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COPT 05JMO Receptores –

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DETECTORES Y RECEPTORES
El detector es probablemente el elemento más crítico de un sistema de Comunicaciones
Ópticas por Fibra. Suele además emplearse como referencia para el diseño del sistema
completo.

Características de los detectores de Comunicaciones Ópticas
Un detector ideal debería tener:

Alta sensibilidad en la región de trabajo para la que se diseña

Alta fidelidad Î reproducción exacta de la señal óptica en un amplio margen

Alta respuesta eléctrica Î alto rendimiento cuántico

Bajo tiempo de respuesta Î gran ancho de banda

Bajo ruido

Estabilidad frente a alteraciones de las condiciones ambientales

Baja tensión de funcionamiento

Pequeño tamaño, compatible con la conexión a la fibra

Fiabilidad

Bajo coste

Los detectores empleados en Comunicaciones Ópticas guiadas son dispositivos
semiconductores de silicio, germanio y compuestos III-V. En algunas aplicaciones
especiales se han empleado compuestos II-VI.
El material más típico de fabricación de fotodetectores ha sido tradicionalmente el silicio.
Este material presenta un gap indirecto de 1,14 eV, equivalente a 1,09 µm, lo que permite su
uso en 1ª ventana, no así en 2ª y 3ª ventana. Para estas λ más largas se necesitan gaps
más reducidos como los que ofrecen el Ge y los compuestos III-V ternarios y cuaternarios.
El Ge tiene un gap demasiado pequeño (y consecuentemente una mayor corriente de
oscuridad, como se verá), por lo que se prefieren los III-V.

Gap directo e indirecto
Los materiales con gap indirecto son inadecuados para la fabricación de emisores. El
proceso de desactivación implica una interacción fotón-fonón no permitida, que compite con
procesos de desactivación no radiativos. Estos procesos son predominantes en la práctica
por su mayor eficiencia (velocidad).

habría que emplear espesores 100 ó 1000 veces superiores de material (p. Se insiste en el paralelismo existente entre velocidades de los procesos y probabilidades de transición: un canal de desactivación poco eficiente equivale a un proceso que vacía lentamente el nivel superior. de baja probabilidad.7 el caso de los “fósforos” de alta persistencia que se emplean Ge de en absorción a un material poco absorbente (recuérdese que los coeficientes de Einstein de emisión espontánea y de absorción están ligados por una relación directa). Es Energía del fotón (eV) 1. Dicho de otro modo. No existe ningún proceso en competencia con la absorción del fotón por el material.0 finalmente por ese camino. la luz -1 proceso ineficiente correspon- Coeficiente de absorción (cm ) en las pantallas CRT. se traduce en un detector en un bajo coeficiente de absorción α. lenta o no. si existe algún otro mecanismo de desactivación más eficiente. la desactivación. Figura 1. Un material con gap directo. 1mm). que sigue siendo tecnológicamente simples de obtener. en este caso no hay procesos competitivos.8 Coeficientes de absorción de algunos materiales empleados como detectores optoelectrónicos . tiene un coeficiente de absorción en el NIR en torno a 106 m-1.2 1. tiene un coeficiente entre 100 y 1000 veces menor. la situación es diferente.4 coeficiente de absorción α en el exponente de exp(-αL). el proceso es automáticamente poco probable. El mismo GaAs Si InP Ge acabará absorbiéndose en el material más “incoloro”. tendrá que hacerse 2. en las mismas circunstancias.4 1. Si no hubiese ningún otro proceso en paralelo. la misma transición no permitida anterior.6 Longitud de onda (µm) 1.5 1.. siempre que el grosor del mismo compense el reducido 0. para conseguir idéntica absorción. 0. que no supone necesariamente una desventaja.0 1.6 0.3 1. La única consecuencia práctica es que. Sin embargo. ó 1/20 en 3µm. la luz NIR que penetra en el material se atenúa por un factor 1/e al atravesar 1µm de GaAs.8 1.COPT 05JMO Receptores – 2 En el caso de los detectores. ej. como el GaAs.0 0. El Si con su gap indirecto. Así pues.

