estos elementos (Ne,
Ar, Kr y He) son gases inertes o nobles, potencialmente no reactivos.

23
Captulo 2

Algunos tomos de los elementos que tienen niveles de valencia no llenos


adquieren la configuracin electrnica estable ionizndose, ganando o perdiendo
electrones o compartiendo electrones con otros tomos. Este es el fundamento de algunas
reacciones qumicas y del enlace atmico de los slidos.
Todos los elementos han sido clasificados en la tabla peridica (Figura 2.9) de
acuerdo con la configuracin electrnica. En dicha tabla, los elementos se sitan, segn
una disposicin de nmeros atmicos crecientes, en siete hileras horizontales
denominadas perodos.
La disposicin es tal que todos los elementos que coinciden en una columna o
grupo tienen estructuras electrnicas de valencia similares, as como propiedades fsicas y
qumicas tambin similares.
Estas propiedades varan gradual
longitudinalmente a travs de cada perodo.

sistemticamente,

desplazndose

24
Captulo 2

25
Captulo 2

Figura 2.9. La Tabla peridica de los elementos. El peso atmico es del istopo
ms estable.
Los elementos colocados en el Grupo 0, el grupo ms a la derecha, son los gases
inertes, que tienen los niveles llenos de electrones y por lo tanto poseen una
configuracin electrnica estable.
A los elementos del Grupo VIIA y VIA les faltan uno y dos electrones en la capa
de valencia, respectivamente, para tener estructuras electrnicas estables.
Los elementos del Grupo VIl A (F, CI, Br, I y At) se denominan halgenos.
Los metales alcalinos y alcalinos trreos (Li, Na, K, Be, Mg. Ca. etc.) estn
clasificados como Grupo IA y IIA y tienen, respectivamente, uno y dos electrones en
exceso, respecto de las estructuras estables.
Los elementos de los tres perodos largos, Grupos IIIB a lIB, se denominan
metales de transicin y tienen los estados electrnicos d parcialmente llenos y, en algunos
casos, uno o dos electrones en el nivel energtico superior.
Los Grupos lIlA, IVA y VA (B. Si, Ge, As. etc.) Presentan, en virtud de la
estructura de electrones de valencia, caractersticas intermedias entre metales y no
metales.
Al observar la tabla peridica se aprecia que la mayora de los elementos se
clasifican como metales. Estos elementos se denominan electropositivos, porque pueden
perder electrones y cargarse positivamente, ionizndose. Los elementos situados a la
derecha de la tabla son electronegativos, ya que pueden aceptar fcilmente electrones y
cargarse negativamente, ionizndose, o, a veces, pueden compartir electrones con otros
tomos.
La Figura 2.10 muestra los valores de electronegatividades asignados a los
elementos ordenados en la tabla peridica. Generalmente la electronegatividad aumenta
de izquierda a derecha y de abajo a arriba.

26
Captulo 2

Figura 2.9.- Electronegatividad de los elementos qumicos

2.3 Enlaces Atmicos


El enlace qumico entre tomos ocurre debido a la disminucin neta de la energa
potencial de los tomos en estado enlazado. Esto significa que los tomos en estado
enlazado estn en condiciones energticas ms estables que cuando estn libres. En
general, los enlaces qumicos entre los tomos pueden dividirse en dos grupos: primarios
(enlaces fuertes) y secundarios (enlaces dbiles).
Antes de definir los tipos de enlaces definiremos algunos conceptos como lo son
fuerza y energa de enlace.

2.3.1

FUERZAS Y ENERGAS DE ENLACE

La comprensin de muchas propiedades fsicas de los materiales se basa en el


conocimiento de las fuerzas interatmicas que enlazan los tomos. Los principios del
enlace atmico se pueden ilustrar mejor considerando la interaccin entre dos tomos
aislados que se van aproximando desde una distancia de separacin infinita. A grandes
distancias, las interacciones son despreciables, pero al aproximarse, cada tomo ejerce

27
Captulo 2

fuerzas sobre el otro. Estas fuerzas son de dos tipos, atractivas y repulsivas; la magnitud
de cada una de estas fuerzas vara en funcin de la separacin o distancia interatmica. El
origen de la fuerza atractiva FA depende de! tipo de enlace particular que existe entre los
dos tomos. Esta magnitud, como se esquematiza en la Figura 210 a, vara con la
distancia interatmica. Finalmente, los niveles ms externos de los tomos empiezan a
solaparse y aparece una fuerza repulsiva Fr elevada. La fuerza resultante FN entre los dos
tomos es la suma de los componentes repulsivo y atractivo:
= +

que tambin es una funcin de la separacin interatmica, como se representa en la


Figura 2.10. Cuando los componentes de ambas fuerzas son iguales, la resultante es nula
FA + FR = 0 (2.3)
Entonces se alcanza el equilibrio. Los centros de los dos tomos permanecern
separados por la distancia de equilibrio r como indica la figura 2.10 a. Para muchos
tomos, r es aproximadamente 0,3 nm (3 ). Una vez que alcanzan esta posicin, los
tomos contrarrestarn cualquier intento de alejarse o aproximarse mediante fuerzas de
atraccin o repulsin, respectivamente.
A veces es ms conveniente trabajar con las energas potenciales entre dos
tomos en vez de hacerlo con fuerzas. Matemticamente, la energa (E) y la fuerza (F) se
relacionan de la siguiente forma:
=

En sistemas atmicos

= +

EN= EA+ER

donde EN, EA y FR son las energas resultante, atractiva y repulsiva para dos
tomos vecinos aislados.

28
Captulo 2

Figura 2.10.- a) Dependencia de las fuerzas repulsiva, atractiva y resultante con la distancia
resultante entre dos tomos aislados. b) Dependencia de las energas repulsiva, atractiva y potencial
resultante con la distancia interatmica entre dos tomos aislados

La Figura 2.10 b representa las energas potenciales atractiva, repulsiva y


resultante en funcin de la separacin interatmica para dos tomos. La grfica de la
resultante, que de nuevo es la suma de las otras dos, presenta un mnimo de energa
potencial. En este caso la distancia de equilibrio, r0, corresponde a la distancia entre
tomos en que la grfica de la energa potencial es mnima. La energa de enlace de estos

29
Captulo 2

dos tomos, E0. Corresponde a la energa en este punto mnimo y representa la energa
necesaria para separar estos dos tomos una distancia infinita.
El tratamiento anterior corresponde a una situacin ideal referida slo a dos
tomos, pero en los materiales ocurren condiciones similares aunque ms complejas,
puesto que deben considerarse interacciones con muchos tomos que originan fuerzas y
energas. No obstante, una energa de enlace, anloga a la anterior E0, puede asociarse a
cada tomo. La magnitud de esta energa de enlace y la forma de la grfica de la energa
frente a la separacin interatmica varan de un material a otro, y ambas variables
dependen del tipo de enlace atmico. Las substancias slidas se caracterizan por poseer
valores elevados de energa de enlace, mientras que en el estado gaseoso estos valores
son bajos; en el estado lquido las energas de enlace tienen valores intermedios.
Generalmente la temperatura de fusin y las propiedades cohesivas reflejan la magnitud
de la energa de enlace de los materiales slidos.
En los slidos existen tres tipos de enlace qumico o primario: inico, covalente y
metlico. En todos ellos, el enlace implica a los electrones de valencia; por otra parte, la
naturaleza del enlace depende de la estructura electrnica de los tomos constituyentes.
Cada uno de estos tres tipos de enlace surge de la tendencia de los tomos a adquirir la
configuracin electrnica estable, correspondiente al gas inerte, llenando completamente
de electrones el nivel energtico ms externo, tambin llamado nivel de valencia.
En muchos materiales slidos existen energas y fuerzas fsicas o secundarias,
que son ms dbiles que las primarias, pero que no influyen en las propiedades fsicas de
algunos materiales.
En si los enlaces atmicos primarios, en los cuales intervienen grandes fuerzas
interatmicas, pueden subdividirse en las tres clases siguientes:
1. Enlaces inicos. En este tipo de enlace intervienen fuerzas interatmicas
relativamente grandes debidas a la transferencia de un electrn de un tomo a otro
producindose iones que se mantienen unidos por fuerzas culombianas (atraccin de
iones cargados positiva y negativamente). El enlace inico es un enlace no direccional
relativamente fuerte.
2. Enlaces covalentes. Corresponden a fuerzas interatmicas relativamente
grandes creadas cuando se comparten electrones para formar un enlace con una
direccin localizada.

30
Captulo 2

3. Enlaces metlicos. Implican fuerzas interatmicas relativamente grandes


creadas cuando se comparten electrones en forma deslocalizada para formar un enlace
fuerte no direccional entre los tomos.
Mientras que los enlaces atmicos secundarios (o DE VAN DER WAALS) y moleculares
son:
1. Enlaces de dipolo permanente. Corresponden a enlaces intermoleculares
relativamente dbiles que se forman entre molculas que tienen dipolos permanentes. El
dipolo en una molcula existe debido a la asimetra en la distribucin de su densidad
electrnica.
2. Enlaces dipolares variables. Entre los tomos puede formarse un enlace dipolar
muy dbil debido a la distribucin asimtrica de las densidades electrnicas alrededor de
sus ncleos. A este tipo de enlaces se les llama variables debido a que la densidad
electrnica continuamente cambia con el tiempo.

2.4 EL ENLACE INICO


El enlace inico es el resultado de una transferencia de electrones desde un
tomo a otro. En la Figura 2.11 se muestra un enlace inico entre el sodio y el cloro. La
transferencia de un electrn desde el sodio se ve favorecida por el hecho de producir una
configuracin electrnica ms estable; es decir, que la especie Na+ resultante tiene
completamente llena su capa orbital ms externa, definindose la capa orbital como un
conjunto de electrones en un orbital dado. De forma anloga, el cloro acepta con facilidad
ese electrn, produciendo una especie estable, el Cl- , que tambin tiene completa su capa
ms externa. Las especies con una carga elctrica (Na+ y Cl- ) se denominan iones, razn
por la que este enlace se conoce como enlace inico. El ion positivo (Na+) se llama catin,
y el ion negativo (Cl- ) se denomina anin tal como se mencion en la seccin de la tabla
peridica.

31
Captulo 2

Figura 2.11.- Esquema del enlace Inico del NaCl

Figura 2.12.-Representacin esquemtica del enlace inico en el cloruro sdico (NaCl).

Es importante destacar que el enlace inico es no direccional y siempre existe en


compuestos formados por elementos metlicos y no metlicos. Un catin Na+ cargado
positivamente atrae por igual en todas las direcciones a cualquier anin Cl- adyacente. En
la Figura 2.13a est representado cmo se agrupan los iones Na+ y Cl- en el cloruro de
sodio slido (sal gema).

Figura 2.13.- (a) Empaquetamiento regular de Iones de Na+ y Cl- en el NaCl slido. En la Figura es indicada
la naturaleza no direccional del enlace Ionico

32
Captulo 2

un excelente ejemplo de un material constituido por enlaces inicos, y que los


iones N a+ y C l- se van disponiendo apilados entre s de forma sistemtica para
maximizar el nmero de iones de carga contraria que rodean a uno dado. En el NaCl, hay
seis Na+ rodeando a cada Cl- , as como seis Cl- rodeando a cada Na+.
2.4.1

Fuerzas y energas interinicas para un par de iones

Considere un par de iones con carga opuesta (por ejemplo, un par inico Na+ Cl)
que se aproximan entre s desde una gran distancia con separacin a. A medida que los
iones se acercan, sern atrados entre s por fuerzas culombianas. Esto significa que el
ncleo de un ion atraer la carga de la nube electrnica del otro y viceversa. Cuando los
iones se aproximen an ms, a la larga, sus dos nubes electrnicas interaccionarn y
aparecern fuerzas de repulsin. Cuando las fuerzas atractivas igualen a las fuerzas de
repulsin, no habr fuerza neta entre los iones y stos permanecern a una distancia de
equilibrio, la distancia interinica a0.

