1/34

TEMA 5: EL TRANSISTOR BIPOLAR

5.1. Estructura fsica.

5.1.1 Transistores pnp y npn
5.2. Regiones de operacin.
5.2.1 Regin activa directa.
5.2.2 Regin de saturacin.
5.2.3 Regin de corte.
5.2.4 Regin activa inversa.
5.3. El transistor bipolar como elemento de circuito:
5.3.1 Variables de circuito y configuraciones bsicas:
emisor comn
base comn
colector comn.

5.3.2 Transistor bipolar en configuracin emisor comn. Curvas

caractersticas. Modelos bsicos.
5.3.3 Circuitos con transistores: Clculo del punto de trabajo.
5.3.4 Circuitos con transistores: Clculo de la caracterstica de
transferencia.
5.4. Familias lgicas bipolares.
5.4.1 Familia RTL.
5.4.2 Familia DTL.
5.4.3 Familia TTL.

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2/34

LECTURAS COMPLEMENTARIAS

Fernndez Ramos, J. y otros, "Dispositivos Electrnicos para

Estudiantes de Informtica" Universidad de Mlaga /
Manuales 2002. Tema 5: pag. 93- 133.
Malik, N.R.,"Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y
Diseo", Editorial Prentice-Hall 1996. Tema: 4: pag. 220-251.
Daza A. y Garca J. "Ejercicios de Dispositivos Electrnicos"
Universidad de Mlaga/Manuales 2003. Tema 3: pag 107-167.
http://jas.eng.buffalo.edu/education/index.html

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3/34

ESTRUCTURA FSICA
p

p
E

Emisor

Colector

B
C

Base

n
C

Emisor

Colector

B
E

Base

EL REA DE CONTACTO BASE-EMISOR ES MENOR QUE EL REA DE CONTACTO

BASE-COLECTOR:

EL EMISOR INYECTA PORTADORES QUE RECOGE EL COLECTOR

LA BASE ES ESTRECHA:
MUCHOS PORTADORES "SOBREVIVEN" A LA RECOMBINACIN

EL EMISOR EST MS DOPADO QUE EL COLECTOR Y LA BASE:

ES EL QUE INYECTA PORTADORES

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4/34

REGIONES DE OPERACIN

Emisor

Colector

VBC

C
B

VBE

Base
VBC

VBE

BE INVERSA BC DIRECTA
INVERSA

VBC

BE DIRECTA BC DIRECTA

SATURACIN

(VTBE,VTBC)
CORTE

BE INVERSA BC INVERSA

VBE

ACTIVA

BE DIRECTA BC INVERSA

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5/34

REGIN ACTIVA

NO

B
directamente polarizada
n

inversamente polarizada
n

Emisor

Colector
E
IC

IE

IB
Base
VBC < 0 Recombinacin

VBE > 0

EL EMISOR INYECTA PORTADORES QUE RECOGE EL COLECTOR

MUCHOS PORTADORES "SOBREVIVEN" A LA RECOMBINACIN

I C = I E ,
IB e
IE e
IE

IC + I B = I E

V BE V T

IE I B

V BE V T

I C = I B
IC
IB

IC IB

I C = I B

IE

VBE

IC

IB

EL EMISOR EST MUCHO MS DOPADO QUE LA BASE:

IE ES MUCHO MS GRANDE QUE IB , ES DECIR ES GRANDE
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6/34

REGIN DE SATURACIN
directamente polarizada
directamente polarizada
n

VBC

VBE

B
Colector

Emisor

VCE
E
Base

VBE >0

VBE

VBC >0

REGIN DE CORTE
inversamente polarizada
inversamente polarizada
n

Colector E

Emisor

B
VBE <0

Base

VBC <0

REGIN ACTIVA INVERSA

inversamente polarizada
n

directamente polarizada
n
Colector

Emisor

IE

Inv
I BIB
inv

IC

VBC

VBE <0

Base

IB
VBC >0

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7/34

TRANSISTOR BIPOLAR COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

TRANSISTOR NPN

TRANSISTOR PNP
VE
+
IE

VEB

_
B

VEC

VB

+
_

VBC

VCB

IB

VC
+
IC

IC _

IB

VCE

vB

VC

IE _
VE

VBE

Elemento de tres terminales: seis variables de circuito

IB , IC , IE

VB , VC , VE o bien

slo cuatro variables son independientes:

LKI:

VBC , VEC , VEB (PNP)

VBE , VCE , VCB (NPN)

LKV: VB + VC + VE = 0
LKV: VBC - VEC + VEB = 0 (PNP)

IB + IC + IE = 0

LKV: VBE - VCE + VCB = 0 (NPN)

Tres configuraciones:
BASE COMN

EMISOR COMN

COLECTOR COMN
IE

IC
IB

+
VBE
_

C
B

+
VCE

IE

+
VEB
_

IC
C

E
B

+
V
_ CB

Material Auxiliar de Clase de Dispositivos Electrnicos

IB

+
VBC
_

E
B

+
VEC

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8/34

TRANSISTOR BIPOLAR EN EMISOR COMN

CURVAS CARACTERSTICAS
CONDICIONES EN LAS REGIONES DE TRABAJO
IC

IB

+
_

VBC

INVERSA

SATURACIN

VCE

VBE

(VTBE,VTBC)

CORTE

ACTIVA

IB frente a VBE
NO CORTE
IB

VBE

IB 0

IB

VCE = 1V

V BE V BEon

CORTE

VBE

VBEon

VBEon

VBE

IC frente a VCE para distintos valores de IB

IC (mA)

IB 0

0.4

40

0.3 IB (mA)

30

I C = I B
V CE V CEsat

0.2

20

ACTIVA

0.1

10

0.0
VCEsat
0.2V

VCE

I C I B

SATURACIN

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9/34

TABLA RESUMEN DE MODELOS Y CONDICIONES

PNP

NPN

C
B

B
E

C
REGIN DE CORTE

E
si VBE V BEon

si V EB V EBon

C
REGIN ACTIVA
C

IB

si IB 0
IB

B
VBEact

VEBact
IB

si IB 0
IB

y V CE V CEsat
C

y V EC VECsat

REGIN DE SATURACIN
IC
C
VCEsat

IB
B

si I B 0

VEBsat
IB

y I B IC

E
B

VBEsatE

VECsat
IC

si IB 0
y I B I C

REGIN ACTIVA INVERSA

VBCactinv
IB

B
invIB
E

si I B 0
y V EC V ECsat

invIB

y V CE VCEsatinv

IB
VCBactinv

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si IB 0

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10/34

TRANSISTOR BIPOLAR COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

Ejemplos: En este circuito, determinar el valor de las variables de emisor comn
que determinan el punto de trabajo del transistor.

