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Tema1 SemiConduct PDF
Tema1 SemiConduct PDF
SEMICONDUCTORES
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
Generacin-recombinacin
Ejercicios propuestos
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
Slidos cristalinos
http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
Silicio
Germanio
GaAs
Conductores
Aislantes
Semiconductores
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
Generacin-recombinacin
Ejercicios propuestos
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
Durante el estudio del tomo, muchos cientficos han tratado de explicar como esta formado y
ordenado este, existen muchas teoras algunas de las cuales se contradicen; se pueden citar
algunos modelos: Modelo Atmico de Dalton, Rutherford, Bohr y Schrdinger.
www.sc.ehu.es
colos.inf.um.es
cte
En 2
n
http://www.quimicaweb.net
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
Semiconductores
http://www.politecnicocartagena.com
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
Silicio : Si
Descubridor : Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ao : 1823
Etimologa : del latn silex
En estado puro tiene propiedades fsicas y qumicas parecidas a las del diamante.
El dixido de silicio (slice) [SiO2] se encuentra en la naturaleza en gran variedad de
formas: cuarzo, gata, jaspe, nice, esqueletos de animales marinos.
Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras. En estado muy puro y
con pequeas trazas de elementos como el boro, fsforo y arsnico constituye el material
bsico en la construccin de los chips de los ordenadores.
http://www.politecnicocartagena.com
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
tomo aislado de Si
(nmero atmico 14)
http://www.politecnicocartagena.com
10
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
Los cristales de semiconductores estn formados por tomos donde los vecinos
ms cercanos estn enlazados de manera covalente (mas o menos polar).
GaAs: estructura
Zinc-Blenda
Cortesa de wie@acsu.buffalo.edu
Estos SC tienen en su ultimo orbital 4 electrones de valencia (que estn atrapados en los
enlaces).
Sin embargo, el electrn puede abandonar el enlace y pasar a ser electrn libre (mvil en el
cristal) y formar parte de una corriente si recibe energa
ptica
Elctrica
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
11
2 tomos de Si
1 tomo de Si
n=3
N tomos de Si
n=3
n=3
n=2
n=2
n=2
n=1
n=1
n=1
4N
electrones
Banda de
electrones de
Valencia
Electrones
8N
electrones
2N
electrones
12
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
Las energas que tienen los electrones en el cristal son semejantes a las que tienen
en los tomos libres pero los electrones deben obedecer al principio de exclusin
de Pauli (no puede haber dos e- en el mismo estado cuntico)
En los slidos, debido a la interaccin entre los tomos que forman el cristal, aparece un
desdoblamiento de estados desdoblamiento de energas.
Cada nivel en el tomo forma una banda. Para la distancia intertomica de equilibrio pueden
las bandas estar
Solapadas METAL
Aparece un GAP de
energas no
permitidas: Eg
http://www.esacademic.com
13
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
Introduccin: conceptos bsicos
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
Generacin-recombinacin
Ejercicios propuestos
14
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.2. SEMICONDUCTORES
Representacin
bidimensional de la
estructura cristalina
del Si
http://www.politecnicocartagena.com
15
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
nn=p
=p==nni i
Eg (Ge) 0,7 eV
Eg (Si) 1,1 eV
T=0K
Eg
Banda prohibida
T>0K
n: n electrones/m3
Banda de valencia
FFI-UPV.es
p: n electrones/m3
ni: densidad intrnseca
de portadores
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
nn=p
=p==nni i
n: nmero de electrones (por unidad de volumen) en la banda de conduccin
p: nmero de huecos (por unidad de volumen) en la banda de valencia
ni: concentracin intrnseca de portadores
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
T=300 K
GaAs
Si
Ge
ni (port./cm3)
1.8106
1.51010
2.41013
1.42
1.12
0.66
Conductividad
(-1 cm-1)
2.4 10-9
4.5 10-6
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
Estructura de un metal
+
+
+
+
+
+
++
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
1023 e- libres/cm3
+
+
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
Estructura de un semiconductor
1013 e- libres/cm3
FFI-UPV.es
18
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca
Dependencia con la Temperatura: Grfico ni = f(T)
ni f ( t )
-3
T>0K
Eg
3
AT 2 e 2kT
FFI-UPV.es
50
50
FFI-UPV.es
18
Concentracinintrnseca(10
intrnseca(1018 mm-3) )
Concentracin
40
40
3
Eg
Eg
23
2
AT e
2 kT
2kT
Ge
Ge
30
30
nni AT e
i
20
20
10
10
00
250
250
SiSi
275
275
300
300
325
325
350
350
375
375
400
400
TT(K)
(K)
19
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
Semiconductor Intrnseco:
Semiconductor Extrnseco:
20
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
nn >>p
>>p
21
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
pp >>n
>>n
22
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
He
1,008
4,003
10
Li
Be
Ne
6,941
9,012
10,811
12,011
14,007
15,999
18,998
20,183
11
12
13
14
15
16
17
18
Na
Mg
Al
Si
Cl
Ar
22,990
24,305
26,982
28,086
30,974
32,064
35,453
39,948
19
20
30
31
32
33
34
35
36
Ca
Zn
Ga
Ge
As
Se
Br
Kr
39,10
40,08
65,37
69,72
72,59
74,92
78,96
79,91
83,80
37
38
Rb
Sr
85,47
87,62
55
56
Cs
Ba
132,91
137,33
...
