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15/09/16

3. DOPING
Saber cómo purificar el semiconductor para que conduzca de tipo p o
n.
Se modifica localmente el semiconductor para que conduzca por
electrones o agujero.
El electron queda libre para conductir por la banda de conducción –
tipo n
Tiene un electrón de menos. Tiene un estado sin ligar con una banda
por arriba de la banda de valencia, y se genera un agujero en esta
última. Sube a la banda de arriba y se mueve en ella.

Impurity doping
Dos paso:
1. Introducir impurezas en la superficie del material
2. Distribuir las impurezas para que penetren más a fondo en el
material.
Introducción de impurezas
Puede darse por:
- Predeposición térmica: se ponen conjunto de obleas. Como es
un proceso térmico, es estadístico, y estará tan controlado
como la estadística correspondiente.
- Implantación iónica: se cogen iones, se aceleran y se tiran
contra la oblea. Penetran dentro. Como se introducen por un
acelerador, se controla la máquina hasta donde se quiera. Se
sabe qué cantidad de átomos dopantes se introducen. Se
introducen a mano, es un proceso en serie.
Difusión
Intersticial: los átomos que difunden pasan por medio de la red. Es
más rápido, tiene menor energía de activación.
Lo que baje o suba de la de la concentración de la materia,
dependerá de lo que salga y lo que entre.
Las impurezas se pueden inserter por un sólido, líquido (oxidación
húneda) o gas.