Así pues. Además. 2) una función λ (reflejando lineal 0. al relacionar dos cantidades numéricas. llamado responsividad (responsivity) o ℜ: ℜ= I ph Popt A W {2} siendo Iph la fotocorriente y Popt la potencia óptica. como se verá posteriormente. depende de la longitud de onda de la luz. no tiene en cuenta el rendimiento energético: si por cada fotón incidente. cualquiera que sea su energía.COPT 05JMO Receptores – 3 En la figura 1 pueden observarse las curvas de absorción de algunos materiales semiconductores empleados como fotodetectores en la región visible e infrarroja próxima. 1. la responsividad (Fig. . se produce un electrón.88 . En un fotodetector. Para incluir la energía del fotón se utiliza otro parámetro de caracterización. Ge). A destacar la subida vertical de los materiales de gap directo (III-V) y la subida en dos etapas de los indirectos (Si. donde alcanzaría su valor máximo (suponiendo η = 1). El número de electrones por segundo es Iph/e. la potencia óptica se transforma en corriente (y no potencia) eléctrica. La curva inferior representa el comportamiento Fo et e d o t c id tor ea l Fotodetector real Longitud de onda (µm) Figura 2. la relación entre la responsividad y el rendimiento cuántico es: η =ℜ hν hc =ℜ e λe {3} Idealmente.1 ser Responsividad (AW ) debería creciente de una eficiencia cuántica constante) hasta caer bruscamente a la λ crítica correspondiente a la energía del gap (Eg = hc/λ). Parámetros de caracterización de detectores El parámetro más simple de caracterización de un detector es su rendimiento cuántico o eficiencia cuántica: η= nº electrones recogidos nº fotones incidentes {1} La eficiencia cuántica. al igual que el coeficiente de absorción. Los valores anotados son de Si. la segunda rampa corresponde al cambio de mecanismo indirecto → directo.09 Responsividad en función de la longitud de onda. esta idea tiene una gran importancia. y el de fotones por segundo es Popt/hν. En este caso. el rendimiento cuántico de conversión es la unidad.

El par e–-h+ generado por el fotón absorbido puede ahí adquirir energía suficiente para producir nuevos pares por ionización de impacto. permitiendo que se incremente la radiación absorbida en la misma. El fenómeno es el mismo que genera la ruptura en avalancha en los diodos normales cuando se aumenta excesivamente la tensión en . Está constituido por una unión p-n normal a la que se intercala una capa intrínseca con el fin de ensanchar la zona de deplexión. Conocido vulgarmente como pin. pero experimenta un descenso más suave al aproximarse a λc. un bit erróneo por cada Gb recibido. Es la potencia óptica (de la λ de interés) que produce una fotocorriente igual a la corriente de ruido rms por unidad de ancho de banda (∆f = 1 Hz). Si predomina la corriente de oscuridad y la λ es monocromática. En realidad se trata de un parámetro del sistema. • Fotodiodo APD. En COPT se suele utilizar como referencia un BER < 10–9. Otros parámetros relevantes para la caracterización de fotodetectores son los siguientes: • BER (Bit error rate) Tasa de error de bits. que es aproximadamente lineal creciente. pero condiciona grandemente el detector.COPT 05JMO Receptores – 4 de un fotodetector real. que la incluye: D* = D A = ηeλ I hc 2e d A {7} Tipos de detectores Los dos tipos fundamentales de detectores empleados en COPT son dos fotodiodos (Fig 3): • Fotodiodo p·i·n. Llamando Id a la corriente de oscuridad (dark current): Si I d << I ph Popt = NEP = 2hc ηλ {4} Si η=1 → detector cuántico perfecto Si I d >> I ph • Popt = NEP = hc 2eI d ηeλ {5} Detectividad. D = Dλ = • ηeλ hc 2eI d {6} Detectividad específica. Por ello se define la detectividad específica. Posee una región cuyo campo eléctrico es muy elevado. La corriente de oscuridad suele depender del área activa del detector. De este modo se consigue hacer más ancha la zona activa. • NEP (Noise equivalent power) Potencia equivalente de ruido. es decir. Se define como D = 1/NEP.