Con

= +
1 2 2
=
40 0 2

donde : Z1 , Z2 = Nmero de electrones cedidos o aceptados por los tomos durante la


formacin
e = Carga del electrn
a = Distancia de separacin interinica
0 = Permitividad en el vaco = 8.85 10-12 C2/ ( N m )
=

0 +1

donde a es la distancia de separacin interinica y b y n son constantes; n vara


generalmente desde 7 a 9 y es 9 para el NaCl.
La fuerza neta es

33
Captulo 2

Y la energa neta es

1 2 2

+ +1
2
0
40 0

1 2 2

+
1
40 0
0

Figura 2.14.-Representacion de la fuerza neta de enlace para NaCl con una distancia de enlace de equilibrio
de a0=0.28nm

34
Captulo 2

Figura 2.15.- Comparacin de las Curvas de Fuerza y Energa de enlaces para el NaCl

2.4.2

NMERO DE COORDINACIN

Ya se ha introducido anteriormente en esta seccin la naturaleza no direccional


del enlace inico. En la Figura 2.13 se halla representada la estructura del NaCl, con seis
Na+ rodeando a cada Cl-, y viceversa. El nmero de coordinacin (NC) es el nmero de
iones (o tomos) adyacentes que rodean a un determinado ion (o tomo) de referencia.
Para cada ion, el nmero de coordinacin en la Figura 2.13 es 6, esto es, cada ion tiene
seis iones vecinos inmediatos o ms prximos.
En los compuestos inicos, el ndice de coordinacin del ion de menor tamao
puede calcularse de forma sistemtica considerando el mayor nmero de iones de mayor
tamao (con carga opuesta) que pueden estar en contacto, o coordinados, con dicho ion

35
Captulo 2

de menor tamao. El nmero de coordinacin depende directamente de los tamaos


relativos de los dos iones de carga opuesta. Este tamao relativo se caracteriza a travs
de la relacin entre radios (r/R) donde r es el radio del ion de menor tamao y R es el radio
del ion de mayor tamao.

Tabla 2.4.- Nmero de Coordinacin del enlace Inico

La geometra de la izquierda corresponde a la estructura hexagonal compacta (hcp), y


la de la derecha a la estructura cbica centrada en las caras (fcc).

El enlace predominante en los materiales cermicos es inico.


En general el enlace predominante en los cermicos es del tipo Ionico. Adems
estos enlaces se caracterizan por la:

Dureza
Fragilidad
Elctrica y trmicamente aislantes

36
Captulo 2

Estas propiedades tienen su origen en la configuracin electrnica y / o en la


naturaleza del enlace inico.

2.5 Enlace Covalente


Un segundo tipo de enlace atmico primario es el enlace covalente. Mientras el
enlace inico incluye tomos muy electropositivos y electronegativos, el enlace covalente
se forma entre tomos con pequeas diferencias de electronegatividad y ubicados muy
prximos en la tabla peridica. En el enlace covalente, los tomos generalmente
comparten sus electrones externos s y p con otros tomos, de modo que cada tomo
alcanza la configuracin electrnica de gas noble. En un enlace covalente sencillo, cada
uno de los dos tomos contribuye con un electrn a la formacin del par de electrones del
enlace y las energas de los dos tomos asociadas con el enlace covalente decrecen (son
ms estables) como consecuencia de la interaccin de los electrones. Este tipo de enlace
es altamente direccional.

Figura 2.16.- Ejemplo de Enlace covalente de un tomo de Carbono con 4 tomos de hidrogeno (Metano
CH4)

En la Figura 2.16 est esquematizado el enlace covalente de una molcula de


metano (CH4)l tomo de carbono tiene cuatro electrones de valencia, mientras que cada

37
Captulo 2

uno de los cuatro tomos de hidrgeno, tiene un solo electrn de valencia. Cada tomo de
hidrgeno adquiere la configuracin electrnica del He (dos electrones de valencia ls), ya
que comparte un electrn con el tomo de carbono. As, el carbono tiene ocho electrones,
cuatro de los cuales son los electrones adicionales compartidos, uno de cada hidrgeno, y
la configuracin electrnica del nen. El enlace covalente tal como ya se menciono es
direccional, esto es : existe entre tomos especficos y slo en la direccin que hay
electrones compartidos.
2.5.1

Enlace covalente en algunas molculas diatmicas

Se forman pares de electrones de enlace covalente en algunas molculas


diatmicas tales como F2, O2 y N2. En estos casos los electrones p estn compartidos
entre los tomos. El tomo de flor con sus siete electrones externos (2s2 2p5) puede
alcanzar la configuracin electrnica de gas noble del nen cuando comparte un electrn
2p con otro tomo de flor, como se muestra en la reaccin con notacin punto-electrn
de la figura 2.17. Anlogamente, el tomo de oxgeno con sus seis electrones externos
(2s2 2p4) puede alcanzar la configuracin electrnica de gas noble (2s2 2p6) y compartir
dos electrones 2p con otro tomo de oxgeno para formar la molcula diatmica O2 (figura
2.17b). El nitrgeno con sus cinco electrones de valencia externos (2s2 2p3) tambin
puede alcanzar la configuracin electrnica de gas noble (2s2 2p6), compartiendo tres
electrones 2p con otro tomo de nitrgeno para formar la molcula diatmica de nitrgeno
(figura 2 .17c).

Figura 2.17.- Enlace covalente en molculas de a) flor (enlace simple), b) oxgeno (enlace doble) y c) nitrgeno (enlace
triple). El par electrnico de enlace covalente entre los tomos se muestra a la izquierda con notacin de punto-electrn
y a la derecha con notacin de lnea recta.

38
Captulo 2

2.5.2

Enlace covalente en el carbono

En el estudio del carbono es muy importante, ya que es el elemento bsico de la


mayora de materiales polimricos. El tomo de carbono en el estado bsico tiene una
configuracin electrnica 1s2 2s2 2p2. Este ordenamiento electrnico indica que el carbono
debera formar dos enlaces covalentes con los dos orbitales 2p llenos a la mitad de su
capacidad. Sin embargo, en muchos casos el carbono forma cuatro enlaces covalentes de
igual fuerza. La explicacin para estos cuatro enlaces covalentes la proporciona el
concepto de hibridacin del enlace, por la cual uno de los orbitales 2s es promovido a un
orbital 2p de tal manera que se producen cuatro orbitales hbridos equivalentes sp3,
como se indica en el diagrama de orbitales de la figura 2.18. Aunque en el proceso de
hibridacin hace falta energa para promover el electrn 2s al estado 2p, la energa
necesaria queda ms que compensada por la disminucin de energa que acompaa a la
formacin del enlace.

Figura 2.18.- Hibridacin de los orbitales de carbono para la formacin de enlaces covalentes sencillos.

El carbono en la forma de diamante muestra el tipo de enlace covalente


tetradrico sp3. Los cuatro orbitales hbridos sp3 estn dirigidos simtricamente hacia los
vrtices de un tetraedro regular, como se muestra en la figura 2.19. La estructura del
diamante consta de una molcula compacta con enlace covalente tetradrico sp3, como se
muestra en la figura 2.20. Esta estructura explica la dureza extremadamente alta del
diamante, su alta fuerza de enlace y su alta temperatura de fusin.

39
Captulo 2

Figura 2.19.- Un tomo de carbono con cuatro orbitales sp3 equivalentes dirigidos simtricamente hacia los vrtices de
un tetraedro. El ngulo entre los orbitales es 109.5.

Figura 2.20.- Enlaces covalentes sp3 en la estructura del diamante. Cada zona sombreada representa un enlace
covalente de un par de electrones

40
Captulo 2

En general los enlaces covalentes pueden ser muy fuertes, como en el caso del
diamante, que es un material muy duro y tiene una temperatura de fusin muy elevada.
Tf> 3550C (6400F), pero tambin pueden ser muy dbiles, como es el caso de los
enlaces del bismuto, que funde a 270C (518F)
En realidad, muy pocos compuestos tienen enlaces inicos o covalentes puros,
sino que tienen enlaces interatmicos parcialmente inicos y parcial mente covalentes.

2.6 Enlace Metlico


En el enlace inico exista una transferencia de electrones y era no direccional. El
enlace covalente supona la comparticin de electrones, y era direccional. En el tercer tipo
de enlace primario, el enlace metlico, existe una distribucin compartida de electrones y
es no direccional. En este caso, se dice que los electrones de valencia son electrones
deslocalizados, esto es, que la probabilidad de que estn asociados a uno cualquiera de
un gran nmero de tomos adyacentes es la misma. En los metales tpicos, esta
deslocalizacin est asociada a todo el material, lo que da lugar a una nube, o gas, de
electrones (Figura 2.20). Esta nube mvil es la base de la alta conductividad elctrica de
los metales.

Figura 2.21.- Enlace metlico, consistente en una nube o gas de electrones. Se muestra un corte imaginario a travs de
la cara frontal de la estructura cristalina del cobre, que revela la existencia de ncleos de ion Cu2* enlazados entre s
mediante los electrones de valencia deslocalizados.

41
Captulo 2

Figura 2.22.- Disposicin atmica en un cristal de cobre metlico. Cada tomo de cobre se coordina con otros 12 tomos
de cobre y crea una estructura cristalina llamada estructura cbica centrada en las caras. Los tomos se mantienen
juntos por un gas o nube electrnica de electrones de valencia deslocalizados y b) Diagrama esquemtico
bidimensional de tomos enlazados metlicamente. Los crculos con signos positivos en su interior representan ncleos
de iones positivos y las nubes de carga en torno a los ncleos inicos representan los electrones de valencia dispersos.

Se ha visto que la naturaleza de los enlaces qumicos entre tomos del mismo
elemento depende de la transferencia o comparticin de electrones entre tomos
adyacentes. El qumico estadounidense Linus Pauling defini de forma sistemtica la
electronegatividad como la capacidad de un tomo para atraer electrones hacia s. La
Figura 2.9 resume los valores de electronegatividades de Pauling para los elementos de la
tabla peridica. En general los valores de electronegatividades aumentan de izquierda a
derecha en la tabla peridica, siendo el cesio y el francio (grupo I A) los que tienen los
valores ms bajos (0.7) y el flor (en el grupo VII A) el que posee un valor ms alto (4.0).
Claramente los elementos metlicos tienden a tener los valores de electronegatividad ms
bajos, y los elementos no metlicos los valores ms elevados.

2.7 ENLACE SECUNDARIO O ENLACE DE VAN DER WAALS


La causa principal de la cohesin en un material dado es uno o varios de los tres
enlaces primarios descritos hasta ahora. Las energas de enlace tpicas varan entre 200 y
700 kJ/mol (cerca de 5 0 a 170 kcal/mol). Es posible obtener cierto enlace atmico (con
una energa de enlace bastante menor) sin que existan transferencia o comparticin de
electrones. Este tipo de enlace se denomina enlace secundario, o enlace de Van der
Waals. El mecanismo del enlace secundario es algo similar al del enlace inico (esto es, la

42
Captulo 2

atraccin de cargas opuestas). La diferencia clave es que no hay transferencia de


electrones. La atraccin depende de las distribuciones asimtricas de carga positiva y
negativa dentro de cada tomo o molcula que interviene en el enlace. Tal asimetra de
carga se conoce como dipolo. Existen dos tipos de enlaces secundarios, en funcin de
que la asimetra de carga sea (1) transitoria o (2 ) permanente.
En esencia, un dipolo aparece si hay alguna separacin entre las regiones positiva
y negativa de un tomo o molcula. El enlace es el resultado de la atraccin entre el
extremo positivo de un dipolo y la regin negativa del vecino, como indica la Figura 2.23.
Interacciones dipolares ocurren entre dipolos inducidos y dipolos permanentes (que
poseen las molculas polares). El enlace por puentes de hidrgeno, un tipo especial de
enlace secundario, aparece entre molculas que tienen tomos de hidrgeno en su
constitucin.

Figura 2.23. Ilustracin esquemtica del enlace de tipo Van der Waals entre dos dipolos.

Figura 2.24. Representacin esquemtica de: (a) tomo electrnicamente simtrico y b) dipolo atmico
inducido.

43
Captulo 2

2.7.1

Enlace dipolo inducido fluctuante.

En una molcula que normalmente es simtrica elctricamente se puede crear un


dipolo inducido por la distribucin espacial de los electrones respecto a los ncleos
cargados positivamente, como se muestra en la Figura 2.24a. Todos los tomos estn
vibrando constantemente y pueden causar distorsiones instantneas en la simetra
elctrica de los tomos y molculas, creando pequeos dipolos elctricos, como se
muestra en la Figura 2.24b. A su vez, los dipolos suelen desplazar la distribucin
electrnica de tomos o molculas prximas y generar otro dipolo que luego se enlaza
dbilmente al primero: este es un enlace de tipo Van der Waals. Estas fuerzas atractivas
que se originan entre gran nmero de tomos o molculas son temporales y su magnitud
flucta con el tiempo.
Este tipo de enlace es el responsable de la condensacin y, a veces, de la
solidificacin de los gases inertes y de otras molculas elctricamente neutras y
simtricas, tales como H y C. En aquellos materiales en los cuales predominan enlaces
debidos a dipolos inducidos, las temperaturas de fusin y ebullicin son extremadamente
bajas; son los enlaces intermoleculares ms dbiles.
2.7.2

Enlace dipolo inducido-molcula polar.

