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Universidad De Crdoba

Departamento De Fsica y Electrnica


Montera Crdoba

Estudio de primeros principios de las


multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y
VN/GaN

Jess David De La Ossa Arrieta.

Universidad De Crdoba
Facultad De Ciencias Bsicas
Departamento De Fsica Y Electrnica
Montera crdoba
2015

Estudio de primeros principios de las


multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y
VN/GaN

Trabajo De Grado
Jess David De La Ossa Arrieta.

Director
Dr. Csar Ortega Lpez
II

Pgina de aceptacin
El presente trabajo de grado cumple con los requisitos exigidos por la
Universidad de Crdoba

Director
____________________

Dr. Cesar Ortega Lpez


Departamento de Fsica y Electrnica, Universidad de Crdoba.

Codirector
_______________________

M. Sc. Miguel Espitia Rico


Universidad distrital Francisco Jos de Caldas

III

JURADOS DEL TRABAJO DE GRADO

______________________________

M.Sc. Gladys Casiano Jimnez


Departamento de Fsica y Electrnica, Universidad de Crdoba.

________________________________

Dr. Luis Carlos Snchez Pacheco


Departamento de Fsica y Electrnica, Universidad de Crdoba.

IV

AGRADECIMIENTOS

A Dios por permitirme culminar mis estudios universitarios.

A mis padres Edinson de Jess De La Ossa Martnez y Mercedes Matilde


Arrieta Fajardo por brindarme todo su apoyo incondicional a lo largo de
este proyecto.

A mis Hermanas Mara Ins De La Ossa Arrieta y Alba Mercedes De La


Ossa Arrieta.

A todos mis amigos y compaeros, en especial a Alexander Correa Padilla,


Mauricio Fernando Cuadrado Martnez, Lenin Lpez Caldern, Manuel
Guillermo Mausa vila y Duvalier Madrid Usuga, con quienes compart
gran parte de mi vida universitaria.

Para finalizar, a todos los profesores del departamento de fsica y


electrnica de la universidad de Crdoba, en especial, a los Dres. Csar
Ortega Lpez y Miguel Espitia Rico por su colaboracin y constante apoyo
durante mi proceso de formacin acadmica.

TABLA DE CONTENIDO
NDICE DE FIGURAS ................................................................................................................... 6
NDICE DE TABLAS ..................................................................................................................... 7
1. RESUMEN .................................................................................................................................... 8
2. INTRODUCCIN........................................................................................................................ 9
3. MARCO TERICO .................................................................................................................. 11
3.1. El Problema General .............................................................................................................. 12
3.2 Teora del Funcional Densidad (DFT).................................................................................. 13
3.3. Base de Ondas Planas Aumentadas y Linealizadas. ......................................................... 16
3.3.1. El Mtodo de Ondas Planas Aumentadas (APW) .......................................................... 17
3.3.2. El Mtodo de Ondas Planas Aumentadas y Linealizadas (LAPW) ............................. 19
3.3.3. La aproximacin del pseudopotencial ............................................................................... 20
3.3.3.1 Pseudopotenciales que conservan la norma .................................................................... 23
3.3.3.2 Pseudopotenciales ultrasuaves ....................................................................................... 23
4. DISEO METODOLGICO ................................................................................................... 27
4.1. Metodologa .............................................................................................................................. 27
4.2. Estructura de las multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN. ................................. 28
4.3. Condiciones para los clculos de energa total .................................................................... 30
5. RESULTADOS Y ANLISIS .................................................................................................. 32
5.1. Propiedades estructurales de las multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN. ......... 32
5.2. Propiedades Electrnicas de las Multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN........... 33
6. CONCLUSIONES ...................................................................................................................... 38
7. REFERENCIAS ......................................................................................................................... 39

VI

NDICE DE FIGURAS
3.1. Particin de la celda unitaria en las dos regiones usadas en el mtodo LAPW.....18
3.2. Representacin esquemtica de un potencial inico, la funcin de onda de valencia
(lnea solida negra) y los correspondientes pseudopotencial y pseudofunciones de onda
(lnea punteada verde). Para radios mayores que rc el pseudopotencial coincide con el

potencial obtenido de un clculo con todos los electrones. La pseudofunciones de onda

coincide con la funcin de onda verdadera de valencia fuera del radio rc .22

3.3. Funcin de onda radial del orbital de valencia 3d del nquel (lnea continua), y las
correspondientes

pseudofunciones

de

onda

generadas,

usando

el

mtodo

de

Troullier - Martins (lnea punteada) y el mtodo de Vanderbilt (lnea a trazos).25


3.4. Diagrama esquemtico del ciclo auto consistente en el clculo de energa total
mediante DFT.26
4.1. a) Celda unitaria de la multicapa CrN/GaN, b) Celda unitaria de la multicapa
CrN/GaN reproducida dos veces en el eje z, c) Celda unitaria de la multicapa CrN/GaN
reproducida tres veces en cada eje (x,y,z).29
4.2. a) Celda unitaria de la multicapa MnN/GaN, b) Celda unitaria de la multicapa
MnN/GaN reproducida dos veces en el eje z, c) Celda unitaria de la multicapa MnN/GaN
reproducida tres veces en cada eje (x,y,z).30
4.3. a) Celda unitaria de la multicapa VN/GaN, b) Celda unitaria de la multicapa
VN/GaN reproducida dos veces en el eje z, c) Celda unitaria de la multicapa VN/GaN
reproducida tres veces en cada eje (x,y,z).30
5.2. Densidad de estados total (TDOS) y densidad de estados parcial (PDOS) de la
multicapa CrN/GaN en fase wurtzita..35
5.3. Densidad de estados total (TDOS) y densidad de estados parcial (PDOS) de la
multicapa MnN/GaN en fase wurtzita.36
5.4. Densidad de estados total (TDOS) y densidad de estados parcial (PDOS) de la
multicapa VN/GaN en fase wurtzita..37

NDICE DE TABLAS
4.1. Posiciones atmicas de las multicapas MnN/GaN, VN/GaN y CrN/GaN. El
valor del parmetro u es 3/8=0.37529
5.1. Constante de red a, mdulo de volumen B_0, para las multicapas en estudio,
junto con valores tericos incluidos para comparacin. Tambin se muestra

la

energa de cohesin E0..32

1. RESUMEN
En este trabajo se hizo un estudio de las propiedades estructurales, electrnicas y
magnticas de las multicapas basadas en nitruros (CrN/GaN, MnN/GaN y
VN/GaN) mediante simulaciones de primeros principios, efectuados en el marco de
la DFT y usando el mtodo de ondas planas aumentadas y linealizadas como se
encuentra implementado en el cdigo de paquete computacional wien2k. Para la
interaccin electrn-electrn se us la parametrizacin de Perde-Burke-Ernzerhof
(PBE) para lo cual se optimizaron los parmetros estructurales de cada una de las
multicapas en estudio. En esta instancia se determin la fase estructural
energticamente ms estable y las posibles transiciones para dichas multicapas.
Luego, se calcul la energa de cohesin y formacin, calculando las propiedades
electrnicas y magnticas mediante la densidad de estados (DOS) y la densidad de
carga. Finalmente se exploraron las posibles aplicaciones para las multicapas.

