GUIA PARA APLICACIN DEL MEF

Micro palanca de silicio

Diego Fernando Espinel Gmez, Camilo Alexander Cubillos Torres, Johan Sebastian Romero Melo
Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas
Bogot D.C, Colombia
dfespinelg@correo.udistrital.edu.co
cacubillost@correo.udistrital.edu.co
josromerom@correo.udistrital.edu.co
Resumen- En el presente informe se hace la caracterizacin
de una barra de silicio por medio del mtodo de elementos
finitos, implementado en un software, que permiten calcular la
frecuencia angular ante diversos modos, para ello lo primero
que se hizo fue definir las dimensiones fsicas, para luego
configurarlos en liso, cada una de sus caras, para poder
observarlo en cada una de sus modos y su comportamiento de
frecuencia comparndola con la terica.
Palabras clave: Barra de silicio, MEF, comportamiento de
frecuencia.
Abstract-The
present
report
is
the
characterization of a silicon rod by means of
Finite Element Method , implemented in the
software of the UN, which calculate the angular
frequency modes to various para This first thing
you did was Set the physical, paragraph THEN set
them in smooth, each of its faces , para Power
observe in each of its modes and behavior
frequency compared with the theoretical

medio del MEF o mtodo de elementos finitos es un mtodo

numrico que permite darle solucionar problemas fsicos que
estn descritos por medio de ecuaciones expresadas en
derivadas parciales dependientes del el tiempo o la posicin o
por algn tipo de energa (tomado de Contribucin del
Mtodo de los Elementos Finitos a la mejora del diseo y
caracterizacin de nano estructuras 3D ).Este mtodo divide
el problema en un numero de subdominios que no se
intersectan entre s, lo cual se denomina elementos finitos, los
cuales unidos forman un dominio de discretizacin, Cada
elemento tiene una serie de puntos llamados nodos, estos son
adyacentes si pertenecen al mismo elemento finito, el conjunto
de nodos se llama malla.
Este mtodo es muy usado para analizar estructuras de
materiales de pequea escala, como de elementos electrnicos
de los cuales se necesita conocer su tamao, forma y
composicin de semiconductores en ltima generacin.
Este mtodo se probar aplicando el presente laboratorio,
donde se espera observar la frecuencia de la estructura lisa.

Keywords: silicon bar, MEF, frequency behavior

I. INTRODUCCIN
La nanotecnologa es el rea que se dedica al diseo y
manipulacin de la materia a nivel de tomos o molculas, con
fines industriales o mdicos esta es resultado de las
investigaciones hechas interdisciplinarmente entre la biologa,
la qumica, la fsica y la ingeniera, se debe aclarar que la
escala que se considera manomtrica es aquella que est en el
rango d 1 nm a 100nm [1]. Uno de los grandes desarrollos que
se ha dado hasta el momento son los nanotubos descubiertos
por Sumio Iijima los cuales son estructuras que son forma
alotrpica del carbono, como el diamante, el grafito o los
fullerenos.
Una de las formas de estudiar el comportamiento de estos
sistemas y de saber ms acerca de sus caractersticas es por

II.

METODOLOGA

Lo primero que se hace es colocar las dimensiones fsicas del

elemento cubico, luego de ello se configura el material y las
caractersticas propias de esta entre ellas densidad. Luego se
realiza la simulacin correspondiente y se miran los
resultados.
Este mtodo generalmente se desarrolla en tres partes, el
primero es pre-procesamiento donde se toman en cuentan las
caractersticas fsicas despus de ello se definen las mallas
junto con sus elementos con la cual es posible calcular el
desplazamiento de la estructura, el segundo es el anlisis de
computo donde se toman en cuenta las diversas variables que
afectan y forman deformaciones causadas por fuerzas como
fuerza, presin y gravedad , el tercer y ltimo paso es analizar
los resultados obtenidos.

Tras haber colocado las caractersticas se obtienen resultados

de los 8 modos dados por la simulacin mostrados en el anexo
1.
III.
RESULTADOS ESPERADOS
Se espera obtener la diferencia entre el valor terico y el valor
real acerca de las caractersticas y variables fsicas de una
estructura slida (micro palanca de silicio) por medio de un
software utilizando el mtodo de elementos finitos.
El elemento a caracterizar se muestra en la Figura 1. A
continuacin tambin se muestran las ecuaciones utilizadas
para los clculos tericos necesarios para llevar a cabo la
comparacin.

100
Valor Terico
Porcentaje de error=

valor LISAValor Terico

IV.

DISCUSIN

Dadas las constantes utilizadas en los clculos, nos damos

cuenta que el error entre los valores simulados y el resultado
esperado terico es manejable, este pequeo error es posible
que se deba al tipo de constantes que toma el software,
tambin se puede deber a la mala interpretacin de las
constantes necesarias para calcular cada uno de los modos.
A continuacin se muestran las imgenes de los resultados
obtenidos mediante la simulacin y la tabla correspondiente a
la comparacin de los valores obtenidos de manera
experimental y los valores obtenidos de manera terica
(calculados teniendo en cuenta las ecuaciones suministradas).

Fig. 1. Barra de Silicio

Longitud = l
Ancho = w
Grosor = d
Primer modo:

v =

Fig. 2. Modo 1 barra de silicio l: 10 mm, w: 0.6

mm, d: 0.2 mm

wd 3
Momento inercial vertical( 1)
12
I

1 v =

EI v
3.52

, n=0(2)
2
S
l

Modos Superiores:

2 n+1 2

EI v
2

, con n> 0(3)

2
S
4l
nv =

Fig. 3. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 1

Fig. 4. Modo 2 barra de silicio l: 10 mm, w: 0.6

mm, d: 0.2 mm

Fig. 8. Modo 4 barra de silicio l: 10mm, w:

0.6mm, d: 0.2 mm

Fig. 5. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 2

Fig. 9. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 4

Fig. 6. Modo 3 barra de silicio l: 10mm, w: 0.6

mm, d: 0.2 mm

Fig. 10. Modo 5 barra de silicio l: 10mm, w:

0.6mm, d: 0.2mm

Fig. 7. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 3

Fig. 11. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 5

Fig. 12. Modo 6 barra de silicio l: 10mm, w: 0.6

mm, d: 0.2 mm

Fig. 13. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 6

Fig. 16. Modo 8 barra de silicio l: 10mm, w:

0.6mm, d: 0.2mm

Fig. 17. Valores de frecuencias obtenidos para

modo 8

A continuacin se muestra la recopilacin de datos en la tabla

1, en la cual se realiza la comparacin de valores y se muestra
el valor del porcentaje de error obtenido:
Tabla 1. Porcentajes de error de frecuencia
angular

Fig. 14. Modo 7 barra de silicio l: 10mm, w:

0.6mm, d: 0.2mm

Mod
o
1
2
3
4
5
6
7
8

Valor Real
(Simulacin)
15462
45798
97671
283933
311855
447417
598394
809908

Valor esperado
(Calculado)
14652
47568
96717
293833
318515
477414
590394
889900

Error
(%)
5.5282
3.7209
0.9863
3.3692
2.0909
6.2832
1.3550
8.9888

Conclusiones
Fig. 15. Valores de frecuencias obtenidos para
modo 7

De la tabla podemos apreciar que los porcentajes de

error son variables, esto puede ser ocasionado debido
a la cantidad de decimales utilizados en el software y
en el clculo terico, pues se sabe que el software
utilizado hace uso de una gran cantidad de decimales
para arrojar los resultados, mientras que para realizar
el clculo de manera terica estamos limitados por la

cantidad de decimales que nos permite usar la

calculadora.
El software de simulacin es un software no muy
estable ya que con cada simulacin, se obtenan
distintos resultados, incluso aunque fueran los
mismos parmetros de simulacin.
V.

REFERENCIAS

[1] D. L. Sales, J. Pizarro, P. L. Galindo, T. Ben1, A. M.

Beltrn, R. Garca, S. I. Molina, Junio de 2008
[2] http://www.mondragon.edu/cnm08/Abstract/100.pdf

[3] http://www.faq-mac.com/2010/03/una-punta-tipodiamante-la-mejor-entre-las-mejores/
[4] Ismael Pellejero, Mario Miana, M. Pilar Pina. Deteccin de
explosivos mediante micropalancas de silicio funcionalizadas
con materiales nanoporoso.
[4] A. Carnicero. Introduccin al mtodo de los elementos
finitos.
[5] Universidad Nacional Autnoma de Mxico. Modelado de
Procesos de Manufactura. Captulo 8. Conceptos Bsicos del
Mtodo por elemento finito.
[6]http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/6294/06Efv06d
e23.pdf?sequence=6