factor de multiplicación. lo que implica coeficientes de absorción muy elevados. solo se diferencian en su estructura. hν n+ Campo eléctrico Zona de absorción p Campo eléctrico Ganancia π Absorción p+ APD Estructura y distribución de campo en fotodiodos pin y APD Respecto a los materiales para la construcción de fotodiodos. Los compuestos III-V tienen gap directo. Por esta razón se prefieren en COPT los compuestos III-V al Ge. a causa de la ionización secundaria. y también más lentos. Con ello se garantiza una buena absorción y una responsividad máxima. como ya se ha comentado anteriormente. y Ge y compuestos III-V en segunda y tercera ventana.000. trabajan a tensiones mayores (decenas o centenas de voltios). hν p Zona depletiva i n+ pin Figura 3. que permiten hacer transparente la región de entrada de la luz a la λ de interés. son más ruidosos. que aumenta el tiempo de recolección de portadores. Los APD tienen consecuentemente un parámetro adicional. Se comprende que los fotodiodos APD son más sensibles que los pin. si el gap fuese menor. al igual que ellas. Como desventajas. De hecho. El problema se soslaya modificando el gap a base de cambios en la composición (son compuestos ternarios y cuaternarios como InGaAsP ó GaAlAsSb) y utilizando heterouniones. se emplea Si hasta 1 µm. lo cual podría dificultar que la luz alcanzase la zona depletiva. cuyo gap es demasiado pequeño. que puede llegar a 10. los fotodiodos producen corriente eléctrica a partir de luz. pero que normalmente vale algunos cientos.COPT 05JMO Receptores – 5 polarización inversa. el fundamento físico de una célula solar y un fotodiodo es idéntico. RESPUESTA OPTOELECTRÓNICA Al igual que las células solares. El gap ideal de funcionamiento de un material estaría justo por debajo de la λ de trabajo. . no es necesario polarizarlas para que funcionen. M. se produce una mayor corriente de oscuridad sin ganar nada a cambio.

también como cualquier diodo. recolectándose los pares y originándose una corriente inversa. los fotodiodos se polarizan en inversa siempre que se usan en Comunicaciones Ópticas. Obsérvese el criterio de signos empleado: para que las curvas de respuesta se orienten como las de un diodo normal. Resulta conveniente hacerlo ya que se consigue así que la respuesta potencia óptica corriente sea lineal. En los cuadrantes de tensiones positivas el fotodiodo conduce. En fotodiodos se denomina corriente de oscuridad.COPT 05JMO Receptores – Figura 4. La corriente solo es función. En ese cuadrante. se toma como dirección positiva de V la polarización en directa. . el fotodiodo puede considerarse un generador de corriente ideal. se produce una corriente por generación de pares e--h+. La polarización en inversa sitúa el punto de trabajo en el tercer cuadrante. Así. 6 Curvas de respuesta de un fotodiodo en ausencia y presencia de luz Sin embargo. de la cantidad de luz suministrada (estrictamente. Id. Así pues. el fotodiodo tiene una corriente residual cuando no está iluminado equivalente a la corriente inversa de cualquier otro diodo. la curva de respuesta completa se desplaza en dirección descendente según la luz recibida. La polarización inversa incremente aún más la diferencia energética entre las bandas p y n. Cuando se ilumina el fotodiodo. En la figura 4 se observan las curvas de respuesta I-V de un fotodiodo en presencia y ausencia de luz. del número de fotones). en principio.