2. INTRODUCCIN
Los nitruros semiconductores y los metales de transicin, tales como el GaN, CrN,
MnN y VN poseen un atractivo e importante inters, debido a sus diversas
propiedades como por ejemplo, alta movilidad electrnica, dureza, alta estabilidad
qumica y trmica, capacidad de almacenamiento de informacin magntica,
resistencia al desgaste, a la oxidacin y corrosin, entre otras.
Se ha encontrado que el nitruro de cromo CrN tiene un comportamiento metlico y
que bajo condiciones normales de crecimiento cristaliza en la fase zincblenda [1],
[2], [3] mientras que el nitruro de galio GaN es un semiconductor que cristaliza
normalmente en wurtzita [4], [5].
El estudio de las multicapas basadas en nitruros de metales de transicin y nitruro
de galio GaN es de gran importancia actual, puesto que la combinacin de las
propiedades de los nitruros de metales de transicin, como el CrN, junto con el
carcter semiconductor del GaN, le abren a la multicapa CrN/GaN un amplio
espectro de aplicaciones, como por ejemplo: ser utilizadas en dispositivos de altas
temperaturas, altas potencias, como recubrimientos duros y como un contacto
metal/semiconductor, entre otras [6].
El nitruro de manganeso MnN tiene un comportamiento metlico que bajo
condiciones normales de crecimiento cristaliza en la fase NaCl.
La combinacin de las propiedades de los nitruros de metales de transicin, como el
nitruro de manganeso MnN junto con el carcter semiconductor del GaN, le abren
a la multicapa MnN/GaN un amplio espectro de aplicaciones, como por ejemplo ser
utilizadas

en

dispositivos

de

altas

temperaturas,

altas

potencias,

como

recubrimientos duros, como un contacto metal/semiconductor y en espintrnica,


entre otras [7].
Este compuesto presenta propiedades anti ferromagnticas [8].
El nitruro de vanadio (VN) es adecuado para muchos usos debido a sus
propiedades tpicas incluidas extrema dureza, resistencia al desgaste, una excelente
estabilidad oxidativa y resistencia a la corrosin, estabilidad a alta temperatura, y
la conductividad elctrica [9]. Por otra parte, cada vez hay ms intereses sobre el
VN como catalizador industrial importante conocido por su selectividad y
9

estabilidad [10,11], tambin es un superconductor con temperatura de transicin


que van desde 2 a 9 K [12]. Se encontr que la fase NaCl es la estructura de
cristalizacin ms estable para este compuesto [13].

10

3. MARCO TERICO
Describir microscpicamente las propiedades fsicas y qumicas de la naturaleza es
un problema complejo. En general, tratamos con una coleccin de tomos
interactuantes, los cuales pueden tambin ser afectados por algn campo externo.
Este ensamble de partculas puede estar en la fase gaseosa o en la fase condensada
(no gaseosa), ellos pueden ser slidos, lquidos o amorfos (vidrio), pueden ser
homogneos o heterogneos, sin embargo, en todos los casos, el sistema puede ser
descrito por un gran nmero de ncleos y electrones interactuantes a travs de
fuerzas Coulombianas (electrostticas), razn por la cual en este marco terico
estamos interesados en estudiar las propiedades

estructurales, electrnicas y

magnticas de las multicapas de CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN, explorando as


sus posibles aplicaciones en la industria. Dicho estudio se realizara usando la teora
del funcional de la densidad (Density Functional Theory), DFT, e implementado
por el software wien2k, para el clculo de las propiedades estructurales, electrnicas
y magnticas como: parmetros de red, energa total del compuesto, entre otras.
El Hamiltoniano que describe al slido est conformado por la energa cintica de
todas las partculas en este sistema y por sus energas de interaccin. El slido est
constituido de dos grupos de electrones: los electrones de valencia que contribuyen
a los enlaces qumicos y los electrones ms internos o electrones de core que estn
fuertemente ligados a los ncleos atmicos y que influencian en muy poco las
propiedades del slido. Por tanto, los electrones de core se pueden tratar en una
aproximacin de core congelado asumindolos rgidos y fijos al ncleo atmico,
formando un nuevo cuerpo conocido como ion. En consecuencia, usualmente se
consideran los electrones de valencia y los iones de la red como constituyentes
independientes del slido [14].

11

3.1. El Problema General


El Hamiltoniano del slido consiste de la energa cintica de todos los electrones de
valencia y de todos los iones, y de la energa asociada con todas las interacciones
entre esas partculas. En forma general el Hamiltoniano es:
P

I=1

i=1

ZI ZJ
2 2
2 2 e2
=
H
I
i +
2MI
2mi
2
R I R J
N

I=1 JI

(3.1)

2
1
2
Z
+

2
ri rj 2
R I rj
i=1 ji

I=1 i=1

Para simplificar la notacin empleada, se decide trabajar en unidades atmicas


= 1, = 1, y = 1; la ecuacin anterior se puede escribir como:
P

I=1

i=1


1 2 1
1
=
H
I 2i +
2
2
2
R I R J
N

I=1 JI

(3.2)

1
1
1

+

2
ri rj 2
R I rj
i=1 ji

I=1 i=1

Donde = { }, = 1,2, 3, , es el conjunto de las P coordenadas nucleares y

= { }; = 1,2,3, , es el conjunto de coordenadas electrnicas, mientras que


Z y son las P cargas de los ncleos y sus masas respectivamente.

Como los electrones y los ncleos se ven sometidos a fuerzas de la misma magnitud
pero la masa de los segundos es mucho mayor que la de los primeros, se puede
considerar que los electrones reaccionan de forma instantnea a los cambios en los
ncleos, que aparecen fijos para ellos, por lo tanto se puede considerar que los
ncleos prcticamente permanecen

inmviles con respecto a los electrones, esta

consideracin se conoce como la aproximacin de Bor-Oppenheimer. En esta


12

aproximacin el Hamiltoniano del sistema puede ser descrito considerando el


Hamiltoniano electrnico.
Despus de las simplificaciones que ofrecen la aproximacin de valencia y la
aproximacin de Born-Openheimer, el problema se reduce a resolver un sistema de
electrones de valencia que interactan a travs de la interaccin de Coulomb en
presencia de un potencial inico.

donde

e ne (r) = H
k + H
kk ne (r)
H
k

k =
H

k,k

2 2
+ V(rk )
2 k

(3.3)
(3.4)

As, tras aplicar la aproximacin Born-Oppenheimer, el problema del slido queda


reducido al problema de un conjunto de electrones con interaccin sometidos a un
potencial externo. Sin embargo, se abordar la solucin del problema usando la
Teora del Funcional Densidad (DFT).

3.2 Teora del Funcional Densidad (DFT)


Uno de los mtodos de primeros principios ms usados y con mayor xito en el
estudio de las propiedades del estado fundamental de sistemas en estado slido es
la Teora del Funcional Densidad (DFT: Density Functional Theory). La DFT
como todo mtodo de primeros principios, necesita conocer bsicamente el nmero
atmico y la masa atmica de los tomos presentes en el sistema.
Basados en la teora de Thomas-Fermi-Dirac, la cual es un modelo semiclsico para
tomos pesados aislados en trminos de la densidad electrnica () del estado
fundamental. Hohenberg y Kohn demostraron que la energa total del estado

fundamental de un sistema de electrones interactuantes en un potencial externo,


puede expresarse como una funcional de la densidad electrnica ().
E = E[(r)]

(3.5)
13

y que la densidad correcta es aquella que minimiza a E[(r)].

