PRCTICA 6 DIODO DE SILICIO

1.Descripcin de la prctica
El objetivo de esta prctica es comprobar experimentalmente los efectos
de la corriente que atraviesa un diodo semiconductor de silicio con
polarizacin directa e inversa.
Para ello sabemos que un diodo es una unin de una porcin de silicio tipo
, y con inclusiones de Arsenio tipo
La porcin

se conoce como ctodo y la porcin , como nodo.

La tensin se aplica a un diodo de dos formas:

Conectando el polo positivo de la fuente del nodo y el negativo al
ctodo(polarizacin directa).
Al revs(polarizacin inversa).

Cuando polarizamos directamente el diodo, la corriente que lo atraviesa

es relativamente grande(la resistencia directa baja y crece ,al aumentar la
tensin aplicada).
Cuando polarizamos inversamente el diodo,la corriente que lo atraviesa es
muy dbil(gran resistencia a la tensin inversa) y no depende de est
dentro de unos lmites.Pero si sobrepasamos los lmites el diodo se
deteriora tanto si est polarizado directamente como inversamente.

En esta prctica primeramente colocamos la resistencia en paralelo con el

diodo y tambin colocamos en medio un puente de conexin.
A continuacin,colocamos la fuente de alimentacin a una tensin de 12
V.c.c.
Despus situamos un polmetro en la escala de 30 mAmp en serie con la
resistencia y otro polmetro como voltmetro en la escala de 1 V.c.c en
paralelo con el diodo.
Luego regulamos la fuente de la tensin a la posicin ms baja, y al pulsar
el interruptor de la fuente, anotamos los resultados. Progresivamente
vamos subiendo el nivel de tensin.
Los resultados del ampermetro y voltmetro son estos:

3V
6V
9V
12V

4,8 mA
10,9 mA
17,07 mA
23,6 mA

0,65 V
0,68 V
0,7 V
0,72 V

Mi conclusin es que esta prctica nos sirvi para ver el comportamiento

de un diodo en diferentes niveles de tensin y poder comprobar que la
grfica es correcta.