TRABAJO DE ARQUITECTURA DE COMPUTADORES.

GIAN CARLOS GUATIBONZA SUAREZ.

U00098266

DOCENTE: GERSON PAREDES

NRC:47891

UNIVERSIDAD AUTONOMA DE BUCARAMANGA

2016

1. Qu es la memoria en un equipo?

La memoria es el lugar en el que se almacenan las instrucciones y los datos para que se puedan ejecutar los
programas. Sin embargo, el sistema de memoria del computador est formado por varios tipos de memorias con
diferentes capacidades y tiempos de acceso. La idea es que parezca que las referencias a memoria se sirven a
velocidades cercanas a las de los registros del procesador, y que adems se tiene un espacio de memoria casi
ilimitado para los programas y los datos. La memoria cach es la responsable de la rapidez de los accesos y la
memoria virtual la de la gran capacidad del sistema de memoria. Para que todo el sistema funcione, se disea de
manera jerrquica, por el que los diferentes bloques de informacin se van moviendo

Podramos decir que la memoria de la computadora es uno de los elementos ms importantes para que todo funcione
correctamente, es ms, sin ella la PC ni siquiera podr arrancar, tal es la importancia que este componente electrnico
tiene en la estructura de nuestra computadora. La palabra Memoria es un trmino genrico usado para designar las
partes de la computadora o de los dispositivos perifricos donde todos los datos y programas son almacenados.
Las memorias se pueden clasificar atendiendo a diferentes criterios. Revisaremos en los apartados siguientes los ms
significativos:

Mtodo de acceso.
1

(Stallings, 2005)

Acceso aleatorio (RAM): acceso directo y tiempo de acceso constante e independiente de la posicin de memoria.
Acceso secuencial (SAM): tiempo de acceso dependiente de la posicin de memoria.
Acceso directo (DAM): acceso directo a un sector con tiempo de acceso dependiente de la posicin,
y acceso secuencial dentro del sector.
Asociativas CAM): acceso por contenido.

Soporte fsico.
Semiconductor.
Magnticas.
pticas.
Magneto-pticas.

Alterabilidad
RAM: lectura y escritura
ROM (Read 0nly Memory): Son memorias de slo lectura. Existen diferentes variantes:
o

ROM

programadas por mscara:

cuya informacin se escribe en el proceso de

fabricacin y no se puede modificar.

o

PROM, o ROM programable una sola vez: Utilizan una matriz de diodos cuya unin se
puede destruir aplicando sobre ella una sobretensin.

EPROM (Erasable PROM) o RPROM (Reprogramable ROM): cuyo contenido puede

borrarse mediante rayos ultravioletas para volverlas a escribir.

EAROM (Electrically Alterable ROM) o EEROM (Electrically Erasable ROM): son

memorias que estn entre las RAM y las ROM ya que su contenido se puede volver a escribir
por medios elctricos. Se diferencian de las RAM en que no son voltiles.

Memoria FLASH: Utilizan tecnologa de borrado elctrico al igual que las EEPROM, pero pueden
ser borradas y reprogramadas en bloques, y no palabra por palabra como ocurre con las tradicionales
EEPROM. Ofrecen un bajo consumo y una alta velocidad de acceso, alcanzando un tiempo de vida de
unos 100.000 ciclos de escritura.

Ubicacin en el computador
Interna (CPU): registros, cache(L1), cache(L2), cache(L3), memoria principal Externa (E/S): discos,
cintas, etc.

Las distintas memorias presentes en un computador se organizan de forma jerrquica:

2. 2MEMORIA CACH
2.1. Conceptos bsicos sobre sistemas de memoria de computadores.
El complejo tema de las memorias es ms abordable si clasificamos los sistemas de memoria segn sus
caractersticas clave. Las ms importantes se listan a continuacin:

UBICACIN: indica si la memoria es interna o externa al computador. La memoria interna suele

identificarse con la memoria principal. Sin embargo hay adems otras formas de memoria interna. El
procesador necesita su propia memoria local en forma de registros. Adems, como veremos, la unidad de
control del procesador tambin puede necesitar su propia memoria interna. La memoria cach es tambin
otro tipo de memoria interna. La memoria externa consta de dispositivos perifricos de almacenamiento,
tales como discos y cintas, que son accesibles por el procesador a travs de controladores de E/S.
CAPACIDAD: Para memorias internas se expresa normalmente en trminos de bytes (1 byte = 8 bits) o
de palabras. Longitudes de palabra comunes son 8, 16, y 32 bits. La capacidad de las memorias externas