Esto se conoce como Teorema de Hohenberg y Kohn y es la base de la Teora de la


Funcional Densidad (DFT). En lo fundamental, se trata de encontrar un mtodo
que permita calcular la energa y cualquier otra propiedad de un sistema
electrnico sin siquiera tener que escribir el Hamiltoniano ni conocer la funcin de
onda, en principio eso es posible a partir justamente de la densidad electrnica, es
decir, toda la informacin disponible del sistema (tomo, molcula, clster o slido)
est contenida en la densidad.
La utilidad de esta teora depende de las aproximaciones que se hagan para calcular
E[(r)] ya que el teorema no permite determinar su forma. Estas aproximaciones

consisten en escribir a la funcional E[(r)] como la energa total de Hartree ms un


trmino de correlacin de intercambio.

E[(r)] = T[(r)] + EH [(r)] + EXC [(r)] + EEXT [(r)] + EII [(r)]

(3.6)

Donde T[(r)] es la energa cintica de los electrones, EH [(r)] es la energa de

Hartree (repulsin Coulombiana entre electrones), EXC [(r)] es la energa de

correlacin intercambio, EEXT [(r)] es la energa de interaccin ion - electrn y


EII [(r)] es la energa de interaccin ion - ion: Dentro del formalismo DFT es

necesario escribir un conjunto de funciones de onda que minimicen el funcional de


energa Kohn-Sham; estas funciones son las soluciones autoconsistentes a las
ecuaciones de Kohn-Sham:
1
2 + VEXT (r) + VH (r) + VXC (r) i (r) = Ei i (r)
2
en donde

(r) = i i
i=1

VH (r) =

,
(r)
dr ,
,
|r r|

(3.7)
(3.8)
(3.9)

es el potencial de Hartree de los electrones

14

VXC (r) =

,
E[(r)]
(r)

es el potencial de correlacin - intercambio.

(3.10)

Las ecuaciones de Kohn-Sham transforman un problema de muchos electrones


interactuantes en un problema de electrones no interactuantes movindose en un
potencial efectivo debido a los otros electrones. De los trminos del funcional de
Kohn-Sham, EXC [] es el nico que no se conoce en forma exacta. Solo es conocida
su dependencia de la densidad electrnica, para el caso de un gas de electrones

uniformes. Si el funcional de energa de correlacin - intercambio fuera conocido


exactamente, tomando una derivada funcional con respecto a la densidad se podra
producir un potencial de correlacin - intercambio, incluyendo los efectos del
intercambio y la correlacin exactamente. La energa de correlacin - intercambio
se puede aproximar a:
LDA
[(r)] = dr(r) Eunif (r)
EXC

(3.11)

Donde Eunif () es la energa de un gas de electrones de densidad (r) lo cual se

conoce como aproximacin de Densidad Local (Local Density Aproximatin LDA).


Debido a que el Teorema de Hohenberg-Kohn no provee la forma de E[], el xito
de la DFT depende del uso de una aproximacin para la densidad local. LDA es la

aproximacin ms usada y consiste en que la energa de correlacin - intercambio


por electrn en un punto r en el gas de electrones es igual a la energa de

correlacin intercambio por electrn de un gas electrnico uniforme que tiene la


misma densidad que el gas de electrones en el punto r.

Si la densidad electrnica es no uniforme, EXC se desva a partir de los resultados


para un gas uniforme de electrones; esa desviacin puede ser expresada en trminos
del gradiente y derivadas ms altas de la densidad total de carga. Bajo esta
perspectiva se crea entonces la Aproximacin de Gradiente Generalizado (GGA),
la cual consiste en un refinamiento de LDA [15] en donde EXC [] se expresa como:
GGA
[, ||] = dr(r)FXC [(r), ||]
EXC

(3.12)
15

Donde para FXC [(r), ||], existen varias parametrizaciones las cuales se hacen
para facilitar los clculos [16,17]. En clculos basados en DFT las ecuaciones de

Kohn-Sham se pueden resolver separadamente sobre una grilla de puntos de

muestreo en la zona irreducible de Brillouin y los orbitales resultantes se usan para


construir la densidad de carga. El proceso consiste en fijar una densidad de carga y
resolver una ecuacin de valores propios en cada punto de la zona irreducible de
Brillouin; esto equivale a resolver autoconsistentemente las ecuaciones de
Kohn-Sham, ya que los estados electrnicos ocupados generan una densidad de
carga, la cual produce el potencial electrnico que a su vez fue usado para construir
las ecuaciones. Se tiene entonces un problema de valores propios; una vez se haya
dado una expresin aproximada para la energa correlacin - intercambio.
Pese a esto, existen excelentes aproximaciones que han permitido a la DFT ocupar
hoy en da un lugar privilegiado dentro de los mtodos ms utilizados diariamente
en materia condensada.

3.3. Base de Ondas Planas Aumentadas

Linealizadas.
Para resolver el problema de valores propios descrito por las ecuaciones de
Konh-Sham se usa una base de ondas planas aumentadas y linealizadas, debido a
que es uno de los mtodos que permite mayor rapidez de convergencia y exactitud,
lo que lo hace ms eficiente que otros mtodos de su tipo. Las ondas planas forman
un conjunto completo, de tal manera que incrementando el nmero de elementos de
la base se mejora la exactitud, variando el punto de corte se maneja la
convergencia.
Esta base aparece definida en el mtodo de ondas planas aumentadas y linealizadas
propuesto por Andersen [18] y constituye un refinamiento del mtodo de ondas
planas aumentadas (Augmented Plane Wave: APW). Propuesto previamente por
Slater [19].

16

3.3.1.

El

Mtodo

de

Ondas

Planas

Aumentadas (APW)
El mtodo de ondas planas aumentadas y linealizadas es un mtodo para resolver
las ecuaciones de Kohn-Sham para la densidad del estado base de un sistema
electrnico, obtenindose la energa total y los valores propios de un sistema de
muchos electrones introduciendo una base especialmente adaptada al problema.
Esta adaptacin es llevada a cabo dividiendo la celda unidad en dos regiones: una
regin I de esferas circunscritas no sobrelapadas alrededor de cada ncleo atmico,
regin en la que se considera que las funciones solucin deben ser muy similares a
las de un tomo, y por lo tanto se propone una expansin en armnicos esfricos, y
una regin II intersticial entre esferas, donde se considera que la variacin del
potencial es suave (aproximadamente constante), por lo que se usan funciones de
ondas planas, cada una de las regiones usa una base diferente, como se muestra en
la figura 3.1. Las funciones dentro de las esferas son combinaciones lineales.

Figura 3.1: Particin de la celda unitaria en las dos regiones usadas en el mtodo
LAPW.

