FDC00300

FDC003.
DOC
CRITERIOS DE AJUSTE RELS

DE PROTECCIN, CIRCUITOS MT
SUBDIRECCIN GENERAL DE
OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 2 de 40
6.2.2
Tiempo de operacin ............................................................................................................. 33
6.2.2.1 Lmite superior ................................................................................................................... 33
6.2.2.2 Lmite inferior ..................................................................................................................... 33
FUNCIN 51N .......................................................................................................... 33

7.1
Tipo de curva................................................................................................................. 33
7.2
Intensidad de ajuste ..................................................................................................... 33
7.2.1
7.2.2
7.3
Punto de paso ............................................................................................................... 33
7.3.1
7.3.2
Elemento de proteccin nico en circuito.............................................................................. 33

Elemento de proteccin no nico en circuito......................................................................... 33
CARACTERSTICA COMBINADA 51N + 51N,TD................................................... 33

8.1
Precaucin general....................................................................................................... 33
8.2
Funcin 51N,TD............................................................................................................. 33
8.2.1
8.2.2
8.3
Lmite superior ....................................................................................................................... 33

Lmites inferiores ................................................................................................................... 33
Intensidad de ajuste............................................................................................................... 33
Tiempo de operacin ............................................................................................................. 33
Funcin 51N; punto de paso en caracterstica combinada ...................................... 33
FUNCIN 67N .......................................................................................................... 33

9.1
Criterios de aplicacin ................................................................................................. 33
9.2
Redes a neutro aislado................................................................................................. 33
9.2.1
Tipo de curva ......................................................................................................................... 33
9.2.2
Ajustes ................................................................................................................................... 33
9.2.2.1 Intensidad y tensin homopolar......................................................................................... 33
9.2.2.2 Angulares........................................................................................................................... 33
9.2.2.3 Temporales........................................................................................................................ 33
9.2.3
Ejemplo de aplicacin............................................................................................................ 33
9.2.3.1 Caracterstica tensin / intensidad .................................................................................... 33
9.2.3.2 Clculo de I0,L..................................................................................................................... 33
9.2.3.3 Determinacin de I0,H ......................................................................................................... 33
9.2.3.4 Clculo de V0,L ................................................................................................................... 33
9.2.3.5 Determinacin de V0,H ....................................................................................................... 33
9.2.3.6 Tiempos de operacin ....................................................................................................... 33
9.3
Rgimen de neutro predominantemente resistivo .................................................... 33
9.3.1
Aplicacin como detector de intensidad homopolar.............................................................. 33
9.3.1.1 Tipo de curva ..................................................................................................................... 33
9.3.1.2 Ajustes de intensidad y tensn homopolar........................................................................ 33
9.3.1.3 Ajustes angulares .............................................................................................................. 33
9.3.1.4 Tiempo de sealizacin ..................................................................................................... 33
REALIZADA POR:
APROBADA POR:
SUBDIRECCIN DE SUBESTACIONES
DIRECCIN DESARROLLO Y
MANTENIMIENTO
EDITADA EN: JULIO, 2008
MBITO:
ENDESA DISTRIBUCIN ELCTRICA
VB
FDC003.DOC

OPERACIONES
10
1 Edicin
Hoja 3 de 40
FUNCIN 46 ......................................................................................................... 33
10.1
Aplicacin .................................................................................................................. 33
10.2
Criterios de ajuste ..................................................................................................... 33
10.3
Ejemplo de aplicacin............................................................................................... 33
10.3.1
10.3.2
10.3.3
10.3.4
10.3.5
11
Criterio de deteccin.............................................................................................................. 33
Umbral intensidad de fase..................................................................................................... 33
Umbral intensidad de secuencia negativa............................................................................. 33
Umbral intensidad de secuencia cero ................................................................................... 33
Tiempo de sealizacin......................................................................................................... 33
SNTESIS .............................................................................................................. 33
11.1
Funcin 51F ............................................................................................................... 33
11.2
Funcin 50F ............................................................................................................... 33
11.3
Caracterstica combinada 51 + 51TD....................................................................... 33
11.4
Funcin 51N............................................................................................................... 33
11.5
Caracterstica combinada 51N + 51N,TD ................................................................ 33
11.6
Funcin 67N (aplicacin en redes a neutro aislado) ............................................. 33
11.7
Funcin 67N (deteccin), redes con neutro resistivo............................................ 33
11.8
Funcin 46 (deteccin) ............................................................................................. 33
REALIZADA POR:
APROBADA POR:
SUBDIRECCIN DE SUBESTACIONES
DIRECCIN DESARROLLO Y
MANTENIMIENTO
EDITADA EN: JULIO, 2008
MBITO:
ENDESA DISTRIBUCIN ELCTRICA
VB
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OPERACIONES
1
1.1
1 Edicin
Hoja 4 de 40
NOMENCLATURA
General
AT: rango de tensiones que verifica:
45kV U nom 220kV
MT: rango de tensiones que verifica:
11kV U nom < 45kV
SE: subestacin. Instalacin elctrica con transformacin AT/MT;

SM: subestacin MT. Instalacin elctrica con transformacin MT/MT;
CR: centro de reparto. Instalacin elctrica MT expansora, con (n) circuitos
alimentadores y (m) circuitos alimentados, tal que n > m;
CD: centro de distribucin. Instalacin elctrica con transformacin MT/BT;
PRE: productor de rgimen especial;
Z pat : impedancia de puesta a tierra, sistema MT;
TT/I: transformadores de intensidad;
T/I: transformador de intensidad;
1.2
Magnitudes
I : intensidad, en general (valores primarios eficaces);
I F : intensidad de fase;
I A : intensidad de fase (A);
I B : intensidad de fase (B);
I C : intensidad de fase (C);
I1 : intensidad de secuencia positiva o secuencia directa;
I 2 : intensidad de secuencia negativa o secuencia inversa;
I 0 : intensidad de secuencia cero o secuencia homopolar;
I P , nom : intensidad nominal primaria asociada a T/I TT/I;
SAT
I PNO
, cc , mx : intensidad primaria mxima de cortocircuito, asociada a T/I o TT/I, sin
saturacin en circuitos secundarios;

<ELEM >
I mx
,c arg a : intensidad mxima de carga (admisible en permanencia) asociada a un
elemento <ELEM>. De no especificarse <ELEM>, ste vendr definido por contexto;
<ELEM >
: tiempo lmite (segn caracterstica trmica) que el elemento <ELEM>
tlm
,I
soporta intensidad genrica
(I ) ,
asumiendo
(I > I
< ELEM >

mx ,c arg a
).
De no especificarse
<ELEM>, ste vendr definido por contexto;

I TRAN : intensidad transitoria. Al conectar circuito MT, y producida por intensidades
magnetizantes de fase en transformaciones MT/BT conectadas a dicho circuito;
I A,TRAN : intensidad transitoria, fase (A);
I B ,TRAN : intensidad transitoria, fase (B);
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 5 de 40
I C ,TRAN : intensidad transitoria, fase (C);