VDD

RB2VDD
RC

RB1
N

RB2

RB1 + RB2

VDD = 10V

VDD

IC

RC

RC = 5K
RB1 = RB2 = 400K

+
Q VCE
+
N
VBE - -

RB1//RB2 IB

VBEON = 0.7 volt.

VCESAT = 0.2 volt.
= 100

VBEON = VBEact = VBEsat

C
IB

si VBE V BEon

B
VBEact

si I B 0

C
B

SATURACIN
IC

ACTIVA

CORTE

IB
E

y V CE V CEsat

VCEsat

IB
B

si I B 0
y IB I C

VBEsatE

Ej: Verificar que la curva vo-vi en este circuito es la siguiente

VDD
VDD = 5V

RC
RBB

vi

+
Q

vo
VDD

RC = 5K
RBB = 20K

vo VBEON = 0.7 volt.

-

VCESAT

VCESAT = 0.2 volt.

= 100

VBEON VA

VBEON = VBEact = VBEsat

V

Material Auxiliar de Clase de Dispositivos Electrnicos

vi

R
BB
= ------------ ( V
V
)+V
DD
CESAT
BEON
R
C

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11/34

TRANSISTOR BIPOLAR COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

CLCULO DEL PUNTO DE TRABAJO: UN ALGORITMO

Q1

Circuito

Ejemplo: N=1

QN
1. Se consideran todas las situaciones posibles, que son M = 3N,
es decir si N = 1, M = 3, en concreto:
i=1: Q1 CORTE
i=2: Q1 ACTIVA
i=3: Q1 SATURACIN
inicializo la variable i =0

2. Tomo el caso i = i+1 y sustituyo los transistores por los modelos

(transparencia anterior)

3. Para todos los transistores compruebo las condiciones bajo las

cuales los modelos valen (transparencia anterior)

NO

Se cumplen las condiciones?

SI
FIN: CALCULO LO QUE QUIERO DEL CIRCUITO

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12/34

TRANSISTOR BIPOLAR COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

CLCULO DE CARACTERSTICA DE TRANSFERENCIA:

Vo

Q1
QN

Ejemplo: N=1
Vi
+ Vo

Para V i

Vi

quiero Vo

1. Se consideran todas las situaciones posibles, que son M = 3N,

es decir si N = 1, M = 3, en concreto:
i=1: Q1 CORTE
i=2: Q1 ACTIVA
i=3: Q1 SATURACIN
inicializo la variable i =0
2. Tomo el caso i = i+1 y sustituyo los transistores por los
modelos
3. Para todos los transistores impongo las condiciones bajo
las cuales los modelos valen.
4. De las condiciones anteriores obtengo

condiciones sobre Vi :
V BE V BEon

las

a Vi b
I B I C

V CE V CEsat

IB 0

5. Calculo Vo

Vo
a

NO

Vi

i = M?

SI

Vo
a

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Vi

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13/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: RTL

Inversor RTL

vo(V)
vOH 5

vo(V)

Vcc=5V
i

vi

vOH 5

Rc
vo

Rb

IDEAL

vOL 0.0

2.5
vIL vIH

vi(V)

vOL 0.2
0.5 1.5
vIL vIH

vi(V)

Puerta bsica: NOR

A
B

Vcc

Rb
vA

Rc
vo
QA QB

Rb
vB

Calidad:
Fan-out: 5 puertas
Margen de ruido: 0.13V (con las cinco puertas conectadas)
Retraso: 12ns
Consumo: 11mW

POBRES FAN-OUT Y MARGEN DE RUIDO

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14/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: DTL

Inversor DTL
i

Vcc=5V

vo(V)

vOH 5

Rc

vi

IDEAL

D2

D1

vo
Qo

vOL 0.0

Rb

Di

2.5
vIL vIH

vi(V)

vo(V)
vOH 5

Vcc=5V
R
vOL 0.2

(1)R

1.2 1.65
vIL vIH

Rc
Q1

Vi
Di

D1

mejora el fan-out

Vo

Rb

vi(V)

Qo

Vcc=5V

Puerta bsica: NAND

R
A
B

(1)R

O
VA

Calidad:

VB

Rc
Q1
D1

Rb

VO
Qo

Fan-out: 8 puertas
Margen de ruido: 1V (con las cinco puertas conectadas)
Retraso: 30ns
Consumo: 13mW

MEJORES FAN-OUT Y MARGEN DE RUIDO QUE RTL

PEOR TIEMPO DE RETARDO QUE RTL
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15/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: TTL

DESARROLLADAS PARA MEJORAR EL RETRASO DE LA DTL

SIN EMPEORAR LO DEMS
TTL 7400
A

vo(V)
vOH 2.4

vOL 0.4
0.8
vIL

2
vIH

vi(V)
vo(V)

IDEAL

vOH 5

TTL 74LS00
vOL 0.0

2.5
vIL vIH

TTL

7400

74S00

74LS00

74AS00

74ALS00

Fan-out

10

10

10

10

10

VIL-VOL (peor caso)

0.8-0.4V

0.8-0.5V

0.8-0.5V

0.8-0.5V

0.8-0.5V

VOH-VIH (peor caso) 2.4-2V

2.7-2V

2.7-2V

2.7-2V

2.7-2V

Tiempo de Retardo

10ns

3ns

10ns

1.5ns

4ns

Consumo

10 mW

19 mW

2 mW

20 mW

1 mW

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vi(V)

16/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: Ejemplos

Ej: En las puerta lgicas de la figura, verificar la tabla que recoge los valores de Vo

para las diferentes combinaciones de las entradas. De qu puerta lgica se trata?