17

Para en la esfera (zona I)

(r) = [Alm Ul (r, El )]Ylm (r)

Para intersticial (zona II)

lm

(r) =

1
2

CG eiG+K r
G

(3.13)

(3.14)

+ K
son los
es el volumen de celda, CG y Alm son coeficientes de expansin y G

el
vectores en la red recproca ( son los vectores en toda la red recproca y K

vector de onda dentro de la primera zona de Brillouin). Ul (r) es la solucin regular


de:

d2 l(l + 1)
2 +
+ V(r) El rUl (r) = 0
dr
r2

(3.15)

Con la energa El como parmetro y V la componente esfrica del potencial en la


es el
esfera. Ul (r) es la solucin regular de la ecuacin de Schrdinger para El , y K
vector de onda en la primera zona de Brillouin.

Alm Se expresa en trminos de CG para garantizar continuidad sobre la superficie de

la esfera, estableciendo as lo que se denomina (ondas planas aumentadas). APW


presenta algunos inconvenientes: las bandas de energa para un K fijo no se pueden

obtener por una sola diagonalizacin, se necesitara que El sea en principio el valor
exacto de la banda. Tampoco es posible extender el mtodo para usar un potencial
del cristal general debido a que al utilizar un El diferente para cada banda se

obtienen dentro de la esfera, diferentes orbitales. Finalmente, al expresar Alm en

trminos de CG se generan asntotas cuando Ul se hace cero, generando dificultades


numricas.

18

3.3.2.

El

Mtodo

de

Ondas

Planas

Aumentadas y Linealizadas (LAPW)


En este mtodo las funciones dentro de la esfera son combinaciones lineales donde
funciones radiales U l (r)Ylm (r) y sus derivadas de energa. La derivada de energa
U (r,E)
cumple: U l (r) = l

E=El

satisface la ecuacin:

d2 l(l + 1)
+
+ V(r) El rU l (r) = rUl (r, E)
r2
dr 2

(3.16)

De esta manera las funciones de onda de la base en LAPW se expresa como:


Para r en la esfera (zona I)

(r) = Alm Ul (r, El ) + Blm U l (r, El )Ylm (r)

Para r intersticial (zona II)

lm

(r) =

1
2

CG eiG+K r
G

(3.17)

(3.18)

Donde es el volumen de la celda y Alm , Blm son los coeficientes para la energa y

+ K
es un
; donde G
derivadas de la energa respectivamente y son funciones de G

vector en el espacio reciproco que necesariamente no est en la primera zona de


Brillouin.

LAPW forma una buena base, de tal manera que todas las bandas de valencia
puedan ser tratadas tpicamente con un conjunto particular de El .

dado) con una


En LAPW se obtienen bandas de energa exactas (para un punto K
y U l R
se obtienen por integracin numrica de la
simple diagonalizacin. Ul R

ecuacin radial de Schrdinger sobre una grilla radial dentro de la esfera y los CG se
determinan mediante el principio variacional.

El mtodo LAPW se puede modificar con el fin de mejorar la linealizacin y


asegurar la ortogonalidad, adicionando funciones base independientes de G + K, en
19

un procedimiento de extensin en orbitales locales. Tales orbitales locales consisten


de una combinacin lineal de dos funciones radiales a dos energas diferentes y una
derivada de energa (a una de esas energas), de manera que la ecuacin 3.17 se
convierte en:
LO (r) = Alm Ul r, E1J + Blm U l r, E1J ) + Clm Ul (r, E2J Ylm (r)
lm

(3.19)

Los coeficientes Alm , Blm y Clm se determinan de forma que los orbitales LO (r)
estn normalizados y tengan valor y pendiente cero en el lmite de la esfera.
En su forma general el mtodo expande el potencial de la siguiente forma:
Para r en la esfera (zona I)

V(r) = Vlm (r)Ylm (r)


lm

Para r en la regin intersticial (zona II)


V(r) = VG ei(G+K)r
G

(3.20)

(3.21)

Y de igual manera para las densidades de carga.

3.3.3. La aproximacin del pseudopotencial


Aunque emplear una base de ondas planas es muy prctico, se tienen serios
problemas cuando se pretende representar las funciones de onda de los electrones
en la regin de los cores atmicos, ya que se necesitara un nmero muy grande de
ondas planas para representar adecuadamente las rpidas oscilaciones que
presentan las funciones de onda en esa regin. Para solucionar este inconveniente,
se acude a la aproximacin del pseudopotencial. Esta aproximacin se fundamenta
en que los electrones de core, prcticamente no se afectan ante la presencia de
tomos cercanos debido a que estn fuertemente ligados a los ncleos atmicos,
20

mientras que los electrones de valencia son los contribuyentes principales a los
enlaces qumicos de los materiales. As que los electrones internos (de core) se
pueden tratar en una aproximacin de core congelado, considerando a estos
electrones esencialmente fijos con respecto al ncleo, formando un solo cuerpo con
este ltimo. Esta es la esencia de la aproximacin del pseudo - potencial:
reemplazar el fuerte potencial inico (V Z/r) por un pseudopotencial ms suave

(Vpseudo ). Las funciones de onda de los electrones se reemplazan por un conjunto de


funciones de onda que varan suavemente o (pseudofunciones pseudo ) sobre las que
acta el pseudo - potencial, de manera que reproduzcan los niveles de energa
obtenidos con la funcin de onda que incluye explcitamente todos los electrones

(all-electron). Las pseudofunciones se diferencian de las funciones de onda allelectron slo en el interior de la regin cercana al ncleo (core atmico), donde no
presentan nodos, como se ilustra en la figura 1. El uso de pseudofunciones de onda
suaves reduce considerablemente el nmero de ondas planas requeridas para
describir la funcin de onda electrnica, simplificando el clculo de la energa total.

Figura 3.2. Representacin esquemtica de un potencial inico, la funcin de onda de


valencia (lnea solida negra) y los correspondientes pseudopotencial y pseudofunciones de
onda (lnea punteada verde). Para radios mayores que el pseudopotencial coincide con

el potencial obtenido de un clculo con todos los electrones. La pseudofunciones de onda


coincide con la funcin de onda verdadera de valencia fuera del radio .

En general, para la construccin de un pseudopotencial inicialmente se resuelve la


ecuacin de Schrodinger radial para el tomo en su configuracin de referencia,
usualmente el estado fundamental del tomo neutro [20]:
21

1 d2
l(l + 1)
rnl (r) +
nl (r) + Vsc nl (r) = nl (r)nl (r)
2
r dr
r2

(3.22)

de donde se obtiene las energas y funciones de onda de los estados electrnicos.


Seguidamente, las funciones de valencia nl (r) se sustituyen en el interior de un
nl (r), normalmente expandidas en
cierto radio rc por las pseudofunciones

polinomios o funciones esfricas de Bessel. En la regin externa al radio de corte rc ,


la funcin y la pseudofunciones de onda coinciden completamente. Finalmente, se

calcula el pseudopotencial Vsc invirtiendo la ecuacin (2.21) empleando las


nl (r) encontradas.
pseudofunciones de onda

La aproximacin de pseudopotencial fue propuesta inicialmente por Phillips y

Kleinman [21]. A partir de entonces se ha desarrollado una variedad de


pseudopotenciales ms eficiente y adaptables a los distintos mtodos tericos
existentes. Algunos de estos pseudopotenciales son los pseudopotenciales que
conservan

la

norma,

los

PAW

(Projector

Augmented

Wave)

los

pseudopotenciales ultrasuaves. Los principales objetivos que se han propuesto en el


proceso de construccin de estos pseudopotenciales son [22]:

Obtener pseudopotenciales tan suaves como sea posible, de manera que


permitan la expansin de las pseudofunciones en la menor cantidad posible
de ondas planas.