I A,SEC : intensidad secundaria transitoria, fase (A):
I B ,SEC : intensidad secundaria transitoria, fase (B);
I C ,SEC : intensidad secundaria transitoria, fase (C);
I RES ,TRAN ,SEC : intensidad residual obtenida por suma secundaria de intensidades de
fase transitorias;
I RES ,TRAN : equivalente, en valores primarios, de I RES ,TRAN ,SEC ;
mx I TRAN : valor mximo registrado (entre las tres fases) para el valor absoluto de
la intensidad transitoria;
mx I RES ,TRAN : valor mximo equivalente, en valores primarios, para el valor

absoluto de I RES ,TRAN ,SEC ;
ENV {I RES ,TRAN } : funcin que contiene los extremos relativos asociados al valor
absoluto de I RES ,TRAN ;
tmx {I TRAN } : duracin mxima registrada en intensidad transitoria;

>
I cc< PUNTO
, 3 ,mx : intensidad mxima de cortocircuito trifsico asociada a un punto <PUNTO>
determinado de la red considerada. De no especificarse <PUNTO>, ste vendr

definido por contexto;
>
I cc< PUNTO
, 2 ,mx : intensidad mxima de cortocircuito bifsico puro asociada a un punto
<PUNTO> determinado de la red considerada. De no especificarse <PUNTO>, ste
vendr definido por contexto;
>
I cc< ELEM
, 2 ,mn : intensidad mnima de cortocircuito bifsico puro circulante por un elemento
<ELEM>. De no especificarse <ELEM>, ste vendr definido por contexto;
>
I cc< PUNTO
,1 ,mx : intensidad mxima de cortocircuito monofsico (fase tierra) asociada a un
punto <PUNTO> determinado de la red considerada. De no especificarse <PUNTO>,
ste vendr definido por contexto;
>
I cc< ELEM
,1 ,mn : intensidad mnima de cortocircuito monofsico (fase tierra) circulante por
un elemento <ELEM>. De no especificarse <ELEM>, ste vendr definido por
contexto;
Z pat
: intensidad limitada por Z pat ;
3I 0,mx
3I 0,mx ,c arg a : valor mximo de
(3I 0 )
en ausencia de falta a tierra. Producido por
asimetras del circuito MT protegido (disposicin de conductores, diferencias de

impedancias por fase), contactos defectuosos (seccionadores, puentes en circuitos
areos), paralelos momentneos entre circuitos en carga conectados a idnticas
barras MT (vase fig. 1.1); errores de medida en TT/I, si la intensidad (3I 0 ) no se
capta por toroidal (intensidad residual secundaria);
I 0< ELEM > : intensidad homopolar asociada a un elemento <ELEM>. De no
especificarse <ELEM>, ste vendr definido por contexto;
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 6 de 40
I 0< ELEM > : ngulo asociado a intensidad homopolar de un elemento <ELEM>. De no

V0<ELEM > : tensin homopolar asociada a un elemento <ELEM>. De no especificarse
V0< ELEM > : ngulo asociado a tensin homopolar de un elemento <ELEM>. De no
RF , < ELEM > : resistencia de falta en un elemento <ELEM>. De no especificarse
>
: triple de intensidad homopolar capacitiva asociada a un elemento
3I 0<,ELEM
CAP
<ELEM>. De no especificarse <ELEM>, ste vendr definido por contexto;
C0< ELEM > : capacidad de secuencia homopolar asociada a un elemento <ELEM>. De
no especificarse <ELEM>, ste vendr definido por contexto;
fig. 1.1
1.3
Elementos
BAR: barras cabecera de circuito MT considerado;

CP: circuito protegido;
CF: circuito en falta;
CV: circuito vecino: conectado a idnticas barras que el considerado en contexto;
T: tramo de conductor asociado a un circuito;
F: fusible
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 7 de 40
RF: rupto fusible;

RP: rel de proteccin;
EP: elemento de proteccin (comprende fusibles, rupto fusibles y rels)
1.4
Funciones de proteccin
51F ( 51): sobreintensidad de fases, curva;

51F,TD ( 51TD): sobreintensidad de fases, tiempo definido;
51N: sobreintensidad de neutro, curva;
51N,TD: sobreintensidad de neutro, tiempo definido;
50F ( 50): sobreintensidad instantnea de fases;
67N: sobreintensidad direccional de neutro;
46: desequilibrio de fases;
I aj : intensidad de ajuste (valor de arranque) en una funcin de proteccin;
I op : intensidad medida por rel, referida a valores primarios;

I
top
: tiempo terico de disparo (segn caracterstica I/t) asociado a una
,< FUNCIN >
funcin de proteccin <FUNCIN> ante una intensidad genrica (I). De no

especificarse <FUNCIN>, sta vendr definida por contexto;
>
I aj< RP
, 51F : intensidad de ajuste, funcin 51F, rel de proteccin <RP>. De no
especificarse <RP>, ste vendr definido por contexto;
>
I aj< RP
, 50 F : intensidad de ajuste, funcin 50F, rel de proteccin <RP>. De no
>
I aj< RP
, 51TD : intensidad de ajuste, funcin 51TD, rel de proteccin <RP>. De no
< RP >
top
, 51TD : tiempo de operacin, funcin 51TD, rel de proteccin <RP>. De no
>
I aj< RP
, 51 N : intensidad de ajuste, funcin 51N, rel de proteccin <RP>. De no
>
I aj< RP
, 51 N ,TD : intensidad de ajuste, funcin 51N,TD, rel de proteccin <RP>. De no
< RP >
top
, 51 N ,TD : tiempo de operacin, funcin 51N,TD, rel de proteccin <RP>. De no
I CR : intensidad de cruce entre funcin de curva (51, 51N) y tiempo definido (51TD,
51N,TD);
I INH ,< FUNCIN > : intensidad de inhibicin (por encima de la cual no opera) asociada a
una funcin de proteccin <FUNCIN>. De no especificarse <FUNCIN>, sta
vendr definida por contexto;
>
I aj< RP
, 67 N : intensidad de ajuste, funcin 67N, rel de proteccin <RP>. De no
< RP >
top
, 67 N : tiempo de operacin, funcin 67N (supuesto a tiempo definido), rel de
proteccin <RP>. De no especificarse <RP>, ste vendr definido por contexto;
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 8 de 40
>
Vaj<,RP
67 N : tensin de ajuste, funcin 67N, rel de proteccin <RP>. De no especificarse
<RP>, ste vendr definido por contexto;

>
I 0<,RP
mn : equivalente, en magnitudes primarias, de sensibilidad mnima para ( I 0 ) , rel
de proteccin <RP>. De no especificarse <RP>, ste vendr definido por contexto;
RP >
: equivalente, en magnitudes primarias, de sensibilidad mnima para (V0 ) , rel
V0<,mn
de proteccin <RP>. De no especificarse <RP>, ste vendr definido por contexto;
< RP >
: equivalente, en magnitudes primarias, intensidad nominal rel de
I nom
,< FUNCIN >
proteccin <RP>, funcin <FUNCIN>. De no especificarse <RP> / <FUNCIN>, el
contexto ser portador de definicin / definiciones;
I ,F : genricamente, umbral de intensidad de fase;
I , 2 : umbral de intensidad de secuencia negativa o secuencia inversa;
I ,0 : umbral de intensidad de secuencia cero o secuencia homopolar;
< F ; RF >
: intensidad, por encima de la cual, un fusible <F> o rupto fusible <RF> a
I FUSIN
caracterstica (I/t) de fusin. De no especificarse <F;RF>, ste vendr definido por

contexto:
t : margen de coordinacin (diferencia de tiempos de operacin) entre dos
elementos de proteccin (EP), tal que garantiza la selectividad. En redes MT se
recomienda:
0,2s t 0,35s
tTRAN : tiempo adicional para garantizar inmunidad ante intensidades transitorias:
0,1s tTRAN 0,2s

t NA : margen de coordinacin entre dos elementos de proteccin (EP), redes a
neutro aislado, ante faltas a tierra, tal que garantiza la selectividad:
1s t NA 2 s
1.5
Varios
FF ,1, BAR : falta monofsica, franca a tierra, en barras;
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 9 de 40
PERFILES BSICOS RED RADIAL MT