Calcular el consumo en cada caso.
VDD

VDD

RB
Qo

vI1 D1

0
0
5
5

Qo

vI1 D1

vI1(V) vI2(V)
0
5
0
5

v0(V) P(mW)
5
5
5
0,2

4,3
4,3
4,3
5,875

DB

+
vo

vI2 D
2

RC

RA

RC

RA

+
vo

RB

vI2 D
2
VDD = 5V

vI1(V) vI2(V)

RA = RC= 5K
RB = 15K

0
0
5
5

VBEON = V = 0.7 volt.

VBEON = VBEact = VBEsat
VCESAT = 0.2 volt.
= 100

0
5
0
5

v0(V) P(mW)
5
5
5
0,2

4,3
4,3
4,3
8,4

Ej: Para las puerta lgicas de la figura, verificar su curva caracterstica.

Determinar sus niveles lgicos y sus margen de ruido
VDD

VDD
RA

vI1

D1

RA

RC
RB
Qo

vi

VDD

VDD

+
vo

vI2 D
2

vI1

vi

D1

DB
Qo

vI2 D2

+
vo

RB

vo
VOH= VDD

vo
VOH= VDD

NMH = 4,3V
NML = 0,5V

NMH = 4,84V
NML = - 0,2V
VOL=VCESAT

VOL=VCESAT
VIL= 0

RC

vi
R
B
VIH= V A = ---------- V
(V
V
)+V
DD
CESAT
BEON
R
C

Material Auxiliar de Clase de Dispositivos Electrnicos

vi
VIL=VIH=VBEON
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17/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: Ejemplos

Ej: En las puerta lgicas de la figura, comprobar como influye su interconexin

sobre los niveles lgicos. Calcular el mximo nmero de puertas lgicas que
pueden ser conectadas a la salida de una dada, sin que estos se degraden?
i

vo
VOH=VDD

VDD

NMH = VDD - VA
NML = VBEON - VCESAT

RC

RBB

VOL=VCESAT

vo

vi

VIL=VBEON

vo1 vi2

vi1

vo2

R
BB
= ------------ ( V
V
)+V
DD
CESAT
BEON
A
R
C

VDD

VDD

RC

RC

DOS CASOS

(A)

vi1
0

CASO (A)

VDD
RC
IC

vi1=VDD

RBB

(B) 0

RBB

RBB

vi2

vo2
-

1
1

vo1= VCEsat = vi2 < VBEON

IB VBEON E

vo1

RC
C

RBB

VDD

Vx

vi

VIH=VA

vo2=VDD
-

No hay degradacin del cero lgico Vx =VCEsat

Material Auxiliar de Clase de Dispositivos Electrnicos

No importa
cuantas
puertas
se conecten

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18/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: Ejemplos

Ej: (Continuacin)

vo

VDD

VOH=VDD

NML = VBEON - VCESAT

RBB

vi

vo

VOL=VCESAT

vo1 vi2

vi1

IRC

RBB B

vi1= 0

0
VDD

RC

RC

+ Vx
+

vo1= vi2
-

IC

RBB
E

Vx = VDD > VIH

Con conexin

Vx =

vo2=VCEsat

IB VBEON E

Sin conexin

(VDD - VBEON) RBB

Hay degradacin del uno lgico

RBB+RC

Cul es el mximo n de puertas

RC

que se pueden conectar?

RBB

0
0

RBB

VDD

0
IRC

RBB B

vi1= 0

RBB

+ Vx

vo1= vi2
-

+
-

IB VBEON E

VDD - VIH
VIH - VBEON

(VDD - VBEON) RBeq

Vx =

RBeq+RC

n <

Material Auxiliar de Clase de Dispositivos Electrnicos

<

n
B

+VBEON > VIH

RBB

RBeq =

IB

RBB
E

IB

RC
C

+VBEON < VDD

RBB+RC

(VDD - VBEON) RBB

Siempre que Vx > VIH todo ir bien

vi

VIL=VBEON

VDD

R
BB
= ------------ ( V
V
)+V
DD
CESAT
BEON
R
C

VIH=VA

vo2

CASO (B)

NMH = VDD - VA

RC

+VBEON

VDD - VIH

RBB

VIH - VBEON

RC

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19/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: Ejemplos

Ej: En las puerta lgicas de la figura, comprobar como influye su interconexin

sobre los niveles lgicos. Calcular el mximo nmero de puertas lgicas que
pueden ser conectadas a la salida de una dada, sin que estos se degraden?
i

vo
VOH= VDD

VDD

NMH = VDD - VBEON

NML = VBEON - VCESAT

RC

RA

DB
Qo

vI1 D1

+
VOL=VCESAT

vo

RB

vi

VIL=VIH=VBEON

vo1 vi2

vi1

vo2

VDD
VDD

(A)
(B)

Qo

vi1

D1

D1

VDD

RC
C

RB

vo2

RB

DB

Vx
+

D1

No hay degradacin del uno lgico

IC

RB

IB

No importa
cuantas
puertas
se conecten

Vx =VDD

Material Auxiliar de Clase de Dispositivos Electrnicos

0
0

vo2 = VCESat

vo1= VDD = vi2

E

0
RC

RA

RA

DB

VDD

vi1= 0

vo1= vi2

RB

CASO (A)

D1

Qo

DB

DB

RC

RA

DOS CASOS

RC

RA

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20/34

FAMILIAS LGICAS BIPOLARES: Ejemplos

Ej: (Continuacin)

vo
VOH= VDD

VDD

NMH = VDD - VBEON

NML = VBEON - VCESAT

RC

RA

DB
Qo

vI1 D1

+
vo

RB

VOL=VCESAT

vi1

vo1 vi2

VIL=VIH=VBEON

CASO (B)

VDD
IRC

RA

vi

vo2

DB

RC

IC

D1

Sin conexin Q1 en Sat.