Lograr pseudopotenciales transferibles, es decir, que el pseudopotencial


generado para una configuracin atmica particular pueda reproducir
correctamente otras configuraciones. Esto garantiza la fiabilidad de los
resultados en aplicaciones del estado slido, donde el potencial cristalino es
necesariamente diferente de un potencial atmico.

Conseguir pseudopotenciales cuya pseudodensidad de carga (la densidad de


carga construida con las pseudofunciones) reproduzca la densidad de carga
de valencia tan exacta como sea posible.

22

3.3.3.1 Pseudopotenciales que conservan la


norma
Teniendo en cuenta las caractersticas anteriores, se construyeron los llamados
pseudopotenciales que conservan la norma desarrollados principalmente por
Hamann y colaboradores [23] y luego refinados por el grupo de Bachelet [24],
quienes tabularon pseudopotenciales exactos para los elementos de la tabla
peridica. En este tipo de pseudopotenciales se destaca la siguiente caracterstica:
La pseudofunciones de onda y la funcin de onda de valencia (verdadera) son
idnticas en la regin fuera del core de radio rc . Dentro del core, las
pseudofunciones de onda difiere de la funcin de onda verdadera, pero se impone la
condicin que sus normas sean iguales.

3.3.3.2 Pseudopotenciales ultrasuaves


Los pseudopotenciales ultrasuaves surgen como alternativa a los inconvenientes
presentados en los pseudopotenciales que conservan la norma, y se construyeron en
la dcada de los 90 por Vanderbilt y colaboradores [25, 26, 27]. En estos
pseudopotenciales

se

elimina

la

condicin

de

conservar

la

norma,

consecuentemente, las pseudofunciones de onda no estaran normalizadas y no se


tendra una densidad electrnica completa. Por tal razn, se deben incluir
operadores de aumento de carga para contrarrestar tal efecto en las funciones de
valencia. A pesar de tener una descripcin ms pobre, respecto a los
pseudopotenciales que conservan la norma, el hecho de reducir el nmero de
funciones base entre un 60% y un 80% compensa el esfuerzo computacional extra
que

requiere

incluir

operadores

de

aumento

de

carga.

Adems,

estos

pseudopotenciales han demostrado ser muy tiles al tratar sistemas 3d, que no
tienen estados de core de igual l, hacindolos muy localizados (por la ausencia de
repulsin con los estados del core) y difciles de simular con ondas planas.
Comparados

con

los

pseudopotenciales

que

conservan

la

norma,

los
23

pseudopotenciales ultrasuaves producen mejores rplicas de los estados de


referencia y son ms transferibles para sistemas con orbitales 3d. Por estas razones
stos pseudopotenciales son ampliamente utilizados en la actualidad, y se han
considerado en el presente trabajo.
En la figura 2.3 se ilustra esta situacin para el caso del orbital de valencia 3d del
tomo de nquel (). Este orbital est fuertemente localizado y no tiene nodos, lo
que significa que va a ser muy difcil conseguir una pseudofunciones de onda mucho
ms suave que este orbital, y que tenga la misma norma. Este caso se presenta
cuando se trabaja con pseudopotenciales que conservan la norma ncpp . Sin

embargo, si se elimina la condicin de la conservacin de la norma se consigue una


pseudofunciones de onda mucho ms suave nspp . Esta es la situacin obtenida

cuando se trabaja con pseudopotenciales ultrasuaves.

Figura 3.3. Funcin de onda radial del orbital de valencia 3d del nquel (lnea continua),
y las correspondientes pseudofunciones de onda generadas, usando el mtodo de
Troullier - Martins (lnea punteada) y el mtodo de Vanderbilt (lnea a trazos).

Teniendo una expresin aproximada para el potencial de intercambio y correlacin


y una base adecuada en la cual se puedan expandir las funciones de una partcula
de Kohn-Sham podemos resolver las ecuaciones asociadas. En clculos basados en
DFT las ecuaciones de Kohn-Sham se resuelven separadamente sobre una grilla de
puntos de muestreo en la zona irreducible de Brillouin y los orbitales resultantes se
usan para construir la densidad de carga. El proceso consiste en fijar una densidad
de carga y resolver una ecuacin de valores propios en cada punto de la zona
irreducible de Brillouin. Esto equivale a resolver autoconsistentemente las
24

ecuaciones de Kohn-Sham, ya que los estados electrnicos ocupados generan una


nueva densidad de carga, la cual produce el potencial electrnico que a s vez fue
usado para construir las ecuaciones. De esta manera la solucin de las ecuaciones
de Kohn-Sham se reduce a un problema de valores propios que se resuelve
mediante la diagonalizacin de una matriz hamiltoniana cuyo tamao est
determinado por el nmero de ondas base que se utilizan para expandir las
funciones de onda electrnicas. En la figura 2.4 se muestra un diagrama de flujo en
el que se indica, de manera general, los pasos de la solucin autoconsistente de las
ecuaciones de Kohn-Sham. Primero se construye el potencial inico, definiendo los
tipos de tomos y sus respectivas posiciones. Se escoge la energa de corte para la
expansin del conjunto de ondas base y se calcula una densidad electrnica inicial
con la que se establecen los potenciales de Hartree y de intercambio correlacin,
para despus resolver las ecuaciones de Kohn-Sham y obtener una nueva densidad
electrnica. Se comparan las densidades electrnicas inicial y nueva, si las
densidades no son similares se repite el ciclo usando la nueva densidad para
resolver nuevamente las ecuaciones de Kohn-Sham, el proceso termina cuando la
densidad electrnica obtenida en uno de estos ciclos no presenta una variacin
significativa con respecto a la lograda en el ciclo anterior; con esta ltima densidad
se calcula la energa total.
Construye dando los y
la posicin de los iones.
Calcula una densidad ()
Calcula () y ()

Resuelve
+ + + =

Calcula la
energa total.

Genera
una nueva ()

SI

NO

Es auto consistente?

Calcula una nueva ()

Figura 3.4. Diagrama esquemtico del ciclo auto consistente en el clculo de energa
total mediante DFT.

25

En

la

actualidad

existen

diversos

paquetes

numricos

para

solucionar

iterativamente estas ecuaciones de Kohn-Sham, y entre los ms utilizados se


encuentran quantum expresso, wien2k y siesta. Los clculos necesarios para el
desarrollo de este estudio, se han realizado con el paquete wien2k [28].

26

4. DISEO METODOLGICO
En este captulo se describe de manera detallada la metodologa utilizada para la
realizacin de este trabajo, as como las estructuras consideradas y las condiciones
para la realizacin de los clculos numricos.