el fotodiodo está situado en algún punto del eje negativo de abscisas. • Si VD = 0. si se aumenta desmesuradamente la tensión de polarización Vp. Rectas de carga para distintas tensiones de polarización y resistencias . el fotodiodo está en cortocircuito. Resistencia de carga En la figura 5 se presentan varias rectas de carga (ec. Figura 5. Precisamente el punto de trabajo de los fotodiodos APD está en esa zona. el diodo puede llegar a entrar en avalancha (ruptura Zener). Según el planteamiento mostrado en la figura 4. • Finalmente.COPT 05JMO Receptores – 7 El punto de trabajo depende de la curva de fotodiodo activa –que a su vez queda determinada por la luz recibida– y de la recta de carga del circuito. Toda la luz recibida es inmediatamente transformada en corriente eléctrica. Esta situación no es aceptable porque el punto de trabajo se situaría en la zona de comportamiento no lineal del cuarto cuadrante. El fotodiodo no recibe luz (se desprecia la corriente de oscuridad). • Si Iph = 0. el fotodiodo está sin polarizar y trabaja como célula solar sobre una recta de carga que pasa por el origen. la tensión del diodo es: VD = VP − RL I ph {8} La recta de carga tendrá como pendiente la inversa de la resistencia de carga RL: I ph = VP 1 − VD RL RL {9} Consideremos algunos puntos destacados de la recta presentada en {8} y {9}: • Si VP = 0. {9}) en función de la tensión de polarización y la resistencia de carga.

si la resistencia aumenta. Si la resistencia es excesivamente baja. La pendiente de la recta está determinada por la resistencia de carga. por lo que conviene evitar esa circunstancia. Figura 6. la baja pendiente puede hacer que el punto de trabajo se sitúe en el cuarto cuadrante para altos niveles de iluminación. Su valor está limitado por la ruptura Zener. porque el nivel de señal que se detecta está relacionado en último término con la caída de tensión en la misma. • Tampoco se puede reducir arbitrariamente la resistencia. La respuesta del fotodiodo es prácticamente lineal en el tercer cuadrante. Según la ecuación {9}. Sensibilidad de varios fotodiodos comerciales . La elección de la resistencia de carga está determinada por dos factores: • Si la resistencia es alta. pero deja de serlo en el cuarto. disminuye la sensibilidad del receptor. la pendiente disminuye.COPT 05JMO Receptores – 8 La tensión de polarización desplaza el origen de la recta de carga por la semirrecta negativa del eje de abscisas.

necesita un cierto número de fotones para detectar la señal. σ = (zm)½.) El número de fotoelectrones producidos por unidad de tiempo es: . Así pues. Esta dependencia es simplemente un reflejo del comportamiento cuántico de los fotodetectores: se puede afirmar que el detector. la energía recibida por pulso ha de ser constante. El proceso se adapta a una distribución de Poisson: P( z ) = z mz exp(− z m ) z! {10} donde P(z) es la probabilidad de detectar z fotones durante el tiempo τ en que se están detectando zm como media. Siendo así. Se observa que la sensibilidad crece aproximadamente 10 dB por década. el cálculo del sistema (balance de potencia) está condicionado por este parámetro. la potencia mínima detectable debería ser un fotón.COPT 05JMO Receptores – 9 RUIDOS Y SENSIBILIDAD El parámetro más importante de un receptor es su sensibilidad. considerando las fluctuaciones estadísticas como ruido. y por consiguiente la energía por unidad de tiempo (es decir. (También es la varianza. la potencia detectada debe crecer asimismo para mantener la relación señal/ruido. En último término. y de la electrónica del amplificador en otros. por dos razones: • La generación de fotones es un proceso estadístico: existe un límite “cuántico” para cada BER. las distintas fuentes de ruido que se describen a continuación crecen linealmente (ruido blanco) con la frecuencia. Sensibilidad y régimen binario En la figura 6 se representa la sensibilidad de una serie de fotodiodos p·i·n y APD en función del régimen binario de transmisión. En teoría. • Siempre existe un cierto nivel de ruido. la potencia óptica que necesita para detectar que llega señal. En la práctica no es cierto. la potencia) crece linealmente con el régimen binario. en esta distribución. Ruido shot La primera condición puede asimilarse a la segunda. Desde otro punto de vista. es decir. con independencia del régimen binario. procedente de fuentes típicamente electroópticas en algunos casos.