RC

RA
ID1

C
DB

D1

Q1

Q2 +

I C I B = I maxsat
Con conexin
I C = I R + I D1
C

vo2 = VDD

RB

vo1= VCEsat= vi2

IB

RB

vi1=VDD

Vx

VDD

Mientras se cumpla

I C I maxsat

I D1 I maxsat I R

Q1 en Sat y no hay degradacin del cero lgico

En caso contrario Q1 en activa y V X V CEsat = V IL
Cul es el mximo n de puertas
que se pueden conectar?
0
1
1
Con n conexiones se tiene

I C = I R + nI D1
C

n
1 VDD
RA

vi1=VDD

DB

IC

RC
C

Vx
+

Q1

RB

Mientras se cumpla
nI D1 I maxsat I R
I C I maxsat
C

VDD

Q1 en Sat y
no hay degradacin
del cero lgico

RA

IRC

D1

y hay degradacin del cero lgico

IB

ID1

D1

vo1=VCEsat

B
RA
ID1

D1

RA
ID1

I maxsat I R
n -------------------------------CI D1
B

D1
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21/34

TEMA 5: BREVE EXPLICACIN DE LAS TRANSPARENCIAS

Transparencia 1:

ndice

Los objetivos fundamentales de este tema son:

Describir la estructura y los principios fsicos del comportamiento de los
transistores bipolares de unin pnp y npn.
Introducir y justificar los modelos bsicos de estos dispositivos, y su
caracterizacin como elementos de circuito.
Adquirir cierta prctica en el anlisis de circuitos que contienen
transistores bipolares.
Conocer y analizar las familias lgicas bipoloares.

Transparencia 2:

Lecturas Complementarias

A continuacin se relacionan un conjunto de Lecturas Complementarias que

completan los contenidos desarrollados en estas transparencias:
-

Fernndez Ramos, J. y otros, "Dispositivos Electrnicos para

Estudiantes de Informtica" Universidad de Mlaga /
Manuales 2002. Tema 5: pag. 93- 133.

Malik, N.R.,"Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y

Diseo", Editorial Prentice-Hall 1996. Tema: 4: pag. 220-251.

Daza A. y Garca J. "Ejercicios de Dispositivos Electrnicos"

Universidad de Mlaga/Manuales 2003. Tema 3: pag 107-167.

Por otra parte, en estas direcciones web pueden encontrarse algunas

animaciones que ilustran algunos de los conceptos que aqu se presentan:
-

http://jas.eng.buffalo.edu/education/index.html

http://jas.eng.buffalo.edu/education/bjt/longshort/index.html

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22/34

Transparencia 3:

Estructura fsica del transistor bipolar de unin.

Un transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de tres

terminales construido sobre un cristal semiconductor y cuya principal caracterstica,
desde el punto de vista de su funcionalidad, consiste en que es posible controlar la
corriente que fluye entre dos de sus terminales actuando sobre el tercero. Existen dos
tipos de transistores bipolares, aunque el funcionamiento de ambos es similar en
cuanto a la descripcin anterior. El smbolo y una representacin esquemtica de la
estructura fisica de cada uno de ellos se ilustra en la parte superior de la
transparencia.
El transistor BJT pnp se construye creando tres regiones diferentes en el
cristal semiconductor, dos de tipo p separadas por una de tipo n, mientras que para el
transistor BJT npn se tienen dos regiones de material de tipo n separadas por una
de tipo p. En cada una de estas estructura, cada una de las tres zonas se conecta al
exterior por medio de un terminal metlico (un cable), por lo que se crea un un
dispositivo de tres terminales. Estos terminales reciben el nombre de emisor (E),
base (B) y colector (C) como se ilustra en la tansparencia.
As, bsicamente el funcionamiento de este dispositivo puede resumirse
indicando que desde el terminal de base es posible controlar el flujo de corriente entre
los terminales de emisor y colector.
La estructura fsica real del transistor se parece ms a la que muestra la figura
central de la parte de superior de la transparencia. Esta estructura ha de cumplir con
algunas caractersticas que son importantes para obtener el funcionamiento esperado
del transistor y que se destacan en la parte inferior de la transparencia, estas son:
1.- Las zonas de emisor y colector no son iguales, el rea de contacto de colector
con la base es mucho mayor que la del emisor con la base. Esto es as
porque la funcin del emisor es inyectar (emitir) portadores de corriente,
electrones o huecos, que el colector tiene que recolectar.
2.- La anchura de la base es muy pequea. Esto hace que muchos portadores de
corriente puedan pasar del emisor al colector a travs de la base sin
recombinarse en la misma. Por ejemplo, si en un transistor pnp un hueco viaja
desde el emisor al colector y se "encuentra" con un electrn en la base (que es
de tipo n y por tanto tiene muchos electrones libres), se recombina y desaparece.
Sin embargo, como la base es muy estrecha, lo ms seguro es que le d tiempo
a atravesarla sin desaparecer.
3.- El emisor est ms dopado que la base, y tambin que el colector. (Esto se
ilustra en las figuras que representan esquemticamente a los dos tipos de
transistores medinte una mayor densidad de portadores en la regin de emisor
que en las dems.

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En la descripcin del funcionamiento del transistor en las siguientes

transparencias se va a utilizar como referencia el transistor BJT npn, esto es, las
descripciones y razonamientos que a continuacin se exponen se refieren a este
dispositivo. Sin embargo todo lo que en ellas se dice es igualmente aplicable al
transistor BJT pnp sin ms que intercambiar los papel que juegan electrones y huecos
en cada uno de ellos y la polaridad de las fuentes de tensin conectadas a sus
terminales.

Transparencia 4:

Regiones de operacin.

Se distinguen cuatro zonas de trabajo o regiones de operacin, segn

estn inversa o directamente polarizadas las dos uniones pn existentes en el
transistor: la unin pn B-E (base-emisor) y la unin pn B-C (base-colector). Estas
zonas son:
1.- Activa directa: Unin B-E en directa y unin B-C polarizada en inversa.
2.- Corte: ambas uniones inversamente polarizadas.
3.- Saturacin: ambas uniones directamente polarizadas.
4.-Activa inversa: Unin B-E inversamente polarizada y unin B-C
directamente polarizada.
En las siguientes transparencias estudiaremos el comportamiento de este
dispositivo en cada una de estas zonas de trabajo y el correspondiente modelo que lo
caracterizar como elemento de circuito.