4.1. Metodologa
Inicialmente, se realiz una revisin bibliogrfica de libros, artculos de revistas
cientficas con procedimientos tericos y experimentales que utilizan distintos
mtodos para determinar las propiedades estructurales, electrnicas y magnticas
de las multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN, explorando los aspectos
relacionados con posibles aplicaciones tecnolgicas.
Posteriormente, se definieron los tpicos relacionados con el tema, tales como la
teora funcional de la densidad, la aproximacin del gradiente generalizado, el
mtodo de ondas planas aumentadas y linealizadas y pseudopotenciales. Tambin
la informacin acerca de la estructura cristalina a estudiar.
Luego se realiz la solucin numrica del problema para lo cual se requiri el
manejo del software wien2k.
Luego se determinaron los parmetros estructurales como el volumen mnimo,
mdulo de volumen y la energa de cohesin de equilibrio. A partir del volumen
mnimo o volumen de equilibrio se encontr la constante de red ptima de la
estructura. Esta optimizacin se llev a cabo realizando el clculo de energa total,
mediante el ciclo autoconsistente de Kohn-Sham.
Con los parmetros obtenidos, se calcul la densidad de estado en la parte
irreducible de la primera zona de Brillouin para la fase de estudio. Estos clculos se
realizaron para las dos orientaciones de espn, con el fin de analizar su contribucin
a los estados y analizar el comportamiento magntico de cada multicapa.
Finalmente, los archivos de datos obtenidos en los clculos de ajuste, estructura
electrnica, se llevaron a un graficador como origin para obtener los diagramas
correspondientes.
27

4.2. Estructura de las multicapas CrN/GaN,


MnN/GaN y VN/GaN.
La celda convencional utilizada para el estudio de las propiedades de estas
multicapas fue la fase wurtzita, a partir de la cual se obtiene la celda unitaria
hexagonal del grupo espacial #156 (P3m1) trigonal. Los lados de esta celda
hexagonal en el plano , son iguales entre s (a = b), pero ms pequeo que el

parmetro de red de la wurtzita convencional, mientras que la altura de esta celda


es el parmetro de red convencional. Esta celda unitaria es una supercelda que
consiste en el apilamiento de diferentes capas a lo largo de la direccin (0,0,1). Para
la construccin de la celda se cumple la relacin = 0 /2 y = 0 , donde es

la longitud de cada lado en el plano , de la celda, 0 es el parmetro a lo largo

del eje y es la constante de red de la celda convencional.

La celda unitaria hexagonal consiste en el apilamiento de las capas MnN y GaN en

la direccin , formando la multicapa MnN/GaN, de la misma forma se construyen


las celdas unitarias de las multicapas, VN/GaN y CrN/GaN. Las posiciones de los
tomos que conforman a cada multicapa para la realizacin de los clculos se

muestran en la tabla 4.1 y sus estructuras de salida se observan en las figuras 4.1,
4.2 y 4.3
Multicapas

Posiciones atmicas

MnN/GaN

Mn (1/3, 1/2, 1/2+u)

N (0, 0, 0), (0, 0, u)

Ga (1/3, 2/3, 1/2)

VN/GaN

VN (1/3, 1/2, 1/2+u)

N (0, 0, 0), (0, 0, u)

Ga (1/3, 2/3, 1/2)

CrN/GaN

Cr (1/3, 1/2, 1/2+u)

N (0, 0, 0), (0, 0, u)

Ga (1/3, 2/3, 1/2)

Tabla 4.1. Posiciones atmicas de las multicapas MnN/GaN, VN/GaN y CrN/GaN.

El valor del parmetro es 3/8=0.375.

28

Figura 4.1. a) Celda unitaria de la multicapa CrN/GaN, b) Celda unitaria de la


multicapa CrN/GaN reproducida dos veces en el eje , c) Celda unitaria de la multicapa

CrN/GaN reproducida tres veces en cada eje (, , ).

Figura 4.2. a) Celda unitaria de la multicapa MnN/GaN, b) Celda unitaria de la


multicapa MnN/GaN reproducida dos veces en el eje , c) Celda unitaria de la multicapa

MnN/GaN reproducida tres veces en cada eje (, , ).

29

Figura 4.3. a) Celda unitaria de la multicapa VN/GaN, b) Celda unitaria de la


multicapa VN/GaN reproducida dos veces en el eje , c) Celda unitaria de la multicapa

VN/GaN reproducida tres veces en cada eje (, , ).

4.3. Condiciones para los clculos de energa


total
Los clculos se realizaron bajo el formalismo de la teora del funcional densidad,
empleando el mtodo de ondas planas aumentadas y linealizadas tal como est
implementado en el cdigo computacional wien2k [28]. Para los efectos de
intercambio y correlacin se utiliz la Aproximacin de Gradiente Generalizado
(GGA) en la parametrizacin de Perdew, Burke y Ernzerhof (PBE) [30]. En el
mtodo LAPW la celda se divide en dos tipos de regiones, las esferas atmicas
centradas en los sitios nucleares y la regin intersticial entre las esferas no
traslapadas. Dentro de las esferas atmicas, las funciones de onda corresponden a
combinaciones lineales de productos entre funciones radiales y armnicos esfricos,
mientras que en la regin intersticial, la funcin se expande como una combinacin
lineal de ondas planas. La densidad de carga y los potenciales se expanden en
armnicos esfricos hasta = 10, dentro de las esferas atmicas, y la funcin de

onda, en la regin intersticial, se expande en ondas planas con un parmetro de


corte = 8; donde es el radio ms pequeo de la esfera atmica en la

30

celda unitaria y limita la energa cintica de las ondas planas

2 2
2

donde

|| . Para garantizar la convergencia en la integracin de la primera zona

de Brillouin, se usan 62 puntos en la parte irreducible de la primera zona de

Brillouin. Las integrales sobre la zona de Brillouin se resuelven usando la


aproximacin especial de puntos de Monkhorst-Pack [20]. Las multicapas
CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN se estudiaron en la fase de cristalizacin
wurtzita, con una constante de red optimizada de 3.205, 3.201 y 3.215
respectivamente. Mediante la ecuacin de estado de Murnaghan, ecuacin 4.1, se

obtiene el valor de la energa mnima y se deduce el valor de la constante de red en


el equilibrio. En esta ecuacin, V representa el volumen de la celda primitiva, V0 el

volumen de equilibrio, B0 el mdulo de volumen y B0 su derivada con respecto a la


presin calculada en el volumen de equilibrio [29].

V0 B0

B0 V V
B0 V

E(V) =
+ 1 + E(V0 )
B0 B0 1
B0 1

(4.1)

31

5. RESULTADOS Y ANLISIS
En este captulo se describen los resultados de la estructura atmica y las
propiedades electrnicas de las multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN.

5.1.

Propiedades

multicapas

estructurales

CrN/GaN,

de

las

MnN/GaN

VN/GaN.
Inicialmente se optimizaron los parmetros estructurales de las multicapas
CrN/GaN, MnN/GaN y MnN/GaN. Las constantes de red , los mdulos de

volumen (B0 ) y las energas mnimas (E0 ) de las multicapas se muestran en la tabla

5.1, junto con valores tericos reportados por otros autores.

Tabla 5.1. Constante de red a, mdulo de volumen 0 , para las multicapas en estudio,
junto con valores tericos incluidos para comparacin. Tambin se muestra la energa de

cohesin 0 .