(Stallings, 2005)

se suele expresar en bytes. Un concepto relacionado es la unidad de trasferencia. Para memorias internas,
la unidad de transferencia es igual al nmero de lneas de entrada/salida de datos del mdulo de memoria.
A menudo es igual a la longitud de palabra, pero suele ser mayor, por ejemplo 64, 128, o 256 bits.
UNIDAD DE TRANSFERENCIA: para la memoria principal es el nmero de bits que se leen o escriben
en memoria a la vez. La unidad de transferencia no tiene por qu coincidir con una palabra o con una
unidad direccionable. Para la memoria externa, los datos se transfieren normalmente en unidades ms
grandes que la palabra denominadas bloques.
MTODO DE ACCESO: que incluye las siguientes variantes:
o Acceso secuencial. o Acceso directo. o Acceso Aleatorio. o
Acceso asociativo.

2.2. 3Principios bsicos de la memoria cache.

La memoria cache es un tipo de memoria de menor capacidad y de mayor velocidad
que la memoria principal (y ms cara), se conecta entre la sta y la CPU. Puede
ubicarse en el chip de la CPU (L1) o en un mdulo externo (L2). Su funcin es la
de disminuir el tiempo promedio de acceso a memoria principal. Cuando la CPU
debe leer una palabra en una posicin de memoria, primero intenta leerla en el cache,
si la palabra es encontrada (cache hit), la operacin de lectura se habr realizado en
una forma mucho ms rpida que si se hubiera ledo en la memoria principal. Si la
palabra no est en el cache (cache miss), debe transferirse el bloque de memoria que
contenga la palabra requerido desde la memoria principal al cache, para luego
transferir la palabra desde el cache a la CPU. El cache se organiza en lneas, se debe
determinar en qu lnea se almacenar cada bloque de memoria principal.

2.3. Elementos de Diseo.

A la hora de disear un sistema de memoria cach hay que elegir entre una serie de alternativas para cada uno de
los siguientes elementos de diseo:

Funcin de correspondencia: determina las posibles lneas de la cach (marcos de bloque) en las que se
puede ubicar un determinado bloque de la memoria principal que ha sido referenciado por el programa y
hay que llevarlo a memoria cach.

Algoritmo de sustitucin: determina el bloque que hay que desubicar de una lnea de la cach cuando sta
est llena y hay que ubicar un nuevo bloque.

Poltica de escritura: determina la forma de mantener la coherencia entre memoria cach y memoria
principal cuando se realizan modificaciones (escrituras)

(Stallings, 2005)

Poltica de bsqueda de bloques: determina la causa que desencadena la llevada de un bloque a la cach
(normalmente un fallo en la referencia)

Cachs independientes para datos e instrucciones: frente a cachs unificadas.

3. 4MEMORIA INTERNA
3.1. Conceptos bsicos de la memoria interna.
La memoria interna en un computador moderno est formada tpicamente por dos niveles fundamentales:
memoria cach y memoria principal (memoria RAM del computador). En los computadores actuales es
frecuente encontrar la memoria cach tambin dividida en niveles.
MEMORIA PRINCIPAL. En la memoria principal se almacenan los programas que se deben ejecutar y
sus datos, es la memoria visible para el programador mediante su espacio de direcciones. CC-BY-SA
PID_00177073 19 Sistema de memoria La memoria principal se implementa utilizando diferentes chips
conectados a la placa principal del computador y tiene una capacidad mucho ms elevada que la memoria
cach (del orden de Gbytes o de Tbytes en supercomputadores). Utiliza tecnologa DRAM (Dynamic
RAM), que es ms lenta que la SRAM, pero con una capacidad de integracin mucho ms elevada, hecho
que permite obtener ms capacidad en menos espacio
Todos los tipos de memoria interna se implementan utilizando tecnologa de semiconductores y tienen el transistor
como elemento bsico de su construccin.
La memoria interna es una memoria de acceso aleatorio; se puede acceder a cualquier palabra de memoria
especificando una direccin de memoria.
Una manera de clasificar la memoria interna segn la perdurabilidad es la siguiente:

Memoria voltil.
La memoria voltil es la memoria que necesita una corriente elctrica para mantener su estado, de manera
genrica denominada RAM.
Las memorias voltiles pueden ser de dos tipos:

SRAM (static random access memory).