sin embargo. sin ningún ruido adicional. puesto que su origen procede de la propia “granularidad” (no continuidad) de la energía.COPT 05JMO Receptores – 10 re = ηPopt hν {11} Así pues. Esta limitación se conoce con el nombre de ruido cuántico. En realidad. tiene también fluctuaciones shot que se traducen en ruido: 2 * ⎞ = 2eI ⇒ ⎛⎜ ish ⎟ d ⎝ ⎠ i = 2eBI d 2 d {15} siendo B el ancho de banda. Ruido shot de la corriente de oscuridad La corriente de oscuridad es la corriente Id que aparece cuando no está iluminado el detector. La notación con asterisco (*) se refiere al parámetro por unidad de ancho de banda. es achacable en parte a la radiación de fondo (o sea. el número de electrones generados durante el tiempo τ será: zm = ηPoptτ hν {12} Supongamos un detector perfecto. el detector necesita 21 fotones para garantizar una BER < 10–9. Si se desea que la BER sea 10–9: P (0) = exp(− z m ) {13} Si P (0) = 10 −9 z m = 20.7 {14} Es decir. característica de los ruidos shot. shot o de granalla. El ruido shot total en un fotodiodo pin se calcula sumando las contribuciones de las corrientes involucradas: 2 iTS = 2eB( I ph + I d ) {16} Ruido shot en detectores APD En los detectores de avalancha. que no es del todo “oscura”). sin ningún ruido excepto esas fluctuaciones cuánticas. Se comete un error cuando se detectan 0 fotones y se están enviando zm > 0. La Id en sí es una continua que no afecta al sistema. las expresiones correspondientes aparecen multiplicadas por el factor M. Obsérvese que aumenta con (Id)½. El ruido shot de la corriente de oscuridad debería ser: 2 ⎛⎜ i* ⎞⎟ = 2eI M 2 d ⎝ sh ⎠ {17} . y representa el límite teórico del sistema de detección (en modo digital).

7-1. producido por las vibraciones de los iones de la red cristalina. El mismo cálculo es válido para pin. siendo significativamente mayor en APDs de Ge y III-V. el término de ruido shot deberá ser el dominante en fotodiodos APD.COPT 05JMO Receptores – 11 En realidad. y las oscilaciones de los electrones libres del medio.0. que está relacionada con los coeficientes de ionización de huecos y electrones en el material. Es el típico ruido de una resistencia eléctrica. . simplemente haciendo M=1 y F=1.3-0.5 en APDs de Si. En condiciones normales. ya que el propio proceso de multiplicación está sujeto a fluctuaciones shot. pero el ruido no crece de forma lineal con la señal. supondremos que el detector es un APD. los APD multiplican la corriente por el factor M. F. Ruido térmico o Johnson Es debido a fluctuaciones espontáneas derivadas de interacciones de tipo térmico. debido a la resistencia de carga RL. La corriente de ruido térmica it producida por una resistencia R puede expresarse como valor cuadrático medio según: it2 = 4kTB R {20} Se expresa como tensión o corriente de ruido: 2 ⎛⎜ v* ⎞⎟ = 4kTR ⎝ T⎠ {21} 2 ⎛⎜ i* ⎞⎟ = 4kT ⎝T⎠ R {22} En los fotodiodos pin es dominante este ruido. Se han propuesto otras aproximaciones en las que el factor de exceso obedece a una expresión más complicada. Este ruido extra se denomina factor de exceso. donde alcanza valores entre 0. Esta dependencia del material se traduce en que el exponente x oscile entre 0. Ruidos en el amplificador En el desarrollo siguiente. y es proporcional a una potencia de M: F =Mx {18} El ruido shot total de un APD será: 2 iSA = 2eB( I ph + I d ) M 2+ x = 2eBFM 2 ( I ph + I d ) {19} Esta expresión aproximada es válida para la estimación del ruido de un APD.

i* te rm Circuito equivalente de ruido del amplificador anterior V N . ishot . correspondientes al ruido shot. R V (f) V in o u t (f) Representación esquemática de un amplificador de tensión para COPT En la figura 7 se representa un diagrama básico de amplificación en tensión. con el fotodiodo APD incluido. según: Vin ( f ) = RMI ( f ) 1 + jωRC {23} Vout ( f ) = G ( f ) ⋅ Vin A altas frecuencias. Supondremos que el circuito contiene un ecualizador G(f) = G0(1+jωRC) que consigue una ganancia constante G0 para todas las frecuencias útiles. Se han indicado tres corrientes de ruido. La capacidad parásita C hace que las tensiones de entrada y salida sean dependientes de la frecuencia. respectivamente: V* A i* C s h o t R i* A Figura 8. la constante de tiempo 1/RC alteraría G(f). iterm e iA.COPT 05JMO Receptores – 12 G(f) C MI(f) Figura 7. En la figura 8 se muestra el circuito equivalente de ruido del mismo amplificador. térmico y del amplificador.

2 2 ∆f ⎡ ⎤ VN2 = G02 ∫ ⎢(1 + ω 2 R 2 C 2 )⎛⎜V A* ⎞⎟ + R 2 ⎛⎜ iT* ⎞⎟ ⎥ d f 0 ⎝ ⎠ ⎦ ⎝ ⎠ ⎣ V N = G0 {27} 2 2 ⎛ 4π 2 2 ⎞⎛ * ⎞ 2⎛ *⎞ ⎜ ⎟ {∆f ⋅ RC} ⎟⎜V A ⎟ + R ⎜ iT ⎟ ∆f ⋅ ⎜1 + ⎝ ⎠ 3 ⎝ ⎠⎝ ⎠ {28} Obsérvese que la tensión de ruido depende de (∆f)½ ≡ B½. La relación señal/ruido (potencia eléctrica) se calcula como el cuadrado del cociente entre la tensión de salida y la tensión de ruido.COPT 05JMO Receptores – 13 * = 2eIM 2 F ishot {24} 4kT R * = iterm Agrupando. 2 2 2 ⎛⎜ i* ⎞⎟ = ⎛⎜ i* ⎞⎟ + ⎛⎜ i* ⎞⎟ + ⎛⎜ i* ⎞⎟ ⎝ T ⎠ ⎝ shot ⎠ ⎝ term ⎠ ⎝ A ⎠ 2 {25} Relación señal-ruido La tensión de ruido rms total VN se calcula integrando el ruido cuadrático medio amplificado procedente de IT y de VA sobre el rango de frecuencias 2 ⎤ ⎡ 2⎛ *⎞ R i ⎜ ⎟ 2 T ⎢ 2 ⎝ ⎠ ⎥d f VN2 = ∫ G ( f ) ⎢⎛⎜V A* ⎞⎟ + 2⎥ B ⎢⎝ ⎠ 1 + jωRC ⎥ ⎥⎦ ⎢⎣ {26} Considerando el ecualizador G(f) = G0(1+jωRC). En la ecuación {27} se ha expandido iT para separar las distintas dependencias: S V G MIR ≡ Q = out = 0 = N VN VN I = 2 ∆f ⎛⎜V * ⎞⎟ ⎛⎜ i* ⎞⎟ 2 A ⎡ ⎤ π 1 4 4 kT 2 2 ⎝ ⎠ ⎝ A⎠ ( ) + ∆ + 2 + + f C eIF ⎥ 3 M 2 ⎢⎣ R 2 M 2R M 2 ⎦ a b c d e 2 {29} .

lo cual sólo es posible cuando se trata de fuentes gaussianas no correlacionadas.COPT 05JMO Receptores – 14 Como puede observarse. F=1. por ejemplo. M=1. dominaría <d>. <e> e incluso <a>. Este es un fenómeno típico de las comunicaciones ópticas. F aumenta con M. que produce como efecto colateral que la ecuación {27} sea cuadrática en I. Corriente de ruido del amplificador Estudiando los términos de ruido. Tensión de ruido del amplificador con C c. también se ajustan a esta distribución algunas de las contribuciones a iA y VA. es necesario minimizar C. lo cual además reduce la necesidad de ecualización. En cualquier caso. • El término shot <c> hace que el ruido total dependa del nivel de señal. se pueden extraer varias conclusiones: • Una consideración previa es que la ecuación {27} es una aproximación en tanto que se están sumando cinco términos dispares. Sin embargo. Si el amplificador fuese “perfecto”. que lleva incluido un (∆f)2. Para mejorar la respuesta en frecuencia. <d>. aparecen problemas a alta frecuencia. aparecen cinco términos de ruido. • Aumentando M se mejora S/N hasta hacer que <c> domine. Esta condición no se cumple en nuestro caso: el ruido shot. • Aumentando R se mejora S/N siempre que <a> y <d> sean significativos. • En los fotodiodos pin. Shot d. Sin embargo. obedece como ya se ha visto a una distribución de Poisson. Tensión de ruido del amplificador con R b. que por conveniencia se han etiquetado como <a> – <e>: a. la expresión de S/N que se da aquí es válida para la gran mayoría de casos prácticos. En tal caso. Térmico e. por lo que debe haber un M óptimo. y el ruido crece con el cuadrado de C. . • En el límite de alta frecuencia domina <b>. <c> se hace despreciable frente a <b>. • Todos los términos crecen con (∆f)½ excepto <b>. por consiguiente.

Alta impedancia de entrada Haciendo suficientemente alta la resistencia de entrada. y domina el término <c>. que es el único que contiene una dependencia lineal con el ancho de banda independiente de la dependencia común con (∆f)½. e introduciendo ecualización. <c> y <e>. Un buen APD puede llegar a acercarse bastante a este límite. pueden llegar a ser dominantes los términos <b>.COPT 05JMO Receptores – 15 TIPOS DE AMPLIFICADORES El circuito de amplificación en tensión que se ha mostrado en el apartado anterior tiene interés para el estudio de los términos de ruido. En esta sección se repasan algunos tipos de amplificadores. En cualquier caso. en especial el montaje en transimpedancia. I > 2eFQ 2 ⋅ ∆f {32} La mínima potencia óptica detectable será PR > E fotón 2eFQ 2 ⋅ ∆f =2 FQ 2 ⋅ ∆f ℜ η {33} siendo ℜ la responsividad. Amplificador ideal El caso ideal de amplificador en Comunicaciones Ópticas podría describirse como aquél en que M es grande. pero no es la configuración empleada habitualmente. a frecuencias suficientemente altas predomina el término <b>. que es el más utilizado en Comunicaciones Ópticas. Por tanto. F=1. En qué rangos predomina cada uno de los tres depende del montaje realizado y del ancho de banda que se desee. R. y η el rendimiento cuántico. si bien F>1. S I ≡Q= N 2e ⋅ ∆f {30} Para tener detección necesito que I > 2eQ 2 ⋅ ∆f {31} El caso expuesto describe el límite cuántico ideal de detección. La relación señal-ruido del amplificador de alta impedancia queda: .

el término <b> en el FET -2 0 10 A Hz 2 -1 -2 2 10 BJT -2 4 Término <e> 10 rm é T -2 6 10 FET rm é T -2 8 10 in o in o > b < > <b Término <e> -3 0 10 4 10 Figura 9. en el primer montaje RA = 400Ω. con lo que (∆f)0=140 kHz. Obsérvese que el FET.COPT 05JMO Receptores – 16 S ≡Q= N I 2 ⎛⎜V * ⎞⎟ ⎛⎜ i* ⎞⎟ 2 A 4 π 2 2 ⎝ ⎠ ⎝ A⎠ ( ) ∆ + + f C eIF 2 M2 M2 3 b c e ∆f 2 {34} El término <b> predomina a partir de ∆f > 3 2πCR A RA = siendo V A* i* {35} A En la figura 9 se presentan dos casos reales. Con estos datos. y (∆f)0=55 MHz. mientras que en el segundo RA = 1kΩ. en ambos casos se supone C = 5pF. el primero (curva inferior) con un FET de Si de VA* = 4nV/√Hz e iA* = 4fA/√Hz y el segundo (curva superior) con un BJT de Si de bajo ruido. de VA* = 2nV/√Hz e iA* = 2pA/√Hz. No debe confundirse este valor con una frecuencia de corte ni nada relacionado con ella: en realidad. con una corriente de ruido mucho menor. tiene una frecuencia “crítica” significativamente inferior. 5 10 6 10 (∆f)0 7 10 8 (∆f)0 9 10 10 ∆f (Hz) Comportamiento de la tensión y corriente de ruido del amplificador en un montaje de alta impedancia .

COPT 05JMO Receptores – 17 comienza a pesar más a frecuencias más bajas precisamente porque la corriente de ruido es muy baja. participa de las ventajas de los dos anteriores: no necesita estrictamente ecualización. La principal dificultad de este montaje es que se requiere bastante pudiendo un diseño cuidadoso. los términos dominantes de ruido pueden ser <a>. Transimpedancia Es el más utilizado. Resistencia máxima de entrada en un montaje de baja impedancia para distintos valores de C correctamente. 11) es: . El principal problema de este montaje es su falta de sensibilidad. Dependiendo de R y del dispositivo empleado. En teoría. La relación señal/ruido en un montaje en transimpedancia (Fig. <d> o <e>. oscilar con facilidad si no se hace Figura 10. la resistencia RF introduce una fuente adicional de ruido. y carece del problema de sensibilidad del montaje de baja impedancia. Baja impedancia de entrada Se utiliza raramente en aplicaciones normales. aunque tiene la ventaja de no necesitar ecualización siempre que: R< 1 2πC ⋅ ∆f {36} En la figura 10 se representa la familia de rectas que determina la resistencia máxima permisible en función de la frecuencia deseada y de la capacidad. Sin embargo la suma de términos de ruido es inferior en el FET hasta casi la misma frecuencia en que comienza a predominar <b> en el BJT. Sin embargo.

COPT 05JMO Receptores – 18 S = N I 2 ∆f ⎛⎜V * ⎞⎟ 2 2 ⎡ ⎤ ⎝ A ⎠ ⎢⎛⎜ 1 + 1 ⎞⎟ + 4π (∆f )2 C 2 ⎥ + 2eIF + 4kT M 2 ⎢⎜⎝ R RF ⎟⎠ 3 M2 ⎥⎦ ⎣ ⎛ *⎞ ⎛ 1 1 ⎞ ⎜⎝ i A ⎟⎠ ⎟⎟ + ⎜⎜ + 2 ⎝ R RF ⎠ M 2 {37} La expresión es idéntica a la {27} excepto por la inclusión de un nuevo sumando 1/RF en los términos <a> y <d>. como ya se ha dicho. pudiendo variar R o RF según convenga. en un rango entre 0 y ∆f controlado por RF. La necesidad de ecualizador. es menor que en el caso de alta impedancia. Si A >> 1 + RF R {38} la tensión de salida V se puede aproximar como V≈ − RF MI jωRF C 1+ A {39} por lo que no se necesita ecualización siempre que A >> 2πRF C ⋅ ∆f {40} es decir. Esquema de un circuito amplificador con montaje en transimpedancia . Se tiene ahora una mayor flexibilidad de diseño. RF -A C R MI(f) V o u t (f) Figura 11.