Compuesto Parmetro

CrN/GaN

MnN/GaN

VN/GaN

Presente trabajo

Otros trabajos tericos

()

3.205

3.207 3,210

0 ()

154,6

191.5b

- 22.96a

0 (3 )

46,57

46.39a 47,19b

-11,48b

1.633

1.639a 1,628b

()

3.201

3,227d 3,190b

0 ()

142,2

176,07d 181,0b

-11,47b

0 (3 )

47,93

46,31b 47,37c

-17,54c

1.686

1,631d 1,639c 1,626b

()

3.215

3.226d 3,227b

0 ()

172,9

171.6d 176,07b

-9.741d

0 (3 )

47,35

47,41b

-11,47b

1.644

1,631b

Referencia [6]

Referencia [31]

Referencia [30]

E0(eV)

Referencia [7].
32

Observamos que las constantes de red calculadas en este trabajo estn en buen
acuerdo con los resultados tericos reportados por otros autores. Comparando los
valores registrados de las constantes en la tabla 5.1 se puede apreciar una
disminucin en la constante de red a.
Adicionalmente, vemos que el valor de los mdulos de volumen de las multicapas
CrN/GaN y MnN/GaN son relativamente altos en comparacin con el mdulo de
volumen de la multicapa VN/GaN, por lo que se concluye que las dos primeras
multicapas presentan una dureza ms alta que esta ltima, siendo entonces las
multicapas de CrN/GaN y MnN/GaN candidatas ideales para recubrimientos duros
en herramientas de corte de alta velocidad y en dispositivos que deben trabajar a
altas potencias y altas temperaturas.

5.2.

Propiedades

Multicapas

Electrnicas

CrN/GaN,

de

MnN/GaN

las
y

VN/GaN.
La densidad total (TDOS) y la densidad de estados parcial (PDOS) para las
multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN en la fase wurtzita se muestra en las
figuras 5.2, 5.3 y 5.4 respectivamente.

33

Grfica 5.2. Densidad de estados total (TDOS) y densidad de estados parcial (PDOS) de
la multicapa CrN/GaN en fase wurtzita.

Se observa que en la multicapa CrN/GaN mostrada en la grfica 5.2, los estados


N-p y Cr-d contribuyen a la metalizacin del material, ya que las curvas
representativas a estos estados atraviesan la lnea del nivel de Fermi aunque no se
presente una compensacin entre los espines de estos dos estados en regiones
cercanas al nivel de Fermi. Dado que existe una descompensacin entre los dos
estados en la regin cercana al nivel de Fermi, se puede afirmar que son los
principales responsables de la magnetizacin de la multicapa. Todo esto nos
muestra que el material posee propiedades metlicas y magnticas.

34

Grfica 5.3. Densidad de estados total (TDOS) y densidad de estados parcial (PDOS) de
la multicapa MnN/GaN en fase wurtzita.

En la multicapa MnN/GaN mostrada en la grfica 5.3, se puede observar que los


niveles N-p y Mn-d le dan un comportamiento metlico al material ya que las
curvas representativas de estos atraviesan la lnea del nivel de Fermi a pesar de que
no se presenta una compensacin entre la densidad de estados parcial de espines.
De igual forma estos dos niveles son los responsables directos de la magnetizacin
del material dado que la densidad de espines parcial de estos estados que atraviesan
el nivel de Fermi presenta una descompensacin. De igual manera se puede decir
que el material posee tanto propiedades metlicas como magnticas.

35

Grfica 5.4. Densidad de estados total (TDOS) y densidad de estados parcial (PDOS) de
la multicapa VN/GaN en fase wurtzita.

Por ltimo en la multicapa VN/GaN mostrada en la grfica 5.3, se puede ver que
los estados N2P, N-p y V-d estn contribuyendo a la metalizacin del material ya
que las lneas representativas de estos estados atraviesan la lnea del nivel de Fermi
aunque no se presente una compensacin en la densidad de espines parcial en
regiones cercanas al nivel de Fermi. De igual forma los estados N2P, N-p y V-d
contribuyen a que el material presente propiedades magnticas dada la
descompensacin existente entre la densidad de espines entre estos estados en la
regin cercana al nivel de Fermi.
Se observa cerca del nivel de Fermi que la densidad de estados total de la
multicapa VN/GaN es menor que la densidad de estados total de las multicapas
CrN/GaN y MnN/GaN, esto puede ser causado por interacciones metlicas d-d (en
los estados V-d) lo cual da una contribucin negativa al mdulo de volumen y por
tanto disminuye la dureza de la multicapa VN/GaN.

36

En la densidad de estados total de la multicapa CrN/GaN, se observa que la banda


de valencia est gobernada principalmente por los estados N-p y Cr-d con una
pequea contribucin

de los estados Ga-s, N-s y Ga-d. Entre 2.4 y

2.5 se presenta un gap de energa 0.1, la multicapa presenta

propiedades magnticas, debido a que la densidad total de espn arriba no se

compensa con la densidad total de espn abajo.

En la densidad de estados total de la multicapa MnN/GaN se observa que la banda


de valencia est gobernada principalmente por los estados N-p y Mn-d con una
pequea contribucin de los estados Ga-s. No se presenta gap de energa en ningn
punto de la densidad total de estados. La multicapa presenta propiedades
magnticas, debido a que la densidad total de espn arriba no se compensa con la
densidad total de espn abajo.
En la densidad de estados total de la multicapa VN/GaN se observa que la banda
de valencia se divide en dos regiones, la primera entre 8.9 y 2.9 siendo

sta gobernada principalmente por los estados N-p, N2P y V-d con una pequea
contribucin de los estados Ga-p. La regin comprendida entre 1,5 y 6

est comprendida por los estados V-d, con una contribucin de los estados N-p y
N2P. Entre estas dos regiones se observa un gap de energa de

1,4. La

multicapa presenta propiedades magnticas, debido a que la densidad total de espn


arriba no se compensa totalmente con la densidad total de espn abajo.

37

6. CONCLUSIONES
Reportamos clculos de primeros principios para determinar las propiedades
estructurales y electrnicas de las multicapas CrN/GaN, MnN/GaN y VN/GaN y
realizar un estudio comparativo de ellas. Las constantes de red calculadas, estn en
buen acuerdo con datos tericos registrados en la literatura. Los valores calculados
de los mdulos de volumen de las multicapas CrN/GaN y MnN/GaN son
relativamente altos, lo cual significa que estos materiales son rgidos. Esta
propiedad se debe a los fuertes enlaces covalentes que se dan entre los estados
metlicos Ga-d en ambas multicapas. Esto confirma que los materiales poseen alta
dureza, lo que los hace atractivos para posibles aplicaciones donde se requieran
materiales resistentes a altas temperaturas y recubrimientos duros. Estas dos
multicapas tambin presentan propiedades magnticas debido a la descompensacin
de la densidad de estado total arriba con la densidad de estado total abajo,
teniendo como mximos contribuyentes a los estados Mn-d y Np para la multicapa
CrN/GaN y V-d, N-p y N2P para la multicapa MnN/GaN. Los momentos
magnticos para cada una de ellas respectivamente fueron 3,0 y 4,0 Magnetones de
Bohr/celda, siendo la multicapa MnN/GaN mas magntica que la multicapa
CrN/GaN. Estas propiedades hacen de estas multicapas un atractivo para posibles
aplicaciones de almacenamiento de informacin tales como

discos duros,

dispositivos USB, etc.