Explotacin habitual: conexin a cabecera nica (SE, SM, CR);
Topologa: normalmente capilar (consumos mltiples en derivaciones, fig. 2.1), o,
excepcionalmente, dedicada (consumo nico);
fig. 2.1.- Red radial MT, topologa capilar: conexiones en derivacin que pueden darse.
Regmenes de neutro: nico neutro en SE/SM cabecera en SE alimentadora a CR;

Tipos impedancia puesta a tierra neutro:
Z pat = R (resistiva);
Z pat = jX (inductiva);
Z pat = R + jX (mixta);
Z pat (neutro aislado)
3
3.1
RECOMENDACIONES TT/I
Disposicin
Vase fig. 3.1.

1 T/I por fase;
1 T/I toroidal de neutro (conteniendo las tres fases).
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 10 de 40
IA
IB
IC
I res
rel(s)
de
protecci
n
3I 0
fig. 3.1
3.2
Caractersticas bsicas
TT/I de fases:
Intensidad primaria nominal superior a 1,2 veces mxima carga admisible por circuito
protegido:
CP
I P ,nom 1,2 I mx
,c arg a
Mxima intensidad de cortocircuito primaria soportada sin saturacin secundaria:

superior o igual a la mxima intensidad de cortocircuito trifsica en barras MT donde
conecte cabecera de circuito:
SAT
BAR
I PNO
,cc ,mx I cc , 3 ,mx
T/I toroidal de neutro:

Neutro conectado a tierra mediante impedancia finita:
o
Intensidad primaria nominal:

pat
I P , nom 0,5 3I 0, mx
Mxima intensidad de cortocircuito primaria soportada sin saturacin:

superior o igual a la mxima intensidad de cortocircuito monofsica en
barras MT donde conecte cabecera de circuito.
SAT
BAR
pat
I PNO
,cc ,mx I cc ,1 ,mx = 3I 0 ,mx
Z
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 11 de 40
FUNCIN 51F
4.1
Tipo de curva
Teniendo en cuenta caracterstica trmica de conductores:

2

I

I

mx , c arg a
t = 1 ln
2
I
1
I mx , c arg a
1 : constante de tiempo asociada al proceso de calentamiento del conductor.

La curva que ms se acomoda a dicha caracterstica es la extremadamente inversa:
t=
k
I
I
aj
Vase grfica comparativa, curvas de sobreintensidad (NI, MI, EI) vs. caracterstica
trmica (fig. 4.1):
Caracterstica trmica
Curva NI
Curva MI
Curva EI
10
I
I mx ,c arg a
fig. 4.1
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 12 de 40
En cualquier caso, resulta recomendable aplicar el mismo tipo de curva (NI, MI, EI) que la
empleada en elementos de proteccin:
aguas abajo: fusibles e instalaciones con interruptor y proteccin (reclosers,
clientes, PRE, etc.);
aguas arriba:
o
o
Circuitos con cabeceras en SSEE / SSMM: transformador AT/MT (en SE) /

transformador MT/MT (en SM);
Circuitos con cabeceras en CCRR: circuito(s) alimentador(es)
para obtener coordinacin con el mayor nmero de elementos.

4.2
Intensidad de ajuste
4.2.1
Lmite superior
Mnima intensidad de cortocircuito bifsico que pueda darse en circuito protegido.

Normalmente, en punto del circuito elctricamente ms alejado de cabecera. De existir
margen, se recomienda asumir cierta resistencia de falta (RF ) ; por ejemplo, RF = 2
I aj ,51F < I cc , 2 ,mn

4.2.2
Lmites inferiores
Selectividad: Si el circuito protegido comprende otros elementos de proteccin (siempre

sern aguas abajo), deber garantizar coordinacin con todos y cada uno de ellos.
En el caso particular de (K) fusibles (o rupto - fusibles):
F1
F2
FK
I aj ,51F (1,3...1,4 ) mx I FUSIN
, I FUSIN
,...I FUSIN
En el caso particular de (M) rels de proteccin:
RPM
2
I aj ,51F 1,2 mx I ajRP,151F , I ajRP,51
F ,...I aj , 51F
Obviamente, si el circuito comprende fusibles (o rupto fusibles) y rels de proteccin:
F1
F2
FK
RPM
2
I aj ,51F mx (1,3...1,4 ) mx I FUSIN
, I FUSIN
,...I FUSIN
;1,2 mx I ajRP,151F , I ajRP,51
F ,...I aj , 51F
]}
Observacin: el margen de seguridad es inferior para rels respecto al recomendado para

los fusibles, dado el grado de dispersin en curvas (I/t) de stos.
Mxima intensidad de carga permanente soportada: si el circuito protegido comprende
tramos de diferente conductor, se contemplar:
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1 Edicin
OPERACIONES
Hoja 13 de 40
la intensidad mxima de carga (en permanencia) de todos y cada uno de los

tramos (T1, T2, . TN);
el valor mnimo de dichas intensidades constituye la referencia para el lmite
inferior de ajuste:
TN
T1
T2
I aj ,51F 1,2 mn I mx
,c arg a , I mx ,c arg a , ... I mx ,c arg a
Mxima intensidad permanente soportada en TT/I de fases:
I aj ,51F 1,2 I P ,nom

Observacin: Este lmite no debe considerarse para circuitos equipados con TT/I cuya
intensidad nominal primaria sea superior a la intensidad mxima de carga soportada por el
circuito.
4.3
Punto de paso
Independientemente al tipo de curva empleado (NI, MI, EI), una vez definida la intensidad
de ajuste queda por determinar el parmetro (K ) ; en efecto:
0 ,02; NI
; = 1;
t=
MI
I
2;
EI
1
I
aj
( )
y ste queda totalmente definido si, para una intensidad determinada I op , se desea un
( )
I
tiempo de operacin concreto topop :
I
I
K = op 1topop
I aj
El par
(I ); (t )
op
I op
op
constituye un punto de paso. Dicho punto de paso es funcin del
escenario.
4.3.1
Elemento de proteccin nico en circuito
No existe elemento de proteccin alguno aguas abajo (fusibles, rupto fusibles,

derivaciones con interruptor y proteccin, reclosers, clientes, PRE, etc.)
En tal escenario, debe salvaguardarse de entre los tramos (T1, T2, . TN) del conductor
aqul que resulte ms dbil; sea dicho tramo (Ti).
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 14 de 40
Deber calcularse, en (Ti), el cortocircuito trifsico franco situado en el punto