En algunas molculas existen dipolos permanentes como consecuencia de la


distribucin asimtrica de regiones cargadas positiva y negativamente, son las
denominadas molculas polares. La Figura 2.25 es la representacin esquemtica de una
molcula de cloruro de hidrgeno, en la cual el momento dipolar permanente se origina a
partir de las cargas positivas y negativas asociadas a los extremos del hidrgeno y del
cloro en la molcula de HCI.
Las molculas polares tambin pueden inducir dipolos en las molculas apolares
prximas, y el enlace es la resultante de las fuerzas de atraccin entre dos molculas.
Adems, la magnitud de este enlace aumenta con los dipolos inducidos fluctuantes.

44
Captulo 2

Figura 2.25. Representacin esquemtica de una molcula polar de cloruro de hidrgeno (HCI).

2.7.3

Enlace con dipolos permanentes

Tambin existen fuerzas de Van der Waals entre molculas polares adyacentes.
Las energas de enlace asociadas son significativamente mayores que las de los enlaces
entre dipolos inducidos.
El tipo de enlace secundario ms fuerte, el enlace por puente de hidrgeno, es un
caso particular del enlace de molcula polar. Tiene lugar entre molculas con el hidrgeno
unido covalentemente al flor (como en el HF), al oxgeno (como en el H2O) y al nitrgeno
(como en el NH3) Para cada enlace HF, HO o NH, el electrn solitario del hidrgeno
es compartido con otro tomo. De este modo, el extremo hidrgeno del enlace es
esencialmente un simple protn cargado positivamente, sin electrones que lo apantallen.
Este extremo de la molcula cargado ms positivamente es capaz de generar una elevada
fuerza de atraccin con el extremo negativo de una molcula adyacente, como se muestra
en la Figura 2.26 para el HF. En esencia, este simple protn forma un puente entre dos
tomos cargados negativamente. La magnitud del enlace por puente de hidrgeno es
generalmente mayor que la asociada a otros tipos de enlaces secundarios A consecuencia
del en lace por puente de hidrgeno, las temperaturas de fusin y ebullicin del fluoruro de
hidrgeno (HF) y del agua H son normalmente altas, comparadas con sus pesos
moleculares.

Figura 2.26.-. Representacin esquemtica del enlace de hidrgeno en el fluoruro de hidrogeno (HF).

45
Captulo 2

2.7.4

Materiales: clasificacin en funcin del tipo de enlace

Comparando las temperaturas de fusin de los diferentes tipos de enlace que se


han descrito es posible obtener una idea bastante aproximada de sus energas de enlace
relativas. El punto de fusin de un slido indica la temperatura a la que debe ser sometido
el material para proporcionarle la energa trmica suficiente para que se produzca la rotura
de sus enlaces cohesivos. En la Tabla 2.5 aparecen los ejemplos representativos
utilizados en este captulo. En el caso del polietileno debe aadirse una nota especial, por
el carcter mixto del enlace. El material pierde su estructura rgida por encima de 120C
aproximadamente. Este no es exactamente un punto de fusin, sino una temperatura por
encima de la cual el material se ablanda rpidamente al aumentar la temperatura. La
irregularidad de la estructura polimrica produce longitudes de enlace secundario
variables, y por tanto energas del enlace variables. Ms importante que la variacin en la
energa de enlace es el valor medio, que resulta ser relativamente bajo. Si bien el
polietileno y el diamante poseen enlaces covalentes CC similares, la ausencia de enlaces
secundarios, dbiles, en el diamante le permite mantener la estructura rgida ms de 3000
C por encima del polietileno.

Tabla 2.5.- Comparacin entre las temperaturas de fusin de algunos de los materiales ms representativos
del Captulo 2.

46
Captulo 2

Hasta ahora se han visto los cuatro tipos principales de enlace atmico, tres
enlaces primarios (inico, covalente y metlico) y el enlace secundario. Por tradicin se
distinguen tres materiales estructurales fundamentales (metales, cermicos y polmeros),
que estn relacionados directamente con los tres tipos de enlace primario (metlico, inico
y covalente, respectivamente). Se trata de un concepto muy til, aunque que los polmeros
deben su comportamiento a la existencia de enlaces covalentes y secundarios al mismo
tiempo. Los cermicos ms importantes presentan un fuerte carcter inico y covalente a
la vez. En la Tabla 2.6 se resume el carcter del enlace asociado con los cuatro tipos
fundamentales de materiales para ingeniera, junto con algunos ejemplos representativos.
Debe tenerse en cuenta que el carcter mixto del enlace en los cermicos hace referencia
a la doble naturaleza, inica y covalente a la vez, de un determinado enlace (por ejemplo,
SiO), mientras que el carcter mixto del enlace en el caso de los polmeros se refiere a la
existencia de enlaces de diferente naturaleza dentro de un mismo material, covalente (por
ejemplo, CH) y secundario (por ejemplo, entre cadenas moleculares). La contribucin
relativa de los diferentes tipos de enlace se puede representar grficamente en la forma de
un tetraedro de tipos de enlace (Figura 2.27), en el que cada vrtice del tetraedro
corresponde a un tipo puro de enlace.
Tabla 2.6.- Carcter del enlace de los cuatro tipos fundamentales de materiales para ingeniera

47
Captulo 2

Figura 2.27.- En el tetraedro de la figura se ha tratado de representar la contribucin relativa de los diferentes
tipos de enlace a cada una de las cuatro categoras fundamentales de materiales para ingeniera (los tres tipos
estructurales y los semiconductores).

CAPTULO 3

Estructura Cristalina

Los fundamentos de la geometra cristalina son comunes a todos los materiales


cristalinos. Deben identificarse los siete sistemas cristalinos y las catorce redes cristalinas.
Cada una de las miles de estructuras cristalinas encontradas en materiales naturales y
sintticos puede enclavarse dentro de estos pocos sistemas y redes. Las estructuras
cristalinas de la mayora de los metales pertenecen a uno de tres tipos relativamente
sencillos. Los compuestos cermicos, que tienen una amplia variedad de composiciones
qumicas, presentan igualmente una amplia variedad de estructuras cristalinas. Algunas
son relativamente sencillas, pero otras, como las de los silicatos, son bastante complejas.
Los polmeros comparten dos caractersticas con los cermicos y los vidrios. En
primer lugar, sus estructuras cristalinas son relativamente complejas. En segundo lugar, a
causa de esta complejidad el material no cristaliza fcilmente, y los polmeros comunes
pueden tener entre un 50 y un 100 por ciento de su volumen no cristalino. Los
semiconductores elementales, como el silicio, poseen una estructura caracterstica (la
cbica del diamante), mientras que los compuestos semiconductores tienen estructuras
similares a las de los compuestos cermicos ms sencillos.

48
Captulo 2

3.1 Cristalino y No cristalino (amorfo)


Si los tomos o iones de un slido estn ordenados de acuerdo con un patrn que
se repite en el espacio, forman un slido que tiene un orden de largo alcance (OLA) al cual
se le llama slido cristalino o material cristalino. Ejemplos de materiales cristalinos son los
metales, las aleaciones y algunos materiales cermicos. Contrastando con los materiales
cristalinos, existen algunos materiales cuyos tomos o iones no estn ordenados en forma
de largo alcance, peridica y repetible, y poseen nicamente un orden de corto alcance
(OCA). Esto significa que el orden existe nicamente en la vecindad inmediata de un
tomo o molcula. Como ejemplo tenemos al agua lquida que tiene en sus molculas un
orden de corto alcance y en la que un tomo de oxgeno se encuentra unido de forma
covalente a dos tomos de hidrgeno. Sin embargo, este orden desaparece en la medida
en que cada molcula se une a otras molculas en forma aleatoria a travs de enlaces
secundarios dbiles. Los materiales que presentan solamente un orden de corto alcance
se clasifican como amorfos (sin forma) o no cristalinos.

49
Captulo 2

3.2 Sistemas Cristalinos Siete sistemas y catorce redes


La principal caracterstica de la estructura cristalina es que es regular y repetitiva.
Cuantificar la repetitividad exige decidir qu unidad estructural es la que se repite. En
realidad cualquier estructura cristalina puede describirse como un modelo formado a base
de repetir varias unidades estructurales tal como se muestra en la Figura 3.1. En la
prctica, por lo general se escoge la estructura ms sencilla como unidad
estructural representativa, denominada celda unidad. En la Figura 3.2 se representa la
geometra de una celda unidad general. La longitud de las aristas de la celda unidad y los
ngulos entre los ejes cristalogrficos se denominan constantes de red o parmetros de
red. La caracterstica clave de la celda unidad es que contiene una descripcin completa
de la estructura como un todo, ya que la estructura completa puede ser generada
mediante el agolpamiento repetido de celdas unidad adosadas cara a cara a lo largo del
espacio tridimensional.

Figura 3.1.- Varias unidades estructurales que describen esquemticamente la estructura cristalina. La unidad
estructural ms simple es la celda unidad.

50
Captulo 2

Figura 3.2.- Geometra de una celda unidad general.

La descripcin de las estructuras cristalinas mediante celdas unidad tiene una


ventaja importante. Todas las estructuras posibles se reducen a un pequeo nmero de
geometras de la celda unidad bsica, lo que se demuestra de dos formas. Primero, slo
existen siete celdas de unidad nicas que pueden disponerse de manera que rellenen
completamente el espacio tridimensional. Son los siete sistemas cristalinos, que se
definen y muestran en la Tabla 3.1. Segundo, hay que considerar cmo pueden agruparse
los tomos (vistos como esferas rgidas) dentro de una celda unidad. Para hacer esto de
una forma general, se comenzar considerando los puntos reticulares, puntos tericos
dispuestos peridicamente en el espacio tridimensional, en lugar de tomos reales o
esferas. De nuevo, existe un nmero limitado de posibilidades, conocidas como las 14
redes de Bravais1, definidas en la Tabla 3 2. El agrupamiento peridico de celdas unidad
de la citada tabla genera puntos de red, agrupaciones de puntos con idnticos contornos
en el espacio tridimensional. Estas redes son esqueletos sobre los que se construyen las
estructuras cristalinas, situando tomos o grupos de tomos en los puntos reticulares o
cerca de ellos. La Figura 3.3 muestra la posibilidad ms simple, en la que se sita un
tomo en cada punto reticular.

51
Captulo 2

Figura 3.3.- La red cbica simple se convierte en la estructura cristalina cbica simple cuando se sita un
tomo en cada punto reticular.

52
Captulo 2

Tabla 3.1.- Los siete sistemas cristalinos.

53
Captulo 2

Tabla 3.2.- Las catorce redes cristalinas (de Bravais).

A continuacin se definen algunos conceptos necesarios para entender de mejor


manera los sistemas cristalinos:

Parmetros de red: Los parmetros de red, que describen el tamao y la


forma de la celda unitaria, incluyen la dimensiones de las. aristas de la
celda unitaria y los ngulos entre stas. Se requieren varios parmetros de
red para definir el tamao y forma de la celda unidad. Los parmetros de
red se pueden observar en la figura 3.1.

Cantidad de tomos por Celda unitaria: Cada una de las celdas unitarias
est definida por un nmero especfico de puntos de red. Por ejemplo las

54
Captulo 2

esquinas de las celdas se identifican fcilmente, al igual que las posiciones


centradas en el cuerpo y las caras. Dos ejemplos esquemticos se
presentan en la figura 3.4 y 3.5, en la primera se observa un tomo en una
distribucin de dos celdas unitarias cubicas centradas en las caras, en
donde claramente se aprecia que cada celda unitaria aporta con medio
tomo. En la segunda imagen se observa un tomo en el vrtice compartido
por 8 celdas unitarias.

Figura 3.4.-Distribucion de tomos centrado en las caras

Figura 3.5.- Distribucin de un tomo en el Vrtice

55
Captulo 2

El factor de empaquetamiento atmico FEA (APF, atomic packing factor)


es la fraccin de volumen de las esferas rgidas en una celdilla unidad en el
modelo atmico de las esferas rgidas:

FEA =

volumen de tomos en una celdilla unidad


volumen total de la celdilla unidad

Es conveniente expresar algunos parmetros de red, en funcin del radio


atmico para el clculo del Fea, esto se presenta en la tabla 3.3.

Tabla 3.3.- Relacin entre el tamao de la celda unidad (longitud de la arista) y el radio atmico para las
estructuras metlicas comunes.