Para la multicapa VN/GaN el valor del mdulo de volumen calculado es menor que
el de las dos multicapas anteriores, lo que la hace menos rgida. Esta multicapa
presenta propiedades magnticas ya que hay una descompensacin de la densidad
de estado total arriba con la densidad de estado total abajo, teniendo como
mximos contribuyentes a los estados V-d, N-p y N2P. El momento magntico
calculado para esta multicapa es de 2 Magnetones de Bohr/celda, siendo este el
valor ms bajo de las tres multicapas en estudio. Dichas propiedades hacen de esta
multicapa candidata para posibles aplicaciones de almacenamiento de informacin.

38

7. REFERENCIAS
[1] A. Zaoui, S. Kacimi, B. Bouhafs, and A. Roula, First-principles study of
bonding mechanisms in the series of Ti, V, Cr, Mo, and their carbides and nitrides,
Physics

B:

Condensed

Matter,

vol.

358,

no.

1-4,

pp.

63-71,

2005.

[ Links ][Online].Available:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452604012724 164

[2] C. Kral, W. Lengauer, D. Rafaja, and P. Ettmayer, Critical review on the


elastic properties of transition metal carbides, nitrides and carbonitrides, Journal of
Alloys and Compounds, vol. 265, no. 1-2, pp. 215-233, 1998. [ Links ] [Online].
Available:

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838897002971

164
[3] G. Casiano, W. Lpez, and J. Rodrguez, Estabilidad Relativa del Compuesto
CrN, Revista de la Sociedad Colombiana de Fsica, vol. 41, no. 3, pp. 580-583,
2009. [ Links ] 164
[4] O. Arbouche, B. Belgoumne, B. Soudini, and M. Driz, First principles study of
the relative stability and the electronic properties of GaN, Computational Materials
Science, vol. 47, no. 2, pp. 432-438, 2009. [ Links ] [Online]. Available:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927025609003516 164
[5] J. M. Wagner and F. Bechstedt, Properties of strained wurtzite GaN and AlN:
Ab initio studies, Phys. Rev. B, vol. 66, no. 11, p. 115202, Sep. 2002. [ Links ]
[Online]. Available: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.66.115202 164
[6] R. Bez Cruz, C. Ortega Lpez, M. J. Espitia Rico. Estudio por primeros
principios de las propiedades estructurales y electrnicas de la multicapa
CrN/GaN, ing.cienc. vol.9 no.17. 2013. ISSN 1794-9165

39

[7] M. J. Espitia Rico, C. Ortega Lpez, I. Escobar Elizalde. Propiedades


estructurales, electrnicas y magnticas de la multicapa MnN/GaN: un estudio ab
initio. Tecnura Vol. 17 Nmero Especial 2 pp. 134 140. 2013.
[8] K. Suzuki, T. Kaneko, H. Yoshida, Y. Obi, H. Fujimori, H, Morita. Crystal
structure and magnetic properties of the compound MnN. Journal of Alloys
compounds. Volume 306 Issues 1-2. Paginas 66-77. 2000.
[9] L.E. Toth, Transition Metal Carbides and Nitrides, Academic Press, New York.
Volume 84, Issue 19, page 960, Oktober 1972.
[10] S.T. Oyama, Catalysis Today. Volume 15, Issue 2, Pages 177-338. 30 June
1992.
[11] H. Kwon, S. Choi, L.T. Thompson, J. Catal. Vnnadium nitride catalysts:
Synthesis and evaluation for n-butane dehydrogenation. 184 (1999) 236.
[12] B. Massalski, Binary Alloy Phase Diagram, ASM,Metals Park, OH, 1991.
[13] Zhiwei Zhao, Ying Liu, Hong Cao, Jinwen Ye, Shengji Gao, Mingjing Tu.
Synthesis of VN nanopowders by thermal nitridation of the precursor and their
characterization. Journal of Alloys and Compounds 464. 7580. 2008.
[14] O. Madelung. Introduction to Solid-State Theory. Springer, 1996.
[15] P. Hohenber,W. Kohn.Inhomogeneus Electron Gas. Phys Rev. 136(3B), 864
(1964)
[16] M. Vega Clculo de las propiedades estructurales y electrnicas del OsN
mediante DFT. 2006.
[17] M. G. Furlani. Propiedades estructurales y magnticas del sistema Zn-Mn-AlO. 214 - ANALES AFA Vol. 19. ISSN: 1850 1158. SALTA 2007 214.
40

[18] O. K. Andersen. Linear methods in band theoryPhys. Phys. Rev. B 12, 3060.
Vol. 12, Iss. 8. Published 15 October 1975.
[19] F. D. Murnaghan. Proc. Natl. Acad. Sci., USA, 30:244, (1944).
[20] D. L. Yu, Y.J. Tiana, J.L. He, F.R. Xiao, T.S. Wanh, D.C. Li, L. Li, G.
Zheng, O. Yanagisawa. Preparation of CNx/TiNy multilayers by ion beam
sputtering. Jouurnal of Crystal Griwth 233 (2001) 303-311.
[21] D. Singh and L. Nordstrom. Planewaves, pseudopotentials and the LAPW
method. Springer; 2nd edition, 2006.
[22] D. R. Hamann, M. Schluter, and Chiang. Phys. Rev. Lett, 43:1494, 1979.
[23] G. B. Bachelet, D. R. Hamann, and M Schluter. Phys. Rev. B, 26:4199, 1982.
[24] D. Vanderbilt. Phys. Rev B, 41:7892, 1990.
[25] K. Laasonen, R. Car, C. Lee, and D. Vanderbilt. Phys. Rev B, 43:6796, 1991.
[26] K. Laasonen, A. Pasquarello, R. Car, C. Lee, and D. Vanderbilt. Phys. Rev B,
47:10142, 1993.
[27] P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D.
Ceresoli, G. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. de Gironcoli, S.
Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M.
Lazzeri, L. Martin- Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A.
Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A. Seitsonen, A.
Smogunov, P. Umari, and R.Wentzcovitch. J. Phys.: Condens. Matter, 21:395502,
2009. [http://www.quantumespresso.org].

41

[28] P. Blaha, K. Schwarz, G. Madsen, D. Kvas-nicka, J. Luitz, WIEN2k, An


Augmented Plane Wave Plus Local Orbitals Program for Calculating Crys-tal
Properties. Vienna University of Technology 2009. ISBN 3-9501031-1-2.
[29] Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack. Special points for Brillouin-zone
integrations. Physical Review B, 13(12), 1976.
[30] W. H. Lee, I. H. Im, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, T. Yao. Structural
Properties of CrN Buffers for GaN Growth. Journal of the Korean Physical
Society, Vol. 49, No. 3, September 2006, pp. 928933.
[31] M. J. Espitia Rico, G. Casiano Jimnez, C. Ortega Lpez. Computational
calculation of the electronic and magnetic properties of 1x1MN/GaN. Academic
Journals. Vol. 9(24), pp. 538-544, 30 December 2014.

42