elctricamente ms prximo a cabecera:
I ccTi ,3, mx
La caracterstica trmica del tramo (Ti) indicar el tiempo lmite ante tal intensidad:
Ti
tlm
, I cc , 3 ,mx
y:
t
4.3.2
Ti
I cc
, 3 , mx
op , 51F
Ti
< tlm
, I cc , 3 , mx
Elemento de proteccin no nico en circuito
Adems del criterio expuesto en (4.3.1), debe garantizarse selectividad con elementos de
proteccin aguas abajo (fusibles, rupto fusibles, derivaciones con interruptor y
proteccin, reclosers, clientes, PRE, etc.).
En efecto: considrense los puntos del circuito (P1, P2, , PN) equipados con elementos
de proteccin (EP1, EP2, , EPN).
Para un punto del circuito cualesquiera (Pj), debe garantizarse, en escenario de
cortocircuito trifsico, coordinacin entre funcin 51F objeto de anlisis con elemento (EPj),
es decir:
Pi
I cc
,3
op , 51 F
=t
Pi
I cc
,3
op , EPi
+ t
Caso de no satisfacerse ambas condiciones, es decir:
Ti
I cc
, 3 , mx
op , 51F
Ti
< tlm
, I cc , 3 , mx
I Pi
(analizada en 4.3.1), y:
I Pi
3
cc , 3
topcc,,51
F = t op , EPi + t
ser preciso equipar rel de proteccin objeto de anlisis con funcin 51TD.
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 15 de 40
FUNCIN 50F
5.1
5.1.1
5.1.1.1 Lmite superior

En general, se considera satisfactorio:
I aj ,50 F 0,8I ccBAR

,2
garantizndose la eliminacin instantnea en cortocircuitos polifsicos francos cercanos a
cabecera.
5.1.1.2 Lmite inferior
Impuesto por intensidades transitorias de conexin. Vase ejemplo ilustrativo, fig. 5.1,
para registro obtenido en instalacin.
fig. 5.1.- Ejemplo para intensidades transitorias de conexin (fases), circuito 15 kV. Cortesa de territorio Sur. Escalado
vertical en valores primarios.
Resulta recomendable:
I aj ,50 F 1,25 mx{I TRAN }
En la prctica, y de desconocerse mx I TRAN , puede resultar til un lmite inferior acotado

segn:
5I aj ,51F I aj ,50 F < 8I aj ,51F
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OPERACIONES
5.1.2
1 Edicin
Hoja 16 de 40
proteccin aguas abajo (fusibles, derivaciones con interruptor y proteccin, reclosers,
clientes, PRE, etc.).
En tal caso, y dada su actuacin instantnea, todo disparo ordenado por funcin objeto de
anlisis debe producirse por defectos ubicados entre:
La cabecera del circuito protegido, y:
El punto elctricamente ms cercano (Pj) correspondiente al circuito protegido;
precisamente aqul donde mayor intensidad de cortocircuito pueda producirse.
Observacin: se asigna a dicho punto el subndice (j) suponiendo que el subndice (1)
corresponde al fsicamente ms cercano. Dependiendo de los tipos de conductor
intercalados entre cabecera y el punto considerado, podra darse:
I ccP1,3 < I ccj,3

P
Con objeto de garantizar plena selectividad:
I aj ,50 F 1,25I ccj,3

P
En tal caso, debern satisfacerse tres condiciones:

,2
I aj ,50 F 1,25 mx{ITRAN }
I aj ,50 F 1,25I ccj,3

P
que, anotadas en inecuacin nica:
1,25mx mx[ I TRAN ]; I ccj,3 < I aj ,50 F < 0,8I ccBAR

, 2
P
De no satisfacerse al completo dicha inecuacin, la funcin 50F deber estar fuera de

servicio; ser menester utilizar una caracterstica (I/t) combinada 51F + 51TD.
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1 Edicin
OPERACIONES
Hoja 17 de 40
CARACTERSTICA COMBINADA 51F + 51TD
6.1
Precaucin general
La combinacin 51F + 51TD presenta una grfica genrica segn fig. 6.1
t
top ,51TD
I aj ,51F
I aj ,51TD
I CR
I ccBAR
, 3,mx
fig. 6.1
En algunos rels de proteccin, ambas funciones (51F, 51TD) pueden estar en servicio y
operar de forma independiente. En tal caso, puede presentarse el escenario descrito en
fig. 6.1: un valor de intensidad (I CR ) tal que:
I CR ,I51CRF < topI >,I51CRTD
Si se desea evitar dicho comportamiento, bastar con inhibir funcin 51F para
intensidades superiores al ajuste de funcin 51TD:
I INH ,51 = I aj ,51TD

6.2
6.2.1
Funcin 51TD

De permitirlo las intensidades transitorias de conexin y el estudio de selectividad, puede
reducirse respecto a la funcin 50F:
I aj ,51TD I cc , 2 , BAR ; < 0,8
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 18 de 40

Inmunidad ante intensidades transitorias de conexin.
Suponiendo ya escogido el tiempo de operacin top ,51TD para la funcin 51TD (mediante
estudio de coordinacin con elementos aguas abajo), y asumiendo conocido el tiempo
mximo de las intensidades transitorias de conexin, se plantean dos escenarios:
tmx {ITRAN } 0,75 top ,51TD ; lmite inferior independiente a intensidades transitorias de
conexin;
tmx {ITRAN } 0,75 top ,51TD ; el lmite inferior debe satisfacer:
I aj ,51TD 1,25 mx{I TRAN }

En la prctica, y de desconocerse alguno de ambos valores:
mx I TRAN ;
tmx {I TRAN }
puede resultar til ajustar la funcin (51TD) segn:
I aj ,51TD 5I aj ,51F
6.2.2
Tiempo de operacin

Tiempo de operacin asociado a funcin 51F
51TD
t aj ,51TD topaj,,51
F

Selectividad: considerando de nuevo los puntos del circuito (P1, P2, , PN) equipados con
elementos de proteccin (EP1, EP2, , EPN), para un punto del circuito cualesquiera (Pj),
debe garantizarse, en escenario de cortocircuito trifsico, coordinacin entre funcin 51TD
y elemento (EPj), es decir:
Pi
I cc
,3
op , 51TD
=t
Pi
I cc
,3
op , EPi
+ t
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1 Edicin
Hoja 19 de 40
FUNCIN 51N
7.1
Tipo de curva
Habitualmente, en circuitos MT, la curva de la funcin 51N suele ser ms rpida que la
curva de la funcin 51F. En tal caso, si la funcin 51F respeta la caracterstica trmica del
conductor, sta queda automticamente respetada por la funcin 51N.
De existir fusibles aguas abajo, la caracterstica trmica de los mismos presenta un
trazado ms acomodado a la curva extremadamente inversa (EI) que a ninguna otra. Dado
que los fusibles captan cualquier tipo de cortocircuito, resulta muy aconsejable evitar
desconexiones de cabecera por actuacin de protecciones no coordinadas con los
fusibles; la mejor coordinacin con los fusibles se consigue con la curva (EI).
No obstante, al igual que en funcin 51F, resulta recomendable aplicar el mismo tipo de
curva (NI, MI, EI) que la empleada en elementos de proteccin:
aguas abajo: fusibles e instalaciones con interruptor y proteccin (reclosers,
clientes, PRE, etc.);
aguas arriba:
o
o
Circuitos con cabeceras en SSEE / SSMM: transformador AT/MT (en SE) /

transformador MT/MT (en SM);
Circuitos con cabeceras en CCRR: circuito(s) alimentador(es)
para obtener coordinacin con el mayor nmero de elementos.