Densidad de la Red Cristalina :El conocimiento de la estructura cristalina de


un slido metlico permite el clculo de su densidad mediante la siguiente
relacin:

nA
VcNa

Donde
n:
nmero de tomos asociados a cada celdilla unidad
A:
peso atmico
Vc: volumen de la celdilla unidad
Na: nmero de Avogadro (6,023 x 1023 tomos/mol)

56
Captulo 2

Ejemplos:
Calcular el volumen de la celdilla unidad FCC en funcin del radio atmico R.
SOLUCIN
En la celdilla unidad esquematizada, cada tomo contacta con el vecino a lo largo
de la diagonal, cuya longitud es 4R. Ya que la celdilla unidad es un cubo, su volumen es a
donde a es la longitud de la arista. Del tringulo rectngulo de la cara

a 2 + a 2 = (4R )

de donde se deduce el valor de a.


a = 2R 2
El volumen Vc de la celdilla unidad vale:

Vc = a 3 = 2 R 2

= 16 R 3 2

Ejemplo 2
Demostrar que el factor de empaquetamiento atmico para la estructura cristalina
FCC es 0,74.
SOLUCIN
El FEA se define como la fraccin de volumen de esferas rgidas en una celdilla
unidad:

57
Captulo 2

FEA =

V
Volumen total esferas
= s
volumen total celdilla unidad Vc

Los volmenes de las esferas y de la celdilla unidad se pueden calcular en funcin


del radio atmico R. El volumen de cada esfera es 4/3 R3 y ya que hay cuatro tomos en
cada celdilla unidad FCC, el volumen total de las esferas es:

4
16
Vs = (4 ) R 3 = R 3
3
3
Del ejemplo 1. se deduce que el volumen total de la celdilla unidad vale:
Vc = 16 R 3 2
Por lo tanto, el factor de empaquetamiento atmico es

16 3
R
Vs 3
= 0,74
FEA =
=
Vc 16 R 3 2

Ejemplo 3
Calcular la densidad del cobre y compararla con la densidad experimental,
sabiendo que tiene un radio atmico de 0,128 nm (1,28 ), estructura cristalina FCC y un
peso atmico de 63,5 g/mol.
SOLUCIN
Para solucionar este problema se utiliza la ecuacin de densidad. Puesto que la
estructura cristalina es FCC el nmero de tomos por celdilla unidad n es 4. El peso
atmico Cu es 63,5 g/mol. El volumen de la celdilla unidad Vc para FCC se determin
en el ejemplo 1 como 16 R3 2 donde R, el radio atmico, mide 0,128 nm.
Sustituyendo los varios parmetros,

58
Captulo 2

[16

nACu
nACu
=
VcNa 16 R 3 2 N A

(4 tomos / celdilla unidad )(63,5 g / mol )


8

](

23

2 1,28 * 10 cm / celdilla unidad 6,023 * 10 tomos / mol

= 8,89 g / cm 3

El valor de la densidad experimental del cobre es 8,94 g/cm3 valor muy prximo al
resultado

3.3 Estructuras metlicas


El enlace atmico de este grupo de materiales es metlico y de naturaleza no
direccional. Por consiguiente, no hay restricciones en cuanto al nmero y posicin de
tomos vecinos ms prximos; lo cual conduce, para la mayora de los metales, a
estructuras cristalinas con gran nmero de vecinos muy prximos y densamente
empaquetados. Utilizando el modelo de esferas rgidas en la descripcin de los metales,
cada esfera representa un catin en la estructura cristalina.
Por otro lado, la gran mayora de los metales elementales posee una estructura
cubica o hexagonal, para ser ms precisos cubica centrada en el cuerpo, cubica centrada
en las caras o hexagonal compacta.
En la Figura 3.6 se presenta la estructura cbica centrada en el cuerpo (bcc, bodycentered cubic) Se trata de la red de Bravais cbica centrada en el cuerpo con un tomo
situado en cada punto reticular. Hay un tomo en el centro de la celda unidad y un octavo
de tomo en cada uno de los ocho vrtices de la celda unidad. (Cada tomo situado en el
vrtice es compartido por ocho celdas unidades adyacentes.) Por tanto, existen dos
tomos en cada celda unidad bcc. El factor de empaquetamiento atmico FEA (APF,
atomic packing factor) para esta estructura es 0.68 y representa la fraccin de volumen de
la celda unidad ocupada por esos dos tomos. Entre los metales que adoptan tpicamente
esta estructura est el Fe- (la forma estable a temperatura ambiente), V, Cr, Mo y W. Las
aleaciones que tienen como constituyente predominante uno de estos metales tendern a
poseer tambin esta estructura. Sin embargo, la presencia de elementos aleantes
disminuye la perfeccin cristalina

59
Captulo 2

Figura 3.6.- Estructura cbica centrada en el cuerpo (bcc) en metales, mostrndose (a) la disposicin de los
puntos reticulares en una celda unidad; (b) el empaquetamiento real de los tomos (representados como esferas rgidas)
dentro de una celda unidad; y (c) la estructura bcc repetida, equivalente a muchas celdas unidad adyacentes.

La Figura 3.7 muestra la estructura cbica centrada en las caras (fcc, face
centered cubic), que corresponde a la red de Bravais cbica centrada en las caras, con un
tomo en cada punto reticular. Hay medio tomo (es decir, un tomo compartido por dos
celdas unidad) en el centro de cada cara de la celda unidad, y un octavo de tomo en
cada uno de los vrtices de la celda unidad, lo que hace un total de cuatro tomos en cada
celda unidad fcc. El factor de empaquetamiento atmico para esta estructura es 0.74, un
valor ligeramente mayor que el de 0.68 correspondiente a los metales bcc. De hecho, un
APF de 0.74 es el mayor posible que puede obtenerse al llenar el espacio agrupando
esferas rgidas del mismo tamao. Debido a esto, a veces la estructura fcc se conoce
como cbica de empaquetamiento compacto (ccp, cubic close packed). Los metales
tpicos que presentan esta estructura son el Fe- (estable entre los 912 y los 1394 C), Al,
Ni, Cu, Ag, Pt y Au.

60
Captulo 2

Figura 3.7.- Estructura cbica centrada en las caras (fcc) en metales, mostrndose (a) la disposicin de los
puntos reticulares en una celda unidad; (b) el empaquetamiento real de los tomos dentro de una celda unidad; y (c) la
estructura fcc repetida, equivalente a muchas celdas unidad adyacentes

La estructura hexagonal compacta (hcp, hexagonal close packing) (Figura 3.8) hay
dos tomos asociados a cada punto de la red de Bravais. Hay un tomo centrado dentro
de la celda unidad y varias fracciones de tomos en los vrtices de la celda unidad (cuatro
1/6 tomos y cuatro 1/12 tomos), lo que proporciona un total de dos tomos por celda
unidad. Como indica el trmino compacto, esta estructura es tan eficiente, desde el punto
de vista de empaquetamiento de esferas, como la estructura fcc. Las dos estructuras, hcp
y fcc, tienen un factor de empaquetamiento atmico de 0.74. Entre los metales tpicos con
una estructura hcp se incluyen el Be, Mg, Ti-a, Zn y Zr.

61
Captulo 2

Figura 3.8.- Estructura hexagonal compacta (hcp) en metales que muestra (a) la disposicin de los centros de
los tomos relativa a los puntos reticulares para una celda unidad. Hay dos tomos por punto reticular (ntese el ejemplo
a trazos discontinuos), (b) El empaquetamiento real de los tomos dentro de la celda unidad. Se aprecia cmo el tomo
situado en el plano medio se extiende ms all de los lmites de la celda unidad, (c) La estructura hcp repetida,
equivalente a muchas celdas unidades adyacentes.

Debido a que suele presentar confusin la figura 3.8, para un mejor entendimiento
se ha agregado la figura 3.9

Figura 3.9.- Estructura cristalina HCP: a) esquema de la estructura cristalina, b) modelo de esfera dura y c) esquema de
celda unitaria aislada

62
Captulo 2

3.4 Polimorfismo Y Alotropa


Muchos elementos y compuestos existen en ms de una forma cristalina en
diferentes condiciones de temperatura y presin. Este fenmeno se llama polimorfismo o
alotropa. Muchos metales de importancia industrial como el hierro, titanio y cobalto sufren
transformaciones alotrpicas a temperaturas elevadas a presin atmosfrica. La tabla 3 . 5
recoge algunos metales seleccionados que presentan transformaciones alotrpicas y
muestra los cambios de estructura que tienen lugar.
Tabla 3.4 Distintas estructuras cristalinas en un mismo metal a diferentes temperaturas.

El hierro se presenta en estructuras cristalina BCC y FCC en el rango de


temperatura que va desde la temperatura ambiente hasta la temperatura de fusin a 1
539C, que se muestra en la figura 3.10. El hierro alfa existe desde 273 hasta 912C y
tiene una estructura cristalina BCC. El hierro gamma existe desde 912 hasta 1 394C y
tiene una estructura cristalina FCC. El hierro delta existe desde 1 394 hasta 1 539C, que
es la temperatura de fusin del hierro. La estructura cristalina del hierro delta es tambin
BCC pero con una constante de red mayor que la del hierro

63
Captulo 2

Figura 3.10.- Formas cristalinas alotrpicas del hierro entre distintos rangos de temperatura a presin

3.5 Direcciones y planos Cristalogrficos


Al hablar de materiales cristalinos, a menudo es conveniente especificar algn
plano cristalogrfico de tomos particular o alguna direccin cristalogrfica.
Convencionalmente se ha establecido que para designar las direcciones y planos se
utilicen tres enteros o ndices. Los valores de los ndices se determinan basndose en
un sistema de coordenadas cuyo origen est situado en un vrtice de la celdilla unidad y
cuyos ejes (x, y y z) coinciden con las aristas de la celdilla unidad, como indica la
Figura 3.11. En los sistemas cristalinos hexagonal, rombodrico, monoclnico y triclnico,
los tres ejes no son perpendiculares entre s, como ocurre en el familiar sistema de
coordenadas cartesianas.

64
Captulo 2

Figura 3.11 Celdilla unidad con los ejes de coordenadas x, y y z mostrando las longitudes de las
aristas (a, b y c) y los ngulos interaxiales (, y ).

3.5.1

DIRECCIONES CRISTALOGRFICAS

Una direccin cristalogrfica se define por una lnea entre dos puntos o por un
vector. Se utilizan las siguientes etapas para determinar los ndices de las tres
direcciones.
1. En el origen de coordenadas del sistema se traza un vector de longitud
conveniente. Todo vector se puede trasladar a travs de la red cristalina sin
alterarse, si se mantiene el paralelismo.
2. Se determina la longitud del vector proyeccin en cada uno de los tres ejes; en
funcin de las dimensiones a, b y c de la celdilla unidad.
3. Estos tres nmeros se multiplican o se dividen por un factor comn para reducirlos
al valor entero menor.
4. Los tres ndices, sin separacin, se encierran en un corchete, as: [uvw]. Los
nmeros enteros u, v y w corresponden a las proyecciones reducidas a lo largo
de los ejes x, y y z, respectivamente.
Para cada uno de los tres ejes existen coordenadas positivas y negativas. Los
ndices negativos tambin son posibles y se representan mediante una lnea sobre el
ndice.

65
Captulo 2


Ejemplo, la direccin 111 tiene un componente en la direccin - y. Cambiando


los signos de todos los ndices se obtiene una direccin anti-paralela; por ejemplo, 111 ,


significa la direccin directamente opuesta a 111 .

Si en una estructura cristalina particular se deben especificar una direccin o un
plano, conviene, para mantener la coherencia, que la conversin positiva-negativa no se
cambie una vez establecida. Las direcciones [100], [110] y [111] son nicas y estn
dibujadas en la celdilla unidad mostrada en la Figura 3.12.

Figura 3.12.- Las direcciones [100], [110] y [111] en una celda unidad.

Ejemplo 4.
Determinar los ndices de la direccin mostrada en la figura adjunta.

66
Captulo 2

SOLUCIN
El vector dibujado pasa por el origen del sistema de coordenadas y por lo tanto, no
necesita traslacin. Las proyecciones de este vector en los ejes x, y y z son,
respectivamente, a/2, b y 0c, que se convierten en 1/2. 1 y 0 en trminos de los
parmetros de la celdilla unidad (por ejemplo, cuando a, b y c desaparecen). La reduccin
de estos nmeros al menor de los enteros se consigue multiplicando cada uno de ellos por
el factor 2. El conjunto de estos enteros 1, 2 y 0 se encierra dentro de un parntesis como
[120]
Este procedimiento se puede resumir as:

Ejemplo 5

Dibujar una direccin 11 0 dentro de una celdilla unidad cbica.

SOLUCIN
En primer lugar se dibuja una celdilla unidad adecuada y el sistema de ejes
coordenados. En la figura adjunta la celdilla unidad es cbica y el punto O, origen del
sistema de coordenadas, est localizado en un vrtice del cubo.

67
Captulo 2

Este problema se soluciona siguiendo el procedimiento inverso del ejemplo



anterior. Las proyecciones de la direccin 11 0 a lo largo de los ejes x, y y z son a, - a y

0a, respectivamente. Esta direccin viene definida por un vector que va desde el origen de
coordenadas al punto P, que se localiza desplazndose a unidades a lo largo del eje x y,
desde esta posicin, desplazndose -a unidades en una direccin paralela al eje -y, como
indica la figura Este vector no tiene componente z ya que la proyeccin sobre el eje z es
cero.
En algunas estructuras cristalinas, varias direcciones no paralelas con diferentes
ndices son equivalentes; esto significa que el espaciado atmico a lo largo de cada
direccin es el mismo.
Por ejemplo, en cristales cbicos, todas las direcciones representadas por los
siguientes ndices son equivalentes:



[100], 1 00 , [010], 0 1 0 , [001] y 00 1 . En los cristales cbicos todas las


direcciones que tienen los mismos ndices, sin tener en cuenta orden o signo, son

equivalentes; por ejemplo, [123] y 213 .

68
Captulo 2

Generalmente esta condicin no se cumple en otros sistemas cristalinos. Por


ejemplo, para cristales con simetra tetragonal, las direcciones [100] y [010] son
equivalentes, mientras que no lo son las [100] y [001].
Por conveniencia, las direcciones equivalentes se agrupan en familias que se
anotan encerradas en un parntesis angular: 100 .
Tambin existen direcciones cristalogrficas en los otros sistemas cristalinos, es
por ello que se recomienda al alumno leer la bibliografa recomendada en el curso.
3.5.2

Planos cristalogrficos

La orientacin de los planos cristalogrficos de la estructura cristalina se


representa de modo similar. Tambin se utiliza un sistema de coordenadas de tres ejes y
la celdilla unidad es fundamental, como se representa en la Figura 3.13. Los planos
cristalogrficos del sistema hexagonal se especifican mediante tres ndices de Miller
(hkl). Dos planos paralelos son equivalentes y tienen ndices idnticos. El procedimiento
utilizado para la determinacin de los valores de los ndices es el siguiente.

1. Si el plano pasa por el origen, se traza otro plano paralelo con una adecuada
traslacin dentro de la celdilla unidad o se escoge un nuevo origen en el vrtice de
otra celdilla unidad.
2. El plano cristalogrfico o bien corta, o bien es paralelo a cada uno de los tres ejes.
La longitud de los segmentos de los ejes se determina en funcin de los parmetros
de red h, k y l.
3. Se escriben los nmeros recprocos de estos valores. Un plano paralelo a un eje se
considera que lo corta en el infinito y, por lo tanto, el ndice es cero.
4. Estos tres nmeros se multiplican o dividen por un factor comn.
5. Finalmente, se escriben juntos los ndices enteros dentro de un parntesis: (hkl)

69
Captulo 2

00), y [112] y (b) los planos


Figura 3.13 En el sistema cristalino hexagonal, (a) las direcciones (0001),( 1
011) y (100).
(0001), (

Una interseccin en el sentido negativo del origen se indica mediante una barra o
un signo menos sobre el ndice. Adems, cambiando el signo de todos los ndices se
obtiene un plano paralelo opuesto a una distancia equivalente del origen. En la Figura 3.14
se han representado varios planos con ndice bajo.
Una caracterstica nica e interesante de los cristales cbicos es que los planos y
las direcciones que tienen los mismos ndices son perpendiculares entre s. Sin embargo,
esta relacin geomtrica entre planos y direcciones que tienen los mismos ndices no
existe en otros sistemas cristalinos.

70
Captulo 2

Figura 3.14.- Representaciones de planos cristalogrficos correspondientes a las series (a) (001), (b) (110) y
(c) (111).

Ejemplo 6.

Determinar los ndices de Miller del plano mostrado en la figura adjunta (a).

SOLUCIN

71
Captulo 2

Ya que el plano pasa por el origen O, se debe escoger un nuevo origen en el


vrtice de la celdilla unidad adyacente. llamado O` y mostrado en la figura (b). Este plano
es paralelo al eje x y su interseccin tiene lugar en a. Las intersecciones de los ejes y
y z, referidos al nuevo origen O, son -b y c/2. respectivamente. En trminos de los
parmetros de la red a, b y c, estas intersecciones valen . -1 y 1/2. Los recprocos de
estos nmeros son 0, -1 y 2. Ya que todos son enteros no es necesaria ninguna reduccin.


Finalmente se escriben entre parntesis 0 1 2 .

Esquemticamente estas etapas son:

Ejemplo 7.

Dibujar un plano 0 11 dentro de una celdilla unidad cbica

SOLUCIN
El procedimiento para solucionar este problema puede ser el inverso del problema
anterior. En primer lugar se elimina el parntesis de los nmeros y se escriben los
recprocos , -1 y 1. Esto significa que el plano es paralelo al eje x, mientras que corta a
los ejes y y z en -b y c respectivamente como indica la figura (a). Este plano se ha
dibujado en la figura (b). El plano se indica mediante segmentos que representan sus
intersecciones con las caras de la celdilla unidad o sus prolongaciones. Por ejemplo en la


figura, el segmento ef es la interseccin entre el plano 0 11 y la base superior de la

72
Captulo 2


celdilla unidad el segmento gh representa la interseccin entre este mismo plano 0 11 y

la prolongacin de la base inferior. Los segmentos fh y eg son las intersecciones entre



0 11 y las prolongaciones & las caras laterales frontal y opuesta respectivamente

73
Captulo 2

3.6 Monocristales
Cuando la disposicin atmica de un slido cristalino es perfecta, sin
interrupciones, a lo largo de toda la muestra, el resultado es un monocristal. Todas las
celdillas unidad estn entrelazadas o unidas del mismo modo y tienen la misma direccin.
Los monocristales existen en la naturaleza, pero tambin se pueden generar
artificialmente. El crecimiento de estos ltimos es, por lo general, difcil, ya que el medio se
debe controlar cuidadosamente.
Si los extremos de un monocristal crecen sin impedimentos externos, el cristal
adquiere una forma geomtrica regular con caras planas, como las que presentan algunas
piedras preciosas.

Figura 3.15.- Monocristal de Silicio

En los ltimos aos los monocristales han adquirido extraordinaria importancia en


la moderna tecnologa, sobre todo en microelectrnica, que emplea monocristales de
silicio y de otros semiconductores.

3.7 Materiales policristalinos


La mayora de los slidos cristalinos son un conjunto de muchos cristales
pequeos o granos. Este tipo de material se denomina policristalino.
En la Figura 3.16 se han esquematizado varias etapas de la solidificacin de una
muestra policristalina. Al principio, aparecen pequeos cristales o ncleos en distintas
posiciones. Estas orientaciones cristalogrficas son completamente al azar y estn
indicadas por cuadrados. Los granos pequeos crecen por la sucesiva adicin a la
estructura de tomos del lquido sub-enfriado. Los extremos de granos adyacentes

74
Captulo 2

interaccionan entre s al finalizar el proceso de solidificacin. La Figura 3.16 indica que la


orientacin cristalogrfica vara de un grano a otro. Tambin existe alguna irregularidad en
la disposicin atmica en la regin donde se unen dos granos: esta rea, denominada
lmite de grano.

Figura 3.16.- Esquemas de varias etapas de la solidificacin de un material poli cristalino; las cuadrculas
representan celdillas unidad. (a) Ncleos de cristalizacin. (b) Crecimiento de los cristales pequeos. Tambin se
observa que algn cristal obstruye el crecimiento de su vecino. (c) Al terminar la solidificacin aparecen granos de
formas irregulares. (d) Bajo el microscopio, la estructura de los granos aparece con lneas oscuras en los lmites de
grano.

Figura 3.17.- Micrografa de lmites de granos

75
Captulo 2

3.8 Anisotropa
Las propiedades fsicas de algunos monocristales dependen de la direccin
cristalogrfica tomada para su medida.
Por ejemplo, el mdulo elstico, la conductividad elctrica y el ndice de
refraccin pueden tener diferentes valores en la direccin [100] y en la [111]. La
direccionalidad de las propiedades se denomina anisotropa y est relacionada con la
variacin de la distancia atmica o inica segn la direccin cristalogrfica.
Las substancias cuyas propiedades son independientes de la direccin de la
medida se denominan isotrpicas.
La extensin y la magnitud de los efectos anisotrpicos en materiales
cristalinos son funcin de la simetra de la estructura cristalina. El grado de anisotropa se
incrementa al disminuir la simetra estructural: normalmente las estructuras triclnicas
tienen la mayor anisotropa. En la Tabla 3.5 se dan valores del mdulo elstico en las
orientaciones [100], [110] y [111] de varios materiales.
En la mayora de los materiales policristalinos, las orientaciones cristalogrficas
de los granos individuales son completamente al azar. En estas circunstancias, aunque
cada grano sea anisotrpico, la probeta compuesta de un conjunto de granos, se
comporta isotrpicamente. Tambin la magnitud de la propiedad medida significa el
promedio del valor direccional. Existen tcnicas destinadas a producir materiales
policristalinos cuyos granos tienen una orientacin cristalogrfica preferente. Estas
tcnicas se utilizan cuando interesa obtener caractersticas anisotrpicas.
Tabla 3.5. Valores del mdulo de elasticidad de varios metales y en distintas
orientaciones cristalograficas.

76
Captulo 2

Tabla 3.5.- Valores del mdulo de Elasticidad de varios materiales en diferentes direcciones cristalograficas

3.15.

SLIDOS NO CRISTALINOS

Los slidos no cristalinos carecen de un ordenamiento atmico sistemtico y


regular a distancias atmicas relativamente grandes. Estos materiales tambin se
denominan amorfos (literalmente significa sin forma) o lquidos subenfriados, puesto que la
estructura atmica recuerda la de un lquido.
La condicin amorfa se visualiza comparando las estructuras cristalina y no
cristalina del material cermico dixido de silicio (Si0 que puede existir en ambos estados.
Las Figuras 3.21a y 3.21b presentan esquemas bidimensionales de ambas estructuras del
Si0 Invariablemente, cada in silicio se une a tres iones oxgeno en ambos estados, pero
la estructura es mucho ms desordenada e irregular para la condicin no cristalina.
El que un slido adquiera la forma cristalina o amorfa depende de la facilidad con
que la estructura atmica al azar del lquido se pueda transformar en un estado ordenado
durante la solidificacin. El material amorfo se caracteriza por la relativamente compleja
estructura atmica y molecular, que se puede ordenar con relativa dificultad. El
enfriamiento rpido favorece la formacin de slidos no cristalinos, ya que el proceso de
ordenacin necesita algn tiempo.

77
Captulo 2

Normalmente los metales forman slidos cristalinos. Algunos materiales cermicos


son cristalinos, mientras que otros, como los vidrios inorgnicos, son amorfos. Los
polmeros pueden ser completamente cristalinos, enteramente no cristalinos o una mezcla
de ambos.

Figura 3.21. Esquemas bidimensionales de las estructuras de: (a) dixido de


silicio cristalino y (b) dixido de silicio no cristalino.

78
Captulo 2

CAPTULO 4

Imperfecciones de los Solidos

Hasta aqu se ha supuesto tcitamente que los materiales cristalinos presentan,


en todas partes, un ordenamiento perfecto de sus tomos. Sin embargo, un slido ideal
no existe: todos tienen gran nmero de defectos e imperfecciones de ndole variada. De
hecho, muchas de las propiedades de los materiales son muy sensibles al desvo de la
perfeccin cristalina. Esta influencia no siempre es negativa, sino que algunas
caractersticas especficas se consiguen deliberadamente introduciendo cantidades
controladas de defectos particulares.

Un defecto cristalino es una irregularidad de red en la cual una o ms de sus


dimensiones son del orden de un dimetro atmico. La clasificacin de las imperfecciones
cristalinas se realiza frecuentemente segn la geometra o las dimensiones del defecto. En
este captulo se tratan varios tipos diferentes de imperfecciones, entre los que se incluyen
los defectos de punto (asociados con una o dos posiciones), los de lnea (o de una
dimensin) y los interfaciales, o de lmite de grano, que tienen dos dimensiones. Tambin
se tratan las impurezas en los slidos, ya que pueden existir tomos de impurezas como
defectos puntuales.

4.1 Defectos de Puntos


Los defectos puntuales son interrupciones localizadas en arreglos atmicos o
inicos que, si no fuera por ellos, seran perfectas en una estructura cristalina. Aun cuando
se les llama defectos puntuales, la alteracin afecta una regin donde intervienen varios
tomos o iones. Estas imperfecciones se muestran en la figura 4.1 y se pueden introducir
por el movimiento de los tomos o los iones al aumentar la energa por calentamiento,
durante el procesamiento del material, por introduccin de impurezas o dopantes. En el
caso normal, las impurezas son elementos o compuestos presentes en las materias
primas o en el procesamiento. Por ejemplo, los cristales de silicio que crecen en crisoles
de cuarzo contienen oxgeno como impureza. Por otra parte, los dopantes son elementos
o compuestos que se agregan en forma deliberada y en concentraciones conocidas, en
lugares especficos de la microestructura, buscando un efecto benfico sobre Las

79
Captulo 2

propiedades o el procesamiento. En general, el efecto de las impurezas en las


propiedades de los materiales es nocivo, mientras que el de los dopantes es til. El fosforo
(P) y el Boro (B) son ejemplos de dopantes que se agregan a cristales de silicio para
mejorar las propiedades elctricas del silicio puro (Si).

Figura 4.1.- Defectos de Puntos: (a) Vacancia (b) tomo intersticial, (c) tomo de Sustitucin
Pequeo, (d) tomo de sustitucin Grande, (e) Defecto de Frenkel, (f) Defecto de Schottky; Todos estos
defectos perturban el arreglo perfecto en los tomos que los rodea

Un defecto puntual implica en general a un o un par de tomos o iones y en


consecuencia, es distinto de los defectos extendidos como dislocaciones, lmites de grano,
etc. Un "punto" importante acerca de los defectos es que aunque se presentan en uno o
dos sitios, su presencia es "sentida" en distancias mucho mayores en el material cristalino.

4.1.1

Vacancias:

Una vacancia se produce cuando falta un tomo o un ion en su sitio normal de la


estructura cristalina, como en la figura 4.1 (a). Cuando faltan tomos o iones (es decir,
cuando hay vacancias), aumenta el desorden normal o entropa del material, lo cual
aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Todos los materiales
cristalinos tienen defectos de vacancia. Las vacancias se introducen a los metales y
aleaciones durante la solidificacin a temperaturas elevadas o como consecuencia de
daos por radiacin. Las vacancias desempean un papel importante en la determinacin
de la rapidez con que se pueden mover los tomos o los iones, es decir, difundirse, en un

80
Captulo 2

material slido, en especial en los metales puros. En el captulo de Difusin se ver esto
en ms detalle en el curso.
En los materiales cermicos tambin pueden aparecer vacancias durante su
procesamiento. Por ejemplo, las cermicas de titanato de bario (BaTiO3) se usan para
fabricar capacitores de cermica. El proceso de fabricacin de los capacitores es un
tratamiento trmico llamado sintetizado (~ 1300 C), El sinterizado es el proceso mediante
el cual se forma una masa densa calentando materiales pulverizados compactados, El
proceso puede significar la formacin de un lquido. Normalmente, este tratamiento
trmico para el BaTiO3 se efecta en el aire. Si se hace en una atmsfera reductora o
inerte (por ejemplo, de hidrgeno o nitrgeno), algunos de los iones oxgeno del BaTiO3
dejaran el material en forma de oxgeno gaseoso. Esto causar la formacin de vacancias
de ion oxgeno. La formacin de vacancias de ion oxigeno causar a su vez otros cambios
en el BaTiO3, por ejemplo, convertirlo en un semiconductor. Esto no es bueno si estamos
fabricando capacitores para almacenar carga elctrica. En algunos casos, se pueden
introducir vacancias en determinados sitios inicos para aumentar el movimiento de los
iones en los materiales cermicos, lo que puede contribuir a la sinterizacin a menores
temperaturas. En otras aplicaciones ms, se usan las vacancias creadas en un material
cermico para afinar sus propiedades elctricas. Esto se hace en muchas cermicas que
se usan como xidos conductores y transparentes, como el xido de indio y estao y en
los sensores de zirconio para oxgeno.
A temperatura ambiente (298 K aproximadamente), la concentracin de
vacancias es pequeas, pero aumente en forma exponencial al aumentar la temperatura.

En equilibrio, el nmero de vacante N de una cantidad determinada de material


depende de la temperatura,

Qv
Nv = N exp

kT
En esta expresin, N es el nmero total de lugares ocupados por tomo, Q es la
energa de activacin (energa vibracional requerida para la formacin de una vacante), T
es la temperatura absoluta, en grados kelvin y k es la constante Boltzmann o de los gases.
El valor de k es 1,38 x 1023 J/tomos K, o 8,62 x 10-5 eV/tomo-K, dependiendo de las
unidades de Qv. De este modo, el nmero de vacantes crece exponencialmente con la

81
Captulo 2

temperatura, segn la Ecuacin 4.1. En la mayora de los metales, al llegar a la


temperatura de fusin la fraccin de vacantes Nv/N es del orden de 10-4 hay una vacante
por cada 10000 lugares ocupados.
NOTA
La temperatura en kelvin (K) es igual a C + 273.
La constante de Boltzmann por mol de tomos se convierte en la constante de los
gases R; en este caso, R = 8,31 J/mol-K o 1,987 cal/mol-K.
Ejemplo:
Calcular el nmero de vacantes por metro cbico en el cobre en equilibrio a
1000C. La energa de activacin para la formacin de vacantes es 0,9 eV/tomo; el peso
atmico del cobre es 63,5 g/mol y la densidad, 8,4 g/cm3.
SOLUCIN
Este problema se puede resolver utilizando la ecuacin antes presentada. Sin
embargo, primero se debe determinar el valor de N, el nmero de lugares atmicos por
metro cbico de cobre, a partir del peso ACu su densidad y el nmero de Avogadro NA,
segn la siguiente relacin
N=

N=

(6,023 *10

23

)(

N A
ACu

)(

tomos / mol 8,4 g / cm 3 10 6 cm 3 / m 3


63,5 g / mol

N= 8,0*1028 tomos/m3
As, el nmero de vacantes a 1000C (1273 K) es igual a

82
Captulo 2

Qv
N v = N exp

kT

(0,9eV )
N v = 8,0 * 10 28 tomos / m 3 exp

5
8,62 * 10 eV / K (1273K )
N v = 2,2 * 10 25 vacantes / m 3

4.1.2

Defectos Intersticiales:

Un defecto intersticial se forma, cuando se inserta un tomo o ion adicional en la


estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada como se muestra en figura
4.1 (b),. Los tomos o los iones intersticiales, aunque son mucho menores que los tomos
o los iones que estn en los puntos de red, son mayores que los sitios intersticiales que
ocupan; en consecuencia, la regin cristalina vecina est comprimida y distorsionada. Los
tomos intersticiales como los de hidrgeno estn presentes, con frecuencia, como
impurezas, mientras que las atoamos de carbono se agregan en forma intersticial al hierro
para producir acero, Para concentraciones pequeas, los tomos, de carbono ocupan
sitios intersticiales en la estructura cristalina del hierro e introducen un esfuerzo en la
regin del cristal en su cercana. Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover
esos tipos de defectos, se encuentran con resistencia a su movimiento, con lo que se
vuelve difcil crear deformacin permanente en metales y aleaciones. sta es una forma
imprtame de aumentar la resistencia de los materiales metlicos a diferencia de las
vacancias una vez introducida, la cantidad de tomos o iones intersticiales en la estructura
permanece casi constante, aun cuando se cambie la temperatura.
4.1.3

Defectos Sustituciones

Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo o ion es sustituido por un


tipo distinto de tomo o ion como en la figura 4.1 (c) y (d). Los tomos o iones
sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Pueden ser mayores que los tomos o
iones normales de la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen los espacios
interatmicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causar que los tomos vecinos
tengan una distancia interatmica mayor. En ambos casos, los defectos sustitucionales
perturban al cristal que los rodea. De nuevo, los defectos sustitucionales se pueden
introducir en forma de una impureza o de una adicin deliberada en la aleacin; una vez,
introducidos su cantidad de defectos es tcnicamente independiente a la temperatura.

83
Captulo 2

Como ejemplos de defectos sustitucionales se encuentra la incorporacin de


dopantes, como fsforo (P) u boro (B) en el Si. En forma parecida, si se agrega cobre al
nquel los tomos de cobre ocuparan los sitios cristalogrficos donde normalmente habra
tomos de nquel. Los tomos de sustitucin suelen aumentar la resistencia del material
metlico. Tambin aparecen defectos sustitucionales en materiales cermicos. Por
ejemplo, si se agrega MgO al NiO, los iones del Mg+2 ocupan los sitios del Ni+2 y los iones
de O-2 del MgO ocupan los sitios O-2 del NiO. El que los tomos o los iones agregados
vayan a sitios intersticiales o sustitucionales depende del tamao y de la valencia de los
tomos o iones huesped, en comparacin con el tamao y la valencia de los iones
anfitrin. El tamao de los sitios disponibles tambin tiene influencia en esto.
4.1.4

Otros defectos Puntuales

Una Intersticialidad (o defecto puntual autointersticial) se crea cuando un tomo


idntico a los puntos normales de red est en una posicin intersticial. Es ms probable
encontrar estos defectos en estructuras cristalinas que tienen bajo factor de
empaquetamiento.
Un defecto de Frenkel o par de Frenkel, es un par vacancia-intersticial que se
forma cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial, como se ve en
la figura 4.1 (e), y deja atrs una vacancia. Aunque esto se describe para un material
inico, en los metales y en los materiales con enlaces covalentes puede presentarse un
delecto de Frenkel.
Un defecto de Schottky, figura 4.1 (f) es exclusivo de los materiales ionicos, y
suele encontrarse en muchos materiales cermicos. En este defecto, las vacancias se
presentan en un material con enlaces inicas; donde debe faltar un nmero
estequiomtrico de aniones y cationes en el cristal si se quiere conservar en l la
neutralidad elctrica, Por ejemplo, un MgO2 y un O-2 iones faltantes en MgO constituyen
un par de Schottky. En el ZrQ2, por un ion Zr+4 faltante, habr 2 iones O-2 faltantes.
Un defecto puntual sustitucional importante se presenta cuando un ion de una
carga reemplaza a otro de carga distinta. ste sera el caso cuando un ion de valencia +2
reemplaza a otro de valencia +1 (4.2). En este caso, se introduce una carga positiva
adicional en la estructura. Para mantener el equilibrio de cargas, se podra crear una
vacancia donde normalmente estara ubicado un catin +1. Nuevamente, esta
imperfeccin se observa en materiales con un enlazamiento inico pronunciado.

84
Captulo 2

Asi en los slidos inicos, cuando se introducen defectos puntuales, se deben


observar las reglas siguientes:
A. Se debe mantener un equilibrio de cargas, para que el material cristalino
en su totalidad sea elctricamente neutro
B. Se debe mantener un balance de masa.
C. Se debe conservar la cantidad de sitios cristalogrficos.

Figura 4.2.- Cuando un catin divalente reemplaza a otro monovalente, tambin se debe quitar un segundo
catin monovalente, con lo que se crea una vacancia.

4.2 Dislocaciones
Las dislocaciones son imperfecciones lineales de un cristal que de otra manera
seria perfecto, al igual que los defectos puntuales. Se suelen introducir en el cristal durante
la solidificacin del material o cuando el material se deforma permanentemente. Aunque
en todos los materiales, incluyendo cermicos y polmeros, hay dislocaciones, son
especialmente tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento de los materiales
metlicos. Cabe mencionar que la existencia de las dislocaciones fue postulada 25 aos
antes de los primeros informes sobre su observacin.
Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones, de tornillo o helicoidal, de borde
y mixta.

85
Captulo 2

4.2.1

Dislocacin de tornillo o helicoidal

La dislocacin de tornillo o helicoidal se muestra en la figura 4.3 y se puede


ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto y, a continuacin. torciendo ese
cristal una distancia atmica. Si se sigue un plano cristalogrfico durante una revolucin
respecto al eje de torcimiento del cristal, comenzando en el punto x y recorriendo
distancias interatmicas iguales en cada direccin, se termina una distancia atmica abajo
del plano de partida (el punto y). El vector necesario para terminar el circuito y regresar al
punto de partida es el vector de Burgers (b). Si se continuara la rotacin, se describira una
trayectoria espiral. El eje o lnea respecto al cual se traza la trayectoria es la dislocacin de
tornillo. El vector de Burgers es paralelo a la dislocacin de tornillo.

Figura 4.3 El cristal perfecto (a) se corta y ranura una distancia atmica (b) y (c). La lnea a lo largo de la cual
se hace el corte es una dislocacin de tornillo. Se requiere un vector de Burgers b para cerrar un ciclo de distancia
atmicas iguales en torno a la dislocacin de tornillo.

86
Captulo 2

Figura 4.4 Dislocacin Helicoidal. El apilamiento es espiral de los planos cristalinos hace que el vector de
Burgers sea paralelo a la lnea de dislocacin.

4.2.2

Dislocacin de borde o de arista

Una dislocacin de borde figura 4.5 se puede ilustrar haciendo un corte parcial en
un cristal perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de
tomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocacin de borde. Si se
describe un circuito en torno a la dislocacin de borde, en sentido de las manecillas del
reloj comenzando en el punto x y recomiendo una cantidad igual de distancias atmicas en
cada direccin, se terminar en el punto y, a una distancia atmica del punto de partida. El
vector necesario para cerrar el circuito es de nuevo, el vector de Burgers. En este caso, el
vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin. Al introducir la dislocacin, los tomos
que estn arriba de la lnea de dislocacin estn muy comprimidos entre s, mientras que
los de abajo estn Tensionados. La regin vecina del cristal se ha perturbado por la
presencia de la dislocacin. A diferencia de una dislocacin de borde o arista, una de
torillo no se puede visualizar como un semiplano adicional de tomos. A menudo un
smbolo "" se usa a menudo para referirse a una dislocacin de borde. El eje longitudinal
de los puntos "" hacia el semiplano adicional.

87
Captulo 2

Figura 4.5.- El cristal perfecto en (a) se corta y se intercala un plano adicional de tomos (b). El borde inferior
del plano adicional es una dislocacin de borde (c). Se requiere un vector de Burgers b para cerrar el circuito de
distancias atmicas iguales en torno a la dislocacin de borde.

Figura 4.6.- Dislocacin de borde o de arista. El defecto lineal viene representado por el borde de un
semiplano extra de tomos.

4.2.3

Dislocaciones Mixtas

Como se observa en la figura 4.7, las dislocaciones mixtas tienen componentes de


borde y de tornillo, con una regin de transicin entre ellas. Sin embargo, el vector de
Burgers queda igual para todas las posiciones de la dislocacin mixta.

88
Captulo 2

Figura 4.7.- Dislocacin Mixta. La dislocacin de tornillo en la cara frontal del cristal cambia en forma gradual a
dislocacin de borde en el lado derecho del cristal

4.2.4

Esfuerzos

Antes de poder seguir comprendiendo los defectos de lnea y otros conceptos es


necesario explicar en forma breve el concepto de esfuerzo ( se Tratara en ms detalle ms
adelante en el curso).
Al discutir el movimiento de las dislocaciones, debemos hacer referencia al
concepto de esfuerzo. Por ahora, nos baste decir que el esfuerzo es la fuerza por unidad
de rea. El esfuerzo tiene unidades de libras/pulgadas2 conocidos como psi (libras por
pulgada cuadrada) o N/m2 (newton dividido por metro cuadrado) conocidos como el Pascal
(Pa) o la ms utilizada en nuestro pas es el kgf/mm2 (kilogramo fuerza dividido por
milmetros cuadrados). Un esfuerzo normal () surge cuando la fuerza aplicada acta en
forma perpendicular a la zona de inters. Un esfuerzo de corte o cizallamiento () se
produce cuando la fuerza acta en una direccin paralela a la zona de inters.
4.2.5

Movimiento de Dislocaciones

Considere la dislocacin de borde como se muestra en la Figura 4.8 (a). En plano


que contiene tanto la lnea de dislocacin y el vector de Burgers es conocido como un
plano de deslizamiento. Cuando un esfuerzo cortante suficientemente grande que acta
paralelo al vector Burgers, se aplica a un cristal que contiene una dislocacin, la
dislocacin puede moverse a travs de un proceso conocido como deslizamiento. Los
enlaces a travs del plano de deslizamiento entre los tomos en la columna a la derecha

89
Captulo 2

de la dislocacin se rompen. Los tomos de la columna a la derecha de la dislocacin por


debajo del plano de deslizamiento se desplazan ligeramente de modo que ellos establecen
enlaces con los tomos de la dislocacin de borde. De este modo, el desplazamiento se
ha desplazado hacia la derecha [Figura 4.8 (b)]. Si este proceso contina , la dislocacin
se mueve a travs del cristal [Figura 4.8( c ) ] hasta que se produce un paso en el exterior
del cristal [ Figura 4.8 ( d ) ] en la direccin de deslizamiento ( que es paralela a la Burgers
vector) . (Tenga en cuenta que la combinacin de un plano de deslizamiento y una
direccin de deslizamiento comprende un sistema de deslizamiento) La mitad superior del
cristal ha sido desplazado por un vector de Burgers con relacin a la media parte inferior,
el cristal ha sido plsticamente ( o permanentemente ) deformado . Este es el proceso
fundamental que ocurre muchas, muchas veces mientras se dobla un clip con los dedos.
La deformacin plstica de los metales es principalmente el resultado de la propagacin
de las dislocaciones.
Este proceso de ruptura y re-enlazamiento progresivamente los enlaces requiere
mucha menos energa que la energa que sera necesaria para romper instantneamente
todos los enlaces a travs del plano de deslizamiento. El cristal se deforma a travs de la
propagacin de las dislocaciones debido a que es un proceso energticamente favorable.
Considere la posibilidad de movimiento en el que una oruga se mueve [ Figura 4.8 ( e) ] .
Una oruga slo levanta algunos de sus piernas en un momento dado en lugar de levantar
todas las patas a la vez con el fin de seguir adelante. Por qu? Debido a levantar slo
algunas de sus piernas requiere menos energa, es ms fcil para la oruga de hacer. Otra
forma de visualizar esto es pensar en cmo se puede mover una gran alfombra que se
coloca de forma incorrecta en una habitacin. Si desea volver a colocar la alfombra, en
lugar de recogerla del suelo y moverla toda a la vez, es posible formar un pliegue en la
alfombra y empujar el pliegue en la direccin en la que desea mover la alfombra. La
anchura del pliegue es anloga al vector de Burgers. Una vez ms, debe mover la
alfombra de esta manera, ya que requiere menos energa, es ms fcil de hacer .

90
Captulo 2

Figura 4.8 (a) Cuando un esfuerzo cortante se aplica a la dislocacin en (a), los tomos se desplazan, (b)
causando que la dislocacin se mueva un vector de Burgers en la direccin de deslizamiento. (c) El movimiento
continuado de la dislocacin eventualmente crea un paso (d), y el cristal se deforma. (e) El movimiento de una oruga es
anlogo al movimiento de una dislocacin.

4.2.6

Deslizamiento

Figura 4.9 (a) es un diagrama esquemtico de una dislocacin de borde que se


somete a un esfuerzo cortante que acta paralelo al vector de Burgers y perpendicular a la
lnea de dislocacin. En este dibujo, la dislocacin de borde se propaga en una direccin
opuesta a la direccin de propagacin se muestra en la Figura 4.8 (a). Un componente del
esfuerzo cortante debe actuar en paralelo al vector de Burgers, para que la dislocacin
empiece a moverse. La lnea de dislocacin se mueve en una direccin paralela al vector
de Burgers. La Figura 4.9 (b) muestra una dislocacin de tornillo. Para una dislocacin de
tornillo, un componente de la tensin de corte debe actuar en paralelo al vector de Burgers
(y por lo tanto la lnea de dislocacin) a fin de que la dislocacin se mueva. La dislocacin
se mueve en una direccin perpendicular al vector de Burgers, y el paso de deslizamiento
que se produce es paralelo al vector de Burgers. Dado que el vector de Burgers de una

91
Captulo 2

dislocacin de tornillo es paralelo a la lnea de dislocacin, la especificacin del vector de


Burgers y la lnea de dislocacin no define un plano de deslizamiento para una dislocacin
de tornillo.

Figura 4.9.-Esquema de lnea de deslizamiento, plano de deslizamiento y vector de deslizamiento (de


Burgers) para (a) una dislocacin de Borde y (b) una dislocacin Helicoidal

Durante el deslizamiento, una dislocacin se mueve desde un conjunto de


entornos hasta otro conjunto de idntico de entornos. Se requiere el esfuerzo de PeierlsNabarro para mover la dislocacin desde un lugar de equilibrio hasta el siguiente

Donde es el esfuerzo cortante necesario para mover la dislocacin, d es la distancia


interplanar entre los planos de deslizamiento adyacentes, b es ka magnitud del vector de
Burgers y c y k son constantes del material. La dislocacin se mueve en un sistema de
deslizamiento que requiera la menor disipacin de energa. Deben existir varios factores
importantes para determinar los sistemas ms probables de deslizamiento:
1. El esfuerzo necesario para hacer que la dislocacin se mueva aumenta de forma
exponencial con la longitud del vector de Burgers. As, la direccin de deslizamiento

92
Captulo 2

debe tener una distancia pequea de repeticin o una alta densidad lineal. Las
direcciones de empaquetamiento compacto en los metales y las aleaciones
satisfacen este criterio y son las direcciones normales de deslizamiento.
2. El esfuerzo necesario para hacer que la dislocacin se mueva disminuye en forma
exponencial al aumentar la distancia interplanar de los planos de deslizamiento. El
deslizamiento es ms fcil entra tomos que son lisos (que tiene cumbres y valles
ms suaves en la superficie) y entre planos que estn alejados entre s o que tiene
una distancia interplanar relativamente grande. Los planos con una gran densidad
planar llenan ente requisito. En consecuencia, los planos de deslizamiento suelen
ser los de empaquetamiento compacto o los que tengan un empaquetamiento lo
ms compacto posible. Los sistemas comunes de deslizamiento en varios
materiales se muestran en la tabla 4.1
3. Las dislocaciones no se mueven can facilidad en materiales como el silicio o los
polmeros. que tienen enlaces covalentes. Debido a la fuerza y la direccionalidad de
los enlaces, esos materiales suelen fallar por. fractura frgil antes de que la fuerza
sea suficientemente grande como para causar un deslizamiento apreciable. Se
debe tener en cuenta que en muchos polmeros diseados, las dislocaciones
representan un papel relativamente pequeo en la deformacin, Como se describi
la mayora de los polmeros contienen fracciones apreciables de volumen que son
amorfas. En muchos polmeros, es posible una deformacin apreciable sin fractura
porque, cuando se aplica un esfuerzo, las cadenas de polmero se enredan.
4. Los materiales con enlazamiento Inico, Incluyendo muchos cermicos como el
MgO, tambin son resistentes al deslizamiento, El movimiento de una dislocacin
interrumpe el balance de cargas en torno a los aniones y los cationes, y se requiere
romper los enlaces entre aniones y cationes. Durante el deslizamiento, los iones
con carga igual tambin deben pasar cerca uno de otros, causando repulsin. Por
ltimo la distancia de repeticin a lo largo de la direccin de deslizamiento, o el
vector de Burgers., es mayor que en los metales y aleaciones. De nuevo, suele
presentarse la fractura frgil del material cermico a causa de la presencia de
imperfecciones como pequeos agujeros (poros) antes de que el valor del esfuerzo
aplicado sea suficiente para hacer que las dislocaciones se muevan. Se puede
obtener ductilidad en los materiales cermicos mediante algunas tcnicas, se deja
la inquietud al alumno para que investigue por su cuenta estas tcnicas.

93
Captulo 2

Tabla 4.1.- Planos y direcciones de deslizamiento en estructuras metlicas

Estructura Cristalina

Plano de Deslizamiento

Direccin de
Deslizamiento

{110}
Metales BCC

{112}

(111)

{123}
{111}

(110)

{0001}

(111)

{112 0}*

(111)

(111)

MgO, NaCL (ionicos)

{111 1}

Silicio (Covalente)

Metales FCC

Metales HCP

{111 0} *ver nota

(111)

{110}

(110)

{111}

(110)

Nota: Estos planos son activos en algunos metales y aleaciones o a


temperaturas elevadas

4.2.7

La importancia de las Dislocaciones

En primer lugar, las dislocaciones tienen gran importancia en los metales y las
aleaciones porque proporcionan un mecanismo para la deformacin plstica, mecanismo
que es el efecto acumulado de numerosas dislocaciones. La deformacin plstica es una
deformacin o cambio de forma irreversible que se presenta cuando se retira la fuerza o el
esfuerzo que la caus. Esto se debe a que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de
dislocaciones, el cual, a su vez causa la deformacin permanente. El trmino "deformacin
plstica" significa que est causada por el movimiento de dislocaciones. Sin embargo, hay
otros mecanismos que causan deformacin permanente: Se debe distinguir la deformacin
plstica de la deformacin elstica, que es un cambio temporal de forma que sucede
mientras una fuerza o un esfuerzo se aplica a un material En la deformacin elstica, el
cambio de forma lo causa la elongacin de los enlaces interatmicos: sin embargo, no hay
movimiento de dislocaciones- El deslizamiento se puede presentar en algunos cermicos y

94
Captulo 2

algunos polmeros. Sin embargo, hay otros factores (por ejemplo, porosidad de los
cermicos o enredo de cadenas en los polmero, etc.) que dominan en el comportamiento
mecnico de polmeros y cermicos. Los materiales amorfos, como los vidrios de silicato,
no tienen un arreglo peridico de iones y, por consiguiente, no contienen dislocaciones. En
consecuencia el proceso de deslizamiento tiene especial importancia para comprender el
comportamiento mecnico de los metales. En primer lugar, el deslizamiento explica por
qu la resistencia de los metales es mucho menor que el valor deducido a partir del enlace
metlico. Si se presenta el deslizamiento, solamente se necesita romper una fraccin
diminuta de todos los enlaces metlicos a travs de la interfaz en cualquier momento, y la
fuerza que se requiere para deformar al metal es pequea. Se puede demostrar que la
resistencia real de los metales es de 103 a 104 veces menor que la esperada a partir de la
resistencia de los enlaces atmicos.
En segundo lugar, el deslizamiento proporciona ductilidad a los metales. Si no
hubiera dislocaciones, una barra de acero sera frgil y los metales no se podran moldear
en formas tiles con los procesos de trabajo propios de ellos, como la forja, por ejemplo.
En tercer lugar, se controlan las propiedades de un metal o una aleacin
interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el cristal
evita que una dislocacin se deslice, a menos que se apliquen fuerzas mayores. As, la
presencia de dislocaciones ayuda a endurecer los materiales metlicos.
En los materiales se encuentran cantidades enormes de dislocaciones. La
densidad de dislocaciones o longitud total de dislocaciones por unidad de volumen es lo
que suele usarse para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Las densidades
de dislocacin de 106 cm/cm3 son normales en los metales ms suaves, mientras que al
deformar el material se pueden alcanzar densidades hasta de 1012 cm/cm3.
Las dislocaciones tambin influyen sobre las propiedades electrnicas y pticas de
los materiales Por ejemplo, la resistencia del cobre puro aumenta al aumentar la densidad
de dislocaciones. La resistividad del cobre puro depende mucho de pequeas
concentraciones de impurezas. De igual forma, la velocidad con la que los portadores de
carga, como los electrones, pueden moverse en el silicio depende de la densidad de
dislocaciones. Es preferible usar cristales de silicio donde esencialmente no hay
dislocaciones, porque esto permite el movimiento ms rpido de los portadores de carga,
como son los electrones. Normalmente, la presencia de dislocaciones tiene un efecto
perjudicial sobre la eficiencia de los fotodetectores, los diodos emisores de luz, los lseres

95
Captulo 2

y las celdas solares. Frecuentemente, estos dispositivos se fabrican con semiconductores


compuestos, como el arseniuro de galio-arseniuro de aluminio (GaAs-AIAs), y las
dislocaciones en estos materiales pueden deberse a desigualdades de concentracin en el
fundido donde crecen estos cristales o a esfuerzos inducidos por gradientes trmicos a los
que estn expuestos los cristales durante su enfriamiento desde la temperatura de
crecimiento.

4.3 Ley de Schmid


Las diferencias de comportamiento en los metales con distintas estructuras
pueden comprenderse examinando la fuerza necesaria para iniciar el proceso de
deslizamiento. Supongamos que se aplica una fuerza F unidireccional a un cilindro de
metal formado por un monocristal (Fig. 4.10). El plano de deslizamiento y la direccin de
deslizamiento se pueden orientar respecto a la fuerza aplicada definiendo los ngulos y
. El ngulo entre la direccin de deslizamiento y la fuerza aplicada es , y es el ngulo
entre la normal al plano de deslizamiento y la fuerza aplicada. Obsrvese que la suma de
los ngulos y puede ser 90, pero no en forma obligatoria.

Figura 4.10.- (a) En un sistema de deslizamiento se produce un esfuerzo cortante resuelto ( nota: + no
tiene que ser necesariamente 90), (b) El movimiento de dislocaciones en el sistema de deslizamiento deforma el
material, (c) Resolucin (descomposicin) de la fuerza

96
Captulo 2

Para que la dislocacin se mueva en este sistema de deslizamiento, la fuerza


aplicada debe producir una fuerza cortante que actu en la direccin de deslizamiento.
Esta fuerza cortante resulta Fr es:
= cos

Si dividimos la ecuacin entre el rea del plano del deslizamiento, A=A0/cos,


obtenemos la siguiente ecuacin, llamada ley de Schmid:
= cos cos

donde
=
=

=esfuerzo cortante resulto en la direccin del deslizamiento

=esfuerzo unidireccional aplicado al cilindro

El esfuerzo Cortante critico Resuelto, crss, es el que se requiere para romper


suficientes cantidad de enlaces metlicos para que suceda el deslizamiento. As, el
deslizamiento se presenta cuando el esfuerzo aplicado , produce un esfuerzo cortante
resuelto r que es igual al esfuerzo cortante critico resuelto y hace que el metal se deforme
plsticamente.
=

4.4 Defectos Superficiales


Los defectos superficiales son los limites o los planos que separan a un material
en regiones; cada regin tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin.
4.4.1

Superficie del Material

Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina


el cristal en forma sbita. Cada tomo en la superficie ya no tiene el nmero adecuado de
coordinacin y se interrumpe el enlazamiento atmico. Con bastante frecuencia esto es un
factor muy importante en la fabricacin de dispositivos microelectronicos a base de Si. La

97
Captulo 2

superficie exterior tambin puede ser muy spera, contener muescas diminutas y ser
mucho ms reactiva que el interior del material.
4.4.2

Lmites de grano

La microestructura de muchos materiales cermicos y metlicos consiste en


muchos granos. Un grano es una porcin del material dentro de la cual el arreglo de los
tomos es casi idntico. Sin embargo, la orientacin del arreglo de tomos, o estructura
cristalina, es distinta en cada grano vecino. En la figura 4.11(a) se muestra el esquema de
tres granos; el arreglo de los tomos en cada grano es idntico, pero los granos tienen
distinta orientacin. Un lmite de grano, la superficie que separa los granos individales, es
una zona angosta donde los tomos no tienen las distancias correctas. Es decir, los
tomos estn tan prximos entre s en algunos lugares del lmite del grano, que producen
una zona de compresin; y en otras reas estn tan alejados, que producen una zona de
tensin. La figura 4.11 (b) es una micrografa de una muestra de acero inoxidable. Los
granos son de vital importancia ya que con ellos se puede controlar algunas propiedades
mecnicas de los materiales

Figura 4.11 (a) los tomos cercanos a los lmites de los tres granos no tiene una distancia o arreglo en
equilibrio. (b) Granos y lmites de granos en una muestra de acero inoxidable

4.4.3

Lmites de Grano de Angulo Pequeo

Un lmite de grano de ngulo pequeo es un conjunto de dislocaciones que


produce una pequea desorientacin entre cristales vecinos. Como la energa de la

98
Captulo 2

superficie es menor que la de un lmite de grano normal, los lmites de grano con ngulo
pequeo no son tan eficientes para bloquear los deslizamientos. Los lmites de grano con
tamao pequeo que se forman por las dislocaciones de borde se llaman lmites
inclinados; los que se forman por dislocaciones de tornillo se llaman lmites de giro.

Figura 4.12.- Limite de grano de ngulo pequeo se produce con un conjunto de dislocaciones que causan un
des-alineamiento angular () entre las redes cristalinas a ambos lados del lmite.

4.4.4

Fallas de Apilamientos

Las fallas de apilamiento se presentan en los metales FCC y representan un error


en la secuencia de apilamiento de los planos con empaquetamiento compacto.
4.4.5

Lmites de Macla

Un lmite de macla (o de gemelacin) es un plano a travs del cual hay una


desorientacin especial de imagen especular de la estructura cristalina (Fig. 4.13). Las
maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que acta a lo largo del lmite de
macla, hace que los tomos se desplacen de su posicin. El maclado sucede durante la
deformacin o el tratamiento trmico de ciertos metales. Los lmites de macla interfieren

99
Captulo 2

con el proceso de deslizamiento y aumentan la resistencia del metal. El movimiento de los


lmites de macla tambin puede causar la deformacin del metal. El maclado tambin se
presenta en algunos materiales cermicos.
Los lmites de grano con alta energa son mucho ms eficientes para bloquear las
dislocaciones que las fallas de apilamiento o los lmites de macla.

Figura 4.13 La aplicacin de un esfuerzo a un cristal perfecto (a) puede causar un desplazamiento de los
tomos, (b) causando la deformacin de una macla. Observe que el cristal se ha deformado como consecuencia del
maclado

4.5 Importancia de los defectos


Los defectos de lnea y los puntuales desempean una funcin de gran
importancia en la determinacin de las propiedades mecnicas, elctricas, pticas y
magnticas de los materiales diseados. Ahora se har una breve resea acerca de la
importancia de los defectos sobre las propiedades de los materiales. Se insiste que el
efecto de las dislocaciones slo tiene la mxima importancia en los materiales metlicos.
4.5.1

Efecto sobre las propiedades mecnicas a travs del control del proceso de
deslizamiento

Toda imperfeccin en el cristal aumenta la energa interna en el lugar de la


imperfeccin. La energa local aumenta porque, cerca de la imperfeccin, los tomos
estn muy comprimidos y cercanos entre s (compresin) o muy apartados (tensin).

100
Captulo 2

Una dislocacin en un cristal metlico, que por lo dems sera perfecto, se puede
mover con facilidad por el cristal si el esfuerzo cortante resuelto es igual al esfuerzo
cortante crtico resuelto. Sin embargo, si la dislocacin se encuentra con una regin donde
los tomos estn desplazados respecto a sus posiciones normales, se requiere un
esfuerzo mayor para forzar el paso de la dislocacin por la regin de alta energa local; en
consecuencia, el material es ms resistente. En los materiales, los defectos corno las
dislocaciones, defectos puntuales y lmites de grano sirven como "obstculo " a las
dislocaciones. Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando la
cantidad y el tipo de las imperfecciones. Hay tres mecanismos comunes de
endurecimiento (o reforzamiento) que se basan en las tres categoras de defectos en los
cristales. Como el movimiento de dislocaciones es relativamente ms fcil en los metales y
aleaciones, estos mecanismos suelen funcionar mejor en los materiales metlicos. Es
necesario tener en cuenta que, con mucha frecuencia, la resistencia de los cermicos a la
tensin y a bajas temperaturas est determinada por la cantidad de porosidades
(presencia de pequeos agujeros). Con frecuencia, los polmeros son amorfos y, por tanto,
las dislocaciones desempean un papel muy pequeo en su comportamiento mecnico.
4.5.2 Endurecimiento por Deformacin
Las dislocaciones interrumpen la perfeccin de la estructura cristalina. En la figura
4.14, los tomos abajo de la lnea de dislocacin en el punto B estn comprimidos,
mientras los de arriba de B estn ms alejados. Si la dislocacin A se mueve hacia la
derecha y pasa cerca de la dislocacin B, la dislocacin A se encuentra con una regin
donde los tomos no tienen un orden adecuado. Se requieren mayores esfuerzos para
mantener en movimiento la segunda dislocacin; en consecuencia, el metal debe ser ms
resistente. Al aumentar la cantidad de dislocaciones, sigue aumentando la resistencia del
material, porque al aumentar la densidad de las dislocaciones se producen ms
obstculos al movimiento de las dislocaciones. Se puede demostrar que la densidad de
dislocaciones aumenta en forma notable a medida que se deforma un material. Este
mecanismo de aumentar la resistencia de un material por medio de la deformacin se
llama endurecimiento por deformacin (o endurecimiento por trabajo en fro). Tambin
podemos demostrar que es posible reducir la densidad de dislocaciones, en forma
apreciable, calentando un material a una temperatura relativamente alta y mantenindolo
en ella durante largo tiempo. A este tratamiento se le llama recocido y se usa para impartir
ductilidad a los materiales metlicos. Por lo anterior, el control de la densidad de

101
Captulo 2

dislocaciones es un mtodo importante para controlar la resistencia y la ductilidad de los


metales y las aleaciones.

Figura 4.14.- Si la dislocacin del punto A se mueve hacia la izquierda queda bloqueada por el defecto
puntual. Si se mueve hacia la derecha, interacta con la red perturbada cercana a la segunda dislocacin en el punto B.
Si se mueve ms a la derecha queda bloqueada por el lmite de Grano

4.5.3

Endurecimiento por solucin Slida

Cualquiera de los defectos puntuales tambin interrumpe la perfeccin de la


estructura cristalina. Cuando la estructura cristalina del material anfitrin asimila por
completo los tomos o los iones de un elemento o compuesto husped, se forma una
solucin slida. Esto ocurre de manera parecida a la forma en que la sal o el azcar se
disuelven en agua, en bajas concentraciones. Si una dislocacin .A se mueve hacia la
izquierda (Fig 4.14), se encuentra a un cristal perturbado debido al defecto puntual; son
necesarios mayores esfuerzos para continuar el deslizamiento de la dislocacin. Si en
forma intencional se introducen tomos sustitucionales o intersticiales, se produce un
endurecimiento por solucin slida.
4.5.4

Endurecimiento por Tamao de Grano

Las imperfecciones de la superficie, tales como los lmites de grano, perturban el


arreglo de los tomos en los materiales cristalinos. Si la dislocacin B se mueve hacia la
derecha (Fig. 4.14). Se encuentra con un lmite de grano y queda bloqueada. Al aumentar
la cantidad de granos, o reducir el tamao de grano, se produce un endurecimiento por
tamao de grano en los materiales metlicos.

102
Captulo 2

Existen otros dos mecanismos ms para endurecer metales y son endurecimiento


por segunda fase y endurecimiento por precipitacin, que se describirn en otro momento
del curso.

103
Referencias Bibliogrficas

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS