Circuite integrate analogice

Structura cursului
1. Modelarea dispozitivelor bipolare si MOS
2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale
3. Surse de curent si surse de tensiune
4. Amplificatoare elementare
5. Etaje de iesire
6. Amplificatoare operationale. Structuri interne
7. Raspunsul in frecventa al circuitelor.
Stabilitatea circuitelor cu reactie
8. Structuri analogice liniare
9. Structuri neliniare de calcul analogic

Capitolul 1
Modelarea dispozitivelor
bipolare si MOS

1.1. Relatii fundamentale ale tranzistorului bipolar

Domenii de functionare:
Regiunea de blocare (1)
Regiunea activa normala (2)
Regiunea de saturatie (3)

1.1.1. Functionarea la semnal mare

Regim activ normal:

Efectul Early:

v BE
v BE

Vth

ic I S e
1 I S e Vth

ic I S e

v BE
Vth

v
1 CE
VA

iC

vBE = ct.

-VA

vCE

1.1.2. Modelul de semnal mic (regim activ normal)

r
C

B
vbe r

gmvbe

ro
E

Conductanta de transfer:
gm

I C
V BE

V
I C I S exp BE
Vth

V 1
I
g m I S exp BE
C 40 I C
Vth Vth Vth

Rezistenta de iesire:
ro

1
1

I C
go
VCE

ro

V V
I C I S exp BE 1 CE
VA
Vth

Rezistenta r:
r

gm

Rezistenta r:
r K ro

K 10 pt . NPN
K 2 5 pt . PNP

V
1
A
IC
VBE 1

I S exp
V
V
th A

Circuit echivalent cu rezistente serie

rb

rc
C

vbe r

ro

C gmvbe

CCS

re

1.2. Relatii fundamentale ale tranzistorului MOS

1.2.1. Modelul de semnal mare

Simboluri:
NMOS

PMOS

D
B

G
S

B
D

Notatii:
G = grila (poarta)
D = drena
S = sursa
B = substrat (bulk)
W/L = factor de aspect
K = parametru transconductanta
VT = tensiune de prag
VGS = tensiune grila-sursa
VDS = tensiune drena-sursa

I. Regiunea de inversie puternica

VGS VT

a. Saturatie

VDS VDSsat VGS VT

ID

K
VGS VT 2
2

K K'

b. Regiunea liniara

VDS VDSsat
V

I D K VGS VT DS VDS
2

II. Regiunea de inversie slaba

VGS VT
I D I D0

V VT
W
exp GS
L
nVth

W
W
nC ox
L
L

I D
VGS

I D sat I D w .i .

K
VGS VT 2 I D0 W exp VGS VT
L
2
nVth

V VT
W 1
exp GS
L nVth
nVth

K VGS VT I D0

VGS VT nVth

I D0

K '2( nVth ) 2
e2

sat

I D
VGS

w .i .

VGS VT
nVth
2
K
2 nVth 2 I D0 W e 2
2
L

Caracteristicile de iesire ale tranzistorului MOS

Efectele de ordin secundar:

a. Modularea lungimii canalului
K
I D VGS VT 2 1 V DS
2
b. Degradarea mobilitatii
K0
K
[1 G (VGS VT )](1 DV DS )
c. Efectul de substrat
VT VT 0 VBS

Modularea lungimii canalului

I

1.2.2. Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

gmbsvbs
G

vds

gmvgs
rds

vbs
S

vgs

gm

gm

rds

I D
VGS

1
1

I D
g ds
V DS

I D
K VGS VT
VGS

g m 2 KI D
ID

K
VGS VT 2 VGS VT
2
rds

2I D
K

1
1
1

K
I D
VGS VT 2 I D
2
VDS

Exemplu
I D 1mA, 10 3V 1 , K 5 10 4 A / V 2
gm 2 KI D 1mA / V
rds

1
1 M
I D

Modelul de inalta frecventa

1.3. Rezistente dinamice

Rezistenta in baza
C

B
iX
vX

Q
RO

R1

vBE
gmvBE

R2
ro

R2
E
v x i x r 1i x R1

vx
r 1R1
RO
ix

R1

Rezistenta in emitor
B

RO

R1
R1

R2

C
r

vBE
gmvBE

R2
ro
E
iX
vX

R r
RO 1
1

Rezistenta in colector
RO
C

B
Q
R1

R1

vBE
gmvBE

R2

iX
vX

ro
E
R2

R2

RO ro 1
r R1 R2

Rezistenta in poarta

G
iX
vX

Q
RO

R1

D
vGS
gmvGS

R2

rds

R2
S

RO

R1

Rezistenta in sursa
Q

RO

G
vGS
gmvGS

R1
R1

R2

R2
rds
S
iX
vX

v
1
i x gm v gs gm v x RO x
ix

gm

Rezistenta in drena
RO
G
Q
R1

R1

R2

D
vGS
gmvGS

iX
vX

rds
S
R2

v x i x gm v gs rds i x R2
v gs i x R2

v
RO x rds 1 gm R2 R2 rds 1 gm R2
ix