7.2
7.2.1
Lmite superior
Mnima intensidad de cortocircuito monofsico que pueda darse en circuito

protegido.
Normalmente, en el punto del circuito elctricamente ms alejado de la cabecera. De
existir margen, se recomienda calcular I cc ,1 asumiendo resistencias de falta (RF ) tpicas
de un apoyo (en lneas areas) por ejemplo, RF = 20 .
I aj ,51N < mn{I cc ,1 }

7.2.2
Lmites inferiores
Criterio de mxima (3I 0 ) circulante en carga

Vase definicin en nomenclatura. Resulta conveniente realizar mediciones secundarias
para determinar el valor de 3I 0,mx ,c arg a en circuito protegido; consecuentemente:
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Hoja 20 de 40
I aj ,51N 1,25 mx{3I 0,mx ,c arg a }

Selectividad
Si el circuito protegido comprende otros elementos de proteccin (siempre sern aguas
abajo), deber garantizar selectividad con todos y cada uno de ellos; en particular, con el
de mayor ajuste.
En el caso particular de (K) fusibles (o rupto - fusibles):
F1
F2
FK
I aj ,51N (1,3...1,4 ) mx I FUSIN
, I FUSIN
,...I FUSIN
En el caso particular de (M) rels de proteccin:
RPM
2
I aj ,51N 1,2 mx I ajRP,151F , I ajRP,51
F ,...I aj , 51F
Obviamente, si el circuito comprende fusibles (o rupto fusibles) y rels de proteccin:
F1
F2
FK
RPM
2
I aj ,51N mx (1,3...1,4 ) mx I FUSIN
, I FUSIN
,...I FUSIN
F ,...I aj , 51F
]}
Observacin: el margen de seguridad es inferior para rels respecto al recomendado para

los fusibles, dado el grado de dispersin en curvas (I/t) de stos.
7.3
Punto de paso
Asumiendo curva 51N ms rpida (para cualquier intensidad de falta a tierra) que la curva
51F, no se precisa contemplar la caracterstica trmica de tramo alguno.
7.3.1
Exclusivamente para intensidades residuales captadas por suma secundaria de

intensidades de fase
En ausencia de falta, las intensidades transitorias de conexin provocan intensidades
secundarias residuales de error, transitorias y no nulas; en efecto, si bien en magnitudes
primarias:
I A + I B + I C = I A,TRAN + I B ,TRAN + I C ,TRAN = 0

el comportamiento individual en cada uno de los 3 TT/I, por errores de medida:
ante componentes asimtricas;
ante contenido armnico
da lugar, en secundario:
I A,SEC + I B ,SEC + I C ,SEC = I A,TRAN ,SEC + I B ,TRAN ,SEC + I C ,TRAN ,SEC = I RES ,TRAN ,SEC
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Hoja 21 de 40
Vase (fig. 7.1) intensidad residual secundaria transitoria asociada a conexin fig. 5.1.
fig. 7.1.- Ejemplo para intensidades transitorias de conexin (fases y residual), circuito 15 kV. Cortesa de territorio Sur.
Escalado vertical en valores primarios.
Vase (fig. 7.2) contenido armnico para intensidades correspondientes a fig. 7.1
fig. 7.2.- Anlisis espectral para oscilograma fig. 7.1. Cortesa de territorio Sur. Escalado vertical en valores primarios.
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OPERACIONES
Hoja 22 de 40
Las intensidades secundarias residuales de error transitorias presentan las caractersticas

siguientes:
Son independientes a la limitacin impuesta por el rgimen de neutro;
Solamente las mediciones sistemticas y repetitivas con instrumentacin adecuada
permiten establecer acotaciones (en intensidad y tiempo) para un escenario de carga
concreto;
Presentan componente asimtrica y contenido armnico.
Vistas las singularidades, conviene apuntar una solucin prctica que garantice la
inmunidad de la funcin 51N ante intensidades secundarias residuales de error
transitorias. Vase fig. 7.3, donde se traza:
ENV {mx(I RES ,TRAN )}
para I RES ,TRAN en funcin del tiempo, asumiendo conexin en t = 0.

I
ENV {I RES ,TRAN }
I aj ,51 N
t0
fig. 7.3
Obviamente, si:
I aj ,51N
t t0
ENV {I RES ,TRAN }
Por tanto, basta con fijar:
I
mn top
, 51 N = t0 + tTRAN
Obviamente, la mayor inmunidad ante tal fenmeno se obtiene migrando de la captacin

por suma secundaria a la captacin por toroidal de neutro.
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Hoja 23 de 40
Intensidades capacitivas, de circuitos vecinos, ante faltas a tierra

En escenario de falta a tierra en un circuito, los circuitos subterrneos vecinos
(conectados en idnticas barras) presentan una capacidad fase tierra por unidad de
longitud suficiente para provocar intensidades homopolares primarias, no despreciables a
efectos de ajuste funcin 51N. stas son consecuencia de las tensiones homopolares
provocadas por la falta a tierra; y, una vez desenergizada sta, desaparecen.
El ngulo relativo entre:
intensidad homopolar del circuito en falta;
intensidades homopolares de circuitos vecinos
viene determinado, en gran parte, por Z pat .
Dependiendo de la misma, las intensidades homopolares de los circuitos vecinos pueden
aadir o restar intensidad homopolar al circuito en falta. De hecho:
Si la impedancia de puesta a tierra es:
Z pat = R Z pat = R + jX (predominantemente resistiva):

pqt
3I 0CF
,mx > 3I 0 ,mx

Si la impedancia de puesta a tierra es mediante reactancia pura:
Z pat = jX
pqt
3I 0CF
,mx < 3I 0 ,mx
La funcin 51N debe garantizar inmunidad ante tal fenmeno, independientemente al

circuito en falta y la situacin de sta en el circuito.
Al objeto de evitar actuaciones intempestivas en circuitos vecinos Para cualquier
intensidad de falta, debe verificarse:
CV
CF
top
, 51 N top , 51 N + t
Ello implica, necesariamente, realizar un estudio sistemtico de cortocircuitos fase tierra

en todos y cada uno de los circuitos conectados (o conectables) a idnticas barras, a lo
largo de toda su longitud (p.e., al 10%, 50% y 90%) y con diferentes resistencias de falta.
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Hoja 24 de 40
En la prctica, puede resultar aconsejable insensibilizar totalmente la funcin 51N a

intensidades capacitivas de secuencia cero ante faltas fase tierra en circuitos conectados
a idnticas barras; para ello, bastar con verificar:
I ajCP,51N 1,25{3I 0CP