Transparencia 5:

Regin Activa.

Aunque la unin B-C est inversamente polarizada, no se modela con un

circuito abierto (Transparencia 8, Tema4), como se indica arriba en esta
transparencia. La razn es que muchos portadores de corriente se difunden a travs
de la base hasta alcanzar el colector. Hay que tener en cuenta que el emisor emite
muchos portadores porque est muy dopado, y casi todos "sobreviven" a la
recombinacin en la base porque sta es muy estrecha. Adems, los portadores que
sobreviven quedan atrapados por el campo elctrico creado en la unin base-colector.
El resultado es que las corrientes de emisor y colector son muy parecidas, se escribe
IC = I E con 1 .
Por otra parte, como las corrientes de base y de emisor son bsicamente
corrientes a travs de una unin p-n se pueden escribir como (Transparencia 8, Tema
V V
V V
4) I B I B0 e BE T y I E IE0 e BE T , es decir son proporcionales entre s ( I E IB ).
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Como IC e I E tambin son proporcionales, la conclusin es que I C e IB son

proporcionales, y se puede escribir I C = I B , siendo la constante de
proporcionalidad. Por lo tanto, como conclusin tenemos que en lugar de I C = 0 en
el colector tenemos I C = IB , que se modela con una fuente de intensidad controlada
por intensidad.
El modelo de circuito completo que podemos utilizar est en la parte de abajo
de la transparencia, o bien su equivalente de la derecha, que es el ms usual. Ntese
que en ambos, la unin base-emisor polarizada en directo se modela mediante una
fuente de tensin independiente, mientras que en la unin base-colector, polarizada
en inverso se modela como una fuente de corriente controlada por la corriente de
base, que modela el comportamiento antes descrito.
Para terminar, el hecho de que el emisor est mucho ms dopado que la base,
es decir tenga muchos ms portadores de corriente, hace que I E I B , y como I C I E
debe ser I C IB , es decir en IC = I B suele ser grande. Este es el principio que
permite construir amplificadores, es decir circuitos que toman una seal pequea (por
ejemplo I B ) y devuelven la misma seal multiplicada por un factor grande (por
ejemplo IC = I B ). Esta funcionalidad es bsica en la electrnica.

Transparencia 6:

Regiones de saturacin, de corte y activa

inversa.

En la regin de saturacin tenemos las dos uniones p-n directamente

polarizadas, es decir se comportan como dos diodos en ON, y si las modelamos con
una tensin umbral cada una (Transparencia 8, Tema 4), modelo de diodo con tensin
umbral), tenemos el modelo de la parte de la derecha, y su equivalente de abajo.
En la regin de corte tenemos a las dos uniones p-n inversamente
polarizadas, y, como hacamos con el diodo (Transparencia 8, Tema 4), las podemos
modelar con un circuito abierto.
Finalmente, la zona activa inversa se puede entender exactamente igual que
la zona activa directa, pero el colector y el emisor cambian sus papeles, el colector
emite portadores y el emisor los recolecta. La consecuencia principal es que, dado
que el colector est poco dopado comparado con el emisor, la corriente resultante va
a ser menor que en la regin activa directa, o dicho de otro modo inv .

Transparencia 7:

El transistor bipolar como elemento de circuito

El transistor bipolar, como elemento de circuito, es un elemento de tres

terminales. En esta transparencia se destacan las principales variables de circuito
que se emplean para caracterizar su comportamiento. Estas variables son en general

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seis; las tres intensidades de corriente y las tres tensiones en cada uno de sus
terminales. Tambin es posible, como alternativa a las variables de tensin en los
terminales, escoger la diferencia de potencial en sus terminales dos a dos. ambos
conjuntos se ilustran en la parte superior de la transparencia para los dos tipos de
transistores bipolares posibles (pnp y npn).
Ahora bien, de estos conjuntos de variables, slo cuatro de ellas (dos
intensidades y dos tensiones) son independientes, dado que las leyes de Kirchhoff
imponen dos condiciones de ligadura entre dichas variables.
Se tienen pues tres posibilidades para escoger dichas variables
independientes. Esto da lugar a tres posibles configuraciones para el transistor
bipolar, (ya sea pnp o npn), segn se muestra en la parte inferior de la transparencia
(slo para transistor npn): Configuracin en emisor comn, donde se elige el terminal
de emisor como referencia de tensiones. Configuracin en base comn, donde es el
terminal de base el escogido como referencia y configuracin en colector comn
donde hace lo propio el terminal de colector. Todas ellas son empleadas en circuitos
electrnicos, aunque en este curso prestaremos ms atencin a la configuracin en
emisor comn.

Transparencia 8:

Transistor bipolar en emisor comn: Curvas

caractersticas y condiciones en las regiones de
trabajo.

En esta transparencia se ilustra como se obtiene un modelo sencillo de

transistor bipolar, til para poder resolver problemas de circuitos en los que intervenga
este dispositivo. En transparencias anteriores se ha avanzado algo a cerca del
modelado del transistor; sin embargo, all no se han precisado cuales son las
condiciones de validez del modelo. Al igual que hemos hecho en el tema anterior con
los diodos, tenemos que saber cundo los modelos son vlidos, es decir tenemos que
encontrar unas condiciones en las regiones de operacin que me permitan saber si
efectivamente estoy en ella, y si puedo por tanto utilizar su modelo. En esta
transparencia se parte de las curvas caractersticas del transistor bipolar en
configuracin de emisor comn y se modelan grficamente, linealmente a tramos. De
la interpretacin de este modelo grfico surge el modelo analtico en cada regin de
funcionamiento, que ser empleado en el anlisis de circuitos.
Supongamos que cojo un transistor bipolar en el laboratorio y obtengo las
curvas que se muestran en la transparencia. En la parte de arriba se puede ver la
curva de la intensidad de base para distintos valores de VBE. Puedes comprobar que
esta curva es muy similar a la del diodo (Transparencia 7, Tema 4), y podemos
modelarla como hacamos con el diodo. Es decir, si est en OFF lo modelo como un

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circuito abierto y debe ser V BE V BEon , que es donde la intensidad IB vale cero. Como
esta intensidad vale cero en la zona de corte, podemos tomar la condicin
V BE V BEon para comprobar si realmente estamos en corte.
Supongamos que I B 0 , no estoy en corte y tengo que decidir si estoy en
activa directa o en saturacin (vamos a suponer que nunca estamos en zona activa
inversa). De las curvas de la parte de abajo de la transparencia podemos deducir que
IC = I B si V CE V CEsat , siendo = 100 , es decir estaremos en la regin activa.
Por otra parte, en la zona no sombreada de la grfica se observa que IC IB
(toma por ejemplo la curva de arriba, con IB = 0.4mA, y observa que en la zona no
sombreada la curva baja y es menor que I C = I B = 40mA ). Adems, aqu
V CE VCEsat , que es lo que ocurre en saturacin (mira la transparencia anterior,
donde hay una fuente de tensin independiente entre el colector y el emisor en el
modelo equivalente en saturacin). Por lo tanto, podemos concluir que si IC IB
estamos en la regin de saturacin y es vlido el modelo.

Transparencia 9:

Transistor bipolar en emisor comn: Tabla

resumen de modelos y condiciones.

En esta transparencia se resumen los modelos y las condiciones para las

distintas regiones de operacin de los transistores bipolares npn y pnp, en
configuracin de emisor comn. Notse que los modelos y expresiones para el
transistor pnp, coinciden con los del npn sin ms que cambiar el orden de los
subndices de las correspondientes variables, esto es porque, como ya se anunci al
final del comentario a laTransparencia 3: ambos transistor funciona de forma idntica
sin ms que cambiar la polaridad de las tensiones en sus terminales.

Transparencia 10: El transistor bipolar como elemento de circuito:

Ejemplos.
Esta transparencia propone dos ejemplos sencillos de clculo de punto de
operacin, y clculo de curva de transferencia respectivamente, que han sido
completados en clase.
El clculo del punto de operacin se contempla en la parte superior de la
trasparencia. En el ejemplo propuesto, antes de sustituir el transistor por el
correspondiente modelo, segn el estado de funcionamiento que se intente probar, se
ha procedido a una simplificacin del circuito sustituyendo parte de l por su
equivalente Thvenin, visto desde el nudo marcado con la letra N. As el circuito
equivalente resultante es uno de los ms simples posibles a analizar con un
solo transistor; y el ms adecuado para obtener de forma rpida su punto de

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operacin, esto es el valor de las variables tensin y corriente en configuracin emisor

comn en sus terminales.
Por otra parte, el clculo del equivalente Thevenin en este ejemplo es directo.
La tensin Thevenin ETH es la tensin en el nudo N respecto de tierra cuando este
est desconectado del terminal de base del transistor; y dado que el circuito resultante
R B2 V DD
es un divisor de tensin se tiene que E TH = ----------------------- y dado que en el ejemplo
R
V DD
B1 + R B2
-.
R B1 = R B2 , se tiene que E TH = --------2
El clculo de la resistencia Thevenin RTH resulta tambin directo,
R B1
R TH = R B1 //RB2 , y en el ejemplo R TH = --------.
2
Tras comprobar que el transistor no puede estar en corte, ni tampoco
trabajando en su regin activa, se demuestra que el transistor trabaja en su regin de
saturacin
y
se
obtiene
por
tanto
que
e
V BE = V BEon = 0,7V ,
ETH VBEon
IB = ------------------------------ = 21,5A ,
R B1 //R B2
V DD V CEsat
y que V CE = V CEsat = 0,2V e IC = ------------------------------- = 1,96mA .
RC
En la parte inferior de la transparencia se propone verificar la curva de
transferencia de un circuito simple con un transistor (como el obtenido en el ejemplo
anterior tras la sustitucin de parte del circuito por su equivalente Thevenin).
En clase se ha comprobado que el tramo v o = V DD para valores de v i V BEon
corresponde a Q trabajando en su regin de corte; que el tramo v o = V CEsat para
valores de v i V A , corresponde a Q trabajando en su regin de saturacin, siendo VA
el valor de tensin dado en la transparencia, y obtenido tras imponer la condicin de
funcionamiento en la regin de saturacin dada por i B i C . Por ltimo, el tramo
correspondiente a una recta de pendiente negativa para valores de vi tales que
V BEon v i V A corresponde a Q trabajando en su regin de activa.
Finalmente cabe destacar el parecido de esta curva de transferencia con la
curva caracterstica ideal de un inversor lgico. Si un valor de vi tal que v i V BEon
es interpretado como un "cero lgico" a la entrada, vemos que la salida ser un "uno
lgico" si se asocia ste a la salida al valor de tensin VDD. Por otra parte, si un valor
de vi tal que v i V A es interpretado como un "uno lgico" a la entrada, vemos que la
salida ser un "cero lgico" si se asocia ste a la salida al valor de tensin VCEsat.
Cuando se emplea este circuito como inversor, con el transistor trabajando en las
regiones de corte y saturacin, se dice que el transistor trabaja en conmutacin.
Esta es la forma habitual de trabajo de los transistores bipolares incluidos en los
circuitos electrnicos digitales.
Por su parte, como muestra tambin la caracterstica de transferencia del

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circuito, cuando el transistor trabaja en su regin activa, el circuito se comporta

como un amplificador de tensin, dada la relacin lineal (en primera aproximacin,
y gracias al modelo lineal simple empleado en estos clculos) entre vo y vi,
R
v o = mv i + ( V DD + mV BEon ) con m = ---------C- .
R BB
Para entender esto de una forma ms clara, supongamos que tenemos
v i = V I con V I un valor constante tal que V BEon V I V A , esto es, con ese valor el
circuito trabaja con el transistor en su zona activa. Si llamamos V O a la salida del
circuito v o para v i = V I se tendr que V O = mV I + ( V DD + mVBEon ) . Consideremos
ahora v i como una pequea variacin de tensin en torno a V I y de forma que se
cumpla que V BEon V I + v i V A , y que para ese valor de entrada se tenga que
V CEsat v o V DD , esto es, que para la tensin de entrada v i = V I + v i , el circuito
sigue trabajando en la zona activa del transistor. En este caso la salida tomar la
forma v o = m ( V I + v i ) + ( V DD + mVBEon ) que puede escribirse v o = V O mv i ; el
ltimo trmino de esta expresin puede ser considerado como una pequea variacin
en torno a V O , de forma que v o = V O + v o de forma que podemos identificar
v o = mv i . Esta ecuacin expresa que en este circuito, con el transistor trabajando
en su zona activa, pequeas variaciones de tensin en torno a la entrada se trasladan
a la salida como variaciones amplificadas por un factor m. Este esquema es el
fundamento de la amplificacin electrnica seales analgicas.

Transparencia 11: El transistor bipolar como elemento de circuito:

Clculo del punto de trabajo
Esta transparencia muestra el algoritmo de la Transparencia 15 del Tema 4
particularizado para los transistores bipolares. Como es bsicamente el mismo
algoritmo, se omite aqu su explicacin, y se remite a lo all explicado.

Transparencia 12: El transistor bipolar como elemento de circuito:

Clculo de la caracterstica de transferencia
Esta transparencia muestra el algoritmo en la Transparencia 19 del Tema 4
particularizado para los transistores bipolares. Como es bsicamente el mismo
algoritmo, se omite aqu su explicacin, y se remite a lo all explicado.

Transparencia 13: Familias lgicas bipolares; RTL.

En esta transparencia se muestra una primera familia de puertas lgicas
hecha con transistores bipolares y resistencias, la RTL. Puedes ver el inversor y

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la puerta lgica bsica, que es una NOR. Recuerda que a partir de puertas NOR se
puede construir cualquier circuito combinacional. Puedes ver en la transparencia la
caracterstica de transferencia, y abajo una serie de valores ejemplo que ilustran la
calidad de las puertas que se consiguen con esta familia.
Estas puertas regeneran los niveles (no como los diodos - Transparencia 27 del
Tema 4), y tienen datos de retraso y consumo relativamente buenos.
El problema fundamental es que el fan-out es pequeo (ver Transparencia
15 del tema 1), y el margen de ruido tambin (el que se da de 0.13V es el peor caso,
con 5 puertas conectadas a la salida).
Los esfuerzos para mejorar estos datos dan lugar a la familia DTL, que se
explica en la siguiente transparencia.

Transparencia 14: Familias lgicas bipolares: DTL.

La familia DTL se construye con diodos y transistores, adems de
resistencias. Estas puertas tratan de mejorar los datos de margen de ruido y fanout de las puertas RTL.
En la transparencia puedes ver que hay una versin ms bsica que slo tiene
un transistor, y otra (inversor de abajo) que tiene dos transistores. Esta ltima tiene
mejor fan-out. La puerta bsica de la familia es la NAND, con la que se puede construir
cualquier circuito combinacional. En la transparencia puedes ver la caracterstica de
transferencia y algunos datos para evaluar la calidad de las puertas de esta familia.
Su principal inconveniente es que son lentas, tienen un retraso bastante
grande, razn por la cual se trabaj para conseguir la familia TTL, que vemos en la
siguiente transparencia.

Transparencia 15: Familias lgicas bipolares: TTL.

Como se ha dicho ya, esta familia se disea para conseguir un menor
retraso, y al mismo tiempo preservar o mejorar el resto de los parmetros de
calidad que da la familia DTL de la transparencia anterior.
Existen muchas versiones de esta familia, que tambin tiene como puerta
bsica la NAND, ya que en realidad es una evolucin de la familia DTL. En la
transparencia se muestran los esquemas de dos puertas, una estndar, la 7400, y una
de bajo consumo con transistores Schottky (una variante del transistor bipolar), la
74LS00. En la parte de abajo de la transparencia puedes ver una tabla con los datos
de varias familias lgicas TTL comerciales.

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Transparencia 16: Familias lgicas bipolares: Ejemplos

Esta transparencia propone diversos ejemplos de clculo sobre circuitos que
representa puertas lgicas DTL.
En la mitad superior se propone el anlisis de dos circuitos diferentes que
realizn la funcin NAND, como puede deducirse tras realizar el clculo de las
tensiones de salida para cada una de las cuatro combinaciones de entrada que
corresponderan a las cuatro combinaciones binarias de la tabla de verdad de una
funcin booleana de dos entradas. En dicho ejemplo se calcula tambin el consumo
esttico del circuito en cada caso.
En ambos ejemplos, para aquellas combinaciones que incluyen 0 voltios a la
entrada, se tendr que el correspondiente diodo de entrada conducir, lo que a su vez
provoca que el correspondiente transistor de salida est cortado y por tanto, que la
tensin de salida sea la de alimentacin VDD. El consumo (VDD x IDD) en todos ellos
es adems el mismo, dado que est corresponde al de la potencia disipada en la
resistencia RA, nica por la que circula corriente. Tambin en ambos circuitos, la
combinacin (5V, 5V) fuerza que los correspondientes diodos de entrada se corten y
por tanto que el transistor correspondiente conduzca. Se verifica que la conduccin
se realiza en saturacin, por lo que en ambos casos la tensin de salida corresponde
a la tensin de saturacin del transistor (VCEsat). Por lo que respecta al consumo, aqu
si existe diferencia entre ambos circuitos. Esta diferencia radica en el consumo debido
a la corriente que circula por la rama que contiene la resitencia RA, que resulta ser
superior en el segundo circuito; dado que es claro que la corriente que circula por la
rama que contine la resistencia RC es la misma en ambos circuitos.
En la mitad inferior de la transparencia se muestra la caracterstica de
transferencia de cada una de las puertas lgicas anteriormente estudiadas. A partir
de ellas es posible determinar los niveles lgicos y finalmente los mrgenes de
ruido.
Por lo que respecta a la curva caracterstica y a los mrgenes de ruido la
diferencia entre ambas implementaciones NAND resulta mucho ms apreciable. En el
primero de los casos, - abajo a la izquierda - la curva caracterstica es tal que se tiene
un margen de ruido para el cero negativo. Esta situacin se mejora para el segundo
caso - abajo a la derecha -, donde la curva caracterstica se asemeja ms a la curva
ideal, aunque el margen de ruido del cero resulta pequeo. Una ulterior mejora para
este tipo de puertas se consigue aadiendo algn diodo ms en serie con el diodo DB.
(Ver TRANSP. 14 y Problema 7 de la quinta relacin).

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Transparencia 17: Familias lgicas bipolares: Ejemplos

Esta transparencia y la siguiente ilustran de forma cuantitativa y mediante un
ejemplo qu ocurre cuando se interconectan dos puertas lgicas RTL, en
particular dos inversores de esta familia, cuya estructura, caracterstica de
transferencia, niveles lgicos y mrgeners de ruido se muestran en la figura de la
parte superior.
Se presentan dos situaciones:
Caso A propagacin de un 0 lgico, y
Caso B propagacin de un 1 lgico.
En la parte inferior de esta transparencia se analiza el primero de los casos,
Caso A, y se concluye que no hay degradacin del 0 lgico, esto es, que el hecho
de conectar ambas puertas no afecta al valor de tensin correspondiente a un 0
lgico a la salida del primer inversor; y por tanto, que el nmero de puertas que
podran ser conectadas a la salida de la primera en esta situacin no est limitado.

Transparencia 18: Familias lgicas bipolares: Ejemplos

Esta transparencia es continuacin de la anterior. En ella se analiza en primer
lugar el Caso B, y se concluye que hay degradacin del 1 lgico, esto es, que el
hecho de conectar ambas puertas afecta directamente al valor de tensin
proporcionado como 1 lgico a la salida del primer inversor, (denominado Vx en la
figura). Siempre que se cumpla la condicin Vx > VIH , no habr problema y el 1
lgico ser bien interpretado por el segundo inversor; en caso contrario habr un
mal funcionamiento. En el ejemplo analizado se presenta finalmente una condicin
de diseo del inversor RTL, en trminos de la razn entre la resistencia de colector
RC y de base RBB, y que garantiza un buen funcionamiento.
En la parte inferior de la transparencia se responde a la pregunta de cul es el
mximo nmero (n) de puertas lgicas de esta familia que pueden ser
conectadas a la salida de una dada, sin que se degrade el 1 lgico. A partir del
circuito simplificado de la figura, en el que se considera la conexin de n puertas, se
calcula Vx,que depende de n, y en base a la condicin (Vx > VIH) se obtiene una
expresin para n mximo, en trminos de los niveles lgicos y los valores de las la
resistencia de colector RC y de base RBB.
Por tanto, el nmero de puertas que podran ser conectadas a la salida de la
primera est limitado. Este lmite se denomina fan-out de la puerta lgica.

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Transparencia 19: Familias lgicas bipolares: Ejemplos

Esta transparencia y la siguiente ilustran de forma cuantitativa y mediante un
ejemplo qu ocurre cuando se interconectan dos puertas lgicas DTL, en
particular dos inversores de esta familia, cuya estructura, caracterstica de
transferencia, niveles lgicos y mrgeners de ruido se muestran en la figura de la
parte superior.
Se presentan dos situaciones:
Caso A propagacin de un 1 lgico, y
Caso B propagacin de un 0 lgico.
En la parte inferior de esta transparencia se analiza el primero de los casos,
Caso A, y se concluye que no hay degradacin del 1 lgico, esto es, que el hecho
de conectar ambas puertas no afecta al valor de tensin correspondiente a un 1
lgico a la salida del primer inversor; y por tanto, que el nmero de puertas que
podran ser conectadas a la salida de la primera en esta situacin no est limitado.

Transparencia 20: Familias lgicas bipolares: Ejemplos

Esta transparencia es continuacin de la anterior. En ella se analiza en primer
lugar el Caso B y se concluye que hay degradacin del 0 lgico, esto es, que el
hecho de conectar ambas puertas afecta directamente al valor de tensin
proporcionado como 0 lgico a la salida del primer inversor, (denominado Vx en la
figura). Siempre que se cumpla la condicin Vx < VIL , no habr problema y el 0
lgico ser bien interpretado por el segundo inversor; en caso contrario habr un
mal funcionamiento. Dado que en el circuito Vx valdr VCEsat, siempre que el
transistor Q1 se mantenga en saturacin, no habr problema. Esta situacin se
mantendr mientras se cumpla para la corriente de colector y base de Q1 la relacin
IC IB . Pero tras la conexin I C = IRC + I D1 , esto es la corriente de colector de Q1
es la suma de la corriente que fluye por la resistencia de colector RC y la corriente que
proviene de la entrada del segundo inversor, esto es, la corriente que circula por D1;
y podra ocurrir que deje de cumplise la condicin de saturacin en Q1. En esta
circustancia, Q1 entrara en su zona activa, y no est garantizado que se cumpla la
condicin Vx < VIL , con lo que el 0 lgico podra ser mal interpretado por el
segundo inversor. En el ejemplo analizado en la transparencia se presenta
finalmente una condicin de diseo para inversor DTL en trminos de relacin entre
corrientes, y cuyo cumplimento garantiza un buen funcionamiento.
En la parte inferior de la transparencia se responde a la pregunta de cul es el
mximo nmero (n) de puertas lgicas de esta familia que pueden ser
conectadas a la salida de una dada, sin que se degrade el cero lgico. A partir del

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circuito simplificado de la figura, en el que se considera la conexin de n puertas, se

calcula la corriente de colector en Q1 tras la conexin, que depende de n, y en base
a la condicin I C I B se obtiene una expresin para n mximo, en trminos de la
mxima corriente de saturacin ( IB ), de la corriente en la resistencia RC y la
corriente en el diodo D1.
Por tanto, el nmero de puertas que podran ser conectadas a la salida de la
primera est limitado. Este lmite se denomina fan-out de la puerta lgica.

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