...
...
48
49
50
51
52
53
54
Cd
In
Sn
Sb
Te
Xe
112,40
114,82
118,89
121,75
127,60
126,90
131,30
80
81
82
83
84
85
86
Hg
Tl
Pb
Bi
Po
At
Rn
200,59
204,37
207,19
208,98
(210)
(210)
(222)
FFI-UPV.es
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Impurezas grupo V
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Electrones libres
300K
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Al
-
Al
-
Al
-
Huecos libres
Al
-
Al
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Al
-
300K
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
Introduccin: conceptos bsicos
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
Generacin-recombinacin
Ejercicios propuestos
25
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
n: nmero de e- /volumen
p: nmero de h+ /volumen
ni: concentracin intrnseca
NNAA+n
+n==NNDD+p
+p
Lo que indica que las cargas positivas deben ser igual que las negativas
26
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
NNAA+n
+n==NNDD+p
+p
2
np
np==nni i2
Semiconductor intrnseco:
NA = ND = 0 p = n = ni
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
ni2
NA = 0; n ND p
ND
2
n
ND = 0; p NA n i
NA
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
27
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
Introduccin: conceptos bsicos
1.
Slidos Cristalinos
2.
Semiconductores
3.
4.
6.
Arrastre
Difusin
Generacin-recombinacin
Ejercicios propuestos
28
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Arrastre o desplazamiento
Difusin
Generacin-recombinacin
29
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
La mecnica estadstica nos dice que: un portador a una temperatura T tiene una
energa trmica media de 3KBT/2
Esta energa trmica le sirve para moverse (convertirla en energa cintica) a una
velocidad trmica : vth
m*: masa efectiva del portador
KB: Constante de Boltzmann
1 * 2 3
m vth K B T
2
2
30
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
fuerza igual a :
opuesto al campo)
del campo)
Movimiento de un electrn
bajo la accin de un E
e p
vdp
E pE
*
mp
e
vdn *n E n E
mn
31
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Eext
vp = pE
vn = -nE
L
FFI-UPV.es
La corriente elctrica (n de portadores que atraviesan una superficie por unidad de tiempo) es:
I n e A n vdn e A n n E
32
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
E V
Rn n
L 1 L
A n A
I n e A n n
V
V V
A n
L
L Rn
n e n n
33
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
V
I p e A p vdp e A p p E e A p p
L
Sustituyendo obtenemos :
Ip e A p p
Rp p
V V
V
A p
L Rp
L
1 L
L
A p A
con:
p e p p
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Corrientes de deriva/arrastre/desplazamiento en SC
I I n I p A ( n p )
V
L
I
V
( n p )
A
L
J ( n p ) E T E
Extrnsecos
Intrnsecos
p = n = ni
FFI-UPV.es
.
n >> p
qnn
p >> n
qpp
= e(nn + pp)
= e ni(n + p)
www.textoscientificos.com
ni f ( t )
Eg
3
AT 2 e 2kT
35
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
dn
n
dx
n = 0
FFI-UPV.es
F D
dN
dx
D: coeficiente de difusin
N: concentracin de portadores
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
36
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
I n e A n n E Dn
dx
I In I p
dn
I p e A n n E Dn
dx
Mara Jess Martn
Martnez
: mjmm@usal.es
37
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Gth=2
Gth
n0
Rth=1
Rth
RRth ==GGth
th
th
nn0pp0 ==nni22
0 0
i
p0
FFI-UPV.es
(de manera que se mantiene la validez de la ley de accin de masas). Siendo n0 y p0 son
las densidades de electrones y de huecos en la BC y BV en equilibrio.
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Fenmenos de g-r (II)
luz
==hh>>GAP
GAPSC
SC
A
Fotoconductividad del Si
GAPSC
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones
FFI-UPV.es
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TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
Luz
GL
n=n0+ n
p=p0+ p
= e(n n+p p) = 0+
Aumento de conductividad
debido a la iluminacin
FFI-UPV.es
2
np
np>>nni i2
40
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
n = GL
p= GL
Luz
h >GAPSC
GL
Gth
Rth
FFI-UPV.es
41
Agradecimientos
42