,CAP }
FF ,1 , BAR
siendo:
3I 0CP
,CAP : intensidad capacitiva de secuencia cero en circuito protegido;
FF ,1, BAR : falta franca monofsica en barras donde conecte circuito.
7.3.2
proteccin aguas abajo (fusibles, derivaciones con interruptor y proteccin, reclosers,
clientes, PRE, etc.).
En efecto: considrense los puntos del circuito (P1, P2, , PN) equipados con elementos
de proteccin (EP1, EP2, , EPN).
Para un punto del circuito cualesquiera (Pj), debe garantizarse, en escenario de
cortocircuito monofsico, coordinacin entre funcin 51N objeto de anlisis con elemento
(EPj), es decir:
Pi
I cc
,1
op , 51 N
=t
Pi
I cc
,1
op , EPi
+ t
Si, adicionalmente, se desea garantizar la selectividad con elementos aguas abajo en

escenario de faltas a tierra simultneas (intensidades de neutro medidas por rels de
proteccin de circuitos en falta superiores a la limitada por el rgimen de neutro), ser
preciso equipar rel de proteccin objeto de anlisis con funcin 51TD.
8
8.1
CARACTERSTICA COMBINADA 51N + 51N,TD

Precaucin general
La combinacin 51N + 51N,TD presenta una grfica genrica segn fig. 8.1. Obsrvese
que responde a una funcin continua (I/t), con caracterstica de tiempo mnimo definido.
En algunos rels de proteccin, ambas funciones (51N; 51N,TD) pueden estar en servicio
y operar de forma independiente. En tal caso, puede presentarse el escenario descrito en
fig. 8.1 ante faltas simultneas a tierra; en efecto, para intensidades tales que:
pqt
3I 0 > 3I 0,mx
top ,51N < top ,51N ,TD
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1 Edicin
Hoja 25 de 40
top ,51 NTD
pat
I aj ,51TD = I CR = 3I 0,mx
fig. 8.1
Si se desea evitar dicho comportamiento, bastar con inhibir funcin 51N para
intensidades superiores al ajuste de funcin 51N,TD:
pat
I INH ,51N = 3I 0 ,mx
8.2
Funcin 51N,TD
8.2.1
pat
I aj ,51N ,TD = 3I 0,mx
8.2.2
Tiempo de operacin
top ,51N ,TD t

8.3
Funcin 51N; punto de paso en caracterstica combinada

Z
t
9
9.1
pat
3 I 0 , mx
op , 51 N
= top ,51 N ,TD
FUNCIN 67N
Criterios de aplicacin
Redes con neutro aislado de tierra o conectado a tierra mediante impedancia resistiva:

Z pat = R (resistiva);
Z pat = R + jX (mixta, con predominancia resistiva);
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1 Edicin
Hoja 26 de 40
No admite aplicacin prctica en redes con neutro conectado con impedancia de puesta
inductiva:
Z pat = jX (inductiva)
En efecto: asmase (fig. 9.1) barras MT con transformador AT/MT (o MT1/MT2), devanado
MT (MT2) en tringulo e impedancia de puesta a tierra neutro mediante compensador (o
bobina en zig zag); falta monofsica a tierra en un circuito. Intensidades homopolares en
impedancia puesta a tierra neutro, de falta, capacitivas, y tensin homopolar en barras.
3 I 0CV R1
AT / MT ; MT1 / MT2
3I 0CV2
3I 0CV1
Z
3I 0 pat
3I 0CF
+
V0BAR
fig. 9.1
Calculando diferencia angular entre tensin homopolar de barras e intensidades

homopolares en los (R) circuitos conectados a las mismas, se observa:
[I 0CF ] [V0BAR ] = [I 0CV1 ] [V0BAR ] = [I 0CV2 ] [V0BAR ] = ... = [I 0CVR 1 ] [V0BAR ]

Siendo:
CF : circuito en falta;
CV1 , CV2 ,..., CVR1 : circuitos vecinos (supuestos todos sin falta alguna).
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1 Edicin
Hoja 27 de 40
Analizando la tensin homopolar en barras, y:

La intensidad homopolar aportada por impedancia de puesta a tierra;
La intensidad homopolar circulante por circuito en falta;
La intensidad homopolar (capacitiva) circulante por circuitos vecinos
vs. rgimen de neutro, surgen los diagramas fasoriales orientativos mostrados en fig. 9.2.
9.2
Redes a neutro aislado
La funcin 67N constituye alternativa nica para detectar y eliminar, de forma selectiva, la
mayora de faltas monofsicas a tierra en circuitos MT.
Se enuncian a continuacin los criterios de ajuste, por cortesa de Territorio Aragn.
9.2.1
Tipo de curva
A tiempo definido.
9.2.2
Ajustes
9.2.2.1 Intensidad y tensin homopolar

Lmite superior
Intensidad y tensin homopolar mnimas ante falta monofsica
En el punto del circuito elctricamente ms alejado de la cabecera;
Con un nico circuito vecino (CVi), precisamente el que menos intensidad homopolar
capacitiva aporte, conectado en idnticas barras;
Con cierta resistencia de falta (RF ) , limitada a RF = 20 .
{ }
< mn{3V }
I aj ,67 N < mn 3I 0CVi

Vaj ,67 N
RF ,CP 20
BAR
0
RF ,CP 20
Lmite inferior
Intensidad y tensin homopolar mximas en ausencia de falta
Con mxima carga en circuito protegido;
Con el mayor nmero posible de circuitos vecinos conectados en idnticas barras.
I aj ,67 N 1,25mx{3I 0CP }

Vaj ,67 N 1,25mx{3V
RF ,CF
BAR
0
RF ,CP
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 28 de 40
I 0 pat
I 0CF
R 1
CVi
0
i =1
V0BAR
V0BAR
(i )
R 1
CVi
0
(ii )
I 0CF
i =1
I 0 pat
I 0CF
(iii )
V0BAR
R 1
CVi
0
i =1
fig. 9.2.- Diagramas fasoriales, ante falta monofsica a tierra en un circuito, para tensin homopolar en barras, intensidad
homopolar aportada por impedancia de puesta a tierra, intensidad homopolar circuito en falta y suma de intensidades
homopolares capacitivas en circuitos vecinos. (i): neutro aislado de tierra; (ii), impedancia de puesta a tierra mediante
reactancia; (iii), impedancia de puesta a tierra resistiva o mixta predominantemente resistiva.
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1 Edicin
OPERACIONES
Hoja 29 de 40
9.2.2.2 Angulares
Dadas las posiciones angulares relativas (fig. 9.2) entre intensidades y tensiones de
secuencia homopolar, en escenario de falta monofsica a tierra en neutro aislado:
< [V0BAR ] [I 0CP ] < ( ) ; 0 < <

Por ejemplo, para =
, el lugar geomtrico angular resulta (fig. 9.3):

4
[V0BAR ] [I 0CP ]
fig. 9.3
9.2.2.3 Temporales
Lmite superior
Tratndose de una funcin a tiempo definido, que opera ante intensidades de falta muy
reducidas (del orden de mA) respecto al poder de corte en interruptores, puede
establecerse:
top ,67 N 5s
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 30 de 40
Lmite inferior
Selectividad
Elemento de proteccin nico en el circuito
top ,67 N 5s
en general, dado que:
AREA
SUBTERRNEO
3I 0LNEA
< 3I 0CABLE
,CAP
,CAP
puede establecerse:
top ,67 N
RED AREA
> top ,67 N
RED SUBTERRNEA
siempre y cuando exista homogeneidad entre los circuitos conectados a idnticas barras
(predominancia de red area o predominancia de red subterrnea).
Elemento de proteccin no nico en el circuito
Si el circuito protegido comprende otros elementos de proteccin (siempre sern aguas
abajo), deber garantizar selectividad con todos y cada uno de ellos; en particular, con el
de mayor ajuste. Dado el orden de magnitud en intensidades de falta monofsica a tierra,
no debern contemplarse los fusibles. As, en el caso particular de (M) rels de proteccin:
top ,67 N = mx{topRP,167 N , topRP,267 N ,...topRP,M67 N }+ t NA