(Stallings, 2005)

La memoria esttica de acceso aleatorio (SRAM) implementa cada celda de memoria utilizando un flipflop
bsico para almacenar un bit de informacin, y mantiene la informacin mientras el circuito de memoria
recibe alimentacin elctrica.

RAM (dynamic random access memory).

La memoria dinmica implementa cada celda de memoria utilizando la carga de un condensador. A
diferencia de los flip-flops, los condensadores con el tiempo pierden la carga almacenada y necesitan un
circuito de refresco para mantener la carga y mantener, por lo tanto, el valor de cada bit almacenado. Eso
provoca que tenga un tiempo de acceso mayor que la SRAM.

Memoria no voltil.
La memoria no voltil mantiene el estado sin necesidad de corriente elctrica.

ROM (read only memory).

Tal como indica su nombre, se trata de memorias de solo lectura que no permiten operaciones de escritura
y, por lo tanto, la informacin que contienen no se puede borrar ni modificar.

PROM (programmable read only memory.

Cuando hay que fabricar un nmero reducido de memorias ROM con la misma informacin grabada, se
recurre a otro tipo de memorias ROM: las memorias ROM programables (PROM).

EPROM (erasable programmable read only memory).

Se trata de memorias en las que habitualmente se hacen operaciones de lectura, pero cuyo contenido puede
ser borrado y grabado de nuevo.

EEPROM (electrically erasable programmable read only memory).

Tiene un funcionamiento parecido a la EPROM, permite borrar el contenido y grabar informacin nueva;
sin embargo, a diferencia de las memorias EPROM, todas las operaciones son realizadas elctricamente.
Memoria flash.
La memoria flash es un tipo de memoria parecida a las memorias EEPROM, en las que el borrado es elctrico,
con la ventaja de que el proceso de borrar y grabar es muy rpido. La velocidad de lectura es superior a la
velocidad de escritura, pero las dos son del mismo orden de magnitud.

3.2. Memoria principal semiconductora.

En computadores antiguos, la forma ms comn de almacenamiento de acceso aleatorio para la memoria principal
consista en una matriz de pequeos anillos ferromagnticos denominados ncleos. Es por esto que la memoria
principal reciba a menudo el nombre de ncleo (core), un trmino que perdura en la actualidad. La llegada de la
microelectrnica, y sus ventajas, acab con las memorias de ncleos. Hoy en da es casi universal el uso de chips
semiconductores para la memoria principal. En esta seccin se exploran aspectos clave de esta tecnologa.

 ORGANIZACIN
El elemento bsico de una memoria semiconductora es la celda de memoria. Aunque se utilizan diversas tecnologas
electrnicas, todas las celdas de memoria semiconductora comparten ciertas propiedades:

Presentan dos estados estables (o semiestables), que pueden emplearse para representar el 1 y el 0
binarios.
Puede escribirse en ellas (al menos una vez) para fijar su estado.
Pueden leerse para detectar su estado.

3.3. Correccin de errores.

Una memoria semiconductora est sujeta a errores. Estos pueden clasificarse en fallos permanentes (har) y errores
transitorios u ocasionales (soft). Un fallo permanente corresponde a un defecto fsico, de tal modo que la celda o
celdas de memoria afectadas no pueden almacenar datos de manera segura, quedndose ancladas a cero o a uno, o
conmutando errneamente entre cero y uno. Los errores permanentes pueden estar causados por funcionamiento en
condiciones adversas, defectos de fabricacin, y desgaste. Un error transitorio es un evento aleatorio no destructivo
que altera el contenido de una o ms celdas de almacenamiento, sin daar a la memoria. Los errores transitorios
pueden deberse a problemas de la fuente de alimentacin o a partculas alfa. Estas partculas provienen de emisin
radiactiva y son lamentablemente frecuentes debido a que, en pequeas cantidades, hay ncleos radiactivos en casi
todos los materiales. Obviamente, los errores, tanto permanentes como transitorios, no son nada deseables, y la
mayora de los sistemas de memoria modernos incluyen lgica para detectar y corregir errores.
El cdigo corrector de errores ms sencillo es el cdigo de Hamming, ideado por Richard Hamming en los
Laboratorios Bell.

3.4. Organizacin avanzada de memorias DRAM

El bloque bsico de construccin de la memoria principal sigue siendo el chip de DRAM, como lo ha sido durante
dcadas, y desde principios de la dcada de los 1970 no ha habido cambios significativos en la arquitectura DRAM.
El chip DRAM tradicional est limitado tanto por su arquitectura interna como por su interfaz con el bus de memoria
del procesador. Hemos visto que una forma de abordar el problema de las prestaciones de la memoria principal
DRAM ha sido insertar uno o ms niveles de cachs SRAM de alta velocidad entre la memoria principal DRAM y
el procesador. Pero la SRAM es mucho ms costosa que la DRAM, y ampliar el tamao de cachs ms all de cierta
cantidad produce menos beneficios. En los ltimos aos se han explorado diversas versiones mejoradas de la
arquitectura bsica DRAM, y algunas de ellas estn siendo comercializadas. Los esquemas que dominan actualmente
el mercado son: SDRAM, DDR-DRAM, y RDRAM.

4. 5MEMORIA EXTERNA
La memoria externa corresponde a dispositivos de almacenamiento secundario: discos magnticos, cintas
magnticas, discos pticos, dispositivos de memoria flash, etc., y tambin se pueden considerar sistemas de
almacenamiento en red. Estos dispositivos son gestionados por el sistema de ficheros del sistema operativo mediante
el sistema de entrada/salida.
Los dispositivos que forman la memoria externa se conectan al computador con algn tipo de bus (serie o paralelo).
Estos dispositivos se pueden encontrar fsicamente dentro del computador conectados por buses internos del
computador (IDE, SATA, SCSI, etc.) o pueden estar fuera del computador conectados por buses externos (USB,
Firewire, eSATA, Infiniband, etc.).

4.1. Discos Magnticos.

Un disco magntico es un plato circular construido con un material no magntico, llamado sustrato, cubierto
por un material magnetizable. Tradicionalmente, el sustrato es aluminio o una aleacin de aluminio.
Recientemente, se han utilizado sustratos de cristal. Los sustratos de cristal tienen una serie de ventajas, entre
las cuales se encuentran:
Mejora en la uniformidad de la superficie magntica para incrementar la fiabilidad del disco.
Reduccin significativa de los defectos en toda la superficie lo que ayuda a reducir los errores de
lectura/escritura.
Capacidad para soportar grabaciones de gran proximidad (Fly heights, que se describirn
posteriormente).
Mejor rigidez para reducir la dinmica del disco. Mayor capacidad para resistir golpes y daos.

MECANISMOS DE LECTURA Y ESCRITURA MAGNETICA.

Los datos se graban y despus se recuperan del disco a travs de una bobina, llamada cabeza; en muchos
sistemas, hay dos cabezas, una de lectura y otra de escritura. Durante una operacin de lectura o escritura, la
cabeza permanece quieta mientras el plato rota bajo ella.
El mecanismo de escritura se basa en el hecho de que un
flujo elctrico atravesando una bobina crea un campo
magntico. Se envan pulsos elctricos a la cabeza de
escritura, y se graban los patrones magnticos en la
superficie bajo ella, con patrones diferentes para corrientes
positivas y negativas. La propia cabeza de lectura est hecha
de un material fcilmente magnetizable y tiene forma de
donut rectangular con un agujero a lo largo de un lado y
varias vueltas de cable conductor a lo largo del lado opuesto.
Una corriente elctrica en el cable induce un campo
magntico a lo largo del agujero, que magnetiza una

(Stallings, 2005)

pequea rea del medio grabable. Cambiando la direccin de la corriente,

cambia el sentido de magnetizacin del medio de grabacin.

ORGANIZACIN Y FORMATO DE LOS DATOS.

La cabeza es un dispositivo relativamente pequeo, capaz de leer o
escribir en una zona del plato que rota bajo ella. Esto da lugar a que
los datos se organicen en un conjunto de anillos concntricos en el
plato, llamados pistas. Cada pista es del mismo ancho que la cabeza.
Usualmente hay cientos de pistas por superficie.
En la Figura se puede ver la disposicin de los datos. Las pistas
adyacentes estn separadas por bandas vacas. Esto previene, o por lo
menos minimiza, los errores debidos a desalineamientos de la cabeza
o simplemente a interferencias del campo magntico.
Los datos se transfieren al y desde el disco en sectores. Normalmente
hay cientos de sectores por pista, y estos pueden tener una longitud variable o fija. En la mayora de los sistemas
de hoy se utilizan sectores de longitud fija, siendo 512 bytes el tamao casi universal de un sector. Para evitar
imposiciones de precisin ilgicas del sistema, los sectores adyacentes se separan con intrapistas (interceptores)
vacas.

4.2. RAID.
RAID (Redundant Array of Independent Disks, conjunto redundante de discos independientes). El esquema RAID
consta de seis niveles independientes, desde cero hasta cinco. Estos niveles no implican una relacin jerrquica, sino
que designan mtodos diferentes que poseen tres caractersticas comunes:
RAID es un conjunto de unidades fsicas de disco vistas por el sistema operativo como un nica unidad
lgica.
Los datos se distribuyen a travs de las unidades fsicas del conjunto de unidades.
La capacidad de los discos redundantes se usa para almacenar informacin de paridad que garantice la
recuperacin de los datos en caso de fallo de disco.
Los detalles de las caractersticas segunda y tercera cambian segn los distintos niveles RAID. RAID 0 no soporta
la tercera caracterstica.
La estrategia RAID reemplaza una unidad de disco de gran capacidad por unidades mltiples de menor capacidad y
distribuye los datos de forma que se puedan habilitar accesos simultneos a los datos de varias unidades mejorando,
por tanto, las prestaciones de E/S y permitiendo ms fcilmente aumentos en la capacidad.
La nica contribucin de la propuesta RAID es, efectivamente, hacer hincapi en la necesidad de redundancia. El
uso de varios dispositivos, adems de permitir que varias cabezas y actuadores operen simultneamente,
consiguiendo mayores velocidades de E/S y de transferencia, incrementa la probabilidad de fallo. Para compensar
esta disminucin de seguridad, RAID utiliza la informacin de paridad almacenada que permite la recuperacin de
datos perdidos debido a un fallo de disco.

4.3. Memoria ptica.

En 1983, se introdujo uno de los productos de consumo de ms xito de todos los tiempos: el disco compacto (CD,
Compact Disk) digital de audio. El CD es un disco no borrable que puede almacenar ms de sesenta minutos de
informacin de audio en una cara. El gran xito comercial del CD posibilit el desarrollo de la tecnologa de discos
de memoria ptica de bajo coste, que revolucion el almacenamiento de datos en un computador. Se han introducido
una gran variedad de discos pticos.

4.4. Cinta magntica.

Los sistemas de cinta usan las mismas tcnicas de lectura y grabacin que los discos. El medio es una cinta de
polister flexible (parecido al usado en ropa) cubierta por un material magnetizable. La cubierta puede consistir en
partculas de un metal puro en concreto un revestimiento o pelcula de metal plateado vaporizado. La cinta y la
unidad de cinta son anlogas a las cintas de grabacin domsticas. Los anchos de las cintas pueden variar entre 0,38
cm (0,15 pulgadas) y 1,27 cm (0,5 pulgadas). Una cinta ubicada en un carrete abierto tiene que enrollarse en otro
carrete ubicado en un segundo cabezal. Hoy da, prcticamente todas las cintas vienen cerradas en cartuchos.
Los datos en la cinta, se estructuran en una serie de pistas paralelas longitudinales. Los primeros sistemas de cintas
usaban nueve pistas. Esto hace posible almacenar datos de un byte en un instante dado, con un bit de paridad
adicional, en la novena pista. Los nuevos sistemas de cintas usan 18 o 36 pistas, correspondiendo a una palabra o
doble palabra digital. La grabacin de datos de esta forma se denomina grabacin paralela. Los sistemas ms
modernos utilizan en su lugar grabacin serie, en la que los datos se disponen como una secuencia de bits a lo largo
de cada pista, como se hace en los discos magnticos.
Como con el disco, los datos se leen y escriben en bloques contiguos, llamados registros fsicos de cinta. Los bloques
en la cinta estn separados por bandas vacas llamadas bandas interregistros. Como en el disco, la cinta se formatea
para facilitar la localizacin de los registros fsicos.

Una unidad de cinta es un dispositivo de acceso secuencial. Si la cabeza de la cinta se posiciona en el registro 1,
entonces para leer el registro N, es necesario leer los registros fsicos del 1 al N-l, uno a uno. Si la cabeza est
actualmente situada ms all del registro deseado, es necesario rebobinar la cinta una cierta distancia y empezar a
leer hacia delante. A diferencia del disco, la cinta est en movimiento solamente durante las operaciones de lectura
o escritura.

Bibliografa
Stallings, W. (2005). Organizacion y arquitectura de computadores (Sptima ed.). Madrid, Espaa: Pearson
Educacin S.A. Recuperado el 25 de 08 de 2016