9.2.3
Ejemplo de aplicacin
La propuesta de territorio Aragn establece:

9.2.3.1 Caracterstica tensin / intensidad
Vase fig. 9.4
9.2.3.2 Clculo de I0,L
Sea I 0REL
,mn
la mnima sensibilidad del rel en magnitudes primarias; entonces, si (R)
circuitos conectan en la misma barra, se calcular la semisuma de aportaciones de (R p)

circuitos, siendo (p), como mnimo, la unidad (el circuito en falta). El objetivo es obtener un
equilibrio tal que:
I0,L
R p
I
i =1
CVi
0
1
, si
2
I0,L = I 0REL
,mn , si
2
R p
i =1
R p
I
i =1
CVi
0
I 0REL
,mn
I 0CVi < I 0REL

,mn
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1 Edicin
OPERACIONES
Hoja 31 de 40
V0
V0 , H
V0 , L
I 0,L
I 0,H
I0
fig. 9.4
9.2.3.3 Determinacin de I0,H
3I 0,L I 0,H 4 I 0,L

9.2.3.4 Clculo de V0,L
la mnima sensibilidad del rel en magnitudes primarias; en tal caso:

Sea V0REL
,mn
V0,L V0REL
,mn
9.2.3.5 Determinacin de V0,H
5V0,L V0,H 10V0,L

9.2.3.6 Tiempos de operacin
Circuitos en antena areos: 3 s;
Circuitos en antena, subterrneos: 2 s
Circuitos areos con elementos de proteccin aguas abajo: 3 s;
Circuitos subterrneos con elementos de proteccin aguas abajo: 2 s
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OPERACIONES
9.3
1 Edicin
Hoja 32 de 40
Rgimen de neutro predominantemente resistivo
9.3.1
Aplicacin como detector de intensidad homopolar
9.3.1.1 Tipo de curva

A tiempo definido.
9.3.1.2 Ajustes de intensidad y tensn homopolar
Lmites superiores
Intensidad y tensin homopolar mnimas ante falta monofsica
En el punto del circuito elctricamente ms alejado de la cabecera;

Con un nico circuito vecino (CVi), precisamente el que menos intensidad homopolar
capacitiva aporte, conectado en idnticas barras;
Con cierta resistencia de falta (RF ) , limitada a RF = 20 .
{ }
< mn{3V }

Vaj ,67 N
RF ,CP 20
BAR
0
RF ,CP 20
Lmites inferiores
Intensidad y tensin homopolar mximas en ausencia de falta
Con mxima carga en circuito protegido;

Con el mayor nmero posible de circuitos vecinos conectados en idnticas barras.
I aj ,67 N 1,25mx{3I 0CP }R
Vaj ,67 N 1,25mx{3V
F ,CF
BAR
0
RF ,CP
9.3.1.3 Ajustes angulares

Dadas las posiciones angulares relativas (fig. 9.2) entre intensidades y tensiones de
secuencia homopolar, en escenario de falta monofsica a tierra en neutro resistivo:
( ) < [I 0CP ] [V0BAR ] < ; 0 < <

Por ejemplo, para =
, el lugar geomtrico angular resulta (fig. 9.5):

18
FDC003.DOC

1 Edicin
OPERACIONES
Hoja 33 de 40
[I 0CP ] [V0BAR ]
+
2
fig. 9.5
9.3.1.4 Tiempo de sealizacin

Conviene que el aviso prestado por funcin 67N opere en dos niveles temporales:
Sealizacin local: instantneo;

Sealizacin remota: garantizando, en general, tiempos superiores a operacin
(51N); por ejemplo:
10s top ,67 N 20s
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 34 de 40
10 FUNCIN 46
10.1 Aplicacin
Deteccin (en ausencia de cortocircuito alguno) de fase abierta en circuito protegido.
10.2 Criterios de ajuste
Cortesa de territorio Sur. Evaluacin ponderada de intensidades de fase e intensidades de
secuencia vs. umbrales.
Deteccin, alternativa (1): de cumplirse las tres condiciones enunciadas:
Alguna intensidad de fase por debajo de umbral, I ,F :
I A I ,2
Intensidad de secuencia cero (o secuencia homopolar) por debajo de umbral, I ,0 :
I 0 I F ; I C > I F I B I F ; I C > I F I C I F ; I B > I F

Intensidad de secuencia negativa (o secuencia inversa) supera umbral, I , 2 :
I 2 > I ,2
Intensidad de secuencia cero (o secuencia homopolar) por debajo de umbral, I ,0 :
I 0 < I ,0
Umbrales de deteccin
REL
REL
REL
REL
REL
REL
0,05I nom
I ,F 0,15I nom
; 0,05I nom
I , 2 0,15I nom
; 0,05I nom
3I ,0 = 0,15I nom
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 35 de 40
REL
Observacin: I nom
en equivalente de magnitudes primarias.
Tiempo de sealizacin
10s top , 46 20s

10.3 Ejemplo de aplicacin
La propuesta de territorio Sur establece:
10.3.1 Criterio de deteccin
Alternativa 1: alguna intensidad de fase por debajo de umbral, I ,F :

10.3.2 Umbral intensidad de fase
REL
I ,F = 0,1I nom
10.3.3 Umbral intensidad de secuencia negativa

REL
I , 2 = 0,05I nom
10.3.4 Umbral intensidad de secuencia cero

REL
3I , 0 = 0,05I nom
10.3.5 Tiempo de sealizacin
top , 46 = 10s
REL
en equivalente de magnitudes primarias.
Observacin: I nom
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 36 de 40
11 SNTESIS
11.1 Funcin 51F
Intensidad de ajuste, lmite superior:
I aj ,51F < I cc , 2 ,mn

Intensidad de ajuste, lmites inferiores:
TN
T1
T2
I aj ,51F 1,2 mn I mx
,c arg a , I mx ,c arg a , ... I mx ,c arg a
I aj ,51F 1,2 I P ,nom

Circuito con elementos de proteccin aguas abajo:
F1
F2
FK
];1,2 mx[I ajRP,511 F , I ajRP,512 F ,...I ajRP,51M F ]}
I aj ,51F mx{(1,3...1,4 ) mx[I FUSIN
, I FUSIN
,... I FUSIN
Punto de paso, lmite superior:
Ti
I cc
, 3 , mx
op , 51F
Ti
< tlm
, I cc , 3 , mx
Punto de paso, lmite inferior, circuito con elementos de proteccin aguas abajo:
Pi
I cc
,3
op , 51 F
=t
Pi
I cc
,3
op , EPi
+ t
11.2 Funcin 50F


,2
I aj ,50 F 1,25 mx{I TRAN }; alternativa en caso de ignorarse I TRAN : 5I aj ,51F I aj ,50 F < 8I aj ,51F
I aj ,50 F 1,25 I ccj,3

P
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 37 de 40
11.3 Caracterstica combinada 51 + 51TD

Intensidad de inhibicin 51:
I INH ,51 = I aj ,51TD

Intensidad de ajuste 51TD, lmite superior:
I aj ,51TD I cc , 2 , BAR ; < 0,8

Intensidad de ajuste 51TD, lmites inferiores:
Si tmx {ITRAN } 0,75 top ,51TD , entonces I aj ,51TD 1,25 mx{ I TRAN }
Tiempo de operacin 51TD, lmite superior:
51TD
t aj ,51TD topaj,,51
F
Tiempo de operacin 51TD, lmite inferior, circuito con elementos de proteccin aguas
abajo:
Pi
I cc
,3
op , 51TD
=t
Pi
I cc
,3
op , EPi
+ t
11.4 Funcin 51N

I aj ,51N < mn{I cc ,1 }
I aj ,51N 1,25 mx{3I 0,mx ,c arg a }
I ajCP,51N 1,25 3I 0CP

,CAP
FF ,1 , BAR
F1
F2
FK
RPM
2
I aj ,51N mx (1,3...1,4 ) mx I FUSIN
, I FUSIN
,...I FUSIN
F ,...I aj , 51F
Punto de paso, lmites inferiores:
I
mn top
, 51 N = t0 + tTRAN

I Pi
I Pi
1
cc ,1
topcc,,51
N = t op , EPi + t
]}
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OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 38 de 40
11.5 Caracterstica combinada 51N + 51N,TD

Intensidad de inhibicin 51N:
pat
I INH ,51N = 3I 0 ,mx
Intensidad de ajuste 51N,TD:

pat
I aj ,51N ,TD = 3I 0,mx
Tiempo de operacin 51N,TD:
top ,51N ,TD t

Tiempo mnimo de operacin 51N:
Z
pat
3 I 0 , mx
op , 51 N
= top ,51N ,TD
11.6 Funcin 67N (aplicacin en redes a neutro aislado)

Ajustes intensidad y tensin, lmite superior:
{ }
< mn{3V }

Vaj ,67 N
RF ,CP 20
BAR
0
RF ,CP 20
Ajustes intensidad y tensin, lmite inferior:
I aj ,67 N 1,25mx{3I 0CP }
Vaj ,67 N 1,25mx{3V
RF ,CF
BAR
0
RF ,CP
Ajuste angular:
< [V0BAR ] [I 0CP ] < ( ) ; 0 < <
Tiempo de operacin, lmite superior:
top ,67 N 5s
Tiempo de operacin, lmite inferior, circuito con elementos de proteccin aguas abajo:
top ,67 N = mx{topRP,167 N , topRP,267 N ,...topRP,M67 N }+ t NA
FDC003.DOC

OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 39 de 40
Consideracin adicional, tiempo de operacin:
top ,67 N
RED AREA
> top ,67 N
RED SUBTERRNEA
11.7 Funcin 67N (deteccin), redes con neutro resistivo

Ajustes intensidad y tensin, lmite superior:
{ }
< mn{3V }

Vaj ,67 N
RF ,CP 20
BAR
0
RF ,CP 20
Ajustes intensidad y tensin, lmite inferior:
I aj ,67 N 1,25mx{3I 0CP }R
Vaj ,67 N 1,25mx{3V
F ,CF
BAR
0
RF ,CP
Ajuste angular:
( ) < [I 0CP ] [V0BAR ] < ; 0 < <
Tiempo de sealizacin local:
top ,67 N = 0
Tiempo de sealizacin remota:
10s top ,67 N 20s

11.8 Funcin 46 (deteccin)
Ajuste intensidades de fase y secuencia:
Fases, alternativa (OR): alguna intensidad de fase por debajo de umbral;

Fases, alternativa (XOR): solamente una intensidad de fase por debajo de un umbral;
I A I F ; I C > I F I B I F ; I C > I F I C I F ; I B > I F
FDC003.DOC

OPERACIONES
1 Edicin
Hoja 40 de 40
En ambos casos:
REL
REL
0,05I nom
I ,F 0,15I nom
Secuencias (2) y (0):

REL
REL
I , 2 0,15I nom
I 2 > I , 2 ; 0,05I nom
REL
REL
I 0 < I ,0 ; 0,05I nom
3I ,0 = 0,15I nom
Tiempo de sealizacin:
10s top , 46 20s

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CRITERIOS DE AJUSTE RELS

FUNCIN 51N .......................................................................................................... 33

Intensidad de ajuste ..................................................................................................... 33

Punto de paso ............................................................................................................... 33

Elemento de proteccin nico en circuito.............................................................................. 33

CARACTERSTICA COMBINADA 51N + 51N,TD................................................... 33

Lmite superior ....................................................................................................................... 33

Funcin 51N; punto de paso en caracterstica combinada ...................................... 33

FUNCIN 67N .......................................................................................................... 33

Criterios de aplicacin ................................................................................................. 33

Redes a neutro aislado................................................................................................. 33

Rgimen de neutro predominantemente resistivo .................................................... 33

EDITADA EN: JULIO, 2008

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

Criterios de ajuste ..................................................................................................... 33

Funcin 51F ............................................................................................................... 33

Funcin 50F ............................................................................................................... 33

Caracterstica combinada 51 + 51TD....................................................................... 33

Caracterstica combinada 51N + 51N,TD ................................................................ 33

Funcin 67N (aplicacin en redes a neutro aislado) ............................................. 33

Funcin 67N (deteccin), redes con neutro resistivo............................................ 33

Funcin 46 (deteccin) ............................................................................................. 33

EDITADA EN: JULIO, 2008

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

45kV U nom 220kV

MT: rango de tensiones que verifica:

11kV U nom < 45kV

SE: subestacin. Instalacin elctrica con transformacin AT/MT;

saturacin en circuitos secundarios;

< ELEM >

<ELEM>, ste vendr definido por contexto;

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

I C ,TRAN : intensidad transitoria, fase (C);

mx I RES ,TRAN : valor mximo equivalente, en valores primarios, para el valor

tmx {I TRAN } : duracin mxima registrada en intensidad transitoria;

determinado de la red considerada. De no especificarse <PUNTO>, ste vendr

en ausencia de falta a tierra. Producido por

asimetras del circuito MT protegido (disposicin de conductores, diferencias de

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

I 0< ELEM > : ngulo asociado a intensidad homopolar de un elemento <ELEM>. De no

BAR: barras cabecera de circuito MT considerado;

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

RF: rupto fusible;

51F ( 51): sobreintensidad de fases, curva;

I op : intensidad medida por rel, referida a valores primarios;

funcin de proteccin <FUNCIN> ante una intensidad genrica (I). De no

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

<RP>, ste vendr definido por contexto;

caracterstica (I/t) de fusin. De no especificarse <F;RF>, ste vendr definido por

tTRAN : tiempo adicional para garantizar inmunidad ante intensidades transitorias:

0,1s tTRAN 0,2s

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

PERFILES BSICOS RED RADIAL MT

Regmenes de neutro: nico neutro en SE/SM cabecera en SE alimentadora a CR;

Vase fig. 3.1.

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

Mxima intensidad de cortocircuito primaria soportada sin saturacin secundaria:

T/I toroidal de neutro:

Intensidad primaria nominal:

Mxima intensidad de cortocircuito primaria soportada sin saturacin:

CRITERIOS DE AJUSTE RELS

Teniendo en cuenta caracterstica